JPH0366813B2 - - Google Patents
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- JPH0366813B2 JPH0366813B2 JP62312264A JP31226487A JPH0366813B2 JP H0366813 B2 JPH0366813 B2 JP H0366813B2 JP 62312264 A JP62312264 A JP 62312264A JP 31226487 A JP31226487 A JP 31226487A JP H0366813 B2 JPH0366813 B2 JP H0366813B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder
- layer
- lead frame
- electronic component
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は電子部品に関し、さらに詳しくは、民
生用製品に用いられて好適な電子部品に関する。 （従来の技術） 民生用製品、例えば半導体素子は高出力、多機
能化が要求されており、しかもこれらは生産性が
よく低価格であることが条件とされている。 このような条件を充分満足させるための種々の
開発が進められている。この中では樹脂モールド
等が上記を満たす有力なものであるが、これらに
おいても次のような問題点があつてその解決が要
望されている。 すなわち、製造工程では避けて通れないマウン
ト工程、半導体素子とリード線とのボンデイグ工
程等があり、これに用いられるリード素子である
リードフレームは重要な部品である。このリード
フレームは、次のような過酷な条件を満足すれば
製造工程、価格及び特性等に極めて有利である。
すなわち、電気抵抗が小さいこと、表面酸化が少
ないこと、引張り強度が強いこと、延性が充分で
曲げ加工に対し強いこと、高温特性、例えば250
℃以上における機械的強度が充分であること、半
田とのぬれ性、耐候性が充分であること等であ
る。 このように種々の条件を全て満足するものはな
かなか得難いが、電気抵抗の小さい銅（Cu）基
合金がその中でも上記条件に近い特性を有するこ
とが知られている。このCuは導電率が高いこと、
加工が容易であること等上記条件には有利な金属
であるが、耐熱強度、耐酸化性、機械的強度等に
おいて不充分である。したがつて、上記条件を全
て満足する金属はないので、できるだけ多くの特
性を発揮する金属を主成分として選定し、これに
いくつかの添加成分を混合した合金を用いてい
る。しかしながら、例えばCuを主成分とし、こ
れにSn及びＰを添加した合金は、強度的に不充
分であり、また、Snの代わりにFeを添加した合
金は、上記の要件を満足するまでに至つていな
い。 さらに、従来のCu基合金にあつては、これを
用いたIC用リードフレームにリード線等を固着
する際にSn半田を用いた場合、特に次の如き不
都合な現象が生じた。第１図は、リードフレーム
１をSn−Pb半田２で接合した場合における接合
部の走査型電子顕微鏡による拡大断面図である。
該図は、150℃における300時間経過後の組織図で
あり、IC作動中の熱等の付加による過酷な条件
が揃うことにより組織変化を生じ、半田を構成す
るSnがリードフレームのCuと結合していくつか
の層を形成する。第１層は、ε−Cu3Snからなる
ａ層、第２層はη−Cu6Sn5からなるｂ層、第３
層はPbのみ又は極めて高密度のPbからなるｃ層
である。この現象が著しい場合は、IC素子の半
田付けの信頼性を維持する上で好ましいものでは
ない。 諸現象を防止するには、金ボンデイング性低下
の原因となるSnの添加量を下げ、かつこれに伴
うリードフレームの強度低下を防ぐため、Ni又
はFeを添加することが考えられる。しかしなが
ら、第２図に示したように、Ni又はFeを添加す
ると、Ni及びFeとSnとが結合して、リードフレ
ーム１と半田２との接合面に約0.5μｍ厚以下の
Ni（Fe）−Snからなる金属間化合物層３が形成さ
れる（使用条件は前記と同様）。 この金属間化合物層は、ミクロ的に見て、Ni
（Fe）とSnとの蜂巣状態を呈している、該層３の
形成は、リードフレーム１と半田との接合強度を
極度に低下せしめて両者の剥離原因となるもので
あり、IC素子の信頼性を低下させるため、致命
的欠点となり得る。この現象は、Snを含まない
場合と比べ、Sn及びNi又はFeが合金中に共存す
