JPH0362914A - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサの製造方法Info
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- JPH0362914A JPH0362914A JP19853689A JP19853689A JPH0362914A JP H0362914 A JPH0362914 A JP H0362914A JP 19853689 A JP19853689 A JP 19853689A JP 19853689 A JP19853689 A JP 19853689A JP H0362914 A JPH0362914 A JP H0362914A
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は固体電解コンデンサの製造方法に関し、さら
に詳しく言えば、その陽極リードの保護手段に関するも
のである。
に詳しく言えば、その陽極リードの保護手段に関するも
のである。
第２図（ａ）には固体電解コンデンサの中核をなす典型
的な従来例としてのコンデンサ素子ｌが示されている。
的な従来例としてのコンデンサ素子ｌが示されている。
すなわち、このコンデンサ素子１は、例えばＴａやＮｂ
などの弁作用を有する金バ粉末の焼結体からなり、その
一端部には陽極リード２が植設されている。陽極リード
２は焼結前にその一端が押設されるか、もしくは焼結後
に例えば溶接により取付けられる。コンデンサ索子１の
表向には電解酸化により酸化皮膜が形成され、次いでそ
の上に半導体電解質（固体電解質）が生成される。例え
ば硝酸マンガンの含浸・熱分解を複数回繰り返すことに
より、半導体電解質としてのＭｎ０ｚＪｆｆが形成され
るが、その際、ＭｎＯ□が陽極リード２に這い１；がる
という現象が生ずる。
などの弁作用を有する金バ粉末の焼結体からなり、その
一端部には陽極リード２が植設されている。陽極リード
２は焼結前にその一端が押設されるか、もしくは焼結後
に例えば溶接により取付けられる。コンデンサ索子１の
表向には電解酸化により酸化皮膜が形成され、次いでそ
の上に半導体電解質（固体電解質）が生成される。例え
ば硝酸マンガンの含浸・熱分解を複数回繰り返すことに
より、半導体電解質としてのＭｎ０ｚＪｆｆが形成され
るが、その際、ＭｎＯ□が陽極リード２に這い１；がる
という現象が生ずる。
これを防止するため、従来では第２図（ｂ）に示されて
いるように陽極リード２の導出部に例えば弗素樹脂板３
を被せたり、同図（ｃ）に示されているように陽極リー
ド２の導出部に例えばシリコン系樹脂４を塗布するよう
にしている。
いるように陽極リード２の導出部に例えば弗素樹脂板３
を被せたり、同図（ｃ）に示されているように陽極リー
ド２の導出部に例えばシリコン系樹脂４を塗布するよう
にしている。
しかしながら、第２１１Ｍ（ｂ）に示す方法では、陽極
リード２との嵌合が緩い場合には樹脂板３が浮き一■−
かり、ＭｎＯ□の這い上がり防止効果がないばかりか、
陽極リード２に外部リード線を溶接する場合にイ・具合
を生ずる。すなわち、焼結体と陽極リードとの接続部は
何ら保護されないため、陽極リード２に外部リード線を
溶接する際の機械的ストレスもしくは外装樹脂の熱収縮
ストレスなどの影響をうけやすく、特性劣化特に漏れ電
流の増加につながる。
リード２との嵌合が緩い場合には樹脂板３が浮き一■−
かり、ＭｎＯ□の這い上がり防止効果がないばかりか、
陽極リード２に外部リード線を溶接する場合にイ・具合
を生ずる。すなわち、焼結体と陽極リードとの接続部は
何ら保護されないため、陽極リード２に外部リード線を
溶接する際の機械的ストレスもしくは外装樹脂の熱収縮
ストレスなどの影響をうけやすく、特性劣化特に漏れ電
流の増加につながる。
他方、同図（ｃ）に示されている樹脂４の塗布による場
合には、焼結体と陽極リードとの接続部はそれによって
保護されるが、樹脂の滴ド位置あるいは漬−ド址などの
作業性に難がある。
合には、焼結体と陽極リードとの接続部はそれによって
保護されるが、樹脂の滴ド位置あるいは漬−ド址などの
作業性に難がある。
この発明は上記した従来の欠点を解決するためになされ
たもので、その目的は、生産性を損なうことなくコンデ
