JPH0353216A - 情報記憶媒体および情報記憶媒体の再生，消去方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、可逆的，光学的に超大容量のデータを記憶す
る情報記憶媒体および該情報記憶媒体に記憶されたデー
タの再生方法に関するものである． ［従来の技術］８ 現在、光記憶方式は大容量かつランダムアクセスに優れ
たものとして実用化されている．その方式も多岐にわた
り、再生専用としてデイジタルオーディオディスク（Ｃ
Ｄ）やレーザービデオディスク（ＬＤ）が実用化されて
いる．光記録が可能なものとしては追記型光ディスク（
ＷＯ），光カード（ＯＣ）が知られており，金属薄膜の
相変化を用いるものや、有機染料のビット形式を用いる
ものがある． さらに，害き換え型光ディスクの研究が進められており
，光磁気効果を用いたもの，相変化を用いたものの実用
化が図られている。その中にあって高分子液晶も情報記
憶媒体として提案されている（特開昭５９−　１０９３
０号公報，特開昭５９−　３５９８９号公報，特開昭６
２−　１５４３４０号公報）．その中では、記録方式と
してコレステリック性高分子液晶のらせんピッチ長を変
えるか、あるいは無配向状態のビット形成によって光反
射率を多値的に変化せしめる方式も提案されている（特
開昭６２−１０７４４８号公報，特開昭６２−　１２９
３７号公報）．また、簡便な方式として配向処理されて
いない高分子液晶へレーザーを照射し、加熱して等方相
にした後、ガラス転移点以下に急冷することにより等方
相を固定記録する方法も提案されている。

（特開昭６３−　１９１６７３号公報）このような高分
子液晶を記録層とする情報記憶媒体は蒸着等が不要であ
り、高感度で安定な記録を行なうことが可能である． ［発明が解決しようとする課題］ しかしながら，上記高分子液晶を記録層として有する情
報記憶媒体において，配向処理が必要なものは、配向処
理に時間かかかるため消去か遅く好ましくない欠点かあ
った。

これに対して、配向処理を行なわない高分子液晶を記録
層として有するものは、層構或が簡便であるとともに消
去が容易な特徴を有するが、高分子液晶のドメインによ
る散乱を生じ、ノイズレベルが高くなる欠点を有してい
た． 本発明は、この様な従来技術の欠点を改善するためにな
されたものであり、配向処理されていない高分子液晶を
記録層として有する情報記憶媒体において、ノイズレベ
ルを大巾に低下させるとともに、全記憶領域での反射率
のバラツキを大ＩＪに低下させることが可能な情報記憶
媒体およびその情報記憶媒体の再生，消去方法を提供す
ることを目的とするものである。

［課題を解決するための手段］および［作用］即ち、本
発明は、配向処理されていない高分子液晶を記録層とし
て有する情報記憶媒体において、該高分子液晶の平均ド
メイン径が再生光波長の０．０５〜１０倍てあることを
特徴とする情報記憶媒体である． また、本発明は、配向処理されていない高分子液晶を記
録層として有する情報記憶媒体に記録された情報を再生
する方法において，ビーム径か高分子液晶の平均ドメイ
ン径の３倍以上の再生光を用いることを特徴とする情報
記憶媒体の再生方法である． さらに、本発明は、配向処理されていない高分子液晶を
記録層として有する情報記憶媒体において、該高分子液
晶のガラス転移温度もしくは融点以上で等方相転移温度
以下の温度に保持する時間を制御して，高分子液晶の平
均ドメイン径を再生光波長の０．０５〜１０倍にするこ
とを特徴とする情報記憶媒体の消去方法である． 以下，未発明を詳細に説明する． 本発明によれば、配向処理されていない高分子液晶を記
録層として有する情報記憶媒体を用いる情報記憶装置に
おいて、再生光のビーム径を該高分子液晶の平均ドメイ
ン径の３倍以上とすることにより，ノイズレベルを大巾
に低下させるとともに、全記憶領域での反射率のハラツ
キを大巾に低下させるようにしたものである。

配向処理されていない高分子液晶においては、高分子液
晶のダイレクターが一定方向にそろったドメインが存在
し、それぞれのドメインで方向はランダムとなっている
。このため、再生光のビーム径が高分子液晶の平均ドメ
イン径の３倍未満のときは、ドメインの向きによる散乱
・反射のハラッキが生じてノイズレベルが高くなる。し
たがって、本発明においては、どーム径が高分子液晶の
平均ドメイン径の３倍以上の再生光を用いることか好ま
しい．一方、再生光のビーム径をあまり大きくすると記
録密度が減少してしまうために好ましくない場合が生ず
る。そのため、用いられる再生光のビーム径は、好まし
くは高分子液晶の平均ドメイン径の３倍以上１００倍以
下，より好ましくは５倍以上５０倍以下である。

さらに、本発明は、配向処理されていない高分子液晶を
記録層として有する情報記憶媒体において、該高分子液
晶の平均ドメイン径を再生光波長の０．０５〜１０倍と
することによって散乱効率を向上させるようにしたもの
である。高分子液晶の平均ドメイン径が再生光波長の０
．０５倍未満であれば均一な散乱が得られるが、散乱効
率が低く記録層を厚くしなければならないために、記録
感度が低下する．一方、高分子液晶の平均ドメイン径が
再生光波長の１０倍を越えると均一な散乱が得られない
ために，ノイズレベルが上昇し好ましくない．より好ま
しい平均ドメイン径は、再生光波長の０．１倍以上５倍
以下である． また、高分子液晶の平均ドメイン径は１０〜１０００大
ではＸ線小角散乱によって、ｔｏｏｏλ〜１μ一では光
散乱によって、０．５　ｐｍ以上では偏光顕微鏡写真に
よって測定を行なうことができる。

前記，本発明の情報記憶媒体の高分子液晶の平均ドメイ
ン径を制御する方法としては、該高分子液晶のガラス転
移温度もしくは融点以上、等方相転移温度以下の温度に
保持する時間を制御する方法が好ましい． 次に、本発明において用いることの出来る高分子液晶の
例としては、 下記に示すものが挙げられ る。

