JPH0365326A - スタンパの製造方法 - Google Patents
スタンパの製造方法Info
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- JPH0365326A JPH0365326A JP20168589A JP20168589A JPH0365326A JP H0365326 A JPH0365326 A JP H0365326A JP 20168589 A JP20168589 A JP 20168589A JP 20168589 A JP20168589 A JP 20168589A JP H0365326 A JPH0365326 A JP H0365326A
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Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光デイスク用スタンパの製造方法４二関し、特
にゾルゲル法を用いた光デイスク用ガラス基板作製のた
めのワークスタンパの製造方法に間する。
にゾルゲル法を用いた光デイスク用ガラス基板作製のた
めのワークスタンパの製造方法に間する。
従来のゾルゲル法を用いた光デイスク用ガラス基板の作
製プロセスについて説明する。
製プロセスについて説明する。
まず、所望のデータに基づきガラス原盤にマスクライテ
ィングを行う。次に、ガラス原盤にＮｉのスパッタ及び
電鋳処理を施すことにより、Ｎｉスタンパ（マスク）を
おこす。次いで、Ｎｉスタンパ（マスク）を型にして再
度電鋳処理を行い、Ｎｉスタンパ（マザー）を作製する
。この様にして作製したＮｉスタンパ（マザー）を用い
て、射出成形あるいは２Ｐ戒形により樹脂製のゾルゲル
用ワークスタンパを得る。
ィングを行う。次に、ガラス原盤にＮｉのスパッタ及び
電鋳処理を施すことにより、Ｎｉスタンパ（マスク）を
おこす。次いで、Ｎｉスタンパ（マスク）を型にして再
度電鋳処理を行い、Ｎｉスタンパ（マザー）を作製する
。この様にして作製したＮｉスタンパ（マザー）を用い
て、射出成形あるいは２Ｐ戒形により樹脂製のゾルゲル
用ワークスタンパを得る。
次に、ガラス基板上に、スピンコード法により金属アル
コレート、ポリエチレングリコール、塩酸を含むアルコ
ール溶液くゾルゲル溶液〉を塗布し、ゾルゲル層を形成
する。先程のワークスタンパをこのゾルゲル面に押し当
て、微細なパターンを転写する。重ね合れぜたまま一次
焼成を行った後、ワークスタンパから離をした微細パタ
ーン付きガラス基板を更に二次焼成する。このようなプ
ロセスを経て、光デイスク用ガラス基板を作製して１１
）た７ 〔発明が解決しようとする課題〕 先述したように、ゾルゲル用ワ・−クスタンバを作製す
るには、現状ではかなりのプロセスを必要ヒする。これ
は、ゾルゲル用ｒノークスタンバとして、直接Ｎｉスタ
ンバ（マスタ〉が使用できないことによる。すなわち、
ゾルゲル層とＮｉスタンバをそのまま密着させて一次焼
成を行うと、離型の際、ゾルゲル層の一部がＮｉスタン
バ面に付着し、正確なパターン転写ができない。
コレート、ポリエチレングリコール、塩酸を含むアルコ
ール溶液くゾルゲル溶液〉を塗布し、ゾルゲル層を形成
する。先程のワークスタンパをこのゾルゲル面に押し当
て、微細なパターンを転写する。重ね合れぜたまま一次
焼成を行った後、ワークスタンパから離をした微細パタ
ーン付きガラス基板を更に二次焼成する。このようなプ
ロセスを経て、光デイスク用ガラス基板を作製して１１
）た７ 〔発明が解決しようとする課題〕 先述したように、ゾルゲル用ワ・−クスタンバを作製す
るには、現状ではかなりのプロセスを必要ヒする。これ
は、ゾルゲル用ｒノークスタンバとして、直接Ｎｉスタ
ンバ（マスタ〉が使用できないことによる。すなわち、
ゾルゲル層とＮｉスタンバをそのまま密着させて一次焼
成を行うと、離型の際、ゾルゲル層の一部がＮｉスタン
バ面に付着し、正確なパターン転写ができない。
このため、上述したよ・うな長いプロセスを採り入れて
いるが、特に微細なパターンを比較的大面積に渡って何
度も転写するので、歩留り、コストの面で問題となる。
いるが、特に微細なパターンを比較的大面積に渡って何