ンサ素子と陽極リードの接続部を効果的に保護し得るよ
うにした固体電解コンデンサの製造方法を提供すること
にある。
たもので、その目的は、生産性を損なうことなくコンデ
ンサ素子と陽極リードの接続部を効果的に保護し得るよ
うにした固体電解コンデンサの製造方法を提供すること
にある。
上記［１的を達成するため、この発明においては、Ｔａ
、Ｎｂなどの弁作用を有する金Ａう（粉末の焼結体から
なり、その一端部に陽極リードが植設されたコンデンサ
素子の上記陽極リード導出部に、ポリエーテルエーテル
ケトン（ＰＥＩ；Ｋ）、ポリエーテルスルフォン（ｐｉ
ｅｓ）もしくは熱可塑ポリイミド（Ｔ）’１）のいずれ
かからなるワッシャーを神道したのち、同ワッシャーを
加熱溶融させて上記陽極リード導出部に密着させるよう
にしている。
、Ｎｂなどの弁作用を有する金Ａう（粉末の焼結体から
なり、その一端部に陽極リードが植設されたコンデンサ
素子の上記陽極リード導出部に、ポリエーテルエーテル
ケトン（ＰＥＩ；Ｋ）、ポリエーテルスルフォン（ｐｉ
ｅｓ）もしくは熱可塑ポリイミド（Ｔ）’１）のいずれ
かからなるワッシャーを神道したのち、同ワッシャーを
加熱溶融させて上記陽極リード導出部に密着させるよう
にしている。
上記ワッシャーのうち、比較的に融点の高いワッシャー
を加熱溶融するにあたっては、コンデンサ素子が例えば
Ｔａ粉末で形成されている場合、常圧で高温に保持する
とその金属表面が酸化し、遂には燃焼する危険がある。
を加熱溶融するにあたっては、コンデンサ素子が例えば
Ｔａ粉末で形成されている場合、常圧で高温に保持する
とその金属表面が酸化し、遂には燃焼する危険がある。
そこで、上記ワッシャーの加熱溶融は、加熱されたＮ２
もしくはＡｒなどの不活性ガスを吹き付けるが、その不
活性ガス雰囲気中で溶融させることが好ましい。
もしくはＡｒなどの不活性ガスを吹き付けるが、その不
活性ガス雰囲気中で溶融させることが好ましい。
また、ワッシャーの加熱溶融は、■コンデンサ素子の電
解酸化による酸化皮膜の形成前に行う、■コンデンサ素
子の表面に電解酸化にて酸化皮膜を形成したのちに行う
、■コンデンサ素子上に固体電解質を形成するのと同時
もしくは固体電解質を形成したのちに行うのが好ましい
。
解酸化による酸化皮膜の形成前に行う、■コンデンサ素
子の表面に電解酸化にて酸化皮膜を形成したのちに行う
、■コンデンサ素子上に固体電解質を形成するのと同時
もしくは固体電解質を形成したのちに行うのが好ましい
。
ワッシャーの材料としては、
ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン；融点３４０℃
）、 Ｐ Ｅ Ｓ （ポリエーテルスルフォン；非晶質のため
融点なし）、 ’ｌ’ Ｐ Ｉ （熱可塑ポリイミド；融点３８２℃）
、のいずれかが用いられる。
）、 Ｐ Ｅ Ｓ （ポリエーテルスルフォン；非晶質のため
融点なし）、 ’ｌ’ Ｐ Ｉ （熱可塑ポリイミド；融点３８２℃）
、のいずれかが用いられる。
ここで、第１Ｉ５ｉ１を参照してこの発明による固体電
解コンデンサの製造方法をより具体的に説明する。まず
、同図（ａ）に示されているように、上記材料中から選
ばれたフィルムもしくはシートからなるワッシャー５を
コンデンサ素子ｌに見合った大きさにカットし、これを
陽極リード２に神道したのち、同陽極リード２を適当な
フープ材６に溶接する。このフープ材６に取付けられた
状態で次工提に搬送される際、ワッシャー５は図示しな
いガイド部材にて同図（ｂ）に示されているように、陽
極リード２の導出部に当てかわれるように位ｉ′を決め
される。次に、図示しないドライヤーなどにて裔温の例
えばＮ２ガスが吹き付けられる。これにより、ワッシャ
ー５は同図（Ｃ）に示されているように溶融して陽極リ
ード２の導出部に密着する。
解コンデンサの製造方法をより具体的に説明する。まず
、同図（ａ）に示されているように、上記材料中から選
ばれたフィルムもしくはシートからなるワッシャー５を
コンデンサ素子ｌに見合った大きさにカットし、これを
陽極リード２に神道したのち、同陽極リード２を適当な
フープ材６に溶接する。このフープ材６に取付けられた
状態で次工提に搬送される際、ワッシャー５は図示しな
いガイド部材にて同図（ｂ）に示されているように、陽
極リード２の導出部に当てかわれるように位ｉ′を決め
