JPH0362261B2 - - Google Patents
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- JPH0362261B2 JPH0362261B2 JP18299383A JP18299383A JPH0362261B2 JP H0362261 B2 JPH0362261 B2 JP H0362261B2 JP 18299383 A JP18299383 A JP 18299383A JP 18299383 A JP18299383 A JP 18299383A JP H0362261 B2 JPH0362261 B2 JP H0362261B2
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- pellicle frame
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
- G03F1/64—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof characterised by the frames, e.g. structure or material, including bonding means therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明はペリクル、特に、半導体装置の製造用
のガラスマスクの汚染や異物付着を防止できるペ
リクルに適用して効果のある技術に関するもので
ある。
のガラスマスクの汚染や異物付着を防止できるペ
リクルに適用して効果のある技術に関するもので
ある。
［背景技術］
半導体装置の製造においてウエハ上に微細な回
路パターンを形成する場合、回路パターンを転写
するために用いられるガラスマスクの品質が半導
体装置の性能や歩留りを大きく左右する。特に、
ガラスマスクに付着する汚染や異物の数を低減す
ることは半導体装置の製造歩留りを向上させかつ
製造コストを低下させるための最大の課題であ
る。
路パターンを形成する場合、回路パターンを転写
するために用いられるガラスマスクの品質が半導
体装置の性能や歩留りを大きく左右する。特に、
ガラスマスクに付着する汚染や異物の数を低減す
ることは半導体装置の製造歩留りを向上させかつ
製造コストを低下させるための最大の課題であ
る。
そこで、ガラスマスクを汚染や異物付着から保
護し、マスク欠陥を排除するために透明な膜を有
するペリクルが使用されている（たとえば、工業
調査会発行の「電子材料」、1982年３月号、P52
〜55参照）。
護し、マスク欠陥を排除するために透明な膜を有
するペリクルが使用されている（たとえば、工業
調査会発行の「電子材料」、1982年３月号、P52
〜55参照）。
このようなペリクルはガラスマスクのパターン
形成面側に接着剤で装着することが考えられる。
形成面側に接着剤で装着することが考えられる。
その場合、接着剤の接着力は取扱い時にペリク
ルがガラスマスクから外れない程度以上でなけれ
ばならない。
ルがガラスマスクから外れない程度以上でなけれ
ばならない。
しかし、接着剤の接着力をあまり強くしようと
すると、ペリクルをガラスマスクから剥がす際に
無理な力が加わつてガラスマスクを損傷したり、
あるいは剥離後に接着剤またはその糊が異物とし
てガラスマスク上に残留してしまう結果、半導体
装置の欠陥をひき起こしたり、製造歩留りを低下
させる原因となるということを本発明者は見い出
した。
すると、ペリクルをガラスマスクから剥がす際に
無理な力が加わつてガラスマスクを損傷したり、
あるいは剥離後に接着剤またはその糊が異物とし
てガラスマスク上に残留してしまう結果、半導体
装置の欠陥をひき起こしたり、製造歩留りを低下
させる原因となるということを本発明者は見い出
した。
［発明の目的］
本発明の目的は、ペリクルの接着剤がマスク基
板に残留して異物化することを防止できる技術を
提供することにある。
板に残留して異物化することを防止できる技術を
提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特
徴は、本明細書の記述および添付図面から明らか
になるであろう。
徴は、本明細書の記述および添付図面から明らか
になるであろう。
［発明の概要］
本願において開示される発明のうち代表的なも
のの概要を簡単に説明すれば、次の通りである。
のの概要を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、ペリクル枠をマスク基板に装着する
接着剤の接着力をマスク基板側がペリクル枠側よ
りも弱くなるようにすることにより、また接着剤
として溶液凝固性の物質で構成することにより、
接着剤がマスク基板に残留して異物化することを
防止できる。
接着剤の接着力をマスク基板側がペリクル枠側よ
りも弱くなるようにすることにより、また接着剤
として溶液凝固性の物質で構成することにより、
接着剤がマスク基板に残留して異物化することを
防止できる。
［実施例 １］
第１図は本発明の実施例１であるペリクルのマ
