JPH0364321A - 液晶性高分子及びその中間体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は、新規な液晶性高分子及びその製造に用いられ
る中間体であるエポキシ化合物に関するものである。さ
らに詳しくいえば、本発明はオプトエレクトロニクス分
野、特に電卓、時計などの表示素子、電子光学シャッタ
ー、電子光学絞り、光変調器、光通信光路切替スイッチ
、メモリー液晶プリンターヘッド、焦点距離可変レンズ
などの種々の電子光学デバイスとして有用な液晶性高分
子材料の母体液晶として用いられる液晶性高分子及びそ
の製造に用いられる中間体であるエポキシ化合物に関す
るものである。

［従来の技術］ 強誘電性液晶材料を得る手段として、ＳｍＣ相を示す母
体液晶に、光学活性化合物を添加して調製する方法が現
在盛んに検討されている。（例えばＪ、　Ｐ、　Ｌｅ　
Ｐｅ５ａｎｔ、　Ｊ、　Ｎ、　Ｐｅｒｂｅｔ、　Ｂ、　
Ｍｏｕｒｅｙ、　Ｍ。

Ｈａｒｅｎｇ、　Ｇ、　Ｄｅｃｏｂｅｒｔ、　Ｊ、　Ｃ
，Ｄｕｂｏｉｓ、　Ｍｏ１．　Ｃｒｙｓｔ、　Ｌｉｑ、
　Ｃｒｙｓｔ、、　１９ｇ５．１２９．６１−７４　　
あるいは竹原貞夫、東海林忠生、小川性、大沢政志、藤
沢宣、第１４回液晶討論会講演予稿集、１８−１９等） この方法の利点は、母体液晶に少量の光学活性化合物を
添加することにより、自発分極値、応答速度、相転移温
度等の母体液晶の特性を変えることができ、実用に必要
な特性の最適化が容易であるという点である。しかしこ
の方法により得られた液晶材料はＳｍＣ’″相を示す温
度範囲が狭い上、結晶化による相分離が起こりやすく、
また、製膜性が悪いという問題点がある。

［発明が解決しようとする課題］ 本発明は、低分子強誘電性液晶化合物あるいは非液晶性
光学活性化合物といった光学活性化合物とブレンドする
ことにより、室温域を含む広い温度範囲で強誘電性を示
し、製膜性、電界に対する高速応答性に優れた強誘電性
液晶材料を得ることができる新規な母体液晶となる液晶
性高分子を提供することを目的とするものである。

本発明の他の目的は、このような液晶性高分子の製造に
用いられる中間体であるエポキシ化合物を提供すること
にある。

［課題を解決するための手段］ 本発明者らは上記課題を解決するために鋭意検討を重ね
た結果、特定の構造を有するポリエーテル型液晶性高分
子を光学活性化合物とブレンドすることにより室温域を
含む広い温度範囲で強誘電性を示す液晶性高分子材料が
得られることを見出し、この知見に基づいて本発明を完
成するに至った。

すなわち、本発明は下記一般式からなる繰り返し単位を
有する液晶性高分子を提供するものである。

十ＣＨ２ＣＨＯ＋ 口ＣＨ２）＋０（ＣＨｚ）ｉ０Ｒ’ （式中、ｋは２〜３０の整数でありｌはＯ〜１０の整数
であり、 Ｒ１はべ亘）４乏＞ＲＪ、イ富□ｘ−４ミドＲ２−（多
×ΦΣＸ×ΦΣＲ８であり、 Ｘは−Ｃ００−又は−０ＣＯ−であり、Ｒ”バーＣ０Ｏ
Ｒ”、　−０ＣＯＲ”、　−ＯＲ”又ハＲ”テアリ、Ｒ
ｓは不斉炭素を有していないアルキル基である。）本発
明の液晶性高分子の数平均分子量は、好ましくは１，０
００〜４００，０００である。１゜０００未満であると
、液晶性高分子のフィルム、塗膜としての成形性、すな
わち製膜性に支障を生ずる場合があり、−・方４００，
０００を超えると応答速度が遅いなどの好ましくない効
果の現れることがある。そして数平均分子量の特に好ま
しい範囲はＲ１の種類、ｋ、　１の値などに依存するの
で一該に規定できないが、通常１，０００〜２００゜Ｏ
ＯＯである。ｋは２〜３０の整数であり、より好ましく
は４〜２０の整数である。ｌはＯ〜１０の整数であり、
より好ましくは１〜６の整数である。

Ｒ３は不斉炭素を有していないアルキル基であって、具
体的には■炭素数が好ましくは３〜１２、さらに好まし
くは４〜８の直鎖状のアルキル基、■２，２．２−トリ
フルオロエチル基、２，２゜３．３，４，４．４−へブ
タフルオロブチル基、２、　２．　３．　３−テトラフ
ルオロプロピル基、ＩＨ，ＩＨ，７Ｈ−ドデカフルオロ
へブチル基、トリフルオロメチル基、パーフルオロプロ
ピル基、パーフルオロオクチル基、パーフルオロヘプチ
ル基等の直鎖状ポリハロアルキル基、■イソプロピル基
、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基
、 ネオペンチル基等の分岐状アルキル基、１．　１゜１．
３，３．３−へキサフルオロプロピル基等の分岐状ポリ
ハロアルキル基等を挙げることができる。

以下に本発明の液晶性高分子の一般的な合成方法を示す
。

例えば、本発明の液晶性高分子は下記のエポキシ化合物
を用いて合成することができる。

Ｈ２Ｃ−ＣＨ（ＣＬ）　ｔｏ（ＣＨ２）ｈＯＲ”（式中
、１、ｋ、　Ｘ、　Ｒ”、Ｒ２、Ｒ３は先に規定したと
同じ意味を有する。）で示されるエポキシ化合物である
モノマーを公知の方法で重合することにより得ることが
できる。

（１）　　　Ｒ’がＸΦΣ（亥＞Ｒ２である場合下記の
反応式で示されるように、アリルアルコール、３−ブテ
ン−１−オール等のω−アルケニルアルコールとα、ω
−ジハロアルカン（１）をヘキサン等の溶媒に溶解させ
、５０％水酸化ナトリウム水溶液、テトラブチルアンモ
ニウブロミド等の相間移動触媒を加え、エーテル化を行
ない、ω−ハロアルキルアルケニルエーテル（ＩＩ）を
得る。又は、アルケニルアルコール、α、ω−ジハロア
ルカン（Ｉ）をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）等の溶媒
に溶解させ水素化ナトリウムを加えてエーテル化を行な
いω−ハロアルキルアルケニルエーテル（ＩＩ）を得る
。得られたω−ハロアルキルアルケニルエーテル（ＩＩ
）と化合物（ＩＩＩ）とを炭酸カリウム等のアルカリの
存在下、２−ブタノン等の適当な溶媒中で反応させてア
ルケニルエーテル体（ｒＶ）を得る。次いで、このアル
ケニルエーテル体（■）をジクロロメタン等の適当な溶
媒中で、ｍ−クロロ過安息香酸等の過酸でエポキシ化す
ることにより、目的とするエポキシ化合物（Ｖ）を得る
。

