JPH0364207A - パルス発生回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明はパルス発生回路に関するものである。

〔従来の技術〕

第３図は従来のパルス発生回路の回路図で、入力パルス
をトリガとし外付けＣＲａｌ）の時定数で減衰を始める
ＭＭＶ　（モノステーブルマルチバイブレータ）＋１２
１１個から成る。第５図は第３図の回路のパルス発生動
作を示すタイミングチャートである。ＭＭＶ（２）の内
部には波形図すで示す様なスレ・ノショルドｌ　（Ｖ＋
）とスレッショルド２（Ｖｚ）が設けられ、入力ａの立
ち上がりをトリガに時定数減衰をはじめた電位が、この
Ｖ　＋　、　Ｖ　を間を通る間だけ波形図Ｃに示す様な
パルスを出力する。出力パルスの幅ｔユは電位ｖｌ　と
■２のレベル設定にて行い、入力トリガパルスからの位
置１．はτを可変することによって調整する。

第４図は従来の他のパルス発生回路の回路図で、ＭＭＶ
ｌ、ＭＭＶ２０ｍと各々独自にｃＲＱｏの時定数回路を
持つ、第６図は第４図のパルス発生回路のパルス発生動
作を示すタイミングチャー１．である、波形図ａで示す
入力トリガが入ると、その立ち上がりエツジをきっかけ
にて１　なる時定数でＭＭＶＩ（Ｌｉ５の端子電圧は減
衰を始める。波形図すに示す内部スレッショルドＶ、の
位置よりτ、なる時定数を持つＭＭＶ２（２）にトリガ
がかかり波形図Ｃに示す電位ｖ２なるスレフショルドま
での間のパルスを出力する。出力パルスの入力トリガか
らの位置ｔ４はτ、にて、出力パルス幅ｔ。はτ２にて
調整を行う為、パルスの位置と幅は各々独自に調整可能
である。

第１図は従来のもう１つの他のパルス発生回路の回路図
である。外部端子より可変のバイアス電流により、内部
コンデンサＣに定電流充電を行い、２つの比較器（３１
１４）のスレッショルド電位差を定電流充電直線の傾き
に比例し増加させる様な可変電位差とし、出力パルスの
幅が入力トリガからの位置に影響されることなく常に一
定である様なパルス発生回路である。

トリガパルスａからの時間をｔｄ＋　出力パルス幅をｔ
。とすると、 １、　　　＝ （１） ■ ■■ ＝ＣＲ−−−−−−−−−−−−−−−−−（２）で表
わされ、パルス幅は外部より可変の電流Ｉには無関係に
一定値を取る。

この様に、比較器［３１，（４）の基準電圧の差を抵抗
Ｒとバイアス電流■による電位差を利用している為、パ
ルス位置のみ可変という動作をする。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来のパルス発生回路は以上の様に構成されていたので
、第３図の従来のものでは回路形式は容易で調整ピンも
ｌカ所にてパルス位置を可変出来るが、内部スレッショ
ルドＶ、、Ｖ、が固定の為、時定数を変えるとともに出
力パルス幅も同時に変わってしまうという欠点があり、
また、第４図の場合は出力パルスの位置と幅の調整用に
各々ＭＭＶを設けている為独自に調整が可能であり、第
３図の様な不具合は生しないが回路構成が大きくなるこ
と、端子が２ビン必要であることという大きな欠点があ
った。また、第７図の場合は端子ｌピンでかつ回路構成
も簡単であり、出力パルス位置が変化しても基本的にパ
ルス幅は不変であるが、実際には、入力トリガからの位
置が遠くなるにつれ、コンデンサへの定電流充電開始電
位の傾きは小さく、同時に内部スレッショルド電位差は
狭くなる傾向にある為、パルス幅の精度、安定度がトリ
ガからの位置により変動を受けるという欠点があった。

この発明は上記の様な欠点を解決する為になされたもの
で、回路構成が簡単で端子も１ピンで良く、かつ入力ト
リガからの位置のみ可変であり、パルス幅は位置に関係
なく一定でかつ安定な精度を持つパルス発生回路を得る
ことを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係るパルス発生回路は、内部の一定スレンジ
ａルド電位に対し、内部コンデンサへの定電流充電開始
電位を外部端子より制御することの出来る電位可変回路
を設けたものである。