される。次に、図示しないドライヤーなどにて裔温の例
えばＮ２ガスが吹き付けられる。これにより、ワッシャ
ー５は同図（Ｃ）に示されているように溶融して陽極リ
ード２の導出部に密着する。
参照符号５ａはその密着したものを示している。
上記の加熱溶融は一連の流れ工程において行うことがで
きるため、生産能力をドげることなく、陽極リード接続
部を強固に保護することができる。
きるため、生産能力をドげることなく、陽極リード接続
部を強固に保護することができる。
（実施例↓）
外形寸法０．９４Ｘ １．９５Ｘ １．Ｏｎｗのタンタ
ルコンデンサ素子の陽極リードに、ポリケトン系フィル
ムＰＥ上Ｋ「ステイバーに２００Ｊ（１’ｌ’８品名；
アイ・シー・アイ・ジャパン＠製）からなる厚さ０．１
ｍｍのワッシャーを挿通し、ピー１〜ガン（日光メタル
社製）にてＮ２ガスを供給しながら同ワッシャーを溶融
させた。次いで、電解酸化によりコンデンサ素子の表面
に酸化皮膜を施し、Ｍｎ０ｚＪｔｌｊ、カーボン；ｎ、
銀層を順次形成し、外部端子を接続したのち、外装樹脂
（エポキシ）で被覆し、定格電圧４Ｖ、静電容量１０４
Ｆの固体電解コンデンサを製作した。
ルコンデンサ素子の陽極リードに、ポリケトン系フィル
ムＰＥ上Ｋ「ステイバーに２００Ｊ（１’ｌ’８品名；
アイ・シー・アイ・ジャパン＠製）からなる厚さ０．１
ｍｍのワッシャーを挿通し、ピー１〜ガン（日光メタル
社製）にてＮ２ガスを供給しながら同ワッシャーを溶融
させた。次いで、電解酸化によりコンデンサ素子の表面
に酸化皮膜を施し、Ｍｎ０ｚＪｔｌｊ、カーボン；ｎ、
銀層を順次形成し、外部端子を接続したのち、外装樹脂
（エポキシ）で被覆し、定格電圧４Ｖ、静電容量１０４
Ｆの固体電解コンデンサを製作した。
（実施例２）
実施例１と同じコンデンサ素子の陽極リードに、ポリケ
トン系フィルム）’ＨＩ４Ｋ ｒステイバーＸＫ３００
Ｊ （商品名；アイ・シー・アイ・ジャパン曲製）から
なる厚さ０．０７５ｎｖ＋のワッシャーを神通し、次い
で電解酸化を行ってコンデンサ素子の表面に酸化皮膜を
施した（第１化或）、シかるのち、電気炉内で加熱して
同ワッシャーを溶融させた。さらに第２化成を行い、所
望の酸化皮１換を形成したのち、上記実施例１と同じ＜
、 ＭｎＯ，Ｊｉ、カーボン層、銀層をｊ項数形成し
、外部端子を接続したのち、外装樹脂（エポキシ）で被
覆し、定格電圧４Ｖ、静電容量１０μＦの固体電解コン
デンサを製作した。
トン系フィルム）’ＨＩ４Ｋ ｒステイバーＸＫ３００
Ｊ （商品名；アイ・シー・アイ・ジャパン曲製）から
なる厚さ０．０７５ｎｖ＋のワッシャーを神通し、次い
で電解酸化を行ってコンデンサ素子の表面に酸化皮膜を
施した（第１化或）、シかるのち、電気炉内で加熱して
同ワッシャーを溶融させた。さらに第２化成を行い、所
望の酸化皮１換を形成したのち、上記実施例１と同じ＜
、 ＭｎＯ，Ｊｉ、カーボン層、銀層をｊ項数形成し
、外部端子を接続したのち、外装樹脂（エポキシ）で被
覆し、定格電圧４Ｖ、静電容量１０μＦの固体電解コン
デンサを製作した。
（実施例３）
実施例１と同じコンデンサ素子の陽極リードに。
ポリイミド系フィルム「ＮＥｗ−ＴＰｌ」（商品名；三
井東圧■製）からなる厚さ０．１ｍｍのワッシャーを挿
通し、実施例１と同じくヒートガン（日光メタル社製）
にてＮ２ガスを供給しながら同ワッシャーを溶融させた
。次いで、電解酸化によりコンデンサ素子の表面に酸化
皮膜を施し、ＭｎＯ，層、カーボン層、銀層を順次形成
し、外部端子を接続したのち、外装樹脂（エポキシ）で
被覆し、定格電圧４Ｖ、静電容量１０μドの固体電解コ
ンデンサを製作した。
井東圧■製）からなる厚さ０．１ｍｍのワッシャーを挿
通し、実施例１と同じくヒートガン（日光メタル社製）
にてＮ２ガスを供給しながら同ワッシャーを溶融させた
。次いで、電解酸化によりコンデンサ素子の表面に酸化
皮膜を施し、ＭｎＯ，層、カーボン層、銀層を順次形成
し、外部端子を接続したのち、外装樹脂（エポキシ）で
被覆し、定格電圧４Ｖ、静電容量１０μドの固体電解コ
ンデンサを製作した。
〔比較例１〕
実施例↓と同じコンデンサ素子の陽極リードにＴＩ”Ｌ
：（テトラフロロエチレン）からなる厚さ０．２ｍｍの
ワッシャーを挿通し、電解酸化を行ってその表面に酸化
皮膜を施し、次いでＭｎＯ２層、カーボン層、銀Ｍを順