る場合に、上記金属間化合物層の成長が著しく促
進され、容易に剥離が起こつててしまう。 上記の如き剥離の原因は、次のように推定され
る。すなわち、リードフレームと半田との接合を
強固にするCu−Snの固溶状態部分が、Ni（Fe）−
Snの金属間化合物層のバリア形成により低下し、
CuとSnの相互拡散が不充分となることにより剥
離が起こるものと考えられる。 以上のことから、Ni、Fe及びSnの添加量を下
げて、剥離を防止しなければならないが、Ni又
はFeを添加しないと強度が向上せず、この場合
にNi−Sn−Cu合金と同等の強度を得るためには
Snを0.3％以上添加する必要がある。しかし、Sn
の増量は、前記のように金ボンデイング性等に悪
影響を及ぼす。一方、Ni又はFeの増量は剥離を
容易に引き起こす原因となる。 （発明が解決しようとする問題点） 本発明は、上記の問題点を解決し、電子部品と
して要求される特性を充分に有し、かつ電子部品
基材と半田との接合に伴う接合力の弱い金属間化
合物の生成が極めて少なく、接合力の優れた特性
を有する電子部品を提供することを目的とする。 ［発明の構成］ （問題点を解決するための手段及び作用） 本発明の電子部品は、主成分がCuで、第１添
加成分としてFeを0.05〜５重量％含有し（ただし
Niを含まない）、第２添加成分としてSnを0.05〜
４重量％含有し、第３添加成分としてZnを0.1〜
３重量％含有する合金から形成される基材と、そ
の表面に形成された半田層との間にFe集中拡散
軽減層を有することを特徴とする。 以下、本発明をさらに詳細に説明する。 本発明の電子部品としては、例えば、表面に半
田層を有するリードフレーム及びリード線が挙げ
られる。 該電子部品の基材となる合金の組成は、Feが
0.05〜５重量％の範囲であり、Niを含まずSnが
0.05〜４重量％の範囲であり、Znが0.1〜３重量
％の範囲であり、残部がCuからなる。 合金の添加成分として用いるFe、Sn及びZn
は、上記条件に加えて、各成分に対するZnの重
量比が、次式； Zn≧1/20（Fe、Sn） で示される関係を満たすことが好ましい。 本発明の電子部品の基材となる合金組成におい
て、Fe及びSnの添加量がそれぞれ0.05重量％未
満の場合には、電子部品の強度が不充分となり、
リードフレーム等にあつてはソケツトへの挿入困
難及び変形という不都合な事態を招来し、Fe添
加量が５重量％を超え、又はSnの添加量が４重
量％を超えると導電率の低下を招来し、熱伝導効
果も不充分となる。また、Znの添加量が0.1重量
％未満の場合は、後述するFeの集中拡散軽減層
がわずかしか形成されず、Fe−Snの拡散結合に
よる金属間化合物を生成してしまい、３重量％を
超えると、金ボンデイング性を低下せしめてIC
素子の信頼性を損ない、歩留りが悪くなる。さら
にZnの添加量が多い場合は、半田付けの際にZn
が瞬時に半田内に拡散し、半田の表面が荒れた
り、接合力が低下する等の種々の問題が発生す
る。 本発明の電子部品は前記合金から次のようにし
て製造される。例えば、まずリードフレームの場
合は、常法にしたがい、前記合金からなるインゴ
ツトを製造する。次にこれを圧延後、コイル化
し、プレス又はエツチング加工を施したのち、表
面に半田を溶着することにより得られる。 本発明における合金を用いた場合に前記問題点
が解消される理由を第３図に基づいて説明する。
第３図は、Cu−Fe−Sn−Zn合金のリードフレー
ムを製造し、該フレームの一部にSn−Pb半田を
溶着後、これを約150℃で300時間強性加熱した場
合における接合部の拡大断面図であり、図中、４
はFeの集中拡散軽減層である。すなわち、Sn−
Pb半田で接合した場合は、Fe−Snの金属間化合
物層の形成がほとんど起こらず、これに代わつて
Zn−Cu固溶体のZn濃縮に伴なうFe集中拡散軽減
層４が形成されている。該層４は、Cuに分散し
ているFeと半田内のSnとの拡散結合を能率よく
軽減もしくは抑制する作用を有しているため、
Cu内におけるFeの移動が制限され、Feの安定し
た分散状態が長期にわたつて維持されることにな
る。したがつて、Fe−Sn金属間化合物の生成が
ほとんど起こらず、Zn濃縮に伴なうFe集中拡散
軽減層が形成されるため、Sn−Pb半田とCu−Fe
−Sn−Zn合金とが強固に結合している。 （実施例） 本発明の電子部品を、以下の方法によつて製造
した。 表に示した各元素をそれぞれボールミル内に装
填したのち、Arガスを充填して撹拌混合した。
