JPH035914A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、基体として合成樹脂を用いた磁気記録媒体に
関する。

［従来の技術］ 従来、合成樹脂により形成された基体と記録層との密着
性を改善した磁気記録媒体として、特開昭６０−５２９
２３号公報により技術開示された磁気記録媒体が知られ
ていた。これは、合成樹脂基板に活性ガスのイオンを照
射することによって表面処理し、その後、この基板上に
記録膜を形成したものである。

合成樹脂基体と記＃！膜との密着性を改善する必要があ
るのは、密着性が悪い場合５クランクが発生して信号特
性が劣下したり、記録膜が酸化劣下して、充分な信頼性
が得られないからである。

［発明が解決しようとする課題］ しかし、上記従来の技術は、いくぶん密着性を向上させ
ることはできるものの十分ではなく、クラック発生防止
の効果も不十分であった。

また、合成樹脂基板は表面の導電性が小さいため、合成
樹脂基板の使用に際してはこれを大きくするような処置
をほどこす必要があるが、上記従来の技術では合成樹脂
基板の導電性を向上させることができなかった。このた
め、基板表面が帯電しやすく、基板表面に微小なゴミが
付着しやすいため、信号欠陥の原因となっていた。

本発明は、上記従来の方法では解決が困難であった、ク
ラックの発生の防止と基板表面の１Ｆ電防止の両方を同
時に改善し、信頼性の高い磁気記録媒体を提供すること
を目的とする。

［課題を解決するための手段］ 本発明の要旨は、合成樹脂により形成された基体の表面
に不活性ガスのイオンを注入することにより当該基体の
表面に炭化物膜が形成され、当該炭化物膜上にクロム膜
が形成され、かつ、当該クロム膜上に少なくとも記録膜
が形成されたことを特徴とする磁気記録媒体に存在する
。

以下、本発明の構成について、詳細に説明する。

（合成樹脂基板） 基板を形成する合成樹脂としては２例えば、ポリエーテ
ルイミド、ポリエーテルサルホン、ポリフェニレンサル
ファイド、ボリアリレート、ポリカーボネート等を用い
ることができる。さらに、必要に応じて、チタン酸カリ
ウムウィスカー、灰素繊維、ガラス繊維、金属繊維、ガ
ラスピーズ、セラミックス粉末、カーボン粒子等を適宜
添加してもよい。

（不活性ガスイオンの注入） 本発明においては、合成樹脂基板に不活性ガスイオンを
注入する。不活性ガスとしては、例えばＨｅ、Ｎｅ、Ａ
ｒ、Ｋｒ、Ｘｅ等が使用可能である。

イオン注入とは、添加しようとする元素を高真空（１０
−’Ｐａ程度）中でイオン化し、数＋ｋＶ〜数百ｋＶの
電界で加速して固体基板に添加する方法をいう。

（クロム膜） 本発明は、クロム膜の形成方法や膜厚等を特に限定する
ものではない。形成方法としては、例えばスパッタリン
グ法などが使用可能である。

（記録１１り 本発明は、記録膜の形成材料や形成方法、膜厚等を特に
限定するものではない。例えば、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎ
ｉ−Ｃｒ等が使用可能である。

なお、記録膜の上に他の薄膜を形成してもよい。例えば
、記録膜の上に保護膜や潤滑膜を設けても、本発明の効
果に何ら影響を与えるものではない。

［作用］ 本発明によれば、合成樹脂基板表面に炭化物膜を形成し
て当該炭化物膜上にクロム膜を形成し、さらに該クロム
膜の上に記録膜を形成するので、当該合成樹脂基板と記
録膜との密着性を向上させることができ、従って、クラ
ックの発生を防ぐことができる。

また、表面に炭化物膜を形成することにより、合成樹脂
に比べて著しく導電性を向上させることができるので、
基板表面の帯電を防止することができ、従って微小なゴ
ミの吸着を防ぐことができる。