次形成し、外部端子を接続したのち、外装樹脂（エポキ
シ）で被覆し、定格電圧４Ｖ、静電容量１０μドの固体
電解コンデンサを製作した。
：（テトラフロロエチレン）からなる厚さ０．２ｍｍの
ワッシャーを挿通し、電解酸化を行ってその表面に酸化
皮膜を施し、次いでＭｎＯ２層、カーボン層、銀Ｍを順
次形成し、外部端子を接続したのち、外装樹脂（エポキ
シ）で被覆し、定格電圧４Ｖ、静電容量１０μドの固体
電解コンデンサを製作した。
（実施例４）
実施例１と同じコンデンサ素子の陽極リードに、非晶質
系フィルムＰｉ＜Ｓｒステイバー５ｔｏｏ」（商品名：
アイ・シー・アイ・ジャパン曲製）からなる厚さ０．１
ＩＩｌ［１１のワッシャーを柿通し、電解酸化によりコ
ンデンサ素子の表面に酸化皮膜を形成した。次いで、硝
酸マンガン（比重１．３）水溶液を含浸させ、熱分解炉
内において高温（３００〜３５０℃）で分解し、ＭｎＯ
２生成と同時にワッシャーを溶融した。次いで、所定回
数の硝酸マンガンの熱分解を繰返し、ＭｎＯ，Ｊσを形
成した。しかるのち、カーボンノｎ、銀層を順次形成し
、外部端子を接続したのち、外装樹脂（エポキシ）で被
覆し、定格電圧１６■、静電界１よ３．３μドの固体電
解コンデンサを製作した。
系フィルムＰｉ＜Ｓｒステイバー５ｔｏｏ」（商品名：
アイ・シー・アイ・ジャパン曲製）からなる厚さ０．１
ＩＩｌ［１１のワッシャーを柿通し、電解酸化によりコ
ンデンサ素子の表面に酸化皮膜を形成した。次いで、硝
酸マンガン（比重１．３）水溶液を含浸させ、熱分解炉
内において高温（３００〜３５０℃）で分解し、ＭｎＯ
２生成と同時にワッシャーを溶融した。次いで、所定回
数の硝酸マンガンの熱分解を繰返し、ＭｎＯ，Ｊσを形
成した。しかるのち、カーボンノｎ、銀層を順次形成し
、外部端子を接続したのち、外装樹脂（エポキシ）で被
覆し、定格電圧１６■、静電界１よ３．３μドの固体電
解コンデンサを製作した。
〔比較例２〕
従来例１と同様にして定格電圧１６ｖ、静電界に３．３
μドの固体電解コンデンサを製作した。
μドの固体電解コンデンサを製作した。
上記各実施例と比較例をそれぞれ１０，０００個用意し
、その静電容量Ｃａｐ（μト′）、損失角の正接ｔａｎ
δ、漏れ電流ＬＣ（μＡ）、製品としての特性不良率（
％）、ＭｎＯ□這い上がり率（％）を測定した結果（平
均値）を数表に示す。
、その静電容量Ｃａｐ（μト′）、損失角の正接ｔａｎ
δ、漏れ電流ＬＣ（μＡ）、製品としての特性不良率（
％）、ＭｎＯ□這い上がり率（％）を測定した結果（平
均値）を数表に示す。
（表）
この表から明らかなように、各実施例は特性不良率が従
来例の１／２〜１／３と改４すされている。また、Ｍｎ
Ｏ□這い上がり率は各実施例ともにＯ＄を記録している
。さらに、漏れ電流の領からして陽極外部端子溶接時の
ストレス、外装樹脂のストレスに対して顕著な緩和作用
が認められる。
来例の１／２〜１／３と改４すされている。また、Ｍｎ
Ｏ□這い上がり率は各実施例ともにＯ＄を記録している
。さらに、漏れ電流の領からして陽極外部端子溶接時の
ストレス、外装樹脂のストレスに対して顕著な緩和作用
が認められる。
以上説明したように、この発明によれば、コンデンサ素
子の陽極リード導出部に、ポリエーテルエーテルケトン
（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルスルフォン（ｐｉｅｓ）も
しくは熱１ｈ−Ｊ ｆｆｌポリイミド（ＴＰＩ）のいず
れかからなるワッシャーを挿通して、同ワッシャーを加
熱溶融させて陽極リード導出部に密着させるようにした
ことにより、一連の流れ工程において、生産能力を下げ
ることなく陽極リード接続部を強固に保護することがで
きる。また、ワッシャーに使用するフィルムは適度の強
度があるため、そのフィルム厚を例えば０．０７５〜０
．１ｍｍ程度に薄くすることが可能であり、したがって
溶融フィルムの被覆高さ寸法が小さくてすみ、さらには
フィルムのコストダウンをも図ることができる。
子の陽極リード導出部に、ポリエーテルエーテルケトン
（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルスルフォン（ｐｉｅｓ）も
しくは熱１ｈ−Ｊ ｆｆｌポリイミド（ＴＰＩ）のいず
れかからなるワッシャーを挿通して、同ワッシャーを加
