JPH0360453A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPH0360453A JPH0360453A JP1193930A JP19393089A JPH0360453A JP H0360453 A JPH0360453 A JP H0360453A JP 1193930 A JP1193930 A JP 1193930A JP 19393089 A JP19393089 A JP 19393089A JP H0360453 A JPH0360453 A JP H0360453A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- main component
- ceramic composition
- dielectric ceramic
- sample
- mgo
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、高誘電率を有する鉛系誘電体磁器組成物に関
する。
する。
［従来の技術と発明が解決しようとする課題ゴ釦系誘電
体磁器組成物として、 Ｐｂ（Ｍｇ Ｎｂ ） （Ｚｎ１／２Ｎｂ２／１／
３ ２／３ ｘ ３）、（Ｆｅ２／３Ｗｌ／３ ） ２０３ （ｆ！！Ｌ
、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１） が特開昭５９−５４６６６号公報に開示されている。こ
こに開示されている誘電体磁器組成物は比較的低温の７
８０℃〜９６０℃で焼成できる。しかし、この誘電体磁
器組成物の比誘電率は６３８０〜１１８２０であってさ
ほど高くなく、また絶縁抵抗値及びバイアス特性もよく
ない。
体磁器組成物として、 Ｐｂ（Ｍｇ Ｎｂ ） （Ｚｎ１／２Ｎｂ２／１／
３ ２／３ ｘ ３）、（Ｆｅ２／３Ｗｌ／３ ） ２０３ （ｆ！！Ｌ
、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１） が特開昭５９−５４６６６号公報に開示されている。こ
こに開示されている誘電体磁器組成物は比較的低温の７
８０℃〜９６０℃で焼成できる。しかし、この誘電体磁
器組成物の比誘電率は６３８０〜１１８２０であってさ
ほど高くなく、また絶縁抵抗値及びバイアス特性もよく
ない。
特開昭６１−１９１５５９号公報には、前述の特開昭５
’）−５４６６６号に開示されている誘電体磁器組成物
に、０．０１〜０．３５重量％の範囲でＭｇＯを添加す
ることが開示されている。このＭｇＯを添加した誘電体
磁器組成物の焼成温度は８７０°Ｃ〜１０００℃であり
、比誘電率は６５００〜９０１０である。
’）−５４６６６号に開示されている誘電体磁器組成物
に、０．０１〜０．３５重量％の範囲でＭｇＯを添加す
ることが開示されている。このＭｇＯを添加した誘電体
磁器組成物の焼成温度は８７０°Ｃ〜１０００℃であり
、比誘電率は６５００〜９０１０である。
特開昭６２−３１９０７号公報には、
）Ｏ
Ｐ ｂ（Ｍ ｇ １／３ Ｎ ｂ ２／３ ３）Ｏ
Ｐ ｂ （Ｚ ｎ １１ｓ Ｎ ｂ ２／３ ３ｂＴ
１０３ から成る１００ｆ！量部の主成分と、１．ＯＪ！量部以
下のＭｇＯから戒る副成分とを含む誘電体磁器組成物が
開示されている。この誘電体磁器組成物の焼成温度は１
０００°Ｃ以上であり、比誘電率は１００００〜２４０
００である。
１０３ から成る１００ｆ！量部の主成分と、１．ＯＪ！量部以
下のＭｇＯから戒る副成分とを含む誘電体磁器組成物が
開示されている。この誘電体磁器組成物の焼成温度は１
０００°Ｃ以上であり、比誘電率は１００００〜２４０
００である。
ところで、コンデンサの小型化を達成するためには、誘
