JPH0734432B2 - レーザアニール装置 - Google Patents
レーザアニール装置Info
- Publication number
- JPH0734432B2 JPH0734432B2 JP1198970A JP19897089A JPH0734432B2 JP H0734432 B2 JPH0734432 B2 JP H0734432B2 JP 1198970 A JP1198970 A JP 1198970A JP 19897089 A JP19897089 A JP 19897089A JP H0734432 B2 JPH0734432 B2 JP H0734432B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- antireflection film
- laser annealing
- light
- light source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体装置特に高集積、高速の高性能な完全
絶縁分離された半導体集積回路、即ちSOIデバイス用基
体製造の為のレーザアニール装置に関するものである。
絶縁分離された半導体集積回路、即ちSOIデバイス用基
体製造の為のレーザアニール装置に関するものである。
従来の技術 近年、半導体集積回路はますます高密度化、高速化され
る傾向にあり、絶縁分離の半導体集積回路に対する要望
が高まっている。従来、絶縁分離の半導体集積回路の形
成には、例えば、絶縁物基板たとえば表面に絶縁膜が形
成されたシリコン（Si）ウェハ上に堆積したポリSiレー
ザビームを照射することによりポリSiの単結晶化を行
い、このSiウェーハに回路素子を形成するという方法で
行なわれている。以下に従来のレーザアニール装置につ
いて第３図とともに説明する。第３図は最も一般的なレ
ーザアニール装置のブロック図である。レーザ光源１か
ら出たレーザビームＬは、全反射ミラー３によって収光
レンズ４に垂直に入射するように光路変換され、収光レ
ンズ４によってシリコンウェハ５上でのレーザビーム径
を調整された後、シリコンウェハ５に照射され、Ｘ−Ｙ
ステージ６そ走査することによってシリコンウェハ５全
面をレーザ照射したいた。
る傾向にあり、絶縁分離の半導体集積回路に対する要望
が高まっている。従来、絶縁分離の半導体集積回路の形
成には、例えば、絶縁物基板たとえば表面に絶縁膜が形
成されたシリコン（Si）ウェハ上に堆積したポリSiレー
ザビームを照射することによりポリSiの単結晶化を行
い、このSiウェーハに回路素子を形成するという方法で
行なわれている。以下に従来のレーザアニール装置につ
いて第３図とともに説明する。第３図は最も一般的なレ
ーザアニール装置のブロック図である。レーザ光源１か
ら出たレーザビームＬは、全反射ミラー３によって収光
レンズ４に垂直に入射するように光路変換され、収光レ
ンズ４によってシリコンウェハ５上でのレーザビーム径
を調整された後、シリコンウェハ５に照射され、Ｘ−Ｙ
ステージ６そ走査することによってシリコンウェハ５全
面をレーザ照射したいた。
発明が解決しようとする課題 第３図に示したレーザアニール装置において、全反射ミ
ラー３や収光レンズ４には、レーザビームＬの反射によ
るエネルギー損失を防ぐ為に、反射防止膜が塗布されて
いる為に、レーザビームＬのシリコンウェハ５からの反
射光、いわゆるもどり光がレーザビームＬの光路と全く
同じ光路を何ら減衰することなく逆進し、レーザ光源１
の光共振器内に入り、レーザ光源１の出力が不安定にな
り、単結晶化状態が不安定になるという問題があった。
本発明はかかる点に鑑み、レーザ出力がもどり光の影響
を受けないレーザアニール装置を提供することを目的と
する。
ラー３や収光レンズ４には、レーザビームＬの反射によ
るエネルギー損失を防ぐ為に、反射防止膜が塗布されて
いる為に、レーザビームＬのシリコンウェハ５からの反
射光、いわゆるもどり光がレーザビームＬの光路と全く
同じ光路を何ら減衰することなく逆進し、レーザ光源１
の光共振器内に入り、レーザ光源１の出力が不安定にな
り、単結晶化状態が不安定になるという問題があった。
本発明はかかる点に鑑み、レーザ出力がもどり光の影響
を受けないレーザアニール装置を提供することを目的と
する。
課題を解決するための手段 本発明は、上述の課題を解決するため、半導体基板のレ
ーザアニールを行うに際し、レーザ光源から前記半導体
基板へ到る光路中に、一方の主面には反射防止膜が塗布
されているが、反対側の主面には前記反射防止膜が塗布
されていないガラス基板を前記反射防止膜塗布面がレー
ザ光入射側になるように配置したレーザアニール装置で
ある。
ーザアニールを行うに際し、レーザ光源から前記半導体
基板へ到る光路中に、一方の主面には反射防止膜が塗布
されているが、反対側の主面には前記反射防止膜が塗布
されていないガラス基板を前記反射防止膜塗布面がレー
ザ光入射側になるように配置したレーザアニール装置で
ある。
作用 本発明は上述の構成により、レーザ光源からレーザビー
ムは、ガラス基板の反射防止膜コート面側から入射する
ため、ほどんど減衰することなく半導体基板に到達す
る。一方半導体基板からのもどり光は、反射防止膜無面
側から入射することになり、もどり光の一部は反射防止
膜無面への入射角に応じて反射さる。従って、もどり光
