JPH0365545B2 - - Google Patents
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- JPH0365545B2 JPH0365545B2 JP57123865A JP12386582A JPH0365545B2 JP H0365545 B2 JPH0365545 B2 JP H0365545B2 JP 57123865 A JP57123865 A JP 57123865A JP 12386582 A JP12386582 A JP 12386582A JP H0365545 B2 JPH0365545 B2 JP H0365545B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- pattern
- electron beam
- etching
- sist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
- H10P50/73—Etching of wafers, substrates or parts of devices using masks for insulating materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/094—Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
本発明は半導体集積回路、磁気バブルメモリ等
の微細なパターンの形成に適するレジスト組成物
に関するものである。 集積回路、バブルメモリ素子などの製造におい
て光学的リソグラフイまたは電子ビームリソグラ
フイが主要な手段として用いられている。近年パ
ターンの微細化に伴ない、現象により得られたレ
ジストパターンを精度よく基板に転写するために
従来のウエツトエツチングにかわつて、ガスプラ
ズマ、反応性スパツタエツチング、イオンミリン
グ等を用いたドライエツチングが用いられるよう
になつた。これに伴なつてレジストに対して、高
感度、高解像度の他にドライエツチング耐性に優
れていることが要求されるようになつた。 また、実際の素子の製造プロセスにおいては、
被加工物の段差を平坦化するためにレジスト層を
厚く塗布する場合がある。レジストを厚く塗布す
ると一般に解像度に悪影響をおよぼす。電子ビー
ム露光においては基板からの反射電子の影響であ
る。これは近接効果として知られており、平坦な
基板上でも膜厚が厚くなると解像度が悪くなる。
特に段差部においては異常な近接効果のためパタ
ーンの線幅が変化するという不都合が生じる。こ
れは露光に伴なう本質的な問題であり、高感度、
高解像度、高ドライエツチング耐性のレジストが
あつても回避することはできない。また、ネガ型
レジストにおいては、現像時の膨潤のために膜厚
が厚くなると、微細なパターンを解像することは
著しく困難となる。 かかる不都合さを解決するために三層構造が、
ジエイ・エム・モラン（J.M.Moran）によつて
ジヤーナル・オブ・バキユームサイエンス・アン
ド・テクノロジー（J.Vacuum Science and
Technology）、第16巻第1620ページ（1979年）に
提案されている。三層構造においては、第一層に
厚い有機層を塗布したのち中間層としてシリコン
酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン膜などのよう
にO2を使用するドライエツチングにおいて蝕刻
され難い無機物質材料を形成する。しかる後、か
かる中間層の上にレジストをスピン塗布し、電子
ビーム、光によりレジストを露光、現像する。得
られたレジストパターンをマスクに中間層をドラ
イエツチングし、しかる後この中間層をマスクに
第一層の厚い有機層をO2を用いた反応性スパツ
タエツチング法によりエツチングする。三層構造
を用いるとパターン形成用のレジストは薄くてよ
く、かつ基板からの電子の後方散乱の影響が低減
されるので高解像度のパターンが形成できる。し
かしながらこのような方法においては、工程が複
雑かつ長くなるという欠点がある。 本発明者らはかかる欠点を克服するために、一
般式
の微細なパターンの形成に適するレジスト組成物
に関するものである。 集積回路、バブルメモリ素子などの製造におい
て光学的リソグラフイまたは電子ビームリソグラ