電体磁器組成物の比誘電率は大きいことが必要であり、
誘電体磁器組成物の絶縁抵抗が高いことが望ましい。ま
た、焼成温度が高くなると、ＰｂＯの蒸発量が多くなり
、特性値にバラツキが生じたり、過大設備を必要とした
り、高価なＰｄを固溶させた電極を用いる必要が生じる
ため、焼成温度はできるだけ低い方が望ましい。
電体磁器組成物の比誘電率は大きいことが必要であり、
誘電体磁器組成物の絶縁抵抗が高いことが望ましい。ま
た、焼成温度が高くなると、ＰｂＯの蒸発量が多くなり
、特性値にバラツキが生じたり、過大設備を必要とした
り、高価なＰｄを固溶させた電極を用いる必要が生じる
ため、焼成温度はできるだけ低い方が望ましい。
そこで、本発明の目的は、８５０℃以下の温度で焼成す
ることが可能であり、且つ１００００以上の比誘電率を
有し、且つ２５℃における抵抗率が１０１１Ω・ｃｍ以
上、１５０℃の抵抗率が１゜１０Ω・ｃｍ以上であり、
且つｔａｎδが３％以下である誘ｔｔ４ｃ磁器組成物を
提供することにある。
ることが可能であり、且つ１００００以上の比誘電率を
有し、且つ２５℃における抵抗率が１０１１Ω・ｃｍ以
上、１５０℃の抵抗率が１゜１０Ω・ｃｍ以上であり、
且つｔａｎδが３％以下である誘ｔｔ４ｃ磁器組成物を
提供することにある。
［課題を解決するための手段］
上記目的を達成するための本発明は、ｌ００重量部の主
成分と、０．２５〜０，６０重量部の副成分としてのＭ
ｇＯとから成り、前記主成分は、［Ｐｂ（Ｍｇ Ｎ
ｂ ）Ｏ］ １／３ ２／３ ３ ａ ［Ｐｂ（Ｚｎ Ｎｂ ）Ｏ］ １／３ ２／３ ３ ｂ ［ｐ ｂ （Ｆ ｅ ２／３ Ｗ１／３ ） ０３ ］
Ｃ［Ｐ ｂ Ｔ １０ ｓ ］ ｄ （但し、ａは０．５〜０．８、ｂは０．１４〜０゜３５
、Ｃは０．０５〜０．２０．ｄはｏ、ｏｉ〜０．１０を
満足する数値）から成ることを特徴とする誘電体磁器組
成物に係わるものである。
成分と、０．２５〜０，６０重量部の副成分としてのＭ
ｇＯとから成り、前記主成分は、［Ｐｂ（Ｍｇ Ｎ
ｂ ）Ｏ］ １／３ ２／３ ３ ａ ［Ｐｂ（Ｚｎ Ｎｂ ）Ｏ］ １／３ ２／３ ３ ｂ ［ｐ ｂ （Ｆ ｅ ２／３ Ｗ１／３ ） ０３ ］
Ｃ［Ｐ ｂ Ｔ １０ ｓ ］ ｄ （但し、ａは０．５〜０．８、ｂは０．１４〜０゜３５
、Ｃは０．０５〜０．２０．ｄはｏ、ｏｉ〜０．１０を
満足する数値）から成ることを特徴とする誘電体磁器組
成物に係わるものである。
上記組成式において、ｐｂは鉛、Ｍｇはマグネシウム、
Ｎｂはニオブ、Ｚｎは亜鉛、Ｆｅは鉄、Ｗはタングステ
ン、］゛１はチタン、０は酸素、ａ、ｂ、ｃ、ｄはモル
比を示す数値である。
Ｎｂはニオブ、Ｚｎは亜鉛、Ｆｅは鉄、Ｗはタングステ
ン、］゛１はチタン、０は酸素、ａ、ｂ、ｃ、ｄはモル
比を示す数値である。
なお、前記主成分におけるＮｂの一部を３０モル％以下
のＴａ（タンタル）でｔｔｎすることが望ましい。
のＴａ（タンタル）でｔｔｎすることが望ましい。
また、前記主成分に対して０．３モル％以下の範囲でＭ
ｎ Ｏ２（酸化マンガン）を添加することが望ましい
。
ｎ Ｏ２（酸化マンガン）を添加することが望ましい
。
［作 用］
本発明の誘電体磁器組成物は、
Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）０３・と、１／３ ２
／３ ）０３と゛ Ｐｂ （Ｚｎ Ｎｂ Ｐｂ （Ｆｅ２／３ Ｗ１／３ ） ０３と、Ｐ ｂ
Ｔ １０３と の４成分を含み、更にＭｇＯを含むので、低温焼成か可
能になると共に、高い誘電率と更に高い抵抗率とをるこ
とか可能になる。
／３ ）０３と゛ Ｐｂ （Ｚｎ Ｎｂ Ｐｂ （Ｆｅ２／３ Ｗ１／３ ） ０３と、Ｐ ｂ
Ｔ １０３と の４成分を含み、更にＭｇＯを含むので、低温焼成か可