のガラス基板への入射角を調整することにより、所望の
量だけもどり光を反射させることができ、もどり光がレ
ーザ光源の光共振器へ入ることによってレーザ出力が不
安定になるという問題を解消することが可能である。
ムは、ガラス基板の反射防止膜コート面側から入射する
ため、ほどんど減衰することなく半導体基板に到達す
る。一方半導体基板からのもどり光は、反射防止膜無面
側から入射することになり、もどり光の一部は反射防止
膜無面への入射角に応じて反射さる。従って、もどり光
のガラス基板への入射角を調整することにより、所望の
量だけもどり光を反射させることができ、もどり光がレ
ーザ光源の光共振器へ入ることによってレーザ出力が不
安定になるという問題を解消することが可能である。
実施例 以下に、本発明の実施例を図面に基づき説明する。第１
図は、本発明に掛かるレーザアニール装置のブロックで
ある。レーザ光源１と全反射ミラー３の間には、一方の
主面がそれぞれ反射防止膜コート面7A,7Bであり、反対
側の主面が反射防止膜無面8A,8Bであるガラス基板2A,2B
がいずれも反射防止膜無面8A,8Bに対してもどり光の入
射角がθｉとなるように設置されている。従って、レー
ザ光源１から出たレーザ光は、ガラス基板2A,2B、全反
射ミラー３、収光レンズ４を、ほとんどエネルギー損失
なく通過し半導体基板、例えばシリコンウェハ５上に照
射される。一方、もどり光は、まずガラス基板2Bの反射
防止膜無面8Bで入射角θｉに対応した反射率Ｒ（％）で
その一部が、反射され、さらにガラス基板2Aの反射防止
膜無面8Aでも入射角θｉに対応した反射率Ｒ（％）でそ
の一部が反射され、最終的にはもどり光のＲ（２−R/10
0）％が反射される本実施例で用いたガラス基板の入射
角θｉに対する反射率の測定結果を第２図に示す。例え
ばＲ＝20％となるようにガラス基板2A,2Bを設置し、レ
ーザ光源１の出力3Wでシリコンウェハ５にレーザビーム
Ｌを照射した場合、もどり光の36％がガラス基板2A,2B
で反射され、レーザ光源１の出力に不安定性は認められ
ず、レーザ照射中のレーザ出力を安定化することが可能
となった。
図は、本発明に掛かるレーザアニール装置のブロックで
ある。レーザ光源１と全反射ミラー３の間には、一方の
主面がそれぞれ反射防止膜コート面7A,7Bであり、反対
側の主面が反射防止膜無面8A,8Bであるガラス基板2A,2B
がいずれも反射防止膜無面8A,8Bに対してもどり光の入
射角がθｉとなるように設置されている。従って、レー
ザ光源１から出たレーザ光は、ガラス基板2A,2B、全反
射ミラー３、収光レンズ４を、ほとんどエネルギー損失
なく通過し半導体基板、例えばシリコンウェハ５上に照
射される。一方、もどり光は、まずガラス基板2Bの反射
防止膜無面8Bで入射角θｉに対応した反射率Ｒ（％）で
その一部が、反射され、さらにガラス基板2Aの反射防止
膜無面8Aでも入射角θｉに対応した反射率Ｒ（％）でそ
の一部が反射され、最終的にはもどり光のＲ（２−R/10
0）％が反射される本実施例で用いたガラス基板の入射
角θｉに対する反射率の測定結果を第２図に示す。例え
ばＲ＝20％となるようにガラス基板2A,2Bを設置し、レ
ーザ光源１の出力3Wでシリコンウェハ５にレーザビーム
Ｌを照射した場合、もどり光の36％がガラス基板2A,2B
で反射され、レーザ光源１の出力に不安定性は認められ
ず、レーザ照射中のレーザ出力を安定化することが可能
となった。
発明の効果 以上説明したように、本発明によれば、半導体基板のレ
ーザアニールを行う際し、レーザ照射中ももどり光に起
因するレーザ出力のゆらぎは発生せず、常に安定した単
結晶化が可能なレーザアニール装置が実現され、単結晶
化の量産工程にとってその実用的効果は極めて大なるも
のである。
ーザアニールを行う際し、レーザ照射中ももどり光に起
因するレーザ出力のゆらぎは発生せず、常に安定した単
結晶化が可能なレーザアニール装置が実現され、単結晶
化の量産工程にとってその実用的効果は極めて大なるも
のである。
第１図は本発明における一実施例のレーザアニール装置
のブロック図、第２図はもどり光の入射角θｉと反射率
Ｒの関係を示す図、第３図は従来のレーザアニール装置
のブロック図である。 １……レーザ光源、2A,2B……ガラス基板、３……全反
射ミラー、４……収光レンズ、５……シリコンウェハ、
６……Ｘ−Ｙステージ、7A,7B……反射防止膜コート
面、8A,8B……反射防止膜無面。
のブロック図、第２図はもどり光の入射角θｉと反射率
Ｒの関係を示す図、第３図は従来のレーザアニール装置
のブロック図である。 １……レーザ光源、2A,2B……ガラス基板、３……全反
射ミラー、４……収光レンズ、５……シリコンウェハ、
６……Ｘ−Ｙステージ、7A,7B……反射防止膜コート
面、8A,8B……反射防止膜無面。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板のレーザアニールを行うに際
し、レーザ光源から前記半導体基板へ到る光路中に、一
方の主面には反射防止膜が塗布されているが、反対側の
主面には前記反射防止膜が塗布されていないガラス基板
を前記反射防止膜塗布面がレーザ光入射側になるように