熱溶融させて陽極リード導出部に密着させるようにした
ことにより、一連の流れ工程において、生産能力を下げ
ることなく陽極リード接続部を強固に保護することがで
きる。また、ワッシャーに使用するフィルムは適度の強
度があるため、そのフィルム厚を例えば０．０７５〜０
．１ｍｍ程度に薄くすることが可能であり、したがって
溶融フィルムの被覆高さ寸法が小さくてすみ、さらには
フィルムのコストダウンをも図ることができる。
第工図（ａ）〜（ｃ）はこの発明による固体電解コンデ
ンサの製造過程を示した説明図、第２図（ａ）〜（ｃ）
はそれぞれ従来例を示した説明図である。 図中、 １はコンデンサ素子、 ２は陽極リード、 ５は熱可塑性高耐熱樹脂からなるワッシャーはフープ材
である。 特 許 出 願 人 工ルナー株式会社
ンサの製造過程を示した説明図、第２図（ａ）〜（ｃ）
はそれぞれ従来例を示した説明図である。 図中、 １はコンデンサ素子、 ２は陽極リード、 ５は熱可塑性高耐熱樹脂からなるワッシャーはフープ材
である。 特 許 出 願 人 工ルナー株式会社
Claims (4)
- （１）Ｔａ，Ｎｂなどの弁作用を有する金属粉末の焼結
体からなり、その一端部に陽極リードが植設されたコン
デンサ素子の上記陽極リード導出部に、ポリエーテルエ
ーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルスルフォン（
ＰＥＳ）もしくは熱可塑ポリイミド（ＴＰＩ）のいずれ
かからなるワッシャーを挿通したのち、同ワッシャーを
加熱溶融させて上記陽極リード導出部に密着させたこと
を特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。 - （２）上記ワッシャーの加熱溶融は、高温の不活性ガス
にて行われる請求項１に記載の固体電解コンデンサの製
造方法。 - （３）上記ワッシャーの加熱溶融は、上記コンデンサ素
子の表面に電解酸化にて酸化皮膜を形成したのちに行わ
れる請求項１に記載の固体電解コンデンサの製造方法。 - （４）上記ワッシャーの加熱溶融は、上記コンデンサ素
子上に固体電解質を形成するのと同時もしくは同体電解
質を形成したのちに行われる請求項１に記載の固体電解
コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19853689A JPH0760778B2 (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19853689A JPH0760778B2 (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0362914A true JPH0362914A (ja) | 1991-03-19 |
| JPH0760778B2 JPH0760778B2 (ja) | 1995-06-28 |
Family
ID=16392786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19853689A Expired - Fee Related JPH0760778B2 (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0760778B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0368124A (ja) * | 1989-08-07 | 1991-03-25 | Elna Co Ltd | 固体電解コンデンサの製造方法 |
-
1989
- 1989-07-31 JP JP19853689A patent/JPH0760778B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0368124A (ja) * | 1989-08-07 | 1991-03-25 | Elna Co Ltd | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0760778B2 (ja) | 1995-06-28 |
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