能になると共に、高い誘電率と更に高い抵抗率とをるこ
とか可能になる。
Ｎｂの一部をＴａで置換すると、比誘電率の温度特性を
シフトさせることが可能になる。
シフトさせることが可能になる。
Ｍ ｎ Ｏ２を添加すると、絶縁抵抗（抵抗率）が高く
なる。
なる。
［実施例］
次に、本発明の実施例（比較例も含む）を説明する。
実施例及び比較例の誘電体磁器組成物は第１表に示す組
成を有する。第１表において、主成分組成比のａ、ｂ、
ｃ、ｄの欄には、 Ｎｂ）Ｏ］ ［Ｐｂ（Ｍ”’１／３ ２／３ ３ ａ［Ｐｂ（
Ｚｎ Ｎｂ ）Ｏ］１／３ ２／３
３ ｂ［ｐ ｂ （Ｆｅ２／３ Ｗ１／３
） ０３１ Ｃ［ＰｂＴｉＯ３１ｄ で示される主成分の組成式におけるａ、ｂ、ｃ、ｄの値
が示され、ＭｇＯ過剰添加量の欄には１００重量部の主
成分に対する副成分としてのＭｇ。
成を有する。第１表において、主成分組成比のａ、ｂ、
ｃ、ｄの欄には、 Ｎｂ）Ｏ］ ［Ｐｂ（Ｍ”’１／３ ２／３ ３ ａ［Ｐｂ（
Ｚｎ Ｎｂ ）Ｏ］１／３ ２／３
３ ｂ［ｐ ｂ （Ｆｅ２／３ Ｗ１／３
） ０３１ Ｃ［ＰｂＴｉＯ３１ｄ で示される主成分の組成式におけるａ、ｂ、ｃ、ｄの値
が示され、ＭｇＯ過剰添加量の欄には１００重量部の主
成分に対する副成分としてのＭｇ。
の量が重量部で示され、ＮｂのＴａ置換量の欄にはＮｂ
の代りに添加するＴａの量がモル％で示され、Ｍ ｎ
Ｏ２添加量の欄には主成分に対するＭｎＯ２の添加量が
モル％で示され、Ａサイト／Ｂサイトの捕には主成分を
ＡＢＯ３のペロブスカイト構造式で示し、ＡサイトをＰ
ｂ、ＢサイトをＭｇ、Ｎｂ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｗ、Ｔｉとし
た時のＡ／Ｂがモル％で示されている。
の代りに添加するＴａの量がモル％で示され、Ｍ ｎ
Ｏ２添加量の欄には主成分に対するＭｎＯ２の添加量が
モル％で示され、Ａサイト／Ｂサイトの捕には主成分を
ＡＢＯ３のペロブスカイト構造式で示し、ＡサイトをＰ
ｂ、ＢサイトをＭｇ、Ｎｂ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｗ、Ｔｉとし
た時のＡ／Ｂがモル％で示されている。
試料１ｌｌＱ１に従う誘電体磁器組成物即ち、［Ｐｂ（
Ｍｇ Ｎｂ ）Ｏ］ １／３ ２／３ ３ ０．５９５ ［Ｐｂ（Ｚｎ Ｎｂ ）０ ］１／３ ２
／３ ３ ０．２５５ ［Ｐ ｂ （Ｆ ｅ ２／３ Ｗ １７３ ） ０３］
ｏ、 １゜［ＰｂＴ１０３］ ｏ、ｏｓ の１００重量部の主成分と０．５０％重量部のＭｇｏ（
副成分）とから成る組成物を得る時には、まず、 Ｍｇｏを９．６７ｇ、 ＺｎＯを６゜９２ｇ、 Ｎｂ２Ｏ５を７５．３１ｇ、 Ｆｅ２Ｏ３を５．３２ｇ、 ＷＯ３を７．７３ｇ それぞれ秤量し、これ等の原料をポリエチレン製ポット
に入れ、ここにエタノールを添加し、ＺｒＯ２のボール
を用いて湿式混合し、これを１０００℃の温度で２時間
仮焼した。
Ｍｇ Ｎｂ ）Ｏ］ １／３ ２／３ ３ ０．５９５ ［Ｐｂ（Ｚｎ Ｎｂ ）０ ］１／３ ２
／３ ３ ０．２５５ ［Ｐ ｂ （Ｆ ｅ ２／３ Ｗ １７３ ） ０３］
ｏ、 １゜［ＰｂＴ１０３］ ｏ、ｏｓ の１００重量部の主成分と０．５０％重量部のＭｇｏ（
副成分）とから成る組成物を得る時には、まず、 Ｍｇｏを９．６７ｇ、 ＺｎＯを６゜９２ｇ、 Ｎｂ２Ｏ５を７５．３１ｇ、 Ｆｅ２Ｏ３を５．３２ｇ、 ＷＯ３を７．７３ｇ それぞれ秤量し、これ等の原料をポリエチレン製ポット
に入れ、ここにエタノールを添加し、ＺｒＯ２のボール
を用いて湿式混合し、これを１０００℃の温度で２時間
仮焼した。
次に、この仮焼物をボールミルで粉砕し、平均粒径を約
０．７μｍとし、これにＴｉＯ２の粉末を４．００ｇＰ
ｂ３Ｏ４の粉末を２３３．０９ｇ配合し、この配合物を