度も転写するので、歩留り、コストの面で問題となる。
本発明は、いわゆる２ １”成形により、ガラス原盤か
ら直接ゾルゲル用ワークスタンパを製作することができ
るスタンバの容易な製造方法を提供するものである。
ら直接ゾルゲル用ワークスタンパを製作することができ
るスタンバの容易な製造方法を提供するものである。
本発明によるスタンバの製造方法は、ガラス原盤上にＳ
ｉ、 Ｏ３層を形成する工程、前記ＳｉＯ２層の−Ｌ
にｌ／ジス■・を塗布する工程、ｌ／−ザービームを用
いて所望のパターンを露光する工程、微細なパターンを
有する１／シスト・層を形成するための現像工程、前記
レジスｌ−層をマスクとしてＳｉＯ２層をエツチングす
る工程、残存する１／ジスＩ・層を除去する工程、前記
Ｒ細なパターンを有する８１０、層に透光性基板を押し
当てこのＳ ｉ ０２層と透光性基板との間に紫外線硬
化樹脂を充填する工程、前記透光性基板を通して紫外線
を照射する工程、前記３１０２層から微細な凹凸をイア
する紫外線硬化樹脂層を設けた前記透光性基板を離イ１
する工程εを有する。
ｉ、 Ｏ３層を形成する工程、前記ＳｉＯ２層の−Ｌ
にｌ／ジス■・を塗布する工程、ｌ／−ザービームを用
いて所望のパターンを露光する工程、微細なパターンを
有する１／シスト・層を形成するための現像工程、前記
レジスｌ−層をマスクとしてＳｉＯ２層をエツチングす
る工程、残存する１／ジスＩ・層を除去する工程、前記
Ｒ細なパターンを有する８１０、層に透光性基板を押し
当てこのＳ ｉ ０２層と透光性基板との間に紫外線硬
化樹脂を充填する工程、前記透光性基板を通して紫外線
を照射する工程、前記３１０２層から微細な凹凸をイア
する紫外線硬化樹脂層を設けた前記透光性基板を離イ１
する工程εを有する。
まず、鏡面に磨かれているガラス原盤上に、スパッタ法
によりＳ ｉ、 ０２層を１０００ ヘ−３０００人形
成する。５１０２ｍの上にホ） １／シストをスピンコ
ード法により１０００〜３０００ Ａ、塗布する。次い
で、マスタライタでレーザービーム露光を行い、専用の
現像液を用いて現像する。このようにして、微細なパタ
ーンを有するレジスＩ−層が形成できる。次いで、この
レジスｌ−層をマスクとして、ＣＦ４ガスを用いた反応
性イオンエツチング法を用いてＳｉＯ２層をエツチング
し、微細なパターンをＳｉＯ２層に転写する。その後、
アッシング装置を用いてレジスト・層を除去する。この
ようにして、微細パターン付きガラス原盤を得ることが
できる。
によりＳ ｉ、 ０２層を１０００ ヘ−３０００人形
成する。５１０２ｍの上にホ） １／シストをスピンコ
ード法により１０００〜３０００ Ａ、塗布する。次い
で、マスタライタでレーザービーム露光を行い、専用の
現像液を用いて現像する。このようにして、微細なパタ
ーンを有するレジスＩ−層が形成できる。次いで、この
レジスｌ−層をマスクとして、ＣＦ４ガスを用いた反応
性イオンエツチング法を用いてＳｉＯ２層をエツチング
し、微細なパターンをＳｉＯ２層に転写する。その後、
アッシング装置を用いてレジスト・層を除去する。この
ようにして、微細パターン付きガラス原盤を得ることが
できる。
この５ｉＯ２Ｊ［の上に、デイスペンサを用いて紫外線
硬化樹脂をリング状に吐出させる。次に、透光性のエポ
キシ基板を、紫外線硬化樹脂がエポキシ基板とＳｉＯ２
屑との間に充分展開する。ｌ：うに、ガラス原盤に押１
〜当てる。その後、ヱボ吉シ基板側からＵＶ照則を行い
、紫外線硬化樹脂を硬化させる。硬化［−７′ｌＳ、紫
外線硬化樹脂層をＳ ｊ、 ０２廓から離型することに
より、微細な凹凸を有する紫外線硬化樹脂層をエポキシ
基板−Ｌに形成することができる。このように１２で、
ゾルゲル用ワークスタンパが作製できる。
硬化樹脂をリング状に吐出させる。次に、透光性のエポ
キシ基板を、紫外線硬化樹脂がエポキシ基板とＳｉＯ２
屑との間に充分展開する。ｌ：うに、ガラス原盤に押１
〜当てる。その後、ヱボ吉シ基板側からＵＶ照則を行い
、紫外線硬化樹脂を硬化させる。硬化［−７′ｌＳ、紫
外線硬化樹脂層をＳ ｊ、 ０２廓から離型することに
より、微細な凹凸を有する紫外線硬化樹脂層をエポキシ
基板−Ｌに形成することができる。このように１２で、
ゾルゲル用ワークスタンパが作製できる。