スク基板への接着状態を示断面図、第２図はその
接着剤の一実施例を示す接着部の拡大部分断面図
である。
スク基板への接着状態を示断面図、第２図はその
接着剤の一実施例を示す接着部の拡大部分断面図
である。
この実施例においては、ペリクルはリング状の
枠体よりなるペリクル枠１と、ペリクル枠１の一
端側に貼着された透明なペリクル膜２とからな
る。ペリクル枠１はたとえばプラスチツクまたは
アルミニウム等よりなる。一方、ペリクル膜２は
たとえば強い光線の照射に耐えることができ、ま
たマスクの解像度を劣化させないニトロセルロー
スのような透明プラスチツクフイルム等よりな
る。
枠体よりなるペリクル枠１と、ペリクル枠１の一
端側に貼着された透明なペリクル膜２とからな
る。ペリクル枠１はたとえばプラスチツクまたは
アルミニウム等よりなる。一方、ペリクル膜２は
たとえば強い光線の照射に耐えることができ、ま
たマスクの解像度を劣化させないニトロセルロー
スのような透明プラスチツクフイルム等よりな
る。
前記ペリクル枠１の反対端面は接着剤３によ
り、たとえばガラスで作られたマスク基板４のパ
ターン５を形成した面に対して装着されている。
したがつて、マスク基板４のパターン５はペリク
ル膜２とペリクル枠１により異物の付着や汚染か
ら保護される。
り、たとえばガラスで作られたマスク基板４のパ
ターン５を形成した面に対して装着されている。
したがつて、マスク基板４のパターン５はペリク
ル膜２とペリクル枠１により異物の付着や汚染か
ら保護される。
前記接着剤３は粘着力の異なる２層の接着剤層
すなわちペリクル枠１側の強接着力層３ａとマス
ク基板４側の弱接着力層３ｂとからなる両面テー
プ材３ｃで構成されている。この実施例の接着剤
３の層３ａと３ｂはたとえばアクリル系、ゴム
系、ビニル系、エポキシ系あるいはシリコン系等
の接着剤で構成され、両面テープ材３ｃのテープ
基材としては紙、プラスチツクフイルム、ブチル
ゴムシート、発泡ポリウレタンシート等よりな
る。
すなわちペリクル枠１側の強接着力層３ａとマス
ク基板４側の弱接着力層３ｂとからなる両面テー
プ材３ｃで構成されている。この実施例の接着剤
３の層３ａと３ｂはたとえばアクリル系、ゴム
系、ビニル系、エポキシ系あるいはシリコン系等
の接着剤で構成され、両面テープ材３ｃのテープ
基材としては紙、プラスチツクフイルム、ブチル
ゴムシート、発泡ポリウレタンシート等よりな
る。
また、前記層３ａ，３ｂの各接着力は、強接着
力層３ａがたとえば150〜1000ｇ／cm、弱接着力
層３ｂがたとえば約40〜500ｇ／cmとなるように
設定するのが好ましい。このような接着力の値は
JIS Ｚ−0237粘着力試験方法によるものである。
力層３ａがたとえば150〜1000ｇ／cm、弱接着力
層３ｂがたとえば約40〜500ｇ／cmとなるように
設定するのが好ましい。このような接着力の値は
JIS Ｚ−0237粘着力試験方法によるものである。
このように、接着剤３の両面テープ材３ｃのペ
リクル枠１側を強接着力層３ａとし、かつマスク
基板４側を弱接着力層３ｂとしたことにより、弱
接着力層３ｂは取り扱い時にペリクルがマスク基
板４から外れない程度に弱い反面、ペリクルをマ
スク基板４から容易に剥がすことができ、しかも
剥離後の接着面には接着剤３およびその糊の跡が
残留せず、接着剤３がマスク基板４の異物となる
ことは防止される。
リクル枠１側を強接着力層３ａとし、かつマスク
基板４側を弱接着力層３ｂとしたことにより、弱
接着力層３ｂは取り扱い時にペリクルがマスク基
板４から外れない程度に弱い反面、ペリクルをマ
スク基板４から容易に剥がすことができ、しかも
剥離後の接着面には接着剤３およびその糊の跡が
残留せず、接着剤３がマスク基板４の異物となる
ことは防止される。
［実施例 ２］
第３図は本発明の実施例２による接着部の拡大
部分断面図である。
部分断面図である。
本実施例の接着剤３は、１層で接着剤の両面の
物質との間の接着力に差のあるものである。すな
わち、ペリクル枠１側の強接着力部３ｄと、マス
ク基板４側に弱接着力部３ｅとの１層構造よりな
る。
物質との間の接着力に差のあるものである。すな
わち、ペリクル枠１側の強接着力部３ｄと、マス
ク基板４側に弱接着力部３ｅとの１層構造よりな
る。
この場合、接着剤３を強弱の差のある接着力部
３ｄ，３ｅとするためには、たとえば接着剤３の
テープの片面を剥離剤の溶液に含浸してその面の
みに剥離剤をしみ込ませれば、その側が弱接着力
部３ｅとなる。それとは逆に、片面に接着力強化
処理を施してその側を強接着力部３ｄとしてもよ
い。
３ｄ，３ｅとするためには、たとえば接着剤３の
テープの片面を剥離剤の溶液に含浸してその面の
みに剥離剤をしみ込ませれば、その側が弱接着力
部３ｅとなる。それとは逆に、片面に接着力強化
処理を施してその側を強接着力部３ｄとしてもよ
い。
［実施例 ３］
第４図は本発明の他の実施例による接着部の拡
大部分断面図である。
大部分断面図である。
この実施例における接着剤は、たとえば水溶液
に対して凝固性のある接着剤６、たとえばアクリ
ル系の物質よりなる。
に対して凝固性のある接着剤６、たとえばアクリ
ル系の物質よりなる。