ボールミルによって湿式混合した後、７４０℃の温度で
３時間仮焼して仮焼原料を得た。
０．７μｍとし、これにＴｉＯ２の粉末を４．００ｇＰ
ｂ３Ｏ４の粉末を２３３．０９ｇ配合し、この配合物を
ボールミルによって湿式混合した後、７４０℃の温度で
３時間仮焼して仮焼原料を得た。
次に、この仮焼原料をボールミルによって湿式粉砕し、
乾燥した後、有機バインダーを加えて造粒し、この造粒
物を直径９．８ｍｍ、厚さ０．６ｍｍの円板状に５００
ｋｇ／ｃｍ２の圧力で加圧成形して成形物を得た。
乾燥した後、有機バインダーを加えて造粒し、この造粒
物を直径９．８ｍｍ、厚さ０．６ｍｍの円板状に５００
ｋｇ／ｃｍ２の圧力で加圧成形して成形物を得た。
次に、この成形物をジルコニアセッター圭に載せて空気
中で８５０℃の温度で焼成した。
中で８５０℃の温度で焼成した。
次に、焼成後の磁器素体の両型面に銀ペーストを塗布し
て焼付けることによって一対のコンデンサ電極を作り、
２５℃における比誘電率ε 、２５°Ｃにおけるｔａｎ
δ、２５℃における抵抗率ρ２５．１５０℃における抵
抗率ρ を測定したところ、５０ ε、は１６５５０、ｔａｎδは２．９、ρ２５はｌ。
て焼付けることによって一対のコンデンサ電極を作り、
２５℃における比誘電率ε 、２５°Ｃにおけるｔａｎ
δ、２５℃における抵抗率ρ２５．１５０℃における抵
抗率ρ を測定したところ、５０ ε、は１６５５０、ｔａｎδは２．９、ρ２５はｌ。
２１０
２×１０ Ω−ｃｍ、ρ１５０は１．３Ｘ１０ Ω−
ｃｍであった。
ｃｍであった。
なお、比誘電率ε 、ｔａｎδは、周波数１に！Ｉｚ、
「 電圧ＩＶ（実効値〉、温度２５℃の条件で測定した。
「 電圧ＩＶ（実効値〉、温度２５℃の条件で測定した。
また、抵抗率は、コンデンサに１００Ｖの電圧を２０秒
間印加した後に抵抗値を求め、この抵抗値から算出した
。
間印加した後に抵抗値を求め、この抵抗値から算出した
。
試料１１Ｑ２．３．６〜９．１１．１２．１６〜２６．
３２．３６．３７．４５〜４７においても、主成分の組
成式におけるａ、ｂ、ｃ、ｄ又は副成分のＭｇＯを変え
た他は、試料ＮＯ，１と同一の方法で磁器コンデンサを
作り、同一の方法で特性を測定したところ、第２表に示
す結果が得られた。
３２．３６．３７．４５〜４７においても、主成分の組
成式におけるａ、ｂ、ｃ、ｄ又は副成分のＭｇＯを変え
た他は、試料ＮＯ，１と同一の方法で磁器コンデンサを
作り、同一の方法で特性を測定したところ、第２表に示
す結果が得られた。
また、請求項２に従う誘電体磁器組成物を得るために、
試料ＮＱ４．５．１０．１３．１４．１５．２７〜３１
．３８〜４２に示すようにＴａを添加した。即ち、Ｍｇ
Ｏ，ＺｎＯ１Ｎｂ２０５、Ｆｅ２Ｏ３、ＷＯ３、′Ｆａ
２０５の原料混合物の仮焼物を試料Ｎα１の場合と同一
の方法で作り、この仮焼物にＴ １０２とＰｂ３Ｏ４を
加えて試料Ｎα１と同一方法で仮焼し、しかる後、これ
を使用して試料騎１と同様な成形物を作り、これを焼成
する。
試料ＮＱ４．５．１０．１３．１４．１５．２７〜３１
．３８〜４２に示すようにＴａを添加した。即ち、Ｍｇ
Ｏ，ＺｎＯ１Ｎｂ２０５、Ｆｅ２Ｏ３、ＷＯ３、′Ｆａ
２０５の原料混合物の仮焼物を試料Ｎα１の場合と同一
の方法で作り、この仮焼物にＴ １０２とＰｂ３Ｏ４を
加えて試料Ｎα１と同一方法で仮焼し、しかる後、これ
を使用して試料騎１と同様な成形物を作り、これを焼成
する。
なお、ＮｂをＴａで置換した場合における主成分の組成
比の欄のａ、ｂはＴａを含む組成比で示されている また、請求項３に従う誘電体磁器組成物を得るために、
試料Ｎα３３．３４．３５．３９〜４３に示すようにＭ
ｎ Ｏ２を添加し、試料Ｎｏ、 １と同一の方法で磁