（下記式（１） 〜（１３）中、 １５＞　ｎ≧ｌてある。

） （３） （４） （６） （８） （９） （１ｕ） Ｏ （１１） （ｌ２） （ｌコ） （下記式（ｌ４）〜（１７）中、 ｐ＝５　〜１ロ０ロ， ｐＩ＋ｐｔ＝ ５〜１００Ｇ， ｑ＝ｌ−１６， Ｑ＋＝ １〜１６， （１２＝ ｌ　Ｓ−１６ である． ） （１４） ＣＨ， ＋ＣＩ＋２−Ｃ→『 （ｌ５） ＣＩ＋． ？ＣＩ■一Ｃ→ｒ （１６） ＣＩ＋． −｛−　ＣＨ２−Ｃ：→ｒ （ｌ７） （下記式（１８）〜（４６）中、 ＊は不斉炭素中心を 示し、 ｎ＝５　〜＋０００である。

） （１９） （２０） （ｓ，＝２〜１０） １３ （２ｌ） Ｃ１１３ ？Ｉ１■＝２〜１５） （２３） （２４） Ｈ （２５） ＣＨ， ｛　ＣＨ２−Ｃ→『 （２６） （Ｉ１２＝２〜１５） （ｍ．＝２〜Ｉ５） （２９） （）＜＋ｙ＝１， ｑ＝ｔ〜１０，　Ｐ．＝　１〜１５） （３０） （３１） （３２） （３３） （ｍ．＝２〜１５， ｘ＋ｙ＝１） （ｘ＋ｙ＝ｌ，ｍ．＝２〜１５） Ｃ１１３ ？．３＝−ＣＩｌ■ＣＨ＋ＣＨ２÷ ？４＝｛ＣＩｌ■→一 （ｘ＋ｙ＝１，■２＝２〜１５） （ｘ＋ｙ＝ｌ，　ｍ２＝２　〜１５） （３７） （ｍ３＝１〜５） （３８） （３９） （ｘ＋ｙ＝１） （４１） （４２） （４３） （４４） （Ｉ１５＝Ｏ〜５） （４５） （４６） （４７） （４８） Ｒｒ （４９） （５０） （５ｌ） （以下、 ■６はｌ〜ｌ８とする） （５２） （５３） （５４） （５６） ＣＨ． （５７） （５８） （ｊ？２＝５〜１８） （５９） （６０） （ｆｆｉ＝５〜１８） 前記高分子液晶は低分子液晶化合物と組み合わせて用い
ることが可能である。低分子液晶化合物としては、ネマ
チック相，スメクチック相，カイラルネマチック相．カ
イラルスメクチック相，ディスコティック相等を有する
ものかあるか、その中でカイラルスメクチック相を有す
る低分子液晶化合物の具体例としては、次のようなもの
が挙げられる． Ｐ−デシロキシベンジリデン−Ｐ′−アミノー２−メチ
ルブチルシンナメート　（ＤＯＢＡＭＢＣ）Ｐ−へキシ
ロキシベンジリデン＝Ｐ′−アミノー２ークロルブロビ
ルシンナメート　（ＩＩＯＢＡｃＰｃ）Ｐ−デシロキシ
ベンジリデン−Ｐ′−アミノー２一メチルブチルーα−
シアノシンナメート（ＤＯＢＡＭＢＣＣ）メチルブチル
ーα−シアノシンナメート（ＴＤＯＢＡＭＢＣＣ）メチ
ルブチルーα−クロロシンナメート（ＯＯＢＡＭＢＣＣ
） −２−メチルブチルーα−メチルシンナメート（２−メ
チルブチル） エステル −４′一才クチルアニリン （ＭＢＲＡ ８） オキシビフェニル−４−カルボキシレートブチル） ビフェニル−４′一カルボキシレート ４−オクチルオキシフエニル−４−（２″−メチＪレブ
チル）ビフエニル−４′一カルボキシレートブチル） ビフェニル−４′一カルボキシレート ヘキシル） ビフェニル−４′一カルボキシレート −４一 （デシロキシ） ビフェニル−４′一カルボキシレート （１５） （４’一（４−へキシル才キシ）フェニルオキシカルボ
ニル）フェニルーｐ−（４”−メチルへキシルオキシ）
ペンゾエートさらに、レーザー光等にて書き込み，消去
を行う場合には、レーザー光吸収層を設けるか、もしく
は高分子液晶層へレーザー光吸収化合物を添加すること
によって感度を向上させることができる．高分子液晶層
へ添加するレーザー光吸収化合物の例としては、下記に
示すようなものが挙げられる． Ｄｉｒｅｃｔ　Ｒｅｄ　２８ Ｄｉｒｅｃｔ　Ｖｉｏｌｅｔ　１２ Ｄｉｒｅｃｔ　Ｂｌｕｅ　１ Ｄｉｒｅｃｔ　Ｂｌｕｅ　１５ Ｄｉｒｅｃｔ　Ｂｌｕｅ　９８ Ｄｉｒｅｃｔ　Ｒｌｕｅ　１５１ ｎｌ４ Ｄｉｒｅｃｔ　Ｒｅｄ　８１ ＤｉｒｅｃＬ　　Ｙｅｌｌｏｗ　　４４Ｄｉｒｅｃｔ　
Ｙｅｌｌｏｗ　１２ Ｄｉｒｅｃｔ　Ｏｒａｎｇｅ　：ｌ９ Ｕ ＮＩ＋２ υ Ｄｉｓｐｅｒｓｅ Ｂｌｕｅ ２１４ Ｄｉｓｐｅｒｓｅ Ｒｅｄ ６ロ Ｕ ＣＰ０４″′ ＡＳＦ６。

ｃｐｏ．。

また、半導体レーザーの波長に適合したレーザー光吸収
化合物としては，下記に示すようなものが挙げられる． 具体的には，フタロシアニン類，ナフタロシアニン類，
テトラベンゾボルフイリン類やその他置換，非置換ボル
フイリン類が用いられる。

