JPH0362543A - 半導体ウエハー上の不良半導体装置へのマーキング方法 - Google Patents
半導体ウエハー上の不良半導体装置へのマーキング方法Info
- Publication number
- JPH0362543A JPH0362543A JP19757789A JP19757789A JPH0362543A JP H0362543 A JPH0362543 A JP H0362543A JP 19757789 A JP19757789 A JP 19757789A JP 19757789 A JP19757789 A JP 19757789A JP H0362543 A JPH0362543 A JP H0362543A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- marking
- semiconductor wafer
- pellets
- defective
- pellet
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体ウェハーの検査工程において、半導体ウ
ェハー上の不良半導体装置へのマーキング方法に関する
。
ェハー上の不良半導体装置へのマーキング方法に関する
。
従来、不良半導体装置（以下、不良ペレットと称す）の
マツピングデータを基にマーキング専用装置でマーキン
グする場合に、半導体ウェハー測定時のペレットの座標
とマーキング時のペレットの座標とを一致させる方法と
して、半導体ウェハー上にターゲットとなるパターンが
ある場合は、そのターゲットの認識機能を用いていたが
、ターゲットの無い半導体ウェハーは座標の一致を確実
にする方法が無く、アライメント装置で計算した座標を
そのまま使用していた。
マツピングデータを基にマーキング専用装置でマーキン
グする場合に、半導体ウェハー測定時のペレットの座標
とマーキング時のペレットの座標とを一致させる方法と
して、半導体ウェハー上にターゲットとなるパターンが
ある場合は、そのターゲットの認識機能を用いていたが
、ターゲットの無い半導体ウェハーは座標の一致を確実
にする方法が無く、アライメント装置で計算した座標を
そのまま使用していた。
上述した従来の不良ペレットへのマーキング方法は、タ
ーゲットパターンの無い半導体ウェハーでは、半導体ウ
ェハー測定装置のペレット座標とマーキング専用装置の
ペレット座標とを確実に一致させることができないとい
う欠点があり、座標がずれて誤ったマーキングが行われ
る可能性があった。
ーゲットパターンの無い半導体ウェハーでは、半導体ウ
ェハー測定装置のペレット座標とマーキング専用装置の
ペレット座標とを確実に一致させることができないとい
う欠点があり、座標がずれて誤ったマーキングが行われ
る可能性があった。
本発明は、半導体ウェハー上の不良ペレットのマツピン
グデータを記憶媒体にて記憶し、マーキング専用装置に
てマーキングする半導体ウェハー上の不良半導体装置へ
のマーキング方法において、半導体ウェハー測定時に半
導体ウェハー上の指定したペレットにマーキングを施し
、次いでマーキング専用装置で不良ペレットへのマーキ
ングを開始する前に、前記半導体ウェハー測定時にマー
キングしたマークを自動認識することにより半導体ウェ
ハー測定装置でのペレット座標とマーキング専用装置で
のペレット座標とを一致させる半導体ウェハー上の不良
半導体装置へのマーキング方法である。
グデータを記憶媒体にて記憶し、マーキング専用装置に
てマーキングする半導体ウェハー上の不良半導体装置へ
のマーキング方法において、半導体ウェハー測定時に半
導体ウェハー上の指定したペレットにマーキングを施し
、次いでマーキング専用装置で不良ペレットへのマーキ
ングを開始する前に、前記半導体ウェハー測定時にマー
キングしたマークを自動認識することにより半導体ウェ
ハー測定装置でのペレット座標とマーキング専用装置で
のペレット座標とを一致させる半導体ウェハー上の不良
半導体装置へのマーキング方法である。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を説明するための概略図であ
る。半導体ウェハー測定時には、キャリア１から取り出
された半導体ウェハー２上のペレットを半導体ウェハー
測定装置５のプローブ針３で全数測定すると共に、指定
したペレットをマーカー４でマーキングする。第２図の
平面図に、そのマーキング跡８をつけた半導体ウェハー
２上のペレットを示す。この半導体ウェハー測定結果の
マツピングデータは、マーキング専用装置７の記憶媒体
に記憶される。
る。半導体ウェハー測定時には、キャリア１から取り出
された半導体ウェハー２上のペレットを半導体ウェハー
測定装置５のプローブ針３で全数測定すると共に、指定
したペレットをマーカー４でマーキングする。第２図の
平面図に、そのマーキング跡８をつけた半導体ウェハー
２上のペレットを示す。この半導体ウェハー測定結果の
マツピングデータは、マーキング専用装置７の記憶媒体
に記憶される。
次いで、ペレットが全数測定された半導体ウェハー２を
キャリア１から取り出し、マーキング専用装置７にてＣ
ＣＤカメラ６を使用し、半導体ウェハー測定時にマーキ
ング跡８をつけたペレットを認識し、測定時のペレット
座標とマーキング時のペレット座標とを一致させた後に
マーカー４にて不良ペレットのマーキングを開始する。
キャリア１から取り出し、マーキング専用装置７にてＣ
ＣＤカメラ６を使用し、半導体ウェハー測定時にマーキ
ング跡８をつけたペレットを認識し、測定時のペレット
座標とマーキング時のペレット座標とを一致させた後に
マーカー４にて不良ペレットのマーキングを開始する。
第３図の平面図は、測定したペレットの指定範囲９内で
、最初に測定した不良ペレットにマーキング跡８をつけ
た半導体ウェハー２を示している。この場合は、半導体