器コンデンサを作り、同一の方法で電気的特性を測定し
た。なお、Ｍ ｎ Ｏ２はＭｇＯ，ＺｎＯ，Ｎｂ Ｏ、
Ｆｅ２Ｏ３、ＷＯ３と同時に５ 仮焼した。
比の欄のａ、ｂはＴａを含む組成比で示されている また、請求項３に従う誘電体磁器組成物を得るために、
試料Ｎα３３．３４．３５．３９〜４３に示すようにＭ
ｎ Ｏ２を添加し、試料Ｎｏ、 １と同一の方法で磁
器コンデンサを作り、同一の方法で電気的特性を測定し
た。なお、Ｍ ｎ Ｏ２はＭｇＯ，ＺｎＯ，Ｎｂ Ｏ、
Ｆｅ２Ｏ３、ＷＯ３と同時に５ 仮焼した。
第１表及び第２表から明らかなように、本発明に従う誘
電体磁器組成物によれば、比誘電率εｒが１ｏｏｏｏ以
上、ｔａｎδが３％以下、２５℃の０ 抗率ρ１５０が１０ Ω・ｃｍ以上の電気的特性を得る
ことができる。また、１０００°Ｃ以下での焼成が可能
になる。
電体磁器組成物によれば、比誘電率εｒが１ｏｏｏｏ以
上、ｔａｎδが３％以下、２５℃の０ 抗率ρ１５０が１０ Ω・ｃｍ以上の電気的特性を得る
ことができる。また、１０００°Ｃ以下での焼成が可能
になる。
一方、本発明の組成範囲に属さない試料Ｎα２．３．７
．８．１９．２０．２３．２４．２５．２６．３２．４
３．４５は上記の所望特性を得ることができない、従っ
て、これ等は本発明の比較例である。
．８．１９．２０．２３．２４．２５．２６．３２．４
３．４５は上記の所望特性を得ることができない、従っ
て、これ等は本発明の比較例である。
次に各成分の限定理由を説明する。
ａが０．５よりも小さいと、試料に８．１９．２０．２
４．２５に示すように、比誘電率が１００００よりも小
さくなるか又は焼結しない、一方、ａが０．８よりも大
きいと、試ｆ４８Ｑ４６に示すように比誘電率が１ｏｏ
ｏｏよりも小さくなる。従って、ａの好ましい範囲はＯ
１５〜０，８である。
４．２５に示すように、比誘電率が１００００よりも小
さくなるか又は焼結しない、一方、ａが０．８よりも大
きいと、試ｆ４８Ｑ４６に示すように比誘電率が１ｏｏ
ｏｏよりも小さくなる。従って、ａの好ましい範囲はＯ
１５〜０，８である。
ｂの値が０．１４の場合には試料馳４５に示すように所
望の特性を得ることができるが、ｂの値が０．１４末溝
の場合には試料ＮＱ４５に示すように比誘電率がｔｏｏ
ｏｏ未溝になる。また、ｂの値が０，３５の場合には試
料１１Ｑ１３．３８に示すように所望の特性を得ること
ができるが、ｂの値がこれよりも大きくなると所望の特
性を得ることができなくなる。従って、ｂの好ましい範
囲は０゜１４〜０．３５である。
望の特性を得ることができるが、ｂの値が０．１４末溝
の場合には試料ＮＱ４５に示すように比誘電率がｔｏｏ
ｏｏ未溝になる。また、ｂの値が０，３５の場合には試
料１１Ｑ１３．３８に示すように所望の特性を得ること
ができるが、ｂの値がこれよりも大きくなると所望の特
性を得ることができなくなる。従って、ｂの好ましい範
囲は０゜１４〜０．３５である。
Ｃの値が０．０５及び０．２０の場合には試料ｌ４Ｑ１
７．１８．２１に示すように所望の特性を得ることがで
きるが、試料間２５に示すようにＣが０．３になると、
比誘電率及び１５０℃の抵抗率が所望特性よりも悪くな
る。またＣが０．０５よりも小さくなると、低温焼成が
不可能になる。従って、Ｃの好ましい範囲は０．０５〜
０，２０である。
７．１８．２１に示すように所望の特性を得ることがで
きるが、試料間２５に示すようにＣが０．３になると、
比誘電率及び１５０℃の抵抗率が所望特性よりも悪くな
る。またＣが０．０５よりも小さくなると、低温焼成が
不可能になる。従って、Ｃの好ましい範囲は０．０５〜
０，２０である。
ｄの値がＯの場合は試料ＮＱ３２に示すように比誘電率
がｔ ｏｏｏｏ未満となるが、ｄの値が０゜Ｏｌの場合
は試料ＮＱ１６．１８に示すように所望特性を得ること