特に有効なものとして、下記一般式（Ｉ）て表わされる
フタロシアニン．ナフタロシアニン等がある． （一般式 （ ■ ） 中符号 で示される． ［但し、Ｒ．−Ｒ．。は水素原子，炭素原子数４〜２０
の直鎖もしくは分岐したアルキル基，アルコキシ基，ア
ルケニル基もしくは下記から選択される置換基を示す． −ＳｉＱ−ＱｔＱコ −　ＳＱ． −　ｃｏｑａ −　ＣＯＯＱ． −ＮＱｔＱａ （Ｑ．〜Ｑ６は水素原子，炭素原子数１〜２０の直鎖も
しくは分岐したアルキル基又はアルケニル基を示す．）
】 ＭはＧｅ，　Ｓｎ，遷移金属ｖ　Ａｆ！＋　Ｃａ，　Ｉ
ｎ，アルカリ土頬金属，ランタニド金属，アフチニト金
属およびその酸化物，ハロゲン化合物もしくはアルコキ
シ化合物を示す。） 光記録を行う場合に近赤外から赤色可視に波長を有する
半導体レーザーを用いることは記録再生装置の小型化，
高性能化に重要であるか、その波長域で用いることが可
能な可溶性有機大環状色素としてはナフタロシアニン類
が特に優れている． 特に，一般式（ｎ）で示されるものは、溶解性に優れて
いるため本発明の記憶媒体に適している。

（Ｘｓ４）ｂ ［一般式（ＩＩ）中 Ｍ　：　Ｇｅ，　Ｓｎ，遷移金属，　Ａｉ），　Ｃａ，
　Ｉｎ，アルカリ土類金属，ランタニト金属又はアフチ
ニド金属 Ｘ：ハロゲン基，アルキル基，カルボキシル基，アルコ
キシ基，エーテル基又はアルケニル基等を、 Ｘｓ，〜Ｘ■４：ハロゲン基．アルキル基，スルファセ
イル基，エーテル基又はアルケニル基等を、 ａ〜ｄ：０〜４を示す。

（但しａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≧１）。］ これらの化合物は、特開昭６１−　９０２９１号公報に
開示された方法等によって容易に合或てきる。

さらに、他の半導体レーザー光の吸収剤として使用可能
な化合物としては、アミニウム塩化合物又はシイモニウ
ム塩化合物が挙げられる．本発明で使用されるアミニウ
ム塩化合物およびシイモニウム塩化合物は、それぞれ下
記の一般式［ｍｌ，［Ｎ］および［Ｖ］て表わされる。

一般式［ＩＩＩ］ 一般式 ［ｒ７１ 一般式［Ｖ］ 上記の一般式［ＩＩＩ］、　［ｒＶ］および［Ｖ］にお
いて、Ｒ＋〜ＲＩＯは同種または異種の水素原子、また
はアルキル基（例えば．メチル基，エチル基、ｎ−プロ
ビル基、ｉｓｏ−プロビル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−
ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｔ−ブチル基，ｎ−アミ
ル基、ｔ−アミル基、ｎ−ヘキシル基，ｎ−オクチル基
、ｔ−オクチル基および、０９〜ＣＩ２のアルキル基な
ど）を示し、さらに他のアルキル基、例えば置換アルキ
ル基（例えば、２−ヒドロキシエチル基、３−ヒトロキ
シブロビル基、４−ヒトロキシブチル基、２−アセトキ
シエチル基、カルボキシメチル基，２−カルボキシエチ
ル基、３−カルボキシブロビル基、２−スルホエチル基
、３−スルホブロビル基、４−スルホブチル基、３−ス
ルフェートブロビル基、４−スルフェートブチル基、Ｎ
−（メチルスルホニル）一カルバミルメチル基、３−（
アセチルスルファミル）プロビル基、４−（アセチルス
ルファミル）ブチル基など）、環式アルキル基（例えば
、シクロヘキシル基など）、アルケニル基（ビニル基、
アリル基、ブロベニル基、ブテニル基、ベンテニル基、
ヘキセニル基、ヘプテニル基、才クテニル基、ドデシニ
ル基、プレニル基など），アラルキル基（例えば、ベン
ジル基、フエネチル基、α−ナフチルメチル基、β−ナ
フチルメチル基など）、置換アラルキル基（例えば、カ
ルボキシベンジル基、スルホベンジル基、ヒトロキシベ
ンジル基など）を包含する。

Ｙは、※または一（｝−ζ）一を示し、この芳香族環上
にアルキル基、ハロゲン基、アルコキシ基を置換しても
よい． Ａ０は陰イオン、例えばパークロレート，フルオロボレ
ート，アイ才ダイト、クロライド、ブロマイド，サルフ
ェート、バーアイオダイド、ｐ−トノレエンスノレフ才
ネートなどを表わす．これらのアミニウム塩化合物およ
びジイモニウム塩化合物は、特公昭４３−２５３３５号
公報などに開示される合成法に準じて合成することがで
きる．次に、前記一般式［ｍｌ、　［ｒＶ］で示される
アミニウム塩化合物（ＡＭ）の代表例を下記の表１に挙
げる． 次に前記一般式［Ｖ］て示されるジイモニウム坦化合物
（　ＩＭ）の代表例を下記の表２に挙げる。

表 ２ Ｍ−ｌ Ｍ−　　２ Ｍ−　　３ Ｍ−　　４ Ｍ−　　５ Ｍ−　　６ Ｍ−　　７ Ｍ−　　８ Ｍ−　　９ Ｍ−１０ Ｍ−１１ Ｍ−１２ Ｍ−１３ Ｍ−１４ Ｍ−１５ Ｍ−１６ Ｍ−１７ Ｍ−１８ Ｃ１１３ ＣＨユ ｅｌｌ３ Ｃ．Ｈ５ Ｃ２Ｈ５ ＣｚＨ５ ｎ　−　Ｃ　，　Ｈ　， ｉｓｏ−Ｃ−＋Ｌ ｎ　−　Ｃ　．　ｔ｛９ ｎ−Ｃ４Ｈ９ ｎ−Ｃ．Ｈ９ ｎ−Ｃ４１ｉｃ＋ ｎ　−　Ｃ　．　Ｉ＋　． ｎ−Ｃ４ｔｌ９ ｔ−Ｃ４＋＋９ Ｌ−Ｃ４Ｈ９ ｎ−Ｃａｌｌ＋ｚ ｎ−Ｃ８１１．， ＡｓＦｒ．。