次に、ゾルゲル法を用いたガラス基板の作製方法につい
て述べる。
て述べる。
ガラス基板−Ｌに、テトラエトキシシランヱチレングリ
コ・−ル、塩酸を含むエチルアルコール溶液をスピンコ
ード法により塗布！−、ゾルゲル層を２０００−へ−３
０００人形成した。次いで、先程のワークスタンパを減
圧下で重ね合わせて押圧する。そのままの状態で、１０
０°Ｃ、１０ｍｉｎの一次焼成を行った。その後、ガラ
ス基板をワークスタンパより離型し、３５０℃． １０
ｍｉｎの二次焼成を行い、所望の微細パターンを有１゛
るガラス基板を得／：′：。
コ・−ル、塩酸を含むエチルアルコール溶液をスピンコ
ード法により塗布！−、ゾルゲル層を２０００−へ−３
０００人形成した。次いで、先程のワークスタンパを減
圧下で重ね合わせて押圧する。そのままの状態で、１０
０°Ｃ、１０ｍｉｎの一次焼成を行った。その後、ガラ
ス基板をワークスタンパより離型し、３５０℃． １０
ｍｉｎの二次焼成を行い、所望の微細パターンを有１゛
るガラス基板を得／：′：。
以」二連べてきたように、本発明によるスタンバの製造
方法は、従来の方法に比べて短い工程で済み、又、ゾル
ゲル用スタンバどしてＮｉスタンバを使用しないで済む
ため、ゾルゲル層がスタンバに付着することもなくなり
、歩留りあるいはコストの面で有利であり、その工業上
の意義は太きい。
方法は、従来の方法に比べて短い工程で済み、又、ゾル
ゲル用スタンバどしてＮｉスタンバを使用しないで済む
ため、ゾルゲル層がスタンバに付着することもなくなり
、歩留りあるいはコストの面で有利であり、その工業上
の意義は太きい。
Claims (1)
- ガラス原盤上にＳｉＯ＿２層を形成する工程、前記Ｓｉ
Ｏ＿２層の上にレジストを塗布する工程、レーザービー
ムを用いて所望のパターンを露光する工程、微細なパタ
ーンを有するレジスト層を形成するための現像工程、前
記レジスト層をマスクとしてＳｉＯ＿２層をエッチング
する工程、残存するレジスト層を除去する工程、前記微
細なパターンを有するＳｉＯ＿２層に透光性基板を押し
当てこのＳｉＯ＿２層と透光性基板との間に紫外線硬化
樹脂を充填する工程、前記透光性基板を通して紫外線を
照射する工程、前記ＳｉＯ＿２層から微細な凹凸を有す
る紫外線硬化樹脂層を設けた前記透光性基板を離型する
工程からなるスタンパの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1201685A JP2995754B2 (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | スタンパの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1201685A JP2995754B2 (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | スタンパの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0365326A true JPH0365326A (ja) | 1991-03-20 |
| JP2995754B2 JP2995754B2 (ja) | 1999-12-27 |
Family
ID=16445206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1201685A Expired - Lifetime JP2995754B2 (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | スタンパの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2995754B2 (ja) |
-
1989
- 1989-08-02 JP JP1201685A patent/JP2995754B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2995754B2 (ja) | 1999-12-27 |
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