JPH0362924A - レーザアニール装置 - Google Patents
レーザアニール装置Info
- Publication number
- JPH0362924A JPH0362924A JP1198970A JP19897089A JPH0362924A JP H0362924 A JPH0362924 A JP H0362924A JP 1198970 A JP1198970 A JP 1198970A JP 19897089 A JP19897089 A JP 19897089A JP H0362924 A JPH0362924 A JP H0362924A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- laser annealing
- reflection film
- laser beam
- annealing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は 半導体装置特に高集塊 高速の高性能な完全
絶縁分離された半導体集積回路 即ちＳ○■デバイス用
基体製造の為のレーザアニール装置に関するものであも 従来の技術 社風 半導体集積回路はますます高密度化 高速化され
る傾向にあり、絶縁分離の半導体集積回路に対する要望
が高まっている。従来 絶縁分離の半導体集積回路の形
成に（よ 例えば 絶縁物基板たとえば表面に絶縁膜が
形成されたシリコン（Ｓｉ）ウェハ上に堆積したポリＳ
ｉにレーザビームを照射することによりポリＳｉの単結
晶化を行（＼ このＳｉウェーハに回路素子を形成する
という方法で行なわれている。以下に従来のレーザアニ
ール装置について第３図とともに説明する。第３図は最
も一般的なレーザアニール装置のブロック図である。
絶縁分離された半導体集積回路 即ちＳ○■デバイス用
基体製造の為のレーザアニール装置に関するものであも 従来の技術 社風 半導体集積回路はますます高密度化 高速化され
る傾向にあり、絶縁分離の半導体集積回路に対する要望
が高まっている。従来 絶縁分離の半導体集積回路の形
成に（よ 例えば 絶縁物基板たとえば表面に絶縁膜が
形成されたシリコン（Ｓｉ）ウェハ上に堆積したポリＳ
ｉにレーザビームを照射することによりポリＳｉの単結
晶化を行（＼ このＳｉウェーハに回路素子を形成する
という方法で行なわれている。以下に従来のレーザアニ
ール装置について第３図とともに説明する。第３図は最
も一般的なレーザアニール装置のブロック図である。
レーザ光源１から出たレーザビームＬ（よ 全反射ミラ
ー３によって収光レンズ４に垂直に入射するように光路
変換され 収光レンズ４によってシリコンウェハ５上で
のレーザビーム径を調整された眞 シリコンウェハ５に
照射さｈ ｘ−ｙステージ６を走査することによって
シリコンウェハ５全面をレーザ照射していｔ４ 発明が解決しようとする課題 第３図に示したレーザアニール装置において、全反射ミ
ラー３や収光レンズ４には レーザビームＬの反射によ
るエネルギー損失を防ぐ為に 反射防止膜が塗布されて
いる為に レーザビームＬのシリコンウェハ５からの反
射光 いわゆるもどり光がレーザビームＬの光路と全く
同じ光路を何ら減衰することなく逆進し レーザ光源１
の光共振器内に入り、レーザ光源ｌの出力が不安定にな
り、単結晶化状態が不安定になるという問題があった
本発明はかかる点に鑑ム レーザ出力がもどり光の影響
を受けないレーザアニール装置を提供することを目的と
すも 課題を解決するための手段 本発明（よ 上述の課題を解決するた△ 半導体基板の
レーザアニールを行うに際し レーザ光源から前記半導
体基板へ到る光路中に 一方の主面には反射防止膜が塗
布されている力交 反対側の主面には前記反射防止膜が
塗布されていないガラス基板を前記反射防止膜塗布面が
レーザ光入射側になるように設置したレーザアニール装
置である。
ー３によって収光レンズ４に垂直に入射するように光路
変換され 収光レンズ４によってシリコンウェハ５上で
のレーザビーム径を調整された眞 シリコンウェハ５に
照射さｈ ｘ−ｙステージ６を走査することによって
シリコンウェハ５全面をレーザ照射していｔ４ 発明が解決しようとする課題 第３図に示したレーザアニール装置において、全反射ミ
ラー３や収光レンズ４には レーザビームＬの反射によ
るエネルギー損失を防ぐ為に 反射防止膜が塗布されて
いる為に レーザビームＬのシリコンウェハ５からの反
射光 いわゆるもどり光がレーザビームＬの光路と全く
同じ光路を何ら減衰することなく逆進し レーザ光源１
の光共振器内に入り、レーザ光源ｌの出力が不安定にな
り、単結晶化状態が不安定になるという問題があった
本発明はかかる点に鑑ム レーザ出力がもどり光の影響
を受けないレーザアニール装置を提供することを目的と
すも 課題を解決するための手段 本発明（よ 上述の課題を解決するた△ 半導体基板の
レーザアニールを行うに際し レーザ光源から前記半導
体基板へ到る光路中に 一方の主面には反射防止膜が塗
布されている力交 反対側の主面には前記反射防止膜が
塗布されていないガラス基板を前記反射防止膜塗布面が
レーザ光入射側になるように設置したレーザアニール装
置である。
作用
本発明は上述の構成により、 レーザ光源から出たレー
ザビームは ガラス基板の反射防止膜コート面側から入
射するた△ はとんど減衰することなく半導体基板に到