配置したレーザアニール装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1198970A JPH0734432B2 (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | レーザアニール装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1198970A JPH0734432B2 (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | レーザアニール装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0362924A JPH0362924A (ja) | 1991-03-19 |
| JPH0734432B2 true JPH0734432B2 (ja) | 1995-04-12 |
Family
ID=16399956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1198970A Expired - Fee Related JPH0734432B2 (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | レーザアニール装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0734432B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0813749A1 (en) * | 1996-01-04 | 1997-12-29 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electronic device manufacture with a laser beam |
-
1989
- 1989-07-31 JP JP1198970A patent/JPH0734432B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0362924A (ja) | 1991-03-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6372039B1 (en) | Method and apparatus for irradiation of a pulse laser beam | |
| US5786925A (en) | Method and composition for arbitrary angle mirrors in substrates for use in hybrid optical systems | |
| JPH05507390A (ja) | 基板の薄化エッチングのための方法 | |
| JP2919145B2 (ja) | レーザ光照射装置 | |
| JPH01173707A (ja) | レーザアニール方法 | |
| JPH053748B2 (ja) | ||
| JPH0362924A (ja) | レーザアニール装置 | |
| JPS6112241B2 (ja) | ||
| KR0132573B1 (ko) | 마스크 제조방법 | |
| JPS623089A (ja) | 半導体製造装置 | |
| US4678714A (en) | Photomask material | |
| US6695455B1 (en) | Fabrication of micromirrors on silicon substrate | |
| US4936252A (en) | Equipment for manufacturing semiconductor devices | |
| WO1989012317A1 (fr) | Procede et dispositif pour la cristallisation de couches minces de semi-conducteurs sur un materiau de substrat | |
| JPS58117510A (ja) | 光導波路及びその製造方法 | |
| JPS5940526A (ja) | レ−ザ処理方法およびその装置 | |
| JPS59224121A (ja) | レ−ザアニ−リング装置 | |
| JPH02187017A (ja) | 半導体層の単結晶化方法 | |
| JPH0396224A (ja) | Ｓｏｉ基板の製造方法 | |
| EP0346987A1 (en) | A method of forming thin defect-free monocrystalline strips of semiconductor materials on insulators | |
| JPH05226275A (ja) | レーザアニール装置 | |
| JPH01261820A (ja) | レーザ照射装置 | |
| JPS6347256B2 (ja) | ||
| JPS5776830A (en) | Semiconductor substrate | |
| KR0144394B1 (ko) | 건식식각법을 이용한 반도체 레이저 다이오드의 다층 반사경 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |