JPH0365247A - 分子線エピタキシ用の蒸発源るつぼ - Google Patents
分子線エピタキシ用の蒸発源るつぼInfo
- Publication number
- JPH0365247A JPH0365247A JP20066289A JP20066289A JPH0365247A JP H0365247 A JPH0365247 A JP H0365247A JP 20066289 A JP20066289 A JP 20066289A JP 20066289 A JP20066289 A JP 20066289A JP H0365247 A JPH0365247 A JP H0365247A
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- Japan
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- crucible
- molecular beam
- source
- evaporation source
- beam epitaxy
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、分子線エピタキシおよびガス・ソース分子
線エピタキシに用いられる蒸発源るつぼに関するもので
ある。
線エピタキシに用いられる蒸発源るつぼに関するもので
ある。
分子線エピタキシ（以下、ＭＢＥと略す）およびガス・
ソース分子線エピタキシ（以下、ガス・ソースＭＢＥと
略す）に用いられる従来の蒸発源るつぼを第３図に示す
。第３図において、１は蒸発源るつぼで、この蒸発源る
つぼ１に収容された分子線源２を加熱するためのヒータ
３と、このヒータ３からの熱幅射を防止するための熱輻
射防止板４と、蒸発源るつぼ１の温度を検知するための
熱電対５を具備している。蒸発源るっぽ１の形状として
は、蒸発源るつぼ１のるつぼ底部６からるつぼ開口部７
に向けての中心軸８が直線である円筒形が用いられてい
る。
ソース分子線エピタキシ（以下、ガス・ソースＭＢＥと
略す）に用いられる従来の蒸発源るつぼを第３図に示す
。第３図において、１は蒸発源るつぼで、この蒸発源る
つぼ１に収容された分子線源２を加熱するためのヒータ
３と、このヒータ３からの熱幅射を防止するための熱輻
射防止板４と、蒸発源るつぼ１の温度を検知するための
熱電対５を具備している。蒸発源るっぽ１の形状として
は、蒸発源るつぼ１のるつぼ底部６からるつぼ開口部７
に向けての中心軸８が直線である円筒形が用いられてい
る。
上記のように構成された蒸発源るつぼ１は、分子線源２
がＩＩＩ族元素の場合には、所定のＩＩＩ族分子分子線
強度成するための蒸発源るつぼ１の温度は通常７００〜
１３００℃であり、この温度ではＩＩＩ族元素は常時液
体である。ＩＩＩ族元素の分子線源２の液面９に何らか
の異物が落下した場合に分子線源２が突沸し、この突沸
分子線源１０が従来の蒸発源るつぼ１を使用した場合に
は、分子線源２の液面９と基板１１が対向しているので
、基板１１に付着し表面欠陥１２を多発する問題点があ
った。
がＩＩＩ族元素の場合には、所定のＩＩＩ族分子分子線
強度成するための蒸発源るつぼ１の温度は通常７００〜
１３００℃であり、この温度ではＩＩＩ族元素は常時液
体である。ＩＩＩ族元素の分子線源２の液面９に何らか
の異物が落下した場合に分子線源２が突沸し、この突沸
分子線源１０が従来の蒸発源るつぼ１を使用した場合に
は、分子線源２の液面９と基板１１が対向しているので
、基板１１に付着し表面欠陥１２を多発する問題点があ
った。
この発明は、上記の問題点を解決するためになされたも
ので、突沸分子線源の基板への付着を防止し、ＩＩＩ
−Ｖ子分子線エピタキシの表面欠陥を低減できる蒸発源
るつぼを得ることを目的とする。
ので、突沸分子線源の基板への付着を防止し、ＩＩＩ
−Ｖ子分子線エピタキシの表面欠陥を低減できる蒸発源
るつぼを得ることを目的とする。
この発明に係る分子線エピタキシ用の蒸発源るつぼは、
るつぼ底部からるつぼ開口部へ向けての中心軸を直線で
なく途中で所定角度折り曲げたものである。
るつぼ底部からるつぼ開口部へ向けての中心軸を直線で
なく途中で所定角度折り曲げたものである。
この発明においては、蒸発源るつぼを、るつぼ底部から
るつぼ開口部は向けて途中で所定角度折り曲げて構成し
たこヒから、異物混入による突沸が発生しても突沸分子
線源は蒸発源るつぼ内壁に付着し、直接基板へ付着する
ことがなくなり、ＩＩＩ−Ｖ族ＭＢＥ＠の表面欠陥を低
減できる。
るつぼ開口部は向けて途中で所定角度折り曲げて構成し
たこヒから、異物混入による突沸が発生しても突沸分子
線源は蒸発源るつぼ内壁に付着し、直接基板へ付着する
ことがなくなり、ＩＩＩ−Ｖ族ＭＢＥ＠の表面欠陥を低
減できる。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図面について説明する。な
お、以下の説明ではＧａ分子線発生用として、この発明
による蒸発源るつぼを使用したＧａＡｓ成長膜を例にと
り説明する。
お、以下の説明ではＧａ分子線発生用として、この発明
による蒸発源るつぼを使用したＧａＡｓ成長膜を例にと
り説明する。
第１図において、１はこの発明による蒸発源るつぼ、２
は前記蒸発源るつぼ１は収容された分子線源（この場合
はＧａ分子線源）、３は前記蒸発源るつぼ１を加熱する
ためのヒータ、４はこのヒータ３からの熱幅射を防止す
るための熱輻射防止板、５は前記蒸発源るつぼ１の温度
を検知するための熱電対である。
は前記蒸発源るつぼ１は収容された分子線源（この場合
はＧａ分子線源）、３は前記蒸発源るつぼ１を加熱する
ためのヒータ、４はこのヒータ３からの熱幅射を防止す
るための熱輻射防止板、５は前記蒸発源るつぼ１の温度
を検知するための熱電対である。
上記のように、蒸発源るつぼ１は蒸発源るつぼ１のるつ
ぼ底部６からるつぼ開口部７に向けての中心軸８が直線
でなく折り曲がっているので、Ｇａ分子線源２の液面９
を基板１１側からみることができず、何らかの異物が液
面９に落下しても突沸分子線源１０は蒸発源るつぼ１の
内壁に付着し、基板１１に付着することはない。
ぼ底部６からるつぼ開口部７に向けての中心軸８が直線
でなく折り曲がっているので、Ｇａ分子線源２の液面９
を基板１１側からみることができず、何らかの異物が液
面９に落下しても突沸分子線源１０は蒸発源るつぼ１の
内壁に付着し、基板１１に付着することはない。
Ｇａ分子線用としてこの発明による蒸発源るつぼ１を用
い、Ａｓ分子線用としては従来の蒸発源るつぼ１を用い
、成長速度１μｍ ／ ｈ ｒで１８ｍ成長したＧａＡ
ｓの表面欠陥は５０ケ／ｃｍ’と両分子線用として従来
の蒸発源るつぼ１を用い、同−成長条件で成長したＧａ
Ａｓ膜の表面欠陥１０００ケ／Ｃｌ１１２の１／２０に
低減できた。
い、Ａｓ分子線用としては従来の蒸発源るつぼ１を用い
、成長速度１μｍ ／ ｈ ｒで１８ｍ成長したＧａＡ
ｓの表面欠陥は５０ケ／ｃｍ’と両分子線用として従来
の蒸発源るつぼ１を用い、同−成長条件で成長したＧａ
Ａｓ膜の表面欠陥１０００ケ／Ｃｌ１１２の１／２０に
低減できた。
また、第２図は、ＧａＡｓ基板上およびこの発明による
蒸発源るつぼ１を用いて成長させたＧａＡｓＭＢＥ膜上
の金属−絶縁体−金属キャパシタとの絶縁破壊耐圧の関
係を示す実験データである。第２図に示すように、表面
欠陥に敏感な金属−絶縁体−金属からなるキャパシタの
絶縁破壊耐圧も、エピタキシ膜のないＧａＡｓ基板上の
キャパシタとＭＢＥエピタキシ膜上のキャパシタにおい
て同等であることより、この発明による蒸発源るつぼ１
を上述したようにＩＩＩ族分子線用として用いることに
より表面欠陥を低減できることが明らかである。
蒸発源るつぼ１を用いて成長させたＧａＡｓＭＢＥ膜上
の金属−絶縁体−金属キャパシタとの絶縁破壊耐圧の関
係を示す実験データである。第２図に示すように、表面
欠陥に敏感な金属−絶縁体−金属からなるキャパシタの
絶縁破壊耐圧も、エピタキシ膜のないＧａＡｓ基板上の
キャパシタとＭＢＥエピタキシ膜上のキャパシタにおい
て同等であることより、この発明による蒸発源るつぼ１
を上述したようにＩＩＩ族分子線用として用いることに
より表面欠陥を低減できることが明らかである。
なお、上記実施例による蒸発源るつぼ１はＭＢＥのみな
らずＶ子分千線源として気体を用い、ＩＩＩ族分子線源
として固体を用いて成長するガス・ソースＭＢＥにおい
ても同等の効果をもたらすことはいうまでもない。
らずＶ子分千線源として気体を用い、ＩＩＩ族分子線源
として固体を用いて成長するガス・ソースＭＢＥにおい
ても同等の効果をもたらすことはいうまでもない。
〔発明の効果）
以上説明したように、この発明は、蒸発源を収容し、加
熱するこεにより蒸発源を蒸発させるために用いられる
蒸発源るつぼにおいて、蒸発源るつぼのるつぼ底部から
るつぼ開口部に向けての蒸発源るつぼの中心軸を所定角
度折り曲げて構成したので、分子線源の突沸により、突
沸した分子線源の基板への付着を防止することができる
。また、分子線エピタキシおよびガス・ソース分子線エ
ピタキシに適用した場合のＩｌｌ −Ｖ族生導体の表面
欠陥を大帳に低減できる効果がある。
熱するこεにより蒸発源を蒸発させるために用いられる
蒸発源るつぼにおいて、蒸発源るつぼのるつぼ底部から
るつぼ開口部に向けての蒸発源るつぼの中心軸を所定角
度折り曲げて構成したので、分子線源の突沸により、突
沸した分子線源の基板への付着を防止することができる
。また、分子線エピタキシおよびガス・ソース分子線エ
ピタキシに適用した場合のＩｌｌ −Ｖ族生導体の表面
欠陥を大帳に低減できる効果がある。
第１図はこの発明による一実施例の蒸発源るつぼの断面
図、第２図はＧａＡｓ基板上およびこの発明による蒸発
源るつぼを用いて成長したＧａＡｓＭＢＥ膜上の金属−
絶縁体−金属キャパシタと絶縁破壊耐圧の関係を示す図
、第３図は従来の蒸発源るつぼの断面図である。 図中、１は蒸発源るつぼ、２は分子線源、３はヒータ、
４は熱輻射防止板、５は熱電対、６はるつぼ底部、７は
るつぼ開口部％８は中心軸、９は分子線源の液面、 １ ○は突沸分子線源、 は基 板である。 なお、 各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
図、第２図はＧａＡｓ基板上およびこの発明による蒸発
源るつぼを用いて成長したＧａＡｓＭＢＥ膜上の金属−
絶縁体−金属キャパシタと絶縁破壊耐圧の関係を示す図
、第３図は従来の蒸発源るつぼの断面図である。 図中、１は蒸発源るつぼ、２は分子線源、３はヒータ、
４は熱輻射防止板、５は熱電対、６はるつぼ底部、７は
るつぼ開口部％８は中心軸、９は分子線源の液面、 １ ○は突沸分子線源、 は基 板である。 なお、 各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 蒸発源を収容し、加熱することにより前記蒸発源を蒸発
させるために用いられる蒸発源るつぼにおいて、前記蒸
発源るつぼのるつぼ底部からるつぼ開口部に向けての蒸
発源るつぼの中心軸を途中で折り曲げて構成したことを
特徴とする分子線エピタキシ用の蒸発源るつぼ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20066289A JPH0365247A (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | 分子線エピタキシ用の蒸発源るつぼ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20066289A JPH0365247A (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | 分子線エピタキシ用の蒸発源るつぼ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0365247A true JPH0365247A (ja) | 1991-03-20 |
Family
ID=16428139
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20066289A Pending JPH0365247A (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | 分子線エピタキシ用の蒸発源るつぼ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0365247A (ja) |
-
1989
- 1989-08-02 JP JP20066289A patent/JPH0365247A/ja active Pending
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