ＨＩＣ＝ＣＨ（ＣＨ，）、ＯＨ＋Ｙ（ＣＨ２）、Ｙ（Ｉ
） 一→　　ＨｚＣ；ＣＨ（ＣＨ２）　＋０（ＣＨ２）ｈＹ
（ｎ） Ｈ２Ｃ（：Ｈ（ＣＨ２）＋０（ＣＨｚ）ｈＹ　＋　Ｈｏ
−＜Ｑべ呪Ｒ２（ＩＩ）　　　　　　　　　　　（ｍ）
−８２Ｃ＝ＣＨ（ＣＨ２）ｔｏ（ＣＨ２）ｈｏ−ＧべＩ
Ｈ２（ｒＶ） （式中Ｙはハロゲンである。） α、ω−ジハロアルカン（１）としては、例えハ１，４
−ジブロモブタン、１，６−ジブロモヘキサン、１，８
−ジブロモオクタン、１．１０−ジョードデカン、１．
１２−ジブロモドデカン、１．１４−ジブロモテトラデ
カンなどが好適に用いられる。

ここで上記化合物（ＩＩＩ）　！（０−■−ぐ）／Ｒ２
は、下記の如くして合成することができる。

下記反応式に示す如く、４′−ヒドロキシビフェニル−
４−カルボン酸と不斉炭素を有していないアルコール（
ＶＩ）とを、適当な溶媒、例えばベンゼンなどの溶媒中
において、エステル化触媒、例えば濃硫酸やｐ−トルエ
ンスルホン酸などの存在下に所望の温度で反応させるこ
とにより、このエステル化合物（■）を得る。

（Ｖ） （■）　　　　　　（■） アルコール（Ｖｌ）としては、例えば、ｎ−ブチルアル
コール、ｎ−ペンチルアルコール、ｎ−ヘキシルアルコ
ール、シクロヘキシルアルコール、ｎ−へブチルアルコ
ール、ｎ−オクチルアルコール、ｎ−ノニルアルコール
、５ｅｃ−ブチルアルコール、ｔ−ブチルアルコールな
どが用いられる。

下記反応式に示す如く、前記アルコール（ＶＩ）をトシ
ル化し、これにビフェニル−４，４′　−ジオールを反
応させてこのエーテル体（Ｘ）を得る。

Ｒ”ＯＨ−）　Ｒ”０ｓＳ（（ンＣＨｓ（ＶＩ） 下記反応式に示す如く、ビフェニル−４，４′−ジオー
ルと不斉炭素を有していないカルボン酸（■）を反応さ
せることにより、このエステル化合物（ＩＸ）を得る。

（■）　　　　　　（■） カルボン酸（■）としては、例えば、ｎ−ブタン酸、ｎ
−ペンタン酸、ｎ−へキサン酸などが用いられる。

（２）　　Ｒ”かに互バ加べ３Ｒ”　　である場合下記
反応式で示す如く、ω−ハロアルキルアルケニルエーテ
ル（ｎ）とｐ−ヒドロキシ安息香酸エチルエステルとを
、アセトン等の適当な溶媒中で炭酸カリウム等のアルカ
リの存在下で反応させ、エーテル体を得る。次いで、こ
のエーテル体におけるカルボキシル基の保護基を水酸化
カリウム水溶液、塩酸等により脱離させ、カルボン酸体
とする。このカルボン酸体に塩化チオニル等のハロゲン
化剤を加え、トルエン等の溶媒中で加熱し、酸ハライド
とする。次いで、この酸ハライドと前記化合物（ＩＩＩ
）とをトルエン等の溶媒中でピリジンの存在下に反応さ
せ、アルケニルエーテル体（ＸＩ）を得た後、ジクロロ
メタン等の適当な溶媒中でｍ−クロロ過安息香酸等の過
酸を用いてエポキシ化することにより、目的とするエポ
キシ化合物（ｘｍ）を得る。

）１２Ｃ＝０！−（ＣＨＩ）１０（ＣＨＩ）ｋＹ　＋　
Ｈ４Ｃ００Ｃ，Ｈ。

（ｎ） −Ｈ２Ｃ＝ａ（−（ＣＨｚ）＋　０（ＣＨ２）ｈｏ−＠
−ｃｏｏｃ、）ＩＩＩ→Ｈ２Ｃ＝ｃＨ−（ＣＨ２）＋０
（ＣＨｚ）ｈ蝉０Ｅ００Ｈ←Ｈ２Ｃ＝α−（ＣＨｓ）＋
０（Ｃｌｚ）ｈＯ＋Ｃ０Ｃ１Ｈ２Ｃ＝ＣＨ−（ＣＨ，）
＋０（ＣＨＪ　ｋＯ−◎ＣＯＣｌ＋ＨＯ−◎４）Ｒ２（
ＩＩＩ） →Ｈ２Ｃ＝ＣＨ−（ＣＨＪ　＋０（ＣＨａ）ｈｏ−◎Ｃ
瓜◎ぺ）Ｒ２（Ｘ　Ｉ　） （ＸＩ） （３）Ｒ”が−（）→■−（曙べ□ΣＲ２である場合下
記反応式で示す如く、ω−ハロアルキルアルケニルエー
テル（ＩＩ）とハイドロキノンとを炭酸カリウム等のア
ルカリの存在下で反応させ、エーテル体（Ｘ　ａｔ）を
得る。

下記化合物（ＸＩＶ）を塩化チオニル等により酸クロリ
ド化する。得られた酸クロリドとエーテル体（ＸＩ［Ｉ
）とをピリジンの存在下反応させ、アルケニルエーテル
体（Ｘ　Ｖ）を得る。以後は（１）の場合と同様にエポ
キシ化を行ない、目的とするエポキシ化合物（ＸＶＩ）
を得る。

Ｈ２Ｃ（：Ｈ−（Ｏｌｉ）＋０（ＣＨ２）ｈＹ　＋　Ｈ
Ｏ＋Ｈ（ｎ） −）　Ｈ２Ｃ＝ＣＨ−（ＣＨ□）、０（ＣＨ，）、ｏ−
ｏ−ｏＨ（ｘｍ） （Ｘ■） −） ＨＯＯＣ−＠−＠−ＣＯＯＲＩ　　（ＸＶＩ［）（ＸＶ
ｔ） ここで、上記化合物（ＸＩＶ）　　Ｈ（１）←０−＜Φ
ΣＲ８は下記の如くして得られる。

カルボン酸（■）を塩化チオニル等により酸クロリド化
した後、４′−ヒドロキシビフェニル−４−カルボン酸
とピリジンの存在下反応させ、上記エステル体（Ｘ■）
を得る。