ができる。またｄの値が０．１の場合には試料Ｎｏ、
３８に示すように所望特性を得ることができるが、ｄの
値が０，２の場合には試料恥７に示すように比誘電率が
目標値よりも大幅に小さくなる。従って、ｄの好ましい
範囲は０，０１〜０．１０である。
がｔ ｏｏｏｏ未満となるが、ｄの値が０゜Ｏｌの場合
は試料ＮＱ１６．１８に示すように所望特性を得ること
ができる。またｄの値が０．１の場合には試料Ｎｏ、
３８に示すように所望特性を得ることができるが、ｄの
値が０，２の場合には試料恥７に示すように比誘電率が
目標値よりも大幅に小さくなる。従って、ｄの好ましい
範囲は０，０１〜０．１０である。
Ｍｇｏの過剰添加量が０．１５重量部の場合には試料Ｎ
Ｑ３に示すように焼結しないが、０．２５重量部になる
と試料ぬ４に示すように所望の特性を得ることができる
。また、ＭｇＯの量が０．７５重量部の場合は試料Ｎα
６．４３に示すように所望特性が得られるが、１．００
重量部になると試料ＮＱ４４に示すように比誘電率、ｔ
ａｎδ、１５０°Ｃの抵抗率が所望特性よりも悪くなる
。従って、Ｍｇｏの好ましい範囲は０．２５〜０．７５
重量部である。
Ｑ３に示すように焼結しないが、０．２５重量部になる
と試料ぬ４に示すように所望の特性を得ることができる
。また、ＭｇＯの量が０．７５重量部の場合は試料Ｎα
６．４３に示すように所望特性が得られるが、１．００
重量部になると試料ＮＱ４４に示すように比誘電率、ｔ
ａｎδ、１５０°Ｃの抵抗率が所望特性よりも悪くなる
。従って、Ｍｇｏの好ましい範囲は０．２５〜０．７５
重量部である。
Ｔａの量が試料恥４．５．１０．１３．１４．１５．２
７．２８．３０．３１．３７．３８．３９．４０．４１
に示すように３０モル％以下の場合には所望の特性を得
ることができる。このＴａはコンデンサの温度特性のシ
フタとして使用される。図面の特性線Ａ、Ｂ、Ｃは試料
ＮＧ１２．３１．３２．２７の誘電率の温度特性を示す
、これから明らかなようにＴａの量を増やすに従って特
性線が左開にシフトする。このＴａの量を３０モル％よ
りも多くすると、比誘電率が低下するので、３０モル％
以下にすることが望ましい。
７．２８．３０．３１．３７．３８．３９．４０．４１
に示すように３０モル％以下の場合には所望の特性を得
ることができる。このＴａはコンデンサの温度特性のシ
フタとして使用される。図面の特性線Ａ、Ｂ、Ｃは試料
ＮＧ１２．３１．３２．２７の誘電率の温度特性を示す
、これから明らかなようにＴａの量を増やすに従って特
性線が左開にシフトする。このＴａの量を３０モル％よ
りも多くすると、比誘電率が低下するので、３０モル％
以下にすることが望ましい。
Ｍ ｎ Ｏ２の添加量が零の場合であっても所望の特性
が得られる。しかし、試料恥３３．３４．３５に示すよ
うに０．３モル％以下の範囲で添加すると、抵抗率が高
くなる。なお、ＭｎＯ□が０゜３モル％よりも多くなる
と比誘電率がｉ ｏｏｏ。
が得られる。しかし、試料恥３３．３４．３５に示すよ
うに０．３モル％以下の範囲で添加すると、抵抗率が高
くなる。なお、ＭｎＯ□が０゜３モル％よりも多くなる
と比誘電率がｉ ｏｏｏ。
よりも小さくなる。従って、Ｍ ｎ Ｏ２の好ましい添
加量は０゜３モル％以下である。
加量は０゜３モル％以下である。
Ａサイト／Ｂサイトの比は抵抗率の低下及び絶縁破壊電
圧の低下を防止する観点から１．０１〜１．０４の範囲
にすることが望ましい。
圧の低下を防止する観点から１．０１〜１．０４の範囲
にすることが望ましい。
［変形例］
本発明は上述の実施例に限定されるものでなく、例えば
次の変形が可能なものである。
次の変形が可能なものである。
（１） 実施例では焼成温度が８５０°Ｃであるが、約