フイが主要な手段として用いられている。近年パ
ターンの微細化に伴ない、現象により得られたレ
ジストパターンを精度よく基板に転写するために
従来のウエツトエツチングにかわつて、ガスプラ
ズマ、反応性スパツタエツチング、イオンミリン
グ等を用いたドライエツチングが用いられるよう
になつた。これに伴なつてレジストに対して、高
感度、高解像度の他にドライエツチング耐性に優
れていることが要求されるようになつた。 また、実際の素子の製造プロセスにおいては、
被加工物の段差を平坦化するためにレジスト層を
厚く塗布する場合がある。レジストを厚く塗布す
ると一般に解像度に悪影響をおよぼす。電子ビー
ム露光においては基板からの反射電子の影響であ
る。これは近接効果として知られており、平坦な
基板上でも膜厚が厚くなると解像度が悪くなる。
特に段差部においては異常な近接効果のためパタ
ーンの線幅が変化するという不都合が生じる。こ
れは露光に伴なう本質的な問題であり、高感度、
高解像度、高ドライエツチング耐性のレジストが
あつても回避することはできない。また、ネガ型
レジストにおいては、現像時の膨潤のために膜厚
が厚くなると、微細なパターンを解像することは
著しく困難となる。 かかる不都合さを解決するために三層構造が、
ジエイ・エム・モラン（J.M.Moran）によつて
ジヤーナル・オブ・バキユームサイエンス・アン
ド・テクノロジー（J.Vacuum Science and
Technology）、第16巻第1620ページ（1979年）に
提案されている。三層構造においては、第一層に
厚い有機層を塗布したのち中間層としてシリコン
酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン膜などのよう
にO2を使用するドライエツチングにおいて蝕刻
され難い無機物質材料を形成する。しかる後、か
かる中間層の上にレジストをスピン塗布し、電子
ビーム、光によりレジストを露光、現像する。得
られたレジストパターンをマスクに中間層をドラ
イエツチングし、しかる後この中間層をマスクに
第一層の厚い有機層をO2を用いた反応性スパツ
タエツチング法によりエツチングする。三層構造
を用いるとパターン形成用のレジストは薄くてよ
く、かつ基板からの電子の後方散乱の影響が低減
されるので高解像度のパターンが形成できる。し
かしながらこのような方法においては、工程が複
雑かつ長くなるという欠点がある。 本発明者らはかかる欠点を克服するために、一
般式
【式】
（ただしＲは水素原子または低級アルキル基、
R′は低級アルキル基を表わす） で表わされる単量体単位を含む高分子化合物が、
O2による反応性スパツタエツチングに対して極
めて強く、厚い有機膜をエツチングする際のマス
クになることを見出し、前述のものよりエツチン
グ工程が簡略化できる二層構造のパターン形成用
レジストとして使えることを示した。しかしなが
らこの化合物は、基板に塗布した後長時間放置す
ると加水分解による架橋が生じ、溶剤に不溶化す
るという不都合さを生じた。本発明の目的は、こ
れらの欠点を改善した優れたレジスト材料を提供
することである。 本発明者らはかかる状況を鑑み研究を続けた結
果、一般式
R′は低級アルキル基を表わす） で表わされる単量体単位を含む高分子化合物が、
O2による反応性スパツタエツチングに対して極
めて強く、厚い有機膜をエツチングする際のマス
クになることを見出し、前述のものよりエツチン
グ工程が簡略化できる二層構造のパターン形成用
レジストとして使えることを示した。しかしなが
らこの化合物は、基板に塗布した後長時間放置す
ると加水分解による架橋が生じ、溶剤に不溶化す
るという不都合さを生じた。本発明の目的は、こ
れらの欠点を改善した優れたレジスト材料を提供
することである。 本発明者らはかかる状況を鑑み研究を続けた結
果、一般式
【式】
（ここでＲは低級アルキル基を表わす）
で表わされる単量体単位を含む高分子化合物が、
O2による反応性スパツタエツチングに対して極
めて強く、厚い有機膜をエツチングする際のマス
クになること、また基板に塗布した後長時間放置
しても加水分解を受けないことを見出し、本発明
をなすに至つた。 前記高分子化合物を主成分とする本発明のレジ
スト材料を用いてエツチングを行なうには、まず
第一層に厚い有機層をスピン塗布し、蒸発、乾固
せしめた後、本発明のレジスト材料を厚い有機層