この接着剤６は取り扱い時にペリクルをマスク
基板４に対して接着保持するのに十分な接着力を
有する反面、ペリクルをマスク基板４から剥離す
る際には水溶液中に浸漬することにより第４図に
二点鎖線で示す如く凝固する。
基板４に対して接着保持するのに十分な接着力を
有する反面、ペリクルをマスク基板４から剥離す
る際には水溶液中に浸漬することにより第４図に
二点鎖線で示す如く凝固する。
したがつて、本実施例では、接着剤６として水
溶液に対して凝固性を示す物質を用いることによ
り、容易に剥離ができるようになるうえ、剥離後
に接着剤６およびその糊がマスク面に残留して異
物化することを防止できる。
溶液に対して凝固性を示す物質を用いることによ
り、容易に剥離ができるようになるうえ、剥離後
に接着剤６およびその糊がマスク面に残留して異
物化することを防止できる。
なお、本実施例では水溶液凝固性のアクリル系
物質を接着剤として用いたがこれに限らず、酸や
アルカリ、各種塩類の水溶液あるいは各種有機溶
液に対して凝固性を示す物質を接着剤として用い
てもよい。
物質を接着剤として用いたがこれに限らず、酸や
アルカリ、各種塩類の水溶液あるいは各種有機溶
液に対して凝固性を示す物質を接着剤として用い
てもよい。
［効果］
(1) ペリクルの接着剤が、マスク基板と接着され
る面の接着力がペリクル枠と接着される面の接
着力よりも弱いことによつて、ペリクルをマス
ク基板から剥がした際に接着剤がマスク面に残
留して異物化することを防止でき、マスク面を
清浄に保護できる。
る面の接着力がペリクル枠と接着される面の接
着力よりも弱いことによつて、ペリクルをマス
ク基板から剥がした際に接着剤がマスク面に残
留して異物化することを防止でき、マスク面を
清浄に保護できる。
(2) 接着剤を溶液凝固性の物質で構成したことに
より、ペリクルをマスク基板から剥がした後に
接着剤がマスク面に残留して異物化することを
防止でき、マスク面を清浄に保護できる。
より、ペリクルをマスク基板から剥がした後に
接着剤がマスク面に残留して異物化することを
防止でき、マスク面を清浄に保護できる。
以上本発明者によつてなされた発明を実施例に
基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々変更可能であることはいうまでもな
い。
基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々変更可能であることはいうまでもな
い。
たとえば、接着剤は３層以上の多層とすること
もでき、材質も他の様々なものを使用できる。
もでき、材質も他の様々なものを使用できる。
また、凝固性の接着剤としても、水溶液の他、
酸やアルカリ、あるいは有機溶液に対して凝固性
を示す物質を利用できる。
酸やアルカリ、あるいは有機溶液に対して凝固性
を示す物質を利用できる。
さらに、ペリクルはマスク基板の両面に装着し
てもよい。
てもよい。
第１図は本発明によるペリクルの一実施例の断
面図、第２図はその接着部の実施例１の拡大部分
断面図、第３図は本発明の実施例２による接着部
の拡大部分断面図、第４図は本発明の実施例３に
よる接着部の拡大部分断面図である。 １……ペリクル枠、２……ペリクル膜、３……
接着剤、３ａ……強接着力層、３ｂ……弱接着力
層、３ｃ……両面テープ材、３ｄ……強接着力
部、３ｅ……弱接着力部、４……マスク基板、５
……パターン、６……水溶液凝固性の接着剤。
面図、第２図はその接着部の実施例１の拡大部分
断面図、第３図は本発明の実施例２による接着部
の拡大部分断面図、第４図は本発明の実施例３に
よる接着部の拡大部分断面図である。 １……ペリクル枠、２……ペリクル膜、３……
接着剤、３ａ……強接着力層、３ｂ……弱接着力
層、３ｃ……両面テープ材、３ｄ……強接着力
部、３ｅ……弱接着力部、４……マスク基板、５
……パターン、６……水溶液凝固性の接着剤。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透明のペリクル膜と、マスク基板に装着され
るペリクル枠とを備えてなるペリクルにおいて、
ペリクル枠が接着剤によりマスク基板に装着さ
れ、前記接着剤は、前記マスク基板と接着される
面の接着力が前記ペリクル枠に接着される面の接
着力よりも弱いことを特徴とするペリクル。 ２ 接着剤が一層の接着剤層で形成され、この接
着剤層のマスク基板接着面またはペリクル枠接着
面の少なくとも一方は前者の接着力が後者の接着
力よりも弱くなるよう処理されていることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のペリクル。 ３ 接着剤が複数層の接着剤層よりなり、マスク
基板側の接着剤層の接着力がペリクル枠側の接着
剤層より弱いことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載のペリクル。 ４ 透明のペリクル膜と、マスク基板に装着され
るペリクル枠とを備えてなるペリクルにおいて、
ペリクル枠が溶液凝固性の物質よりなる接着剤で
マスク基板に装着されてなることを特徴とするペ
リクル。 ５ 接着剤が水溶液凝固性の物質よりなることを