アルコール（ＶＩ）とビフェニル−４，４′−ジカルボ
ン酸をトルエン等の溶媒中でエステル化触媒の存在下反
応させ、上記エステル体（Ｘ■）を得る。

Ｒａｏｕ　＋　ｕｏｏｃ−ｉ＠−ｃｏｏｎ（ＶＩ） ４′−ヒドロキシビフェニル−４−カルボン酸エチルエ
ステルとアルコール（ＶＩ）をトシル化して得たＩ）−
）−ルエンスルホン酸エステルとを炭酸カリウム等の存
在下反応させ、エーテル体を得る。

このエーテル体をアルカリ水溶液等と反応させ、保護基
のエステルを加水分解し、上記化合物（Ｘ■）を得る。

させ、下記の目的とするエポキシ化合物（ＸＸＩ）を得
る。

ここで上記化合物（Ｘ　Ｘ）は下記の如くして得られる
。

−） ｃ２Ｈ，ｏｃ＄８ −） ＨｏｏＣ％ｏＲ３ｃｘｒｘ） （４）　　Ｒ”がべπ）（ω−（乏ＰＲ３である場合エ
ポキシ化合物の合成法において、化合物（Ｉ）ＨＯ−（
Σト（Σ＞Ｒ２の代わりに化合物（ｘｘ）ＨＯ−（（Σ
＞Ｒ２を用い、その他は同様にして反応上記（１）にお
ける化合物（■）の合成において、４′−ヒドロキシビ
フェニル−４−カルボン酸の代わりにｐ−ヒドロキシ安
息香酸を用いて、同様の反応を行ない、上記エステル体
（ｘｘｎ）を得る。

上記（１）における化合物（ＶＷ）の合成において、ビ
フェニル−４，４１−ジオールの代わりにハイドロキノ
ンを用いて、同様の反応を行ない、上記エステル体（ｘ
ｘｍ）を得る。

上記（１）における化合物（Ｘ）の合成において、ビフ
ェニル−４，４′−ジオールの代わりにハイドロキノン
を用いて、同様の反応を行ない、」１記エステル体（ｘ
ｘｒｖ）を得る。

（５）　　Ｒ１１Ｊ＜　（＠−ｏｃｏべΦンＲ２テある
場合下記反応式で示す如く、上記（３）のＲ１がへ富Σ
虻０へΦΣ＠−Ｒ”　　であるエポキシ化合物の合成に
おイテ、化合物（ＸＩＶ）　ＨＯＯＣ−ｏ−Ｃ）−Ｒ’
の代わりに化合物（ＸＸＶ）ＨＯＯＣべ蔓ンＲ２を用い
て同様の反応を行ない、目的とする下記−般式のエポキ
シ化合物（ＸＸＶＩ）を得る。

（ＸＸＶ） ＣＩＣ哄））Ｒ”　＋　ＴｏＣ−ＣＨ（ＣＨＪ＋Ｏ（開
山０−ζｉｏｎ（ｘｍ） （ＸＸＶＩ） ここで上記化合物（ＸＸＶ）は下記の如くして得られる
。

上記（３）における化合物（Ｘ■）の合成において、ビ
フェニル−４，４′　−ジカルボン酸の代わりにテレフ
タル酸を用いて同様の反応を行ない、上記エステル体（
ＸＸ■）を得る。

（ＸＸ■） 上記（３）における化合物（Ｘ■）の合成において、４
′−ヒドロキシビフェニル−４−カルボン酸の代わりに
ｐ−ヒドロキシ安息香酸を用いて同様の反応を行ない、
上記エステル体（ＸＸ■）を得る。

Ｒ”Ｃ０ＯＨ→　Ｒ”Ｃ０ＣＩ （ＸＸ■） 上記（３）における化合物（ＸＩＸ）の合成において、
４′−ヒドロキシビフェニル−４−カルボン酸エチルエ
ステルの代わりにｐ−ヒドロキシ安息香酸エチルエステ
ルを用いて同様の反応を行ない、上記エーテル体（ＸＸ
■）を得る。

Ｒ’０Ｈ−）Ｒ”ＯｓＳ＋ＣＨｉ −Ｃ２ＨｓｏｃＯイツＯＲ”　−＋　Ｈｏｏｃ−３ｏＲ
８（ＸＸ］Ｘ） （６）　　Ｒ１が−（３日ご身（ω−（乏＞Ｒ１である
場合上記の（２）のＲ１がべΦΣ（３）〜（Ｄべπ身□
−Ｒ”である場合のエポキシ化合物の合成において、ｐ
−ヒドロキシ安息香酸エチルエステルの代りに４′−ヒ
ドロキシビフェニル−４−カルボン酸エチルエステルを
用い、化合物　（ＩＩＩ）　Ｈ−唖Ｘ（□Ｒ２の代りに
前記化合物　（ＸＸ）　Ｈ（）−＜τ矢Ｒ２を用いて同
様の反応を行ない、目的とする下記一般式のエポキシ化
合物（ＸＸＸ）を得る。

（ＸＸＸ） （７）　　Ｒ’が−（）べ富Σｏｃｏ−４≧ζＲ８であ
る場合上記＋３）ノＲ１カー＠−ｏｃｏ−り９へ富ΣＲ
２テアルエポキシ化合物の合成において、ハイドロキノ
ンの代りにビフェニル−４，４−ジオールを用い、化合
物（ｘｒｖ）　Ｈｏｏｃ−（）×ΦンＲ２の代りに前記
化合物（ＸＸＶ）　ＨＯＯＣ−（ΣトＲ”を用イテ同様
）反応を行ない、目的とする下記一般式のエポキシ化合
物（ＸＸＸ　Ｉ　）を得る。

（ＸＸＸＩ） 本発明に係るモ２ノマーであるエポキシ化合物の具体例
としては、例えば、下記の構造式で表されるものが挙げ
られる。

ｕ２ｃｍ；ｘｔ−ｃｏ□ｏｃｃＨ２）１．ｏ％ｃｏｏ−
◎ｃｏｏｃ（ｃＨｇ）ｓｏ 次に、このようにして得られた１種又は２種以上のモノ
マーを重合し、て、本発明の液晶性高分子を台底するが
、この際重合方法として公知のカチオン重合法などを採
用することができる。

カチオン重合の触媒として、各種のものが知られている
が、硫酸、リン酸、過塩素酸のようなプロトン酸、三フ
ッ化ホウ素、塩化アルミニウム、四塩化チタン、塩化第
二スズのようなルイス酸、三フッ化ホウ素エーテラート
などが挙げられ、この中で塩化第二スズが好適に用いら
れる。

また、有機アルミニウム錯体等を用いた配位重合を行な
うことも可能である。この場合には、数平均分子ｆｔ３
００，０００以上の液晶性高分子が得られる。

重合方法としては、塊状重合、スラリー重合、溶液重合
などの種々の方式が知られており、これらのいずれの方
式を用いてもよいが、溶液重合が好ましい。

重合温度は、触媒の種類に依存し、−様ではないが、通
常、０〜３０℃が適当である。

重合時間は重合温度など他の要因によって異なるが、通
常数時間〜６日間である。

分子量の調節は、公知の分子量調節剤の添加及び又はモ
ノマーに対する触媒の濃度の調節によって行なうことが
できる。

塊状重合方式においては、前記モノマーと開始剤とを十
分に混合し、その混合物を十分に脱気し、２枚の基板、
例えばガラス基板の間に導入し、加熱することによって
液晶性高分子を基板間に密着した状態で直接に固定化す
ることもできる。