［実施例］ 以下、本発明の実施例を、第１図を参照しながら説明す
る。なお、本実施例においては、磁気記録媒体の一例と
して、磁気ディスクの場合について説明する。

本実施例においては、イオン注入する不活性ガスイオン
のみ異なる６睡類の磁気ディスクを作製して実施例サン
プル１〜６とし、クラックの発生状況および信号特性の
評価を行なった。各磁気ディスクは、第１図に示したよ
うな層構造とした。第１図において、１は保護層として
のカーボン膜、２は記録層としてのコバルト合金膜、３
は下地層としてのクロム膜、４は不活性ガスイオンの注
入により形成された炭化層、５は合成樹脂基板としての
ポリエーテルイミドである。

まず、各磁気ディスクの製造方法について説明する。

■ポリエーテルイミド樹脂を用いて、射出成形により、
厚さ１．９ｍｍ、外径１３０ｍｍ、内径４０ｍｍのドー
ナツ型の基板を成形した。

■この基板の表面に、表１に示すような不活性ガスイオ
ンの注入を、それぞれ行った。イオン注入は熱陰極形イ
オン源を用いて不活性ガスをイオン化し、基板が熱変形
しないように電流を調整して行った。イオン注入量は、
それぞれ表１に示したとおりとした。

■このイオン注入によって形成された炭化膜上に、ＤＣ
マグネトロンスパッタ法により、クロム膜、コバルト合
金膜、カーボン膜をそれぞれ２０００人、８００人、３
００人の厚さで形成し、磁気ディスクを完成した。

なお、比較のために、合成樹脂基板の表面に不活性ガス
イオンの注入を行わないで、基板に直接クロム膜、コバ
ルト合金膜、カーボン膜を形成したもの（冬服とも膜厚
は上記と同じ）を作製した。

（以下余白） 表１ 以上のようにして作製した磁気ディスクの表面を、走査
型電子顕微鏡で、５００倍の倍率で観察した。また、併
せて、振動試料型磁力計（Ｖ、Ｓ、Ｍ、）を用いて、抗
磁力（Ｈｃ）を測定した。

この結果を表２に示す。

表２ 表３ 表２かられかるように、本実施例に係わる磁気ディスク
によれば、クラックの発生を完全に防止することができ
た。また、本実施例に係わる磁気ディスクが従来の磁気
ディスクと同様の抗磁力を有することも確認された。

また、これらの各磁気ディスクについて、３３７０型の
ミニモノリシックヘッド（トラック巾２０μｍ）を使用
して、信号欠陥の個数を測定した。その結果を表３に示
す。

（以下余白） 表３かられかるように、本実施例に係る磁気ディスクで
は、信号欠陥を著しく減少させることができた。

次に、これらの磁気ディスクを８０℃、８０％ＲＨの恒
温恒湿槽に入れ、１０００時間経過後、磁気特性、信号
特性を評価した。

その結果、比較例磁気ディスクは、Ｈｃの増加、角形比
の劣下などの磁気特性の変化およびＳ／Ｎ比の劣下など
が見られたが、本発明の実施例では、磁気特性、信号特
性ともにまったく変化は見られなかった。

以上、磁気記録媒体の一例として、磁気ディスクの場合
について説明したが、他の磁気記録媒体についても同様
の結果を得ることがで鮒た。

［効果］ 以上説明したように、本発明によれば、基板として合成
樹脂を用いた磁気記録媒体のクラックの発生を防止する
ことができる。このため、磁気記録媒体の磁性層の酸化
を防げることができるので長期的に信頼性の高い磁気記
録媒体を提供することができる。

また、合成樹脂、基板の表面の導電性を高くすることが
できるので、信号欠陥のない優れた磁気記録媒体を提供
できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例に係る磁気ディスクの構造
を示す模式的断面図である。 ロム膜、 ４・・・炭化物による膜、 ５・・・合成樹脂基

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 合成樹脂により形成された基体の表面に不活性ガスのイ
   オンを注入することにより当該基体の表面に炭化物膜が
   形成され、当該炭化物膜上にクロム膜が形成され、かつ
   、当該クロム膜上に少なくとも記録膜が形成されたこと
   を特徴とする磁気記録媒体。