達すも 一方半導体基板からのもどり光（九 反射防止
膜無面側から入射することになり、もどり光の一部は反
射防止膜焦面への入射角に応じて反射さも 従って、も
どり光のガラス基板への入射角を調整することにより、
所望の量だけもどり光を反射させることができ、もどり
光がレーザ光源の光共振器へ入ることによってレーザ出
力が不安定になるという問題を解消することが可能とな
ん 実施例 以下に 本発明の実施例を図面に基づき説明すも 第１
図は 本発明に係るレーザアニール装置のブロック図で
あも レーザ光源１と全反射ミラー３の間に（よ 一方
の主面がそれぞれ反射防止膜コート面７Ａ、７Ｂであり
、反対側の主面が反射防止膜焦面８Ａ、８Ｂであるガラ
ス基板２Ａ、２Ｂがいずれも反対防止膜焦面８Ａ、８Ｂ
に対してもどり光の入射角がθｉとなるように設置され
ている。従って、レーザ光源１から出たレーザ光は ガ
ラス基板２Ａ、２Ｂ、 全反射ミラー３、収光レンズ
４を、はとんどエネルギー損失なく通過し半導体基板例
えばシリコンウェハ５上に照射される。一方、もどり光
（よ まずガラス基板２Ｂの反射防止膜焦面８Ｂで入射
角θｉに対応した反射率Ｒ（％）でその一部力交 反射
され さらにガラス基板２Ａの反射防止膜焦面８Ａでも
入射角θｉに対応した反射率Ｒ（％）でその一部が反射
され 最終的にはもどり光のＲ（２−Ｒ／１００）％が
反射される本実施例で用いたガラス基板の入射角θｉに
対する反射率の測定結果を第２図に示す。例えばＲ＝２
０％となるようにガラス基板２Ａ、２Ｂを設置し レー
ザ光源１の出力３Ｗでシリコンウェハ５にレーザビーム
Ｌを照射した場合、もどり光の３６％がガラス基板２Ａ
、２Ｂで反射され レーザ光源１の出力に不安定性は認
められ衣 レーザ照射中のレーザ出力を安定化すること
が可能となっｆ。
ザビームは ガラス基板の反射防止膜コート面側から入
射するた△ はとんど減衰することなく半導体基板に到
達すも 一方半導体基板からのもどり光（九 反射防止
膜無面側から入射することになり、もどり光の一部は反
射防止膜焦面への入射角に応じて反射さも 従って、も
どり光のガラス基板への入射角を調整することにより、
所望の量だけもどり光を反射させることができ、もどり
光がレーザ光源の光共振器へ入ることによってレーザ出
力が不安定になるという問題を解消することが可能とな
ん 実施例 以下に 本発明の実施例を図面に基づき説明すも 第１
図は 本発明に係るレーザアニール装置のブロック図で
あも レーザ光源１と全反射ミラー３の間に（よ 一方
の主面がそれぞれ反射防止膜コート面７Ａ、７Ｂであり
、反対側の主面が反射防止膜焦面８Ａ、８Ｂであるガラ
ス基板２Ａ、２Ｂがいずれも反対防止膜焦面８Ａ、８Ｂ
に対してもどり光の入射角がθｉとなるように設置され
ている。従って、レーザ光源１から出たレーザ光は ガ
ラス基板２Ａ、２Ｂ、 全反射ミラー３、収光レンズ
４を、はとんどエネルギー損失なく通過し半導体基板例
えばシリコンウェハ５上に照射される。一方、もどり光
（よ まずガラス基板２Ｂの反射防止膜焦面８Ｂで入射
角θｉに対応した反射率Ｒ（％）でその一部力交 反射
され さらにガラス基板２Ａの反射防止膜焦面８Ａでも
入射角θｉに対応した反射率Ｒ（％）でその一部が反射
され 最終的にはもどり光のＲ（２−Ｒ／１００）％が
反射される本実施例で用いたガラス基板の入射角θｉに
対する反射率の測定結果を第２図に示す。例えばＲ＝２
０％となるようにガラス基板２Ａ、２Ｂを設置し レー
ザ光源１の出力３Ｗでシリコンウェハ５にレーザビーム
Ｌを照射した場合、もどり光の３６％がガラス基板２Ａ
、２Ｂで反射され レーザ光源１の出力に不安定性は認
められ衣 レーザ照射中のレーザ出力を安定化すること
が可能となっｆ。
発明の詳細
な説明したように 本発明によれば 半導体基板のレー
ザアニールを行うに際し レーザ照射中ももどり光に起
因するレーザ出力のゆらぎは発生せ哄 常に安定した単
結晶化が可能なレーザアニール装置が実現され 単結晶
化の量産工程にとってその実用的効果は極めて大なるも
のである。
ザアニールを行うに際し レーザ照射中ももどり光に起
因するレーザ出力のゆらぎは発生せ哄 常に安定した単
結晶化が可能なレーザアニール装置が実現され 単結晶
化の量産工程にとってその実用的効果は極めて大なるも
のである。
第１図は本発明における一実施例のレーザアニール装置
のブロック阻 第２図は゛もどり光の入射角θｉと反射
率Ｒの関係を示すが 第３図は従来のレーザアニール装
置のブロック図である。 １・・・・レーザ光風 ２Ａ、２Ｂ・・・・ガラス基板
３・・・・全反射ミラコ ４・・・・収光レンＸ ５・
・・・シリコンウニＩ＼ ６・・・・Ｘ−Ｙステージ、
？Ａ、７Ｂ・・・・反射防止膜コートｆｆｉ ８Ａ
、８Ｂ・・・・反射防止膜無胤
のブロック阻 第２図は゛もどり光の入射角θｉと反射
率Ｒの関係を示すが 第３図は従来のレーザアニール装
置のブロック図である。 １・・・・レーザ光風 ２Ａ、２Ｂ・・・・ガラス基板
３・・・・全反射ミラコ ４・・・・収光レンＸ ５・
・・・シリコンウニＩ＼ ６・・・・Ｘ−Ｙステージ、
？Ａ、７Ｂ・・・・反射防止膜コートｆｆｉ ８Ａ
、８Ｂ・・・・反射防止膜無胤
Claims (1)
- 半導体基板のレーザアニールを行うに際し、レーザ光源
から前記半導体基板へ到る光路中に、一方の主面には反
射防止膜が塗布されているが、反対側の主面には前記反
射防止膜が塗布されていないガラス基板を前記反射防止