スラリー重合、溶液重合方式の場合の溶媒としては、公
知の不活性溶媒を用いることができ、なかでもヘキサン
、ジクロロメタン、又はベンゼン、トルエン、キシレン
などの芳香族系の溶媒が好適に用いられる。

また、重合反応及び前記エポキシ化の反応においては、
必須ではないが、アルゴン、窒素等の不活性ガスで系を
置換して行なうことが好ましい。

このようにして得られた液晶性高分子は、光学活性な化
合物をブレンドし、公知の製膜法、例えばキャスティン
グ法、Ｔダイ法、インフレーション法、カレンダー法、
延伸法などによってフィルムに底形して用いることがで
きる。　フィルム状の液晶性高分子は、２枚の通常のガ
ラス基板はもとより、大型のガラス基板、曲面状のガラ
ス基板、ポリエステルフィルム等の間に挟んで、液晶デ
イスプレー、電子光学シャッター、電子光学絞りなどの
種々のオプトエレクトロニクスの分野に利用することが
できる。

また、適当な溶媒に溶解した高分子溶液をガラス基板な
どの基板面に塗布し、溶媒を蒸発させることによって、
直接基板面上に密着した状態でフイルム化することもで
きる。

本発明の液晶性高分子に光学活性な化合物をブレンドし
たものは、室温附近を含む広い温度範囲で強誘電性を示
すことが確認された。また、電界に対する応答速度が速
いことも確認された。

また、本発明の液晶性高分子をブレンドした強誘電性液
晶材料は製膜性にも優れているので、インテグレーテッ
ドオブティクス、オプトエレクトロニクス、情報記憶の
分野に数多くの応用可能性がある。例えば、種々の形状
のディジタル表示デイスプレィなどの液晶デイスプレィ
、電子光学シャッター、光通信用光路切換スイッチなど
の電子光学スイッチ、電子光学絞り、メモリー素子、光
変調器、液晶プリンターヘッド、焦点距離可変レンズな
どの種々の電子光学デバイスとして使用することができ
る。

本発明の液晶性高分子にブレンドして用いられる光学活
性化合物のうち、強誘電性低分子液晶化合物としては、
例えばシッフ塩基系強誘電性低分子液晶化合物、アゾ及
びアゾキシ塩基系強誘電性低分子液晶化合物、ビフェニ
ル及びアロマティックスエステル系強誘電性低分子液晶
化合物、ハロゲン、シアノ基等の環置換基を導入した強
誘電性低分子液晶化合物、複素環を有する強誘電性低分
子化合物などが挙げられる。

シッフ塩基系強誘電性低分子液晶化合物としては、例え
ば、次に示す化合物（１）〜（４）が挙げられる。

ｎ＝５〜１０，１２．１４ ｎ＝７〜１０゜ １工 ｎ＝７． ８．１４ ｎ＝４．８．１２ アゾ及びアゾキシ系強誘電性低分子液晶化合物としては
、例えば次に示す（５）、（６）が挙げられる。

ｎ＝８ ハロゲン、シアノ基等の環置換基を導入した強誘電性低
分子液晶化合物としては、例えば、次に示す化合物（９
）〜（１１）が挙げられる。

す ｎ＝４、 ｎ＝６． ８．１０ ｎ＝１６ ビフェニル及びアロマティックスエステル系強誘電性低
分子液晶化合物としては、例えば、次に示す（７）、（
８）が挙げられる。

ｎ＝８ ｎ＝８ ｎ＝４．６ 複素環を有する強誘電性低分子液晶化合物としては、例
えば、次に示す化合物（１２）、（１３）が挙げられる
。

なお、前記化合物は、強誘電性低分子液晶化合物の代表
的化合物であり、本発明の強誘電性低分子液晶化合物は
なんら、これらの構造式のものに限定されるものではな
い。

また、非液晶性光学活性化合物としては、特に限定され
るものではないが、例えば、次に示すような化合物を挙
げることができる。

物をブレンドすることにより強誘電性液晶として用いる
ことが可能となる。光学活性化合物の配合量は、組成物
全体に対して、通常０を超え９０モル％以下とすること
が好ましい。光学活性化合物が非液晶性である場合には
、通常、Ｏを超え３０モル％以下、好ましくは１０〜２
０モル％配合して使用する。また、光学活性化合物が液
晶性を有している場合には、通常Ｏを超え９０モル％以
下、好ましくは、２０〜８０モル％配合して使用する。

必要に応じて、本発明の液晶性高分子は高分子液晶同志
の混合して、あるいは他の高分子と混合して用いること
ができる。その他、安定剤、可塑剤などを含めた種々の
無機、有機、及び金属類等の添加物を添加して用いるこ
とができる。

本発明の液晶性高分子は前記した光学活性化合［実施例
］ 以下、本発明を実施例により説明するが、本発明の範囲
はこれら実施例によりなんら制限されるものではない。

なお、得られた高分子及びエポキシ化合物の構造は、Ｎ
ＭＲ，ＩＲ，元素分析により確認し、また相転移温度の
測定及び相の確認は、それぞれＤＳＣ及び偏光顕＠鏡に
より行なった。（ｇｌａｓｓ　ニガラス状態、ＳｍＣ”
　：カイラルスメクチックＣ相、ＳｍＡ　：スメクッチ
クＡ相、Ｉｓｏ　：等吉相、相転移挙動の数字は、相変
化温度を℃で表したものである。〕実施例１ ［モノマーの合成重 Ｈ２Ｃ（：ＨＣＨｚＯ（ＣＨ２）ｇｏ＜泗弥唖ト箕４Ｈ
１１１、■　６−ブロモヘキシルアリルエーテルのＡ處
　アリルアルコール５．Ｏｇ及び１，６−ジブロモヘキ
サン６５ｇをヘキサン８０ｍ１に溶解させた。　そこへ
、５０％水酸化ナトリウム水溶液１１０ｇ及びテトラブ
チルアンモニウムプロミド１゜５ｇを加えて１７時間還
流させた。反応後、ヘキサン層を集め、水洗し、硫酸マ
グネシウム上で乾燥させた。次いで、溶媒を減圧留去し
、残渣をカラムクロマトグラフィーにより精製し、目的
とするω−ハロアルキルアリルエーテル体１２．６ｇを
得た。（収率６６％） １、■で得た６−ブロモヘキシルアリルエーテル６．０
ｇ、ｐ−ヒドロキシ安息香酸メチルエチルエステル４．
４ｇ、及び水酸化カリウム２．　　Ｏｇをエタノール５
０＋ｅｌに溶解させ、１２時間還流した。次いで、水酸
化カリウム水溶液（水酸化カリウム６．０ｇを含む）１
５０ｍｌを加え、さらに１２時間還流した。反応後、塩
酸を滴下し、ｐＨ＝２とし、生じた沈殿を集めた。得ら
れた沈殿を十分水で洗浄し、次いで減圧下で加熱して乾
燥させ、目的とするカルボン酸体（６，５ｇ）を得た。