ＣＩ！０４。

ＳｂＦ．。

ＡｓＦ６。

Ｃ２０４。

ＢＦ．。

ＡｓＦ．。

Ｃ２０，。

ＣＥＯ．ｅ ＡｓＦｓｅ ＳｂＦａ。

ＢＦ．。

ｌ０ （；Ｈ，＋ ＣＩ！０４。

ＡｓＦｓｅ ＣＩ！０４ｅ ＡｓＦ．ｅ ＳＯ：ｌ。

化合物 Ｎｏ． Ｒ５ Ｒｓ　　　Ｒ７　　Ｒａ 八〇 ＩＭ−１９　　ｎ−Ｃ１２Ｈ２ｓ　　４＋　　　４−　
　　←　　　　　ＳｂＦ６。

ＩＭ−２０　　Ｃ２Ｈ．ＯＨ　　　　←　　←　　←　
　　　　ＳｂＦ．。

Ｉｋｌ−２１　　Ｃ２１ＬＯＩＩ　　　　←　　←　　
←　　　　　Ｃ２０４０ＴＭ−２２　　Ｃ，ｌ｛４０Ｈ
　　　　←　　ト　　←　　　　　ＮＯ３。

ｒＭ−２３　　Ｃ２Ｈ４０Ｈ　　　　４−　　−−　　
←　　　　　ＳｂＦａθ上記アミニウム塩化合物（以下
、ＡＭ化合物と記す）およびジイモニウム塩化合物（以
下、目化合物と記す）は近赤外域に吸収をもち、安定な
光吸収色素として有用てありかつ、高分子液晶に対して
相溶性もしくは分散性がよい。

さらに、半導体レーザーの吸収剤として、次ぎのような
金属キレート化合物が挙げられる。

本発明で使用される金属キレート化合物の例を挙げると
下記の一般式［１１〜［７］て表わされる。

一般式 ［ ｌ ］ （式中、Ｌｓは水素原子、ヒドロキシル基，アルキル基
、アリール基でもう一方のＲ４と結合しても良いｅ　Ｒ
ＩＭはアルキル基，ハロゲン原子、水素原子、ニトロ基
又はベンゾ縮合系基な表わし、中心金属ＭはＣｕ，　Ｎ
ｉ，　Ｇｏ又はＰｄを表わす。）一般式［２］ （式中、Ｒ０は水素原子、水酸基、アルキル基、アリー
ル基でもう一方のＲａｔと結合しても良い．１１＋ａは
水素原子、ハロゲン原子、アルキル基，ニトロ基又はベ
ンゾ縮合系基な表わし、ＭはＣｕ，Ｎｉ，　Ｇｏ又はＰ
ｄを表わす。） 一般式［３］ （式中、Ｒｌ９はアルキル基、アリール基、Ｒ２０は水
素原子、ハロゲン原子、アルキル基，アリール基、ニト
ロ基又はベンゾ縮合系基を表わし、ＭはＣｕ，　Ｎｉ又
はＰｄを表わす．） 一般式［４］ Ｒ２１ （式中， Ｒ２１ はアルキル基、 アリール基、 Ｒ２２ は 水素原子、 ハロゲン原子、 アルキル基又はベンゾ 縮合系基を表わし、 ＭはＣｕ， Ｎｉ． 又はＰｄを表ね す。

） 一般式［５］ （式中， Ｒ２コ は水素原子、 ハロゲン原子又はアル キル基を表わし、 ＭはＣｕ又はＮｉを表わす． ） 一般式［６］ （式中、 Ｒ２４ は水素原子、 又はアルキル基を表わ し、 ＭはＣｕ， Ｎｉ． Ｇｏ又はＭｎを表わす． ） 一般式［７］ （式中、Ｒ２Ｓ＋　Ｒ２６は、置換ないし非置換のアル
キル基、アシル基又はアリール基またはＲ２Ｓ＋　Ｒ２
６て芳香族環を形成しても良い．ＭはＣｕ，　Ｎｉ，　
Ｇｏ又はＰｄを表わす．この場合、Ｍは電荷を持ち、カ
ウンターイオンを持っても良い。） 次に，前記一般式［ｌ］〜［７］で示される金属キレー
ト化合物の具体的な化合物例を下記の表３に挙げるが、
本発明はこれらに限定されるものではない． 表 ３ −１ 化合物　一般式 Ｎｏ ［１１ ［１１ ［１］ ［１］ ［ｌコ ［ｌコ ［１コ ［１］ ［１］ ［１］ ［２］ ［２］ ［２］ ［２コ ［２］ ［２］ ［２］ ［２］ ［２］ ［２］ ［２］ 置 ＲＩＳエＯｉｌ Ｒ１５コＯＨ ｎ，５＝ｌ＋ Ｒ＋ｓ−ＣＪｓ Ｒ１Ｂ＝ｉ−ＣＪＩｔ Ｒ＋ｓ−ｎ−ＣｇＨ＋３ Ｒ４ｇ−ｎ−Ｃ６Ｈｒ：ｓ ＲＩＳ−Ｃ６１１８ Ｒ，Ｓ＝Ｈ Ｒ＋ｓ−−Ｃｌｌ２− Ｒ．，＝Ｈ Ｒ＋７＜Ｈ：＋ Ｒｌ？＝０１１ Ｒｌ？＝Ｃ２１１５ Ｒ＋ｔ−（：ｚｌｌｔ Ｒ＋ｔ−（ＣＨ２）ｓＣＨｚ ＦＩＩ？＝（Ｃｌ１．）Ｉ．ＣＨ， Ｒｌ？−１−Ｃ：ＩＨ？ Ｒ．？＝ＯＲ Ｒ．，＝ＯＨ ＲＩｔ＝−ＣＨｚ− 換 基 Ｒ＋ａ”ｔｌ Ｒ，．−１｛ Ｒ＋ｓ＝４−ＣＪｓ Ｒ　ｌａ−５−ＣＩ Ｒ＋ｓ＝Ｈ ＲＩ６冨／ｌ−Ｃ｝Ｉ３ ＲＩ６３４−ＣＩ−１３ ｎ＋６耐Ｉ Ｒ１６＝５．６−Ｃ６１１４ １．．−４−ＮＯ， Ｒ．．４１ Ｒ．，＝Ｈ Ｒｌ８＝５−Ｃ２Ｈ８ Ｒ＋ａ＝５−ＣＪ５ Ｒ，〜４−Ｃ２ Ｒ＋　ａ−４−ＣＨ＋ Ｒ．，−５．６−Ｃ：６１｛． Ｒ．６−５．６−Ｃ６１｛， Ｒ，６＝４−Ｃ．ｌ１７ ＲＩａ−Ｈ Ｒ＋ａ！４−ＮＯｚ 表　　３−２ ［２］ ［３］ ［３］ ［３］ ［３］ ［３コ ［３コ ［３］ ［３］ ［３コ ［４］ ［４コ ［４］ ［４］ ［４］ ［４］ ［４］ 〔４］ ［４］ ［５コ ［５〕 Ｒ＋ｙａ−Ｃｌｌ２− Ｒｌ９χＣ１１３ ＲＩ９−０２Ｈ％ Ｒｌ９＝Ｃ６１１Ｓ ｎｒｅ＝Ｃ−ＣｃＨｙ）ｚｐ＋−ｃ６ｎ４ＲＩ９−４’
−ＣＮ−Ｃ．ｌＬ〜 ＲＩ９七Ｃｌｌｆｆ Ｒ＋９＝Ｃ＊ｌｌ５ Ｒ．９−ＣＨ３ Ｒｌ９＝Ｃ６ＨＳ Ｒ２＋＝ｔＪ＋３ ｒｔ２，−Ｃ２１１， Ｒ，，−Ｃｌ＋， Ｒｚ＋Ｉ−ＣＪｙ Ｒ２１・（ＣＪｓ）Ｃｌ｛３ Ｒ２ｉ＝（（１：ＨＪｔＣＨ：＋ Ｒ２Ｉ＝ＣｔＨｓ Ｒ２　＋　−ＣＨ３ Ｒｚ＋＝（Ｃｌｌ２）ｓｃｌｌｚ Ｒ２：＋”Ｈ Ｒ２：ｌ＝Ｈ ？，，１＝４−ＮＯ２ Ｒｚｏ３１Ｉ Ｒ２ｏ＝４−Ｃｌｌｒ Ｒ２ｏ；４−ＣＪＩｓ Ｒ２０＝Ｈ Ｒ２．＝４−ＣＩｌ３ Ｒ２ｏ−４−ＣＩ：ｌ Ｒ２．＝４−（Ｊ！ ｎ２．＝４−ＮＯ． Ｒｚｏ”ＣｓＨｓ Ｒ２■＝Ｈ Ｒ２■＝４−ＣＩｌ３ Ｒ２■＝１１ Ｒ２■＝４−ＧＨ：＋ Ｒ２■＜．＋１， Ｒｚｚ＝Ｃ６１１ｓ Ｒ２■＝５．６−０６１Ｌ Ｌｚ＝ｔｌ Ｒ２。＝４−Ｃｆ 表　　３−３ ［５］ ［６］ ［６］ ［６］ ［７］ ［７］ ［７］ ［７］ ［７］ ［７コ Ｒ　２　ｘ　＝　４　−　Ｃ　Ｈ　：ＩＲ．．＝Ｈ Ｒｚ４−１１ Ｒ２４＝２−ＣｚＨｓ Ｒ２５＝Ｃ６ＨＳ Ｒｚｓ’ＣＪＩｓ Ｒ２．ｔ＝Ｐ−（Ｃ２１１％）２Ｎ−Ｃ６１１４Ｒ２，
−Ｐ−（ｃｏ，）２Ｎ−Ｃ．ｌｌ４Ｒ２ｓ＝（：ＩＩ：
ｉｃｏ −Ｒｚ５−Ｒ２ａ−−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃｔ｛＝ＣＨ−Ｒ２
６−Ｃ６Ｈ５ Ｒ２ａ−Ｃ６Ｈ５ Ｒ２ｓ＝Ｃ６１｛ｓ Ｒ２Ｇ−Ｃ６Ｈ５ Ｒ２．＝ＣＨ２（：０ ［７］ ［７］ ［７］ ＣＩｌ　　　Ｃｊ） ４ｔｓ−Ｒ２ｇ−−ＣＨ−Ｃ−ＣＩ−ＣＩ！−１ Ｎ（Ｃ，Ｈ．）． −Ｒ２ｓ−Ｒ２ｇ＝−ＣＨ＜−ＣＨ−ＣＨ−ＣＨ３ −Ｒ２Ｓ−８２６冨−ＣＩｌ＝Ｃ　　−Ｃ＝Ｃｌ＋−１ ＣＨ：ｌ　ＣＨ， ［７］ ４ｚｓ−Ｒ２ｇ＝−ＣＩＩ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃｌｌ−上記
金属キレート化合物は近赤外城に吸収をもち、安定な光
吸収色素として有用でありかっ、高分子液晶に対して相
溶性もしくは分散性かよい。