ウェハー測定装置５でマーキング跡８をつけたペレット
を、測定データを基に不良ペレットとするとにより、マ
ーキング専用装置７で不良ペレットを認識する際、良品
ペレットを認識用ペレットとしてマーキングしてしまう
ことがなく、確実に不良ペレットにマーキングすること
ができる。
、最初に測定した不良ペレットにマーキング跡８をつけ
た半導体ウェハー２を示している。この場合は、半導体
ウェハー測定装置５でマーキング跡８をつけたペレット
を、測定データを基に不良ペレットとするとにより、マ
ーキング専用装置７で不良ペレットを認識する際、良品
ペレットを認識用ペレットとしてマーキングしてしまう
ことがなく、確実に不良ペレットにマーキングすること
ができる。
以上説明したように本発明を採用することにより、半導
体ウェハーを測定する装置と、半導体ウェハー内の不良
ペレットにマーキングする装置とを別々に持ったシステ
ムで、半導体ウェハー測定時に指定チップにマーキング
することにより、ターゲットとなるパターンの無いウェ
ハーでも、半導体ウェハー測定装置のペレット座標とマ
ーキング専用装置のペレット座標とを、半導体ウェハー
測定時にマーキングしたペレットを認識することにより
一致させることができるという効果がある。
体ウェハーを測定する装置と、半導体ウェハー内の不良
ペレットにマーキングする装置とを別々に持ったシステ
ムで、半導体ウェハー測定時に指定チップにマーキング
することにより、ターゲットとなるパターンの無いウェ
ハーでも、半導体ウェハー測定装置のペレット座標とマ
ーキング専用装置のペレット座標とを、半導体ウェハー
測定時にマーキングしたペレットを認識することにより
一致させることができるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例を説明するための概略図、第
２図及び第３図はそれぞれ本発明の一実施例を説明する
ための半導体ウェハーの平面図である。 １・・・キャリア、２・・・半導体ウェハー ３・・・
プローブ針、４・・・マーカー ５・・・半導体ウェハ
ー測定装置、６・・・ＣＣＤカメラ、７・・・マーキン
グ専用装置、８・・・マーキング跡、９・・・指定範囲
。
２図及び第３図はそれぞれ本発明の一実施例を説明する
ための半導体ウェハーの平面図である。 １・・・キャリア、２・・・半導体ウェハー ３・・・
プローブ針、４・・・マーカー ５・・・半導体ウェハ
ー測定装置、６・・・ＣＣＤカメラ、７・・・マーキン
グ専用装置、８・・・マーキング跡、９・・・指定範囲
。
Claims (1)
- 半導体ウェハー上の不良ペレットのマッピングデータを
記憶媒体にて記憶し、マーキング専用装置にてマーキン
グする半導体ウェハー上の不良半導体装置へのマーキン
グ方法において、半導体ウェハー測定時に半導体ウェハ
ー上の指定したペレットにマーキングを施し、次いでマ
ーキング専用装置で不良ペレットへのマーキングを開始
する前に、前記半導体ウェハー測定時にマーキングした
マークを自動認識することにより半導体ウェハー測定装
置でのペレット座標とマーキング専用装置でのペレット
座標とを一致させることを特徴とする半導体ウェハー上
の不良半導体装置へのマーキング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19757789A JPH0362543A (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | 半導体ウエハー上の不良半導体装置へのマーキング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19757789A JPH0362543A (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | 半導体ウエハー上の不良半導体装置へのマーキング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0362543A true JPH0362543A (ja) | 1991-03-18 |
Family
ID=16376811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19757789A Pending JPH0362543A (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | 半導体ウエハー上の不良半導体装置へのマーキング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0362543A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60103639A (ja) * | 1983-11-10 | 1985-06-07 | Telmec Co Ltd | ウエハチツプの選別方法 |
| JPS63136542A (ja) * | 1986-11-27 | 1988-06-08 | Tokyo Electron Ltd | 半導体ウエハチツプの位置合わせ方法 |
-
1989
- 1989-07-28 JP JP19757789A patent/JPH0362543A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60103639A (ja) * | 1983-11-10 | 1985-06-07 | Telmec Co Ltd | ウエハチツプの選別方法 |
| JPS63136542A (ja) * | 1986-11-27 | 1988-06-08 | Tokyo Electron Ltd | 半導体ウエハチツプの位置合わせ方法 |
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