〔作用〕

この発明における充電開始電位可変回路は出力パルスの
位置に関係なく常に安定な一定の幅のパルスを出力する
。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図はこの発明の一実施例であるパルス発生回路の回路図
で、図において、（１１は入力トリガパルス、（２）は
内部で定めた定電流源、（３）、（４）は比較器で、そ
れぞれ基準電位ｖｒ＊ｒ＋５１及びＶＦ＊ｆ＋Ｉ　Ｒｆ
５）をスレフショルドとする内部電源に接続される。（
６）は出力端子（７）に出力パルスを生じさせる論理処
理回路である。（８）はコンデンサの充電開始電位を決
める外付は端子、（９）はバッファＡｍＰである。

次に動作について説明する。

入力トリガが入ると、トランジスタＳＷはＯＮし、コン
デンサＣの充電端子電位はバッファ出力ＤＣ電位Ｖ、と
なる。トリガパルスｆｌ＋がＯＦＦ後トランジスタＳＷ
はＯＦＦとなり、内部コンデンサＣに内部固定の定電流
源（２）で定められた定電流が流れ、電荷が蓄積され始
める為、コンデンサ端子電位ｖｃは時間と共に、第２図
波形すに示す様に、直線的に増加していく、比較器（３
）、比較器（４）の基準電位をそれぞれ（５）の基＄電
位ｖｒｅｆ　、　　Ｖ、□＋ＩＨに設定して置き、コン
デンサＣへの充電電位がこのＩＲを横切る時間のみ出力
する様な論理処理回路（６）を設置して置けば、第２図
波形Ｃに示す様な出力パルスか出力端子（７）より得ら
れる。

２つの基準電位Ｖ１．１及びｖｒｏｔ　＋　Ｉ　Ｒは内
部で決められる一定値である為、出力パルスの入力トリ
ガからの位置は、外付は端子（８）によるコンデンサＣ
の充電開始電位の調整によりリニアにＩ！１１ｍ可能と
なる。また、スレソショルド間電圧ＩＲは一定であり、
コンデンサＣへの充電も常に一定である為、パルス幅の
精度は位置によらず一定となる。

トリガパルスからの位置を１４、パルス幅をｔ。

とすると、 １、　　＝ （３） ■ １　　　　　　　　　　　　　１ で表される、従って、出力パルス幅は内部で決まるＣＲ
で一定値となり、また入力トリガからの位置は外部より
制御されるＶ、によって調整可能となる。

なお、上記実施例では入力トリガパルスよりパルス幅が
一定で位置のみ可変であるパルス発生回路の場合につい
て説明したが、このパルス発生回路はパーストゲートパ
ルスの他、パルス幅が位置に無関係である必要のある総
てのサンプリングパルス回路に対しても適用が可能であ
る。

〔発明の効果〕

以上の様にこの発明によれば、パルス位置を決める内部
コンデンサ充電開始電位を外部より制御可能としたので
、１ピンで安定な幅を持ったパルスの、位置のみを調整
可能なパルス発生回路が得られるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例を示すパルス発生回路の回
路図、第２図は第１図の回路の各波形図、第３図、第４
図、第７図はそれぞれ従来のパルス発生回路の回路図、
第５図、第６図、第８図はそれぞれ第３図、第４図、第
７図の回路の波形図である。 （１）−・−入力トリガパルス、（２）・−・・電流源
、＋３１．　（４）・−・比較器、（５）−・−基準電
位、１６＋−・論理処理回路、（７）−・・・−出力端
子、（８）−・−外部制御電圧端子、（９１−バソファ
ＡｍＰ、Ｏトートランジスタスイッチ。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 第１の基準電圧とこの基準電圧に出力パルス幅を決める
   バイアス電源を加えた第２の基準電圧をそれぞれスレッ
   ショルド電圧とする第１と第２の比較器に、定電流充電
   を行うコンデンサ電圧を入力し、前記コンデンサの充電
   開始電圧を外部可変電源により制御可能とし、入力トリ
   ガパルス後、前記２つのスレッショルド電圧間にのみパ
   ルスを発生させるパルス発生回路において、前記外部可
   変電源により幅一定のまま入力トリガからの位置のみを
   変化させる様にしたことを特徴とするパルス発生回路。