さらに、他の半導体レーザー光の吸収剤として使用可能
な化合物としては、次のようなものが挙げられる。

一般式［８］ （式中、Ｒ２７はイオウ原子，置換ないし非置換のア主
ノ基、＃素原子又はチオケトン基、８２Ｂは水素原子、
アルキル基、ハロゲン原子又はアくノ基を表わし、Ｍは
Ｚｎ，　Ｃｕ又はＮｉを表わす．〉一般式［９］ （式中、Ｒ２９はアルキル基，アリール基又はスチリル
基を表わし，ＭはＣｕ，　Ｎｉ，又はＣＯを表わす．） 一般式［１０］ Ｘ Ｘ （式中，Ｒ３。は水素原子、ハロゲン原子，アルキル基
、アシル基又はアリール基を表わし、ＭはＮｉ又はＺ『
を表わす．） 一般式［　１１］ （式中、Ｒ．はアルキル基又はアリール基，ＭはＣｕ，
，　Ｎｉ又はＣＯを表わす．） 一般式 ［ｌ２］ （式中＊　Ｒ３２＋　Ｒ３：ｌはアルキル基又はアリー
ル基、ＭはＮｉを表わす．） 一般式［ｌ３］ ０、　　　　０ ゛・Ｈ′ （式中、Ｒ３４１　Ｒ３％はアルキル基、アミノ基、ア
リール基又はフラン基、又はＲ３４とＲＩＳて脂環式化
合物を形成しても良い。Ｍは旧を表わす．）一般式 ［ｌ４］ Ｒ３？ （式中＋　Ｌ６１　Ｒ３？は水素原子，ハロゲン原子又
はアルキル基でＸは酸素原子又は硫黄原子、ＭはＮｉを
表わす．） 一・般式［１５］ （式中、　Ｒ３１１，　Ｒ３９は水素原子、アルキル基
、ハロゲン原子又はニトロ基，Ｘは酸素原子又は硫黄原
子、ＭはＮｉ，　Ｙ●は４級アンモニウムカチ才ンを表
わす．） 一般式［ｌ６］ （式中、　Ｒ４。はアミノ基、ＭはＣｕ，　Ｎｉ，　Ｇ
ｏ又はＰｄを表わす．） 一般式 ［１７］ ？式中、　Ｒ４■は水素原子、ハロゲン原子、アルキル
基、アシル基、ニトロ基又はアルコキシル基，ＭはＺｎ
，　Ｃｕ，旧又はＣＯを表わす．）次に，前記一般式［
８］乃至［ｌ７］で示される化合物の代表例を下記の表
４に挙げるが、本発明はこれ等に限定されるものではな
い。

表 ４ −　１ ［８コ ［８］ ［８コ ［８］ ［８］ ［８コ ［８］ ［８コ ［８コ ［８］ ［８］ ［８１ ［９］ ［９］ ［９］ ［９］ ［１０］ ［ＩＯ］ ［１０コ Ｒ２？；Ｏ Ｒ２？・Ｏ Ｒ２７・Ｓ Ｒ２−，・Ｓ Ｒ２７；Ｓ Ｒ２？・Ｓ Ｒ２７・Ｓ Ｒ２７・Ｎｉｌ Ｒ２，；Ｎｉｌ Ｒ２？・ＮＣＲ． Ｒ．，；ＮＨ Ｒ２，．Ｃ＝Ｓ Ｒ２９・Ｃ，Ｈ， Ｒ２９・Ｃ６｝１５ Ｒｚｓ；Ｃ６ＨｓＣＩＩ＝ＧＨ− Ｒ２９・Ｃｉ’−Ｃ．Ｈ４ＣＨ＝ＣＩｌ−Ｒ３ｏ・Ｈ ＲゴＯ′Ｈ Ｒ３０；Ｃｌｌ３Ｃ０ Ｒ２ａ；Ｈ Ｒ２１１・５−（：ｌｌｆｆ Ｒ２８；Ｉ＋ Ｒ２．；５−ｆＪ） Ｒ２８；５−ＣＩ＋３ Ｒｚａ’４−Ｃｌｌ３ Ｒ２８　；５−（ＣＩＩ＋）　２Ｎ Ｒ２６・ＩＩ Ｒ２８・５−ＣＩ１， Ｒ２１１・ｌＩ Ｒ２．；６−Ｃ２１１５ Ｒ２１１・Ｈ Ｘ．− ｘ．ｃｐ ｘ；ー 表 ４ ー２ ［１０］ ［１０コ ［　１１］ ［１１］ ［１１］ ［　ＩＩ］ ［ｌ２］ ［１２］ ［１２］ ［ｌ３］ ［１コ］ ｃＩ！　　　　　　　　　Ｘ；− Ｃ３Ｈ７　　　　　　　　Ｘ；− Ｃ３Ｈ？ Ｃ３Ｈ， １）−（Ｃ｝ｌ：＋）Ｊ−Ｃ６ｔｌ４−ｐ−（ＣＨ３）
２Ｎ−Ｃ６Ｈ４− Ｃ｝＋３　　　　　　　　　Ｒ３３　；ｃｌ｛３（：Ｊ
５Ｒ３ｉ；Ｃ２Ｈｓ Ｃ６口ｓ　　　　　　　　　　　　Ｒ３ｉ；Ｃｓｔｌｓ
ＮＨ２　　　　　　　　　Ｒｚｓ；Ｎｌ｛ｚＣｒ，Ｈｔ
．Ｒ３ｓ；ＣｂＨｓ ［１３】 ［１３］ ［ｌ４］ ［ｌ４］ Ｒ３ｓ；ＣＨ３ Ｔｏｎ；（：２１１５ Ｘ；Ｏ　　　　Ｒ：＋ｓ；Ｈ ｘ；ｏ　　　　Ｒ，６；５−ＣＩｌ３ Ｒ：＋ｓ　；ＣＨ３ Ｒ：＋ｓ；（：２］１ｓ Ｒｉｔ　：Ｈ Ｊｙ　；ｌ−ＣＩＩ３ ［ｌ４］ ［　４］ ［１４］ ［　４］ ［１４］ ［　４］ ［ｌ５］ ［ｌ５］ ［１５］ ［１５コ ［ｌ５］ ［１６］ ［１６］ ［１７］ ［１７］ ［ｌ７］ ［１７］ ４ −３ ？３６・４−ＣＩ１３ Ｒ■６・５−０２ Ｒ３６・Ｈ Ｒ，６・５　−　Ｃ　Ｉ｛　， Ｒ，６・４−ＣＩ＋３ Ｒ３６・５−Ｃ２ Ｒ，６・：ｌ−ＣＨ． Ｒ．１：ｌ−Ｃｉ！ Ｒ３ａ・４−ＮＯ■ Ｒ３ａ・Ｈ Ｒ３６；３−ＮＯ２ （Ｃ４Ｈ９）　２Ｎ （ＣＳＨＩ１）２Ｎ Ｈ ４−Ｃ２ ４−ＮＯ２ ５−Ｃｌ１３ ？３７・ｍ−Ｃｌｌユ Ｒｒｔ：ｐ−ＣＩ Ｒ：ｌ７・１１ Ｒ■７１−ＣＨ：＋ Ｒ，７１Ｊ：２１１．ｔ Ｒ：＋ｔ；Ｉ’−Ｃ２ｔｌＰ Ｒ＋９・ＩＩ Ｒ３９　；　４−（ｊ｛＋ Ｒ３９・４　−　Ｃ　Ｈ． Ｒ３９・４−ＣＩｌ３ Ｒ３９・４−Ｃ．Ｈ５ 本発明に用いられる上記金属錯体頬は，ハリー・ビー・
グレイ等がジャナル・オブ・ジ・アメリカン・ケミカル
・ソサイエティ　８８巻４３〜５０頁および４８７０〜
４８７５頁、もしくはシュランツアおよびマイベーク等
によるジャナル・オブ・ジ・アメリカン・ケミカル・ソ
サイエティ　８７ａ１４８３〜ｌ４８９頁により記載さ
れている方法に準じて合成される． 前記半導体レーザー用化合物は近赤外城に吸収をもち、
安定な光吸収色素として有用であり、かつ高分子液晶に
対して相溶性もしくは分散性がよい。又中には二色性を
有するものもあり、これら二色性を有する化合物を高分
子液晶中に混合すれば、熱的に安定なホストーゲスト型
のメモリー及び表示媒体を得ることもできる． また、高分子液晶中には上記の化合物が二種類以上含有
されていてもよい． また、上記化合物と他の近赤外吸収色素や２色性色素を
組み合せてもよい．好適に組み合せられる近赤外吸収色
素の代表的な例としては、シアニン、メロシアニン、フ
タロシアニン、テトラヒドロコリン、ジオキサジン、ア
ントラキノン、トリフェノジチアジン、キサンテン、ト
リフェニルメタン、ピリリウム、クロコニウム、アズレ
ンおよびトリ７エニルアミン等の色素が挙げられる．な
お、液晶に対する上記化合物の添加量は重量％で，０．
１％〜２０％程度、好ましくは、０．５〜１０％がよい
．本発明で用いる高分子液晶は高分子サーモトロピック
液晶であり、中間相であるネマチックやスメクチックや
カイラルスメクチックやコレステリックの相を利用する
． 第１図は、本発明の情報記憶媒体の一例を示す断面図で
ある．同図において，本発明の情報記憶媒体は，基板ｌ
上に配向処理されていない高分子液晶を含有する記録層
２を形成し、該記録層２の上に反射層４を設けてなり，
高分子液晶の平均ドメイン径が再生光波長の０．０５〜
１０倍の範囲にあり、前記高分子液晶を含有する記録層
が凹凸を有するものである． 第２図は、本発明の情報記憶媒体の他の例な示ず断面図
である。同図においては、一軸配向処理されていない配
向制御膜を有しており，高分子液晶は水平配向を有して
いる状態で、本発明のドメイン径を有することを特徴と
するものである。

本発明の高分子液晶を含有する記録層は、配向されてい
ないものを用いるものであり、この場合には液晶相一等
方相，掖晶相一液晶相の相転移を用いた記録方法におい
て用いるか、コレステリツク相・カイラルスメクチック
相でのらせん構造の変化等を用いることが出来る．配向
していない記録層を用いる場合は、記録層の厚みは、０
．ＯＩＢ〜５０終１が望ましい。０．０１Ｈ未満ではコ
ントラストが得られないために好ましくなく、５０一一
をこえると配向の乱れによる散乱のために有効なトラツ
キンタを行うことができない。さらに望ましくは，０．
０５〜２０岬朧である． 基板上に設けた高分子液晶を含有する記録層の溝形状の
一例を第３図（ａ）〜（ｄ）に示す。又、実験の結果か
ら，第４図に例示する溝の大きさ、すなわち溝の深さａ
．溝の幅ｂ，溝のランド部＋１１１ｉ１ｃは、溝の深さ
ａは０．０５ｇｍ　〜０．２　ｕ．ｍ、溝の幅ｂは０．
５　１Ｌ一〜２．０　ＳＬｌｍ．溝のランド部の幅Ｃは
０．５〜２．０　＃Ｌｍ、特に溝の深さａは０．１　ｇ
ｍ−０．２　ｕ．ｍ，溝の幅ｂは０．５　１Ｌ１〜１．
０糾一．　＆１）のランド部の＠Ｃは１．Ｏ＋＆鵬〜２
．Ｏ　ｇｍが好ましいことが確認できた．ただし、上記
条件の３つとも全てを満たさずとも、上記条件の中で溝
の深さを少なくとも上記範囲内に設定しておけばそれで
も効果は得られる．又、溝の形はさほど影響しないこと
も確認できた．ディスクの構威として，第５図（ａ）で
示された断面図のように、記録層３が片方だけ溝付き基
板ｌａで他方は平板の基板ｌで挟まれる構造でも，また
は第５図（ｂ）で示された断面図のように、記録層３が
両方とも溝付き基板１ａで挟まれた構造でもよい． 又、第６図に本発明の情報記憶媒体を用いて、記録再生
する装置の概略図を示す．記録の際は半導体レーザ９を
光学系を通して情報記憶媒体７に照射し、又再生する際
は半導体レーザ９をいったん情報記憶媒体７にあて、も
どってきた光をビームスプリッタ−８を通して光検出器
１０で読みとる。

［実施例］ 以下、実施例を示し本発明をさらに具体的に説明する． 実施例ｌ 直径１：１０ｍｍ　，厚さ１．２■のディスク状ガラス
基板上に、下記の構造式（Ｉ）で示される高分子化合物
に下記の構造式（ＩＩ）で示されるＩＲ吸収色素を１．
Ｏ　ｗｔ％加えた後に、シクロヘキサノンに溶解したも
のをスピンナ−２ｔａし，乾燥後の厚み２ＩＬｍの高分
子液晶層を形成した。

（Ｉ） 浸透圧法による数平均重合度ＤＰ＝　１０Ｃ：＋ｌＩｙ
　　　　　　　　　　　　　　　ＣＪＩ７ＣＩ！０，ｅ 次に、基板およびスタンバーを１２０℃に加熱し、スタ
ンパーを高分子液晶居に圧接することにより，スパイラ
ル状溝を形威した。火板をスタンパーからはかしたのち
、高分子液晶居上に八２を３０００入のＰ１さに蒸着し
て反射屑を形成した。この基板は、第３図（ａ）て示し
たような断面図のような溝形状をもつ基板て、得られた
溝形状は、溝の深さａ　０．０８ＩＬ＋ｓ，溝の幅ｂ５
．Ｏｐｉ，溝ラント部の幅ｃｏ．６井■てあった。

このディスク状情報記憶媒体を　１２０゜ＣよりＩＯ’
Ｃ／■ｉｎで室温まて冷却し、高分子液晶の平均ドメイ
ン径を０．５　４ｍとした。（偏光顕微鏡写真より算出
） この情報記憶媒体に基板側から８３０ｎｍの半導体レー
ザーを用いて、ビーム径６ＩＩ．Ｉｍ、ディスク回伝ｆ
１　５００ｒｐｍ、ＳＯＯＫＩｌｚ、２０ｍＷて記録し
、１ｍＷて再生したところ，再生におけるノイズレベル
は−７０ｄＢと良好であった。このときの再生波形のス
ペクトル解析の分解能帯域幅は：１０Ｋｌｌｚてある．
また、ＣＡＭは４５ｄＢで良好であった。全周方向での
反射率のバラツキは±５％以内て良好てあった。この基
板を１２０°Ｃに加熱し、１０°Ｃ／ｗｉｎで室温まで
冷却し、再度記録再生を行なったが、ノイズレベル，　
Ｃ／Ｎに変化はなかった。

比較例ｌ 実施例ｌと同様に作成したディスク状情報記憶媒体を１
００゜Ｃで３０分保持し、さらに８０゜Ｃに３０分保持
したところ、高分子液晶の平均ドメイン径が２鉢■とな
った．（偏光顕微鏡写真より算出）この情報記憶媒体に
基板側から８３０ｎｍの半導体レーザーを用いて，ビー
ム径ｌ．５一１、ディスク回転数５００ｒｐｍ　、５０
０Ｋｌ｛ｚ、２０ｌｌＷで記録し、ｌｍＷで再生したと
ころ、再生におけるノイズレベルは−５０ｔｌＢと不良
であった。このときの再生波形のスペクトル解析の分解
能｛１｝幅は３０κＨｚである。また、Ｃ／Ｎは：１０
ｄＢて不良てあった。

実施例２ ８５ｍＬＩＸ　Ｓ５ｍｍ、厚み１．２１のカート状のＰ
ＭＭＡ基板に２Ｐ法によって、凸部２叩φ、凹部１０Ｈ
φの溝を形或した。この基板にＡｕを２００入蒸着して
半透明反射層を設けた。この基板に、下記の高分子化合
Ｔｈ（ＩＩＩ）にＩＲ吸収色素（山木化学合ｒ＆株　Ｉ
ＲＤ１００１）を１０　ｗｔ％加えてシクロヘキサノン
に溶解したものをスビナー塗布し、乾燥後、厚み２帥の
高分子液晶からなる記録層を形或した。

Ｕ （ＩＶ） 浸透圧法による数平均重合度ＤＰ＝１１次に、Ａ２を２
０００入の厚さに蒸着して，反射九９とした．このカー
ド状情報記憶媒体を８０゜Ｃに２０分保存し、次に室温
まて冷却したところ平均ドメイン径か１坤−てあった。

（平均ドメイン径は偏光顕微鏡より算出） この情報記憶媒体に基板側から　７８０ｎｍの半導体レ
ーザーを用いてビーム径６ｇｍ、送り速度５ｃｍ／ｓｅ
ｃ、１０κｌｌｚ　．　２０ｍＷで記録し、ｌｍＷで再
生したところ、再生におけるノイズレベルは−６５ｄＢ
と良好であった．このときの再生波形のスペクトル解析
の分解能帯幅はｌκＨｚである．また、Ｃ／Ｎは４５ｄ
Ｂで良好であった． 比較例２ 実施例２と同様に作成したカード状情報記憶媒体を　１
００℃から氷水によって急冷した．この高分子液晶から
なる記録層の平均ドメイン径は、Ｘ線小角散乱によって
測定したところ　コＯＯλであった。

この情報記憶媒体に基板側から、　７８０ｎｓの半導体
レーザーを用いて，ビーム径６←園、送り速度５ｃｍ／
ｓｅｃ、１０κＨｚ　．　２０ｍＷで記録し、ｌｓｌｌ
ｌで再生したところ、再生におけるノイズレベルは．　
−７０ｄＢと良好であったが、Ｃ／Ｎは２５ｄＢで不良
であった．［発明の効果］ 以上説明したように，高分子液晶の平均ドメイン径を制
御することにより、ノイズレベルを大巾に低下させると
ともに全記憶領域での反射率のハラツキを大巾に低下す
ることが可能となった．この結果，配向処理の不要な簡
便な構威の情報記憶媒体において，良好な記録・再生・
消去が可能となる効果がある．

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は各々本発明の情報記憶媒体の一例
を示す断面図、第３図（ａ）〜（ｄ）は記録層の溝形状
の断面模式図、第４図は記録層の溝形状の大きさを示す
説明図、第５図（ａ）．（ｂ）は各々本発明の他の例を
示す情報記憶媒体の部分模式図および第６図は本発明の
情報記憶媒体を用いた記録再生装置の概略図である． １，ｌａ・・・基板　　　２・・・透明電極３・・・記
録層　　　　　４・・・反射層５・・・配向制御膜　　
　６・・・溝 ７・・・情報記憶媒体 ８・・・ビームスプリッター ９・・・半導体レーザ １０−・・光検出器

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）配向処理されていない高分子液晶を記録層として
   有する情報記憶媒体において、該高分子液晶の平均ドメ
   イン径が再生光波長の０．０５〜１０倍であることを特
   徴とする情報記憶媒体。
2. （２）配向処理されていない高分子液晶を記録層として
   有する情報記憶媒体に記録された情報を再生する方法に
   おいて、ビーム径が高分子液晶の平均ドメイン径の３倍
   以上の再生光を用いることを特徴とする情報記憶媒体の
   再生方法。
3. （３）配向処理されていない高分子液晶を記録層として
   有する情報記憶媒体において、該高分子液晶のガラス転
   移温度もしくは融点以上で等方相転移温度以下の温度に
   保持する時間を制御して、高分子液晶の平均ドメイン径
   を再生光波長の０．０５〜１０倍にすることを特徴とす
   る情報記憶媒体の消去方法。