（収率８７％） １、■で得られたカルボン酸体２．８ｇにビリジン２滴
を触媒として加えた。そこへ、大過剰の塩化チオニル、
すなわち塩化チオニル２０ｍ１を溶媒を兼ねて加え、８
０℃にて４時間攪拌した。反応後、過剰の塩化チオニル
を減圧留去し、酸クロリド体を得た。

ｐ−ヒドロキシ安息香酸ｎ−ブチルエステル１゜９ｇ及
びピリジン１．Ｏｇを含むトルエン溶液を、上記の酸ク
ロリド体のトルエン溶液に滴下した。

次いで、室温にて１日反応を行なった。反応後、水洗し
、硫酸マグネシウム上で乾燥させ、次いで溶媒を減圧留
去した。残渣をカラムクロマトグラフィーにより精製し
、目的とするフェニルベンゾエート体３．７ｇを得た。

（収率８１％）１、■±並±２北 １、■で得られたフェニルベンゾエート体１゜８ｇをジ
クロロメタンに溶解させ、系をアルゴン置換した。ｍ−
クロロ過安息香酸１．Ｏｇを加えて室温で１日反応させ
た。反応後、炭酸カリウム水溶液で洗浄し、硫酸マグネ
シウム上で乾燥させ、溶媒を減圧留去し、上記の構造で
表されるエポキシ化合物であるモノマー１．７ｇを得た
。得られた生成物につき、これ以上の精製は行なわずに
、次の反応に用いた。

［重合］ １、■で得られたモノマー１．７ｇをジクロロメタンに
溶解させ、系をアルゴン置換した。そこへ、塩化第二ス
ズ２１μＩ（モノマーの５モル％）を加えた。室温で３
日間重合させた。反応後、反応液を濃縮し、カラムクロ
マトグラフィーにより精製し、目的とする下記式で表さ
れる繰り返し単位を有する高分子１．２ｇを得た。（収
率７１％）この高分子の’ＨＮＭＲ（ＣＤＣＩｍ）のδ
（ｐｐｍ）を下記に示す。また分子量、相転移挙動を第
１表に示す。

δ（ｐｐｍ）　　０．　８−２．　０　（ｍ、　１５Ｈ
）、３．２−３．５　（ｍ、７Ｈ）　、３．７　（ｔ、
２Ｈ）、４．０　（ｔ、２Ｈ）　、６．８　（ｄ、２Ｈ
）　、７゜２　　（ｄ、２Ｈ）　、８．０　　（ｄ、４
Ｈ）実施例２ ［モノマーの合成重 実施例１の１．■で得られた６−ブロモヘキシルアリル
エーテル６．６ｇ、４−ヒドロキシビフェニル−４−カ
ルボン酸ｎ−ブチルエステル８゜１ｇ１及び炭酸カリウ
ム４．２ｇを、２−ブタノン中で８０℃で１２時間加熱
攪拌した。反応後、無機物を濾過により除き、次いで溶
媒を減圧留去した。残渣をメタノールから再結晶し、目
的とするビフェニル誘導体を１３．５ｇを得た。（収率
９５％） ２、■五ヱ土２兆 ２、■で得られたビフェニル誘導体１３．５ｇをジクロ
ロメタンに溶解させ、系をアルゴン置換した。次いで、
ｍ−クロロ過安息香酸７，４ｇを加え、室温で２日間攪
拌した。反応後、反応液を炭酸カリウム１１．８ｇを含
む水溶液で洗浄した。

次いで硫酸マグネシウム上で乾燥させてから、溶媒を減
圧留去し、目的とする上記構造式で表されるエポキシ化
合物であるモノマー１１゜８ｇを得た。（収率８５％） 得られたモノマーは、室温で粘度の高い液体であった。

得られたモノマーにつき、これ以上の精製は行なわずに
、次の反応に用いた。

［重合］ ２、■で得られたモノマー１１．８ｇをジクロロメタン
に溶解させ、系をアルゴン置換した。そこへ、塩化第二
スズ１４０μｍ　（モノマーの５モル％）を加えた。室
温で４日間重合させた。反応後、反応液を濃縮し、メタ
ノールへ再沈殿させた。

沈殿物を集め、カラムクロマトグラフィーにより精製し
、目的とする下記式で表される繰り返し単位を有する高
分子７．７ｇを得た。

この高分子の”Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣＩｇ）のδ（ｐｐｍ
）を下記に示す。また分子量、相転移挙動を第１表に示
す。

δ（ｐｐｍ）　　０．　８−２．　１　（ｍ、　１５Ｈ
）、３．２−３．８　（ｍ、７Ｈ）　、３．９　（ｔ、
２Ｈ）、４．１　（ｔ、２Ｈ）　、６．８　（ｄ、２Ｈ
）　、７゜４　（ｄ、４Ｈ）　、８．０　（ｄ、２Ｈ）
実施例３ キシ安息香酸２−メチルブチルエステルの代わりに４−
ヒドロキシビフェニル−４′−カルボン酸ｎ−ブチルエ
ステルを用いることにより実施例１と同様に合成した。

この高分子の！Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｔ＊）のチャートを
第１図に示し、δ（ｐｐｍ）を下記に示す。

また分子量、相転移挙動を第１表に示す。

δ（ｐｐｍ）　　０．８−２．１　（ｍ、２３Ｈ）、３
．３−３．　７　（ｍ、　７Ｈ）　、３．　８　（ｔ、
　２Ｈ）、４．１　（ｔ、２Ｈ）　、６．８　（ｄ、２
Ｈ）　、７゜１　（ｄ、２Ｈ）　、７．７　（２ｄ、４
Ｈ）　、８．１（２ａ、４Ｈ） 実施例４ ［モノマーの合成］ の合成 実施例１において１．６−ジブロモヘキサンのわりに１
．１０−ジブロモデカンを、ｐ−ヒドロアリルアルコー
ル２．０ｇをＴＨＦ５０ｍｌに溶解させた。そこへ、６
０％水素化ナトリウム（水素化ナトリウムと鉱油との混
合物であり、水素化ナトリウムの含有量が６０重量％の
もの）２．５ｇを少しずつ加えた。室温で３０分間攪拌
してから、１．１０−ジョードデカン３３．０ｇ及びＴ
ＨＦｌｏｍｌからなる溶液を滴下した。反応後、少量の
水を加えて残存する水素化ナトリウムを分解させた。次
いで、ＴＨＦを減圧留去してから、ジクロロメタンと水
を加え、振り混ぜた。ジクロロメタン層を集め、硫酸マ
グネシウム上で乾燥させた。減圧濃縮を行なった後、残
渣をカラムクロマトグラフィーにより精製し、目的とす
るω−ハロアルキルアリルエーテル８．２ｇを得た。（
収率５３％） ４、■で得られた１０−ヨードデシルオキシアリルエー
テル８．２ｇ、４’　−ヒドロキシビフェニル−４−カ
ルボン酸４．８ｇ、及び水酸化カリウム３．３ｇ及び水
５．Ｏｇをメタノール５０ｍ１中で２４時間還流して反
応させた後、５００ｍ１の水を加えてから塩酸を滴下し
、ｐＨ＝２とした。

沈殿物を集め、減圧乾燥した。粗生成物を酢酸から再結
晶し、目的とするカルボン酸体４．３ｇを得た。（収率
５３％） ４、■で得られたカルボン酸体４．３ｇにピリジン２滴
及び塩化チオニル５．Ｏｇを加え、９０℃にて４時間攪
拌した。反応後、過剰の塩化チオニルを減圧留去し、酸
クロリド体を得た。ｐ−ヒドロキシ安息香酸ｎ−ブチル
エステル２．０ｇ及びピリジン０．９ｇを含むトルエン
溶液に上記酸クロリド体のトルエン溶液を滴下し、室温
で１日攪拌した。反応後、水洗し、硫酸マグネシウム上
で乾燥し、溶媒を減圧留去した。残渣をメタノールから
再結晶し、目的とするフェニルビフェニルカルボキシレ
ート体を得た。（収率８５％）４、■玉里土上北 ４、■で得られたフェニルビフェニルカルボキシレート
体５．２ｇをジクロロメタンに溶解させ、系をアルゴン
置換した。ｍ−クロロ過安息香酸２゜３ｇを加えて室温
で７時間反応させた。反応後、炭酸カリウム水溶液で洗
浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥させ、溶媒を減圧留去
し、上記の構造で表されるエポキシ化合物であるモノマ
ー４．８ｇを得た。得られた生成物につき、これ以上の
精製は行なわずに、次の反応に用いた。

［重合］ １、■で得られたモノマー４．８ｇをジクロロメタンに
溶解させ、系をアルゴン置換した。そこへ、塩化第二ス
ズ４６μＩ　（モノマーの５モル％）を加えた。室温で
３日間重合させた。反応後、反応液を濃縮し、カラムク
ロマトグラフィーにより精製し、目的とする下記式で表
される繰り返し単位を有する高分子３．３ｇを得た。

この高分子の”ＨＮＭＲ，（ＣＤ　Ｃｌ　ｇ）のチャー
トを第２図に示し、δ（ｐｐｍ）を下記に示す。

また分子量、相転移挙動を第１表に示す。

δ（ｐｐｍ）　　ｏ、８−２．　　Ｏ（ｍ、　２３Ｈ）
、３、　４−３．　７　（ｍ、　７Ｈ）　、３．　８　
（ｔ、　２Ｈ）、４．１　（ｔ、２Ｈ）　、６．８　（
ｄ、２Ｈ）　、７゜１　（ｄ、２Ｈ）　、７．６　（２
ｄ、４Ｈ）　、８．１（２ｄ、４Ｈ） 実施例５ ［モノマーの合成〕 ８−ブロモオクチルアリルエーテル５．Ｏｇ。

４．４′　−ジフェノール１２ｇ及び水酸化カリウム９
．０ｇをエタノール中で２０時間還流した。

反応後、無機物を熱濾過により除いた。エタノールを減
圧留去してから、残留物を水：アセトン混合溶媒に溶解
させた。得られた溶液に希塩酸を加えｐＨ＝２とした。

次いでこの溶液を加熱してアセトンを蒸発させ、不溶物
を熱時濾過して集め、次いでエタノールから再結晶し、
目的とするビフェニル誘導体３．５ｇを得た。（収率４
９％）戎 ５、■で得たビフェニル誘導体１．５ｇ及びペンタン酸
０．４ｇをジクロロメタンに溶解させた。

得られた溶液にジシクロへキシルカルボジイミド１．３
ｇ及び４−ピロリジノピリジン０．１ｇを加え、室温で
１日攪拌した。反応後、不溶物を濾過によって除いてか
ら水洗した。硫酸マグネシウム上で乾燥させてから溶媒
を減圧留去した。残渣をカラムクロマトグラフィーによ
って精製し、目的とするビフェニル誘導体１．５ｇを得
た。（収率８２％） ５、■エポキシｉ ５、■で得られたビフェニル誘導体１．５ｇをジクロロ
メタンに溶解させ、系をアルゴン置換した。ｍ−クロロ
過安息香酸０．９ｇを加えて室温で１日反応させた。反
応後、炭酸カリウム水溶液で洗浄し、硫酸マグネシウム
上で乾燥させ、溶媒を減圧留去し、上記の構造で表され
るエポキシ化合物であるモノマー１．５ｇを得た。得ら
れた生成物につき、これ以上の精製は行なわずに、次の
反応に用いた。

［重合］ ５、■で得られたモノマー１．５ｇをジクロロメタンに
溶解させ、系をアルゴン置換した。そこへ、塩化第二ス
ズ１９μｌ　（モノマーの５モル％）を加えた。室温で
３日間重合させた。反応後、反応液を濃縮し、カラムク
ロマ！・グラフィーにより精製し、目的とする下記式で
表される繰り返し単位を有する高分子０．９ｇを得た。

この高分子の’Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣＩりのδ（ｐｐｍ）
を下記に示す。また分子量、相転移挙動を第１表に示す
。

δ（ｐｐｍ）　　ｏ、８−１．　９　（ｍ、　１９Ｉ−
Ｉ）、２、　１　（ｔ、　２Ｈ）　、３．　３−３．７
　（ｍ、　７Ｉ−（）、４、　１　（ｔ、　２Ｈ）　、
６．　８−７．　４　（ｒｎ、　８Ｈ）実施例６ ［モノマーの合成］ ８−ブロモオクチルアリルエーテル７、Ｏｇ。

ビフェニル−４，４′−ジオール１１．Ｏｇ及び水酸化
カリウム８．０ｇをメタノール中で２０時間還流した。

メタノールを減圧留去してからアセトンを加え、塩酸を
滴下（７たつ不溶物を濾過によって除いてから、溶媒を
減圧留去した。残渣をエタノールから再結晶し、目的と
するフェノール体を得た。（収率　７２％） ４−ブトキシ安息香酸３．９ｇに塩化チオニル８、Ｏｇ
を加え、８０℃にて３時間加熱攪拌した。