膜塗布面がレーザ光入射側になるように設置したレーザ
アニール装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1198970A JPH0734432B2 (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | レーザアニール装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1198970A JPH0734432B2 (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | レーザアニール装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0362924A true JPH0362924A (ja) | 1991-03-19 |
| JPH0734432B2 JPH0734432B2 (ja) | 1995-04-12 |
Family
ID=16399956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1198970A Expired - Fee Related JPH0734432B2 (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | レーザアニール装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0734432B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5930606A (en) * | 1996-01-04 | 1999-07-27 | U.S. Philips Corporation | Electronic device manufacture with a laser beam |
-
1989
- 1989-07-31 JP JP1198970A patent/JPH0734432B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5930606A (en) * | 1996-01-04 | 1999-07-27 | U.S. Philips Corporation | Electronic device manufacture with a laser beam |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0734432B2 (ja) | 1995-04-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH06140704A (ja) | レーザ光照射装置 | |
| JPH07159658A (ja) | 光導波路−光素子結合構造およびその製造方法 | |
| US20120268939A1 (en) | Method of laser processing | |
| JPH01173707A (ja) | レーザアニール方法 | |
| JP3031896B2 (ja) | フォトリソグラフィー法の実行過程での反射の影響の低減方法 | |
| JPH0734432B2 (ja) | レーザアニール装置 | |
| US6695455B1 (en) | Fabrication of micromirrors on silicon substrate | |
| JPH0675130A (ja) | 光導波路装置 | |
| JPS58117510A (ja) | 光導波路及びその製造方法 | |
| US5080739A (en) | Method for making a beam splitter and partially transmitting normal-incidence mirrors for soft x-rays | |
| US4678714A (en) | Photomask material | |
| JP3773603B2 (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
| JPH04234109A (ja) | 半導体装置の配線形成方法 | |
| JP2993261B2 (ja) | Ｘ線多層膜反射鏡 | |
| JP3100154B2 (ja) | 光電子装置の複合線路 | |
| KR950004969B1 (ko) | 반도체 장치 제조시의 노광 방법 | |
| JPH0396224A (ja) | Ｓｏｉ基板の製造方法 | |
| JPS60103316A (ja) | 光モ−ドフイルタ | |
| JPH02130913A (ja) | 薄膜半導体装置 | |
| JPH01119929A (ja) | 光ビックアップ | |
| JPS61107202A (ja) | 半透鏡 | |
| JPS59224121A (ja) | レ−ザアニ−リング装置 | |
| JPS63379A (ja) | 光学素子の製造方法 | |
| JPS6391608A (ja) | 光導波路と光フアイバの接続方法 | |
| JPH02187017A (ja) | 半導体層の単結晶化方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |