JPH057250Y2 - - Google Patents
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- JPH057250Y2 JPH057250Y2 JP16860985U JP16860985U JPH057250Y2 JP H057250 Y2 JPH057250 Y2 JP H057250Y2 JP 16860985 U JP16860985 U JP 16860985U JP 16860985 U JP16860985 U JP 16860985U JP H057250 Y2 JPH057250 Y2 JP H057250Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shroud
- stopper
- opening
- crucible
- molecular beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
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- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 4
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- 238000002844 melting Methods 0.000 description 7
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- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
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- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この考案は冷却シユラウドを有する分子線エピ
タキシ装置に関するものである。
タキシ装置に関するものである。
第３図は従来の分子線エピタキシ装置を示す断
面図である。同図において、１は蒸発源ルツボ、
２はヒーター線、３は支持棒、４はシヤツタ、５
ａ，５ｂは液体窒素冷却シユラウドである。
面図である。同図において、１は蒸発源ルツボ、
２はヒーター線、３は支持棒、４はシヤツタ、５
ａ，５ｂは液体窒素冷却シユラウドである。
次に動作について説明する。まず、シユラウド
５ａ，５ｂに液体窒素を入れて冷却する。その
後、ヒーター線２に通電し、蒸着ルツボ１を所定
の温度に加熱する。そして、支持棒３の回転によ
りシヤツタ４を開閉させて蒸着ビームのオン、オ
フを行なう。
５ａ，５ｂに液体窒素を入れて冷却する。その
後、ヒーター線２に通電し、蒸着ルツボ１を所定
の温度に加熱する。そして、支持棒３の回転によ
りシヤツタ４を開閉させて蒸着ビームのオン、オ
フを行なう。
従来の分子線エピタキシ装置は、以上のように
構成されているので、蒸着ビームがシユラウド５
ａ，５ｂの表面にも付着する。特にガリウム
（Ga），インジウム（In）等の低融点物質の場合
には、上部のシユラウド５ａの表面に付着したガ
リウム等がルツボ１のふく射熱で溶けて下の方に
移動し、ルツボ１外壁やさらに下のヒーター線２
の近傍に落下し付着してルツボ１外壁との反応、
ヒーター線２の短絡等の問題を生じていた。
構成されているので、蒸着ビームがシユラウド５
ａ，５ｂの表面にも付着する。特にガリウム
（Ga），インジウム（In）等の低融点物質の場合
には、上部のシユラウド５ａの表面に付着したガ
リウム等がルツボ１のふく射熱で溶けて下の方に
移動し、ルツボ１外壁やさらに下のヒーター線２
の近傍に落下し付着してルツボ１外壁との反応、
ヒーター線２の短絡等の問題を生じていた。
この考案は、上記のような問題点を解消するた
めになされたもので、シユラウド表面に付着し溶
け出した低融点物質がルツボ、シヤツタおよび支
持棒の入つているシユラウド開口部内へ流れ落ち
ることを防止した分子線エピタキシ装置を得るこ
とを目的としている。
めになされたもので、シユラウド表面に付着し溶
け出した低融点物質がルツボ、シヤツタおよび支
持棒の入つているシユラウド開口部内へ流れ落ち
ることを防止した分子線エピタキシ装置を得るこ
とを目的としている。
この考案に係る分子線エピタキシ装置は、シユ
ラウド開口部周辺に突起状のストツパを設けたも
のである。
ラウド開口部周辺に突起状のストツパを設けたも
のである。
この考案におけるストツパは、シユラウド表面
に付着し溶けた低融点物質の下方への流れ落ちを
防止し、シユラウド開口部から内部へ落下せずに
ストツパの外周を伝わつて下方のシユラウド表面
に流れ落ち溜る。
に付着し溶けた低融点物質の下方への流れ落ちを
防止し、シユラウド開口部から内部へ落下せずに
ストツパの外周を伝わつて下方のシユラウド表面
に流れ落ち溜る。
以下、この考案の一実施例を図について説明す
る。第１図において、シユラウド５ａ，５ｂの開
口部周辺には、突起状のストツパ６ａ，６ｂがそ
れぞれ一体的に設けられて構成されている。
る。第１図において、シユラウド５ａ，５ｂの開
口部周辺には、突起状のストツパ６ａ，６ｂがそ
れぞれ一体的に設けられて構成されている。
このような構成によれば、シユラウド５ａ，５
ｂの表面に付着し溶けた低融点物質は、下方に流
れ落ち、ストツパ６ａ，６ｂにより遮えられ、シ
ユラウド５ａ，５ｂの開口部内に流れ落ち込むこ
となく、このストツパ６ａ，６ｂの外周面を伝わ
つて下部のシユラウド５ｂの表面に溜まる。
ｂの表面に付着し溶けた低融点物質は、下方に流
れ落ち、ストツパ６ａ，６ｂにより遮えられ、シ
ユラウド５ａ，５ｂの開口部内に流れ落ち込むこ
となく、このストツパ６ａ，６ｂの外周面を伝わ
つて下部のシユラウド５ｂの表面に溜まる。
第２図はこの考案の他の実施例を説明するため
のストツパの斜視図である。同図において、スト
ツパ７は、一方の開口端に突起状の鍔部７ａを有
する円筒体からなり、第１図のシユラウド５ａ，
５ｂの開口部に着脱可能な構造を有して構成され
ている。
のストツパの斜視図である。同図において、スト
ツパ７は、一方の開口端に突起状の鍔部７ａを有
する円筒体からなり、第１図のシユラウド５ａ，
５ｂの開口部に着脱可能な構造を有して構成され
ている。
このように構成されるストツパ７を用いても前
述と全く同様の効果が得られるとともに、付着物
を除去する清浄作業が容易に可能となる。
述と全く同様の効果が得られるとともに、付着物
を除去する清浄作業が容易に可能となる。
以上のようにこの考案によれば、シユラウド開
口部周辺に突起状にストツパを設けたことによ
り、低融点蒸着物がシユラウド開口部内に流れ落
ちることがなくなるので、ルツボ外壁との反応、
ヒーター線の短絡等のトラブルを確実に防止する
ことができるという極めて優れた効果が得られ
る。
口部周辺に突起状にストツパを設けたことによ
り、低融点蒸着物がシユラウド開口部内に流れ落
ちることがなくなるので、ルツボ外壁との反応、
ヒーター線の短絡等のトラブルを確実に防止する
ことができるという極めて優れた効果が得られ
る。
第１図はこの考案の一実施例による分子線エピ
タキシ装置を示す断面図、第２図はこの考案の他
の実施例を示すストツパの斜視図、第３図は従来
の分子線エピタキシ装置を示す断面図である。 １……ルツボ、２……ヒーター線、３……支持
棒、４……シヤツタ、５ａ，５ｂ……シユラウ
ド、６ａ，６ｂ……ストツパ、７……ストツパ、
７ａ……鍔部。なお、図中、同一符号は同一また
は相当部分を示す。
タキシ装置を示す断面図、第２図はこの考案の他
の実施例を示すストツパの斜視図、第３図は従来
の分子線エピタキシ装置を示す断面図である。 １……ルツボ、２……ヒーター線、３……支持
棒、４……シヤツタ、５ａ，５ｂ……シユラウ
ド、６ａ，６ｂ……ストツパ、７……ストツパ、
７ａ……鍔部。なお、図中、同一符号は同一また
は相当部分を示す。
Claims (1)
- 冷却シユラウドの開口部内に蒸着源ルツボを配
設し、該シユラウド開口部周辺に突起状のストツ
パを設けたことを特徴とする分子線エピタキシ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16860985U JPH057250Y2 (ja) | 1985-10-30 | 1985-10-30 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16860985U JPH057250Y2 (ja) | 1985-10-30 | 1985-10-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6275070U JPS6275070U (ja) | 1987-05-14 |
| JPH057250Y2 true JPH057250Y2 (ja) | 1993-02-24 |
Family
ID=31101643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16860985U Expired - Lifetime JPH057250Y2 (ja) | 1985-10-30 | 1985-10-30 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH057250Y2 (ja) |
-
1985
- 1985-10-30 JP JP16860985U patent/JPH057250Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6275070U (ja) | 1987-05-14 |
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