反応後、過剰の塩化チオニルを減圧留去し、酸クロリド
体を得た。

６、■で得たフェノール体７．１ｇ及びトリエチルアミ
ン２．０ｇのＴＨＦ溶液に上記酸クロリド体のＴＨＦ溶
液を滴下し、室温で１日攪拌した。

次いでエーテルを加え水洗し、硫酸マグネシウム上で乾
燥し、溶媒を減圧留去した。残渣をメタノール再結晶し
、目的とするエステル体９．Ｏｇを得た。（収率８５％
） ６、■　とヱ土２北 ６、■で得られたエステル体９．Ｏｇをジクロロメタン
に溶解させ、系をアルゴン置換した。次いでｍ−クロロ
過安息香酸４．４ｇを加え、室温で７時間攪拌した。反
応後、反応液を炭酸カリウム水溶液で洗浄した。硫酸マ
グネシウム上で乾燥させてから、溶媒を減圧留去し、目
的とする上記の構造式で表されるエポキシ化合物である
モノマー８．６ｇを得た。

［重合コ ロ、■で得られたモノマー８．６ｇをジクロロメタンに
溶解させ、系をアルゴン置換した。そこへ、塩化第二ス
ズ９２μｌ（モノマーの５モル％）を加えた。室温で３
０時間重合させた。反応後、反応液を濃縮し、カラムク
ロマトグラフィーにより精製し、目的とする下記式で表
される繰り返し２単位を有する高分子４．８ｇを得た。

この高分子の’Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｉｓ）のδ（ｐｐｍ
）を下記に示す。また分子量、相転移挙動を第１表に示
す。

δ　　（ｐｐｍ）　　　　　　０　、　　８−２　、　
　０　　　（ｍ、　　　１９Ｈ）　　　、３．４−３．
６　（ｍ、７Ｈ）　、３．８　（ｔ、２Ｈ）、３．９　
（ｔ、２Ｈ）　、６．８　（２ｄ、４Ｈ）　、７３　（
ｒｎ、　６Ｈ）　、８．　０　（ｄ、　２Ｈ）実施例７ ［モノマーの合成重 アリルアルコール２．Ｏｇ、６０％水素化ナトリウム１
．７ｇ、１．１４−ジブロモテトラデカン３０ｇを用い
て、実施例４の４．■と同様の反応、操作を行ない、目
的とするω−ハロアルキルアリールエーテル体７．９ｇ
を得た。（収率　６９％） ７、■　４−　工４−アリルオキシテトラデンル土土之
Σ支７」在研９Ｃ戴 ７、■で得たアリルエーテル体７．９ｇＸｐ−ヒドロキ
シ安息香酸メチルエステル３．６ｇ及び水酸化カリウム
１．６ｇを用いて実施例１の１゜■と同様の反応、操作
を行ない、目的とするカルボン酸体６．８ｇを得た。（
収率　７４％）４−（１４−アリルオキシテトラデシル
オキシ）安息香酸６．８ｇ、ピリジン３滴及び塩化チオ
ニル６．２ｇを、８０℃にて３時間加熱攪拌した。

反応後、過剰の塩化チオニルを減圧留去し、酸クロリド
体を得た。

４−へキシルオキシフェノール３．４ｇ及びトリエチル
アミン１．８ｇを含むトルエン溶液に上記酸クロリド体
のトルエン溶液を滴下し、室温で８時間攪拌した。次い
で水洗し、硫酸マグネシウム上で乾燥ｊ７、溶媒を減圧
留去した。残渣をカラムクロマトグラフィーにより精製
し、目的とするエステル体７．１ｇを得た。（収率７２
％）７、■　±吏土之札 ７、■で得られたエステル体７．１ｇをジクロロメタン
に溶解させ、系を窒素置換した。次いでｍ−クロロ過安
息香酸３．２ｇを加え、室温で７時間攪拌した。反応後
、反応液を炭酸カリウム水溶液で洗浄した。硫酸マグネ
シウム上で乾燥させてから、溶媒を減圧留去し、目的と
する上記の構造式で表されるエポキシ化合物であるモノ
マー６゜７ｇを得た。（収率９２％） ［重合］ ７、■で得られたモノマー６．７ｇをジクロロメタンに
溶解させ、系をアルゴン置換した。そこへ、塩化第二ス
ズ６７μｌを加えた。室温で３０時間重合させた。反応
後、反応液を濃縮し、カラムクロマトグラフィーにより
精製し、目的とする下記式で表される繰り返し単位を有
する高分子３゜８ｇを得た。

：ノＡｉｉ分子ノ”Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌａ）ノδ（ｐ
ｐｍ）を下記に示す。また分子量、相転移挙動を第１表
に示す。

δ（ｐｐｍ）　　０．　８−２、Ｏ（ｍ、３５Ｉ（）、
３．４　（ｍ、７Ｈ）　、３．８　（ｔ、２Ｈ）　、３
゜９　（ｔ、２Ｈ）　、６．９　（ｍ、６Ｈ）　、８．
０（ｄ、２Ｈ） 実施例８ より合成することができる。得られた高分子の’Ｈ−Ｎ
ＭＲ，（ＣＤＣ１ｇ）のδ（ｐｐ［１１）を下記に示す
。また分子量、相転移挙動を第１表に示す。

δ（ｐｐｍ）　　０．　８−２．　１　（ｍ、　２３Ｈ
）、３、　２−３．　７　（ｍ、　９Ｈ）　、３．　８
　（ｔ、　２Ｈ）、４．１　（ｔ、２Ｈ）　、６．８　
（ｄ、２Ｈ）　、７゜１　（ｄ、２Ｈ）　、７．７　（
２ｄ、４Ｈ）　、８．１（２ｄ、４Ｈ） 実施例９ 実施例１においてアリルアルコールの代わりに３−ブテ
ン−１−オールを、１，６−ジブロムヘキサンの代わり
に１，１０−ジブロモデカンを、ｐ−ヒドロキシ安息香
酸２−メチルブチルエステルの代わりに、４−ヒドロキ
シビフェニル−４′−カルボン酸ｎ−ブチルエステルを
用いることにの合成 実施例１のモノマー１．９ｇと実施例３のモノマー３．
６ｇとをジクロロエタンに溶解させ、系をアルゴン置換
した。そこへ３フツ化ホウ素（モノマーの１モル％）を
加え、室温で８時間重合させた。反応後カラムクロマト
グラフィ・−により精製し、上記の共重合体３．９ｇを
得た。（収率７０％）得られた高分子のδ（ｐｐｍ）値
とピーク強度比を下記に示す。また分子量、相転移挙動
を第１表に示す。

δ（ｐｐｍ） ０、　８−２．　１ ３　２−３　７ ３、　７−４．１ ６、　８−８．　１ ピーク強度比 ５、　０ １．８ ２．６ 実施例１Ｏ （Ｍｎ＝１７００） ［実施例１の高分子コ 物の応答速度は測定温度５℃で２１０μｓｅｃで、（Ｂ
）単独の応答速度は測定温度５℃で２００μｓｅｃであ
った。