７００°Ｃ〜１０００℃の範囲の種々の温度にすること
ができる。
７００°Ｃ〜１０００℃の範囲の種々の温度にすること
ができる。
（２） 主成分の原料を酸化物以外の炭酸化物、水酸化
物等にすることができる。
物等にすることができる。
（３） 積層コンデンサにも適用可能である。
［発明の効果コ
各請求項の発明によって８５０°Ｃ以下で焼成可能であ
り、比誘電率が１００００以上、ｔａｎδが３％以下、
２５℃の抵抗率が１０１１Ω・ｃｍ以上、１５０°Ｃの
抵抗率が１０１０Ω・ｃｍ以上の誘電体磁器組成物を提
供することができる。
り、比誘電率が１００００以上、ｔａｎδが３％以下、
２５℃の抵抗率が１０１１Ω・ｃｍ以上、１５０°Ｃの
抵抗率が１０１０Ω・ｃｍ以上の誘電体磁器組成物を提
供することができる。
図面はＴ ａによって比誘電率の温度特性が変化するこ
とを示ず図である。
とを示ず図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ［１］１００重量部の主成分と、０．２５〜０．６０重
量部の副成分としてのＭｇＯとから成り、 前記主成分は、 ［Ｐｂ（Ｍｇ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３］
＿ａ−［Ｐｂ（Ｚｎ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ
＿３］＿ｂ−［Ｐｂ（Ｆｅ＿２＿／＿３Ｗ＿１＿／＿３
）Ｏ＿３］＿ｃ−［ＰｂＴｉＯ＿３］＿ｄ （但し、ａは０．５〜０．８、ｂは０．１４〜０．３５
、ｃは０．０５〜０．２０、ｄは０．０１〜０．１０を
満足する数値） から成ることを特徴とする誘電体磁器組成物。 ［２］１００重量部の主成分と、０．２５〜０．７５重
量部の副成分としてのＭｇＯとから成り、 前記主成分は、 ［Ｐｂ（Ｍｇ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３］
＿ａ−［Ｐｂ（Ｚｎ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ
＿３］＿ｂ−［Ｐｂ（Ｆｅ＿２＿／＿３Ｗ＿１＿／＿３
）Ｏ＿３］＿ｃ−［ＰｂＴｉＯ＿３］＿ｄ （但し、ａは０．５〜０．８、ｂは０．１４〜０．３５
、ｃは０．０５〜０．２０、ｄは０．０１〜０．１０を
満足する数値）から成り、 且つ前記主成分におけるＮｂの一部が３０モル％以下の
Ｔａで置換されていることを特徴とする誘電体磁器組成
物。 ［３］更に、前記主成分に対して０．３モル％以下のＭ
ｎＯ＿２を添付したことを特徴とする請求項１又は２記
載の誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1193930A JPH07100622B2 (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1193930A JPH07100622B2 (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0360453A true JPH0360453A (ja) | 1991-03-15 |
| JPH07100622B2 JPH07100622B2 (ja) | 1995-11-01 |
Family
ID=16316110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1193930A Expired - Lifetime JPH07100622B2 (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07100622B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007084424A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-04-05 | Canon Inc | ペブロスカイト型酸化物、これを用いた圧電素子、液体吐出ヘッド、液体吐出装置及びペブロスカイト型酸化物の製造方法 |