特徴とする特許請求の範囲第４項記載のペリク
ル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58182993A JPS6075835A (ja) | 1983-10-03 | 1983-10-03 | ペリクル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58182993A JPS6075835A (ja) | 1983-10-03 | 1983-10-03 | ペリクル |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6075692A Division JPH07175206A (ja) | 1994-04-14 | 1994-04-14 | ペリクル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6075835A JPS6075835A (ja) | 1985-04-30 |
| JPH0362261B2 true JPH0362261B2 (ja) | 1991-09-25 |
Family
ID=16127873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58182993A Granted JPS6075835A (ja) | 1983-10-03 | 1983-10-03 | ペリクル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6075835A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012108277A (ja) * | 2010-11-17 | 2012-06-07 | Shin Etsu Chem Co Ltd | リソグラフィー用ペリクル |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6284047U (ja) * | 1985-11-13 | 1987-05-28 | ||
| JPS62156957U (ja) * | 1986-03-25 | 1987-10-05 | ||
| JP2642637B2 (ja) * | 1987-08-18 | 1997-08-20 | 三井石油化学工業 株式会社 | 防塵膜 |
| JPH0278945U (ja) * | 1988-12-07 | 1990-06-18 | ||
| JP2599460B2 (ja) * | 1989-06-16 | 1997-04-09 | 松下電子工業株式会社 | フォトマスク |
| JP2714450B2 (ja) * | 1989-08-10 | 1998-02-16 | ダイセル化学工業株式会社 | 防塵膜 |
| JPH09204038A (ja) * | 1996-09-24 | 1997-08-05 | Hitachi Ltd | マスクの製造方法 |
| US6153060A (en) * | 1999-08-04 | 2000-11-28 | Honeywell International Inc. | Sputtering process |
| CN1198316C (zh) * | 2000-12-27 | 2005-04-20 | 三井化学株式会社 | 薄膜 |
| JP4979088B2 (ja) * | 2008-05-14 | 2012-07-18 | 信越化学工業株式会社 | 半導体リソグラフィー用ペリクル |
| WO2010026938A1 (ja) * | 2008-09-08 | 2010-03-11 | 電気化学工業株式会社 | 半導体製品の製造方法 |
| JP6303286B2 (ja) * | 2013-04-30 | 2018-04-04 | 凸版印刷株式会社 | ペリクル付きフォトマスクの検査方法及びペリクル粘着耐久性検査装置 |
| US10353283B2 (en) * | 2016-07-11 | 2019-07-16 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Adhesive for pellicle, pellicle, and method of selecting adhesive for pellicle |
-
1983
- 1983-10-03 JP JP58182993A patent/JPS6075835A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012108277A (ja) * | 2010-11-17 | 2012-06-07 | Shin Etsu Chem Co Ltd | リソグラフィー用ペリクル |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6075835A (ja) | 1985-04-30 |
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