また、この液晶組成物の相転移挙動は下記の通りであっ
た。

ＳｍＣ”　←−−ＳｍＡ １０℃ 上記混合系で低分子液晶性化合物（Ｂ）の含有量が２０
モル％以上でＳｍＣ“相を有する液晶組成物が得られた
。応答時間を調べたところ、低分子液晶性化合物の含有
量が７０モル％以上の組成では、応答速度は低分子液晶
性化合物単独での応答速度とほぼ同じであった。

すなわち（Ａ）と（Ｂ）のモル比が３：７の組成但し、
ここでの応答速度の測定は次のようにして行なった。

すなわち、２枚のＩＴＯガラス基板間に液晶をはさみ、
シアリング法により厚み約２μｍの配向セルを作製した
。更にクロスニコル下で±２０ＭＶ／ｍの電界を引加し
てそのときの光透過率の変化量が０〜９０％に達するの
に要する時間を測定した。

実施例１１ 実施例１０に示（７た混合系の液晶を５０℃の溶融状態
で１５μｍのフィルムを形威し、表面速度の異なる２つ
のローラ一対に（前：３ｍ／ｍｉｎ、後：２ｍ１０＋ｉ
ｎ）に２枚のＰＥＴフィルム（厚さ１００μｍ）を介し
てはさみ、−軸延伸（５倍）を行ない、ＳｍＡ相から５
℃／ｍｉｎで徐冷したところ、偏光顕微鏡による観察で
、良好な配向フィルムが得られていることが確認された
。

２００μｓｅｃであった。

また、この液晶組成物の相転移挙動は下記の通であった
。

相転移挙動 比較例１ （Ｍｎ＝１８００） 上記混合系で低分子液晶性化合物（Ｂ）の含有量が７０
モル％のときの応答時間と相転移挙動をを調べたところ
、（Ａ）と（Ｂ）のモル比が３：７の組成物の応答速度
は測定温度５℃で２７０μｓｅｃで、（Ｂ）単独の応答
速度は測定温度５℃でなお、比較例１の化合物Ａの合或
は次のようにして行なった。

４−（９−デセニルオキシ）安息香酸３０ミリモル（８
，３ｇ）及び塩化チオニル６０ミリモルフ、４ｇのトル
エン５０ｍ１溶液を８０℃で３時間攪拌後減圧濃縮し、
酸クロリド体を得た。４−ヒドロキシ安息香酸ブチルエ
ステル２５ミリモル（４，６ｇ）及びトリエチルアミン
５ｍｌのＴＨＦ５０ｍｌ溶液に酸クロリド体のＴＨＦ５
ｍｌ溶液を滴下後、室温で５時間攪拌した。反応液を濃
縮後、水を加えてエーテル抽出した。抽出液を乾燥、濃
縮後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、モノマ
ー、前駆体ｉｏ、：ｔｇ（収率９０％）を得た。

モノマー前駆体１０ミリモル（４，５ｇ）及びｍ−クロ
口過安息香酸１５ミリモル（２，６ｇ）の塩化メチレン
５０ｍ１溶液をアルゴン置換後、室温で５時間攪拌した
。反応液を炭酸カリウム水溶液及び水で洗浄後、乾燥、
濾過した。濾液をアルゴン置換後、塩化第二スズ０．５
ミリモルを加えて室温で４日間反応させた。反応液を濃
縮後、カラムクロマトグラフィーにより精製し目的とす
る高分子を得た。

実施例１２ 通りである。

３ Ｃｒｙｓｔ　←→Ｉｓ。

上記混合系で非液晶性光学活性物質（Ｂ）の含有量が５
〜２０モル％のときＳｍＣ”相を有する液晶組成物が得
られた。（Ｂ）の含有量が１０モル％のときの応答時間
を調べたところ、応答速度は測定温度２５℃で２ｍ５ｅ
ｃであった。

また、この液晶組成物の相転移挙動は下記の通であった
。

相転移挙動 ［実施例２の化合物コ 比較例２ ＢはＭｏ１．　Ｃｒｙｓｔ、　Ｌｉｑ、　Ｃｒｙｓｔ、
、　１９８５．１２９゜６１−７４　Ｊ、　　Ｐ、　　
Ｌｅ　Ｐｅ５ａｎｔ、　　Ｊ、　　Ｎ、　Ｐｅｒｂｅｔ
、　　Ｂ、　Ｍｏｎｒｅｙ、　Ｍ、　Ｈａｒｅｎｇ、　
Ｇ、　Ｄｅｃｏｂｅｒｔ、　Ｊ、　Ｃ，Ｄｕｂｏｉｓに
従って合成した。この化合物の相転移挙動は次の（Ｍｎ
＝１７００） 上記混合系で非液晶性光学活性物質（Ｂ）の含有量が５
〜２０モル％のときＳｍＣ”相を有する液晶組成物が得
られた。（Ｂ）の含有量が１０モル％のときの応答時間
を調べたところ、応答速度は測定温度２５℃で３ｍ５ｅ
ｃであった。

また、この液晶組成物の相転移挙動は下記の通であった
。

相転移挙動 なお、（Ａ）の高分子は４−ヒドロキシ−４′−ビフェ
ニルカルボン酸ｎ−ブチルエステルを９＝デセニルブロ
マイドとウィリアムソン反応条件下で反応させて得られ
た化合物４−（９−デセニルオキシ）−４′−ビフェニ
ルカルボン酸ｎ−ブチルエステルを比較例１の化合物（
Ａ）の合成で示した手法に従ってエポキシ化し、さらに
重合することによって得た。相転移挙動は以下の通りで
あった。

［発明の効果コ 本発明により得られた液晶性高分子は、低分子強誘電性
液晶化合物あるいは非液晶性光学活性物質といった光学
活性化合物とブレンドすることにより、室温域を含む広
い温度範囲で強誘電性を示し、さらに得られた強誘電性
液晶材料は、製膜性、電界に対する高速応答性に優れた
ものであり、その工業的価値は極めて大である。

また、本発明の中間体は上記の液晶性高分子の製造に好
適に用いられる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は実施例３及び実施例４で得られた高
分子のＮＭＲチャートである。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、下記一般式からなる繰り返し単位を有する液晶性高
   分子。 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、ｋは２〜３０の整数でありｌは０〜１０の整数
   であり、 Ｒ＾１は▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
   化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼又は ▲数式、化学式、表等があります▼であり、 Ｘは−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−であり、 Ｒ＾２は−ＣＯＯＲ＾３、−ＯＣＯＲ＾３、−ＯＲ＾３
   又はＲ＾３であり、Ｒ＾３は不斉炭素を有していないア
   ルキル基である。） ２、下記一般式からなる構造を有するエポキシ化合物。 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、ｋは２〜３０の整数でありｌは０〜１０の整数
   であり、 Ｒ＾１は▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
   化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼又は ▲数式、化学式、表等があります▼であり、 Ｘは−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−であり、 Ｒ＾２は−ＣＯＯＲ−、−ＯＣＯＲ＾３、−ＯＲ＾３又
   はＲ＾３であり、Ｒ＾３は不斉炭素を有していないアル
   キル基である。）