の上にスピン塗布する。加熱、乾燥したのち所望
のパターンを電子ビーム、Ｘ線などの放射線また
は深紫外線、紫外線などの光を用いて描画し、適
当な現像液を用いて現像を行なう。得られたパタ
ーンをマスクに第一層の厚い有機層をO2を用い
た反応性スパツタエツチングによりエツチングす
る。しかる後、微細パターンが形成された厚い有
機層をマスクに被加工材をエツチングする。本発
明におけるレジスト材料はO2による反応性スパ
ツタエツチングに対し極めて強いので、500A〜
2500A程の膜厚があれば1.5μｍ程度の厚い有機膜
をエツチングするためのマスクになり得る。した
がつてパターン形成のためのレジストは薄くてよ
いので高解像度のパターンが容易に得られる。ま
た第一層に厚い有機層があるため、基板からの電
子の後方散乱などの悪影響を除くことができる。
また工程も三層構造に比べ簡略化されており、よ
り実用的である。 以下実施例をもちいて本発明をさらに詳しく説
明する。 実施例 １ 窒素吹込み管、コンデンサーおよび温度計を取
りつけた100ml三つ口フラスコ中に、水素化カル
シウム上で蒸留精製した無水パラトリメチルシリ
ルスチレン（SiStと略す）3.5ｇ、および金属ナ
トリウムで脱水した無水ベンゼン30ml、さらにク
ロロホルム−メタノール系で再沈澱精製した過酸
化ベンゾイル（BPO）0.014ｇ（0.3モル％）を添
加し、８時間還流温度で反応させた。反応終了
後、反応液を多量の石油エーテル中に投入し白色
粉末の重合体を得た。重合体を口別後ふたたびベ
ンゼン50mlに溶かし、石油エーテル中に投入し口
別後50℃で８時間を要して減圧乾燥し3.0ｇの生
成物を得た。分析の結果、この重合体の重量平均
分子量Mwは2.2×104、数平均分子量Mwは1.8×
104であつた。 このようにして得られたポリパラトリメチルシ
リルスチレン（PSiStと略す）0.46ｇをキシレン
10c.c.に溶解し、5wt％溶液とし十分撹拌した後、
0.2μｍのフイルターで濾過し試料溶液とした。こ
の溶液をシリコン基板上にスピン塗布し、室温に
て30分間真空乾燥を行なつたのち、電子線描画装
置で電子線照射を行なつた。ベンジルアセテート
を用いて１分間現象を行なつたのち、エタノール
により30秒間リンスを行なつた。乾燥したのち被
照射部の膜厚を触針法により測定した。微細なパ
ターンを解像しているか否かは種々の寸法のライ
ンアンドスペースのパターンを電子線描画し、現
像処理によつて得られたレジスト像を光学顕微
鏡、走査型電子顕微鏡で観察することによつて調
べた。 その結果、ゲル化が開始する照射量（以下Di g
という）が240μC／cm2、残つた膜厚が初期膜厚の
50％になる照射量（以下D50 gという）が270μC／
cm2であつた。このとき初期膜厚は0.138μｍであつ
た。得られたパターンは300μC／cm2において0.5μ
ｍのラインアンドスペースを解像しており、解像
度の優れたものであつた。 なお、PSiStは塗布後１週間を経てもなお溶剤
に可溶であり、加水分解による架橋は観測されな
かつた。 次にシリコン基板上にノボラツク樹脂（商品名
AZ−1350J）を1.5μｍスピン塗布し、200℃にお
いて１時間焼きしめを行なつた。しかる後、本実
施例で調製した溶液をスピン塗布し、室温にて30
分間真空乾燥を行なつたのち、電子線描画装置で
電子線照射を行なつた。ベンジルアセテートを用
いて１分間現像を行なつたのち、エタノールにて
30秒間リンスを行なつた。この基板を平行平板の
反応性スパツタエツチング装置にて、O28ｍ
Torr，4SCCM，120Wの条件で20分間エツチン
グを行なつた。これにより400μC／cm2で画描した
サブミクロンのパターンが1.5μｍの前記AZ−
1350Jに転写された。 実施例 ２ 実施例１で記載した装置にSiSt3.5ｇ（0.02モ
ル）および無水クロルメチルスチレン（CMSと
略す）0.8ｇ（0.005モル）、BPO 0.0087ｇ（0.3モ
ル％）、無水ベンゼル30mlを添加し、８時間還流
温度で反応させた。反応終了後、反応液を多量の
石油エーテル中に投入し白色粉末の重合体を得
た。この重合体を実施例１と同様の方法で精製し
た。分析の結果、この重合体はMwが2.5×104，
Mnが2.5×104，SiStとCMSとの共重合比が８：
２であることがわかつた。この共重合体（Ｐ
（SiSt8−CMS2）と略す）0.8ｇをキシレン17.5c.c.