-
1989
- 1989-07-28 JP JP1193930A patent/JPH07100622B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007084424A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-04-05 | Canon Inc | ペブロスカイト型酸化物、これを用いた圧電素子、液体吐出ヘッド、液体吐出装置及びペブロスカイト型酸化物の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07100622B2 (ja) | 1995-11-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7095576B2 (ja) | 誘電体組成物および電子部品 | |
| JP7172511B2 (ja) | 誘電体組成物および電子部品 | |
| JPH0360453A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP4710574B2 (ja) | 誘電体磁器組成物および電子部品 | |
| JPS5910951B2 (ja) | 高誘電率系磁器製造用原料組成物 | |
| JPH0360454A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2521859B2 (ja) | 誘電体磁器組成物及びその製造方法 | |
| JP2013523574A (ja) | 誘電体磁器組成物、誘電体磁器組成物の製造方法および電子部品 | |
| JPH0571538B2 (ja) | ||
| JPH06309926A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH06325620A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2521860B2 (ja) | 誘電体磁器組成物及びその製造方法 | |
| JP5206673B2 (ja) | 圧電磁器組成物、及び圧電部品 | |
| JPH06333422A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0517222A (ja) | 温度補償用磁器組成物 | |
| JPH0146471B2 (ja) | ||
| JPH04363012A (ja) | セラミックコンデンサ | |
| JPS6216482B2 (ja) | ||
| JPH06325621A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS6312372B2 (ja) | ||
| JPH04285051A (ja) | 誘電体磁器組成物及びその製造方法 | |
| JPH06310363A (ja) | 半導体磁器及びその製造方法 | |
| JPH0461706A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JPS6360150A (ja) | 高誘電率磁器組成物の製造方法 | |
| JPS6211442B2 (ja) |