に溶解し、5wt％溶液とし、十分撹拌した後、
0.2μｍのフイルターで濾過し試料溶液とした。こ
の溶液をシリコン基板上にスピン塗布し、室温に
て30分間真空乾燥を行なつたのち、電子線描画装
置で電子線照射を行なつた。ベンジルアセテート
を用いて１分間現像を行なつたのち、エタノール
により30秒間リンスを行なつた。実施例１と同様
の方法で感度、解像度を調べた。その結果Di g＝
3.7μC／cm2，D50 g＝7.5μC／cm2であつた。得られた
パターンは15μC／cm2においても、0.5μｍのライ
ンアンドスペースを解像し、解像度のすぐれたも
のであつた。なお、このときの初期膜厚は0.185μ
ｍであつた。 次にシリコン基板上にノボラツク樹脂（商品名
AZ−1350J）を1.5μｍスピン塗布し、250℃にお
いて１時間焼きしめを行なつた。しかる後、実施
例１の場合と同様にＰ（SiSt8−CMS2）溶液を塗
布し、露光、現像後O2による反応性スパツタエ
ツチングを行なつた。これにより8μC／cm2で露光
したサブミクロンのパターンが1.5μｍの前記AZ
−1350Jに転写された。なお、Ｐ（SiSt8−CMS2）
は塗布した後、１週間を経ても溶剤に不溶化する
ことはなかつた。 実施例 ３ 実施例１で記載した装置にSiSt3.5ｇ（0.02モ
ル）、無水グリシジルメタクリレート（GMA）
4.3ｇ（0.03モル）、BPO 0.036ｇ（0.3モル％）、
無水ベンゼン50mlを添加し、還流温度で８時間反
応させた。反応終了後、反応液を多量の石油エー
テルに投入し重合体を得、実施例１で記載したよ
うに精製した。分析の結果この重合体はMwが
3.5×104，Mnが1.8×104，SiStとGMAとの共重
合比が４：６であることがわかつた。この共重合
体（Ｐ（SiSt4−GMA6）と略す）2.4ｇをメチル
セロソルブアセテート28c.c.に溶解し、十分撹拌し
た後、0.2μｍのフイルターで濾過し試料溶液とし
た。この溶液をシリコン基板上にスピン塗布し、
80℃、N2気流中で30分間プリベークを行なつた
のち電子線描画装置で電子線照射を行なつた。描
画終了後30分間真空中に放置した後、トリクレン
とアセトンの体積比３：１の混合溶剤を用いて１
分間現像を行なつたのち、エタノールにより30秒
間リンスを行なつた。しかる後実施例１と同様の
方法で感度、解像度を調べた。その結果、Di g＝
8μC／cm2，D50 g＝17μC／cm2であつた。得られたパ
ターンは25μC／cm2の照射量においても0.5μｍの
ラインアンドスペースを解像し、解像度のすぐれ
たものであつた。このときの初期膜厚は0.23μｍ
であつた。 次に実施例２の場合と同様にして、Ｐ（SiSt4−
GMA6）をマスクにノボラツク樹脂（商品名AZ
−1350J）1.5μｍをO2による反応性スパツタエツ
チングでエツチングした。その結果、20μC／cm2
で露光したサブミクロンのパターンが1.5μｍの前
記AZ−1350Jに転写された。 なお、Ｐ（SiSt4−GMA6）も実施例１の場合と
同様に加水分解による架橋は観測されなかつた。
O2による反応性スパツタエツチングに対して極
めて強く、厚い有機膜をエツチングする際のマス
クになること、また基板に塗布した後長時間放置
しても加水分解を受けないことを見出し、本発明
をなすに至つた。 前記高分子化合物を主成分とする本発明のレジ
スト材料を用いてエツチングを行なうには、まず
第一層に厚い有機層をスピン塗布し、蒸発、乾固
せしめた後、本発明のレジスト材料を厚い有機層
の上にスピン塗布する。加熱、乾燥したのち所望
のパターンを電子ビーム、Ｘ線などの放射線また
は深紫外線、紫外線などの光を用いて描画し、適
当な現像液を用いて現像を行なう。得られたパタ
ーンをマスクに第一層の厚い有機層をO2を用い
た反応性スパツタエツチングによりエツチングす
る。しかる後、微細パターンが形成された厚い有
機層をマスクに被加工材をエツチングする。本発
明におけるレジスト材料はO2による反応性スパ
ツタエツチングに対し極めて強いので、500A〜
2500A程の膜厚があれば1.5μｍ程度の厚い有機膜
をエツチングするためのマスクになり得る。した
がつてパターン形成のためのレジストは薄くてよ
いので高解像度のパターンが容易に得られる。ま
た第一層に厚い有機層があるため、基板からの電
子の後方散乱などの悪影響を除くことができる。
また工程も三層構造に比べ簡略化されており、よ
り実用的である。 以下実施例をもちいて本発明をさらに詳しく説
明する。 実施例 １ 窒素吹込み管、コンデンサーおよび温度計を取
りつけた100ml三つ口フラスコ中に、水素化カル
シウム上で蒸留精製した無水パラトリメチルシリ
ルスチレン（SiStと略す）3.5ｇ、および金属ナ
トリウムで脱水した無水ベンゼン30ml、さらにク
ロロホルム−メタノール系で再沈澱精製した過酸
化ベンゾイル（BPO）0.014ｇ（0.3モル％）を添
加し、８時間還流温度で反応させた。反応終了
後、反応液を多量の石油エーテル中に投入し白色
粉末の重合体を得た。重合体を口別後ふたたびベ
ンゼン50mlに溶かし、石油エーテル中に投入し口
別後50℃で８時間を要して減圧乾燥し3.0ｇの生
成物を得た。分析の結果、この重合体の重量平均
分子量Mwは2.2×104、数平均分子量Mwは1.8×
104であつた。 このようにして得られたポリパラトリメチルシ
リルスチレン（PSiStと略す）0.46ｇをキシレン
10c.c.に溶解し、5wt％溶液とし十分撹拌した後、
0.2μｍのフイルターで濾過し試料溶液とした。こ
の溶液をシリコン基板上にスピン塗布し、室温に
て30分間真空乾燥を行なつたのち、電子線描画装
置で電子線照射を行なつた。ベンジルアセテート
を用いて１分間現象を行なつたのち、エタノール
により30秒間リンスを行なつた。乾燥したのち被
照射部の膜厚を触針法により測定した。微細なパ
ターンを解像しているか否かは種々の寸法のライ
ンアンドスペースのパターンを電子線描画し、現
像処理によつて得られたレジスト像を光学顕微
鏡、走査型電子顕微鏡で観察することによつて調
べた。 その結果、ゲル化が開始する照射量（以下Di g
という）が240μC／cm2、残つた膜厚が初期膜厚の
50％になる照射量（以下D50 gという）が270μC／
cm2であつた。このとき初期膜厚は0.138μｍであつ
た。得られたパターンは300μC／cm2において0.5μ
ｍのラインアンドスペースを解像しており、解像
度の優れたものであつた。 なお、PSiStは塗布後１週間を経てもなお溶剤
に可溶であり、加水分解による架橋は観測されな
かつた。 次にシリコン基板上にノボラツク樹脂（商品名
AZ−1350J）を1.5μｍスピン塗布し、200℃にお
いて１時間焼きしめを行なつた。しかる後、本実
施例で調製した溶液をスピン塗布し、室温にて30
分間真空乾燥を行なつたのち、電子線描画装置で
電子線照射を行なつた。ベンジルアセテートを用
いて１分間現像を行なつたのち、エタノールにて
30秒間リンスを行なつた。この基板を平行平板の
反応性スパツタエツチング装置にて、O28ｍ
Torr，4SCCM，120Wの条件で20分間エツチン
グを行なつた。これにより400μC／cm2で画描した
サブミクロンのパターンが1.5μｍの前記AZ−
1350Jに転写された。 実施例 ２ 実施例１で記載した装置にSiSt3.5ｇ（0.02モ
ル）および無水クロルメチルスチレン（CMSと
略す）0.8ｇ（0.005モル）、BPO 0.0087ｇ（0.3モ
ル％）、無水ベンゼル30mlを添加し、８時間還流
温度で反応させた。反応終了後、反応液を多量の
石油エーテル中に投入し白色粉末の重合体を得
た。この重合体を実施例１と同様の方法で精製し
た。分析の結果、この重合体はMwが2.5×104，
Mnが2.5×104，SiStとCMSとの共重合比が８：
２であることがわかつた。この共重合体（Ｐ
（SiSt8−CMS2）と略す）0.8ｇをキシレン17.5c.c.
に溶解し、5wt％溶液とし、十分撹拌した後、
0.2μｍのフイルターで濾過し試料溶液とした。こ
の溶液をシリコン基板上にスピン塗布し、室温に
て30分間真空乾燥を行なつたのち、電子線描画装
置で電子線照射を行なつた。ベンジルアセテート
を用いて１分間現像を行なつたのち、エタノール
により30秒間リンスを行なつた。実施例１と同様
の方法で感度、解像度を調べた。その結果Di g＝
3.7μC／cm2，D50 g＝7.5μC／cm2であつた。得られた
パターンは15μC／cm2においても、0.5μｍのライ
ンアンドスペースを解像し、解像度のすぐれたも
のであつた。なお、このときの初期膜厚は0.185μ
ｍであつた。 次にシリコン基板上にノボラツク樹脂（商品名
AZ−1350J）を1.5μｍスピン塗布し、250℃にお
いて１時間焼きしめを行なつた。しかる後、実施
例１の場合と同様にＰ（SiSt8−CMS2）溶液を塗
布し、露光、現像後O2による反応性スパツタエ
ツチングを行なつた。これにより8μC／cm2で露光
したサブミクロンのパターンが1.5μｍの前記AZ
−1350Jに転写された。なお、Ｐ（SiSt8−CMS2）
は塗布した後、１週間を経ても溶剤に不溶化する
ことはなかつた。 実施例 ３ 実施例１で記載した装置にSiSt3.5ｇ（0.02モ
ル）、無水グリシジルメタクリレート（GMA）
4.3ｇ（0.03モル）、BPO 0.036ｇ（0.3モル％）、
無水ベンゼン50mlを添加し、還流温度で８時間反
応させた。反応終了後、反応液を多量の石油エー
テルに投入し重合体を得、実施例１で記載したよ
うに精製した。分析の結果この重合体はMwが
3.5×104，Mnが1.8×104，SiStとGMAとの共重
合比が４：６であることがわかつた。この共重合
体（Ｐ（SiSt4−GMA6）と略す）2.4ｇをメチル
セロソルブアセテート28c.c.に溶解し、十分撹拌し
た後、0.2μｍのフイルターで濾過し試料溶液とし
た。この溶液をシリコン基板上にスピン塗布し、
80℃、N2気流中で30分間プリベークを行なつた
のち電子線描画装置で電子線照射を行なつた。描
画終了後30分間真空中に放置した後、トリクレン
とアセトンの体積比３：１の混合溶剤を用いて１
分間現像を行なつたのち、エタノールにより30秒
間リンスを行なつた。しかる後実施例１と同様の
方法で感度、解像度を調べた。その結果、Di g＝
8μC／cm2，D50 g＝17μC／cm2であつた。得られたパ
ターンは25μC／cm2の照射量においても0.5μｍの
ラインアンドスペースを解像し、解像度のすぐれ
たものであつた。このときの初期膜厚は0.23μｍ
であつた。 次に実施例２の場合と同様にして、Ｐ（SiSt4−
GMA6）をマスクにノボラツク樹脂（商品名AZ
−1350J）1.5μｍをO2による反応性スパツタエツ
チングでエツチングした。その結果、20μC／cm2
で露光したサブミクロンのパターンが1.5μｍの前
記AZ−1350Jに転写された。 なお、Ｐ（SiSt4−GMA6）も実施例１の場合と
同様に加水分解による架橋は観測されなかつた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式 【式】（ここでＲは低級アルキル 基を表わす） で表わされる単量体単位を含む高分子化合物を主
成分とすることを特徴とするレジスト材料。 ２ Ｒはメチル基である特許請求の範囲第１項に
記載のレジスト材料。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57123865A JPS5915243A (ja) | 1982-07-16 | 1982-07-16 | レジスト材料 |
| US06/501,201 US4551417A (en) | 1982-06-08 | 1983-06-06 | Method of forming patterns in manufacturing microelectronic devices |
| IE1339/83A IE54731B1 (en) | 1982-06-08 | 1983-06-07 | Microelectronic device manufacture |
| CA000429834A CA1207216A (en) | 1982-06-08 | 1983-06-07 | Method of forming patterns in manufacturing microelectronic devices |
| EP83303324A EP0096596B2 (en) | 1982-06-08 | 1983-06-08 | Microelectronic device manufacture |
| DE8383303324T DE3363914D1 (en) | 1982-06-08 | 1983-06-08 | Microelectronic device manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57123865A JPS5915243A (ja) | 1982-07-16 | 1982-07-16 | レジスト材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5915243A JPS5915243A (ja) | 1984-01-26 |
| JPH0365545B2 true JPH0365545B2 (ja) | 1991-10-14 |
Family
ID=14871293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57123865A Granted JPS5915243A (ja) | 1982-06-08 | 1982-07-16 | レジスト材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5915243A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62278545A (ja) * | 1986-05-27 | 1987-12-03 | Nec Corp | パタ−ン形成方法 |
| JPS62277728A (ja) * | 1986-05-27 | 1987-12-02 | Nec Corp | パタ−ン形成方法 |
-
1982
- 1982-07-16 JP JP57123865A patent/JPS5915243A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5915243A (ja) | 1984-01-26 |
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