なお、Fe及びSnに対するZnの重量比は、Zn≧1/
２０（Fe、Sn）で示される関係を有している。 次に、得られた複合体を脱気した容器に装填
し、これを加熱溶融後、熱押出してインゴツトを
成形した。次に、このインゴツトを熱間及び冷間
圧延したのち、切断加工してコイルを得た。しか
るのち、このコイルをプレス加工してリードフレ
ームを製造した。その後、このリードフレームに
Sn−Pb半田を溶着して、本発明の電子部品とし
た。また、比較例として表に示す合金組成のリー
ドフレームの表面にSn−Pb半田を溶着したもの
を製造した。 上記の半田付けしたリードフレームについて表
に示した試験を行つた。各試験項目における判定
基準はほぼ次のとおりである。 半田付け性：目視観察により判定した。 ○−優 △−良 ×−不良 半田耐候性：約150℃で300時間強制加熱したの
ち、90℃の繰り返し曲げを３回行い、剥離の有
無で判定した。 ○−剥離せず △−２回で剥離 ×−１回で剥
離 機械的強度：マイクロビツカース硬度計により判
定した。 ○−130MHv以上 ×−130MHv以下 導電性：純銅からなるリードフレームの導電率を
100とした場合に、何パーセントの導電率を有
しているかにより判定した。 ○−30％以上 △−30〜20％ ×−20％以下 Fe集中拡散軽減層：約150℃で300時間強制加熱
したのち、該層が生成しているか否かをXMA
法により判定した。 有−生成 無−生成せず 試験結果を表に一括して記載した。
生用製品に用いられて好適な電子部品に関する。 （従来の技術） 民生用製品、例えば半導体素子は高出力、多機
能化が要求されており、しかもこれらは生産性が
よく低価格であることが条件とされている。 このような条件を充分満足させるための種々の
開発が進められている。この中では樹脂モールド
等が上記を満たす有力なものであるが、これらに
おいても次のような問題点があつてその解決が要
望されている。 すなわち、製造工程では避けて通れないマウン
ト工程、半導体素子とリード線とのボンデイグ工
程等があり、これに用いられるリード素子である
リードフレームは重要な部品である。このリード
フレームは、次のような過酷な条件を満足すれば
製造工程、価格及び特性等に極めて有利である。
すなわち、電気抵抗が小さいこと、表面酸化が少
ないこと、引張り強度が強いこと、延性が充分で
曲げ加工に対し強いこと、高温特性、例えば250
℃以上における機械的強度が充分であること、半
田とのぬれ性、耐候性が充分であること等であ
る。 このように種々の条件を全て満足するものはな
かなか得難いが、電気抵抗の小さい銅（Cu）基
合金がその中でも上記条件に近い特性を有するこ
とが知られている。このCuは導電率が高いこと、
加工が容易であること等上記条件には有利な金属
であるが、耐熱強度、耐酸化性、機械的強度等に
おいて不充分である。したがつて、上記条件を全
て満足する金属はないので、できるだけ多くの特
性を発揮する金属を主成分として選定し、これに
いくつかの添加成分を混合した合金を用いてい
る。しかしながら、例えばCuを主成分とし、こ
れにSn及びＰを添加した合金は、強度的に不充
分であり、また、Snの代わりにFeを添加した合
金は、上記の要件を満足するまでに至つていな
い。 さらに、従来のCu基合金にあつては、これを
用いたIC用リードフレームにリード線等を固着
する際にSn半田を用いた場合、特に次の如き不
都合な現象が生じた。第１図は、リードフレーム
１をSn−Pb半田２で接合した場合における接合
部の走査型電子顕微鏡による拡大断面図である。
該図は、150℃における300時間経過後の組織図で
あり、IC作動中の熱等の付加による過酷な条件
が揃うことにより組織変化を生じ、半田を構成す
るSnがリードフレームのCuと結合していくつか
の層を形成する。第１層は、ε−Cu3Snからなる
ａ層、第２層はη−Cu6Sn5からなるｂ層、第３
層はPbのみ又は極めて高密度のPbからなるｃ層
である。この現象が著しい場合は、IC素子の半
田付けの信頼性を維持する上で好ましいものでは
ない。 諸現象を防止するには、金ボンデイング性低下
の原因となるSnの添加量を下げ、かつこれに伴
うリードフレームの強度低下を防ぐため、Ni又
はFeを添加することが考えられる。しかしなが
ら、第２図に示したように、Ni又はFeを添加す
ると、Ni及びFeとSnとが結合して、リードフレ
ーム１と半田２との接合面に約0.5μｍ厚以下の
Ni（Fe）−Snからなる金属間化合物層３が形成さ
れる（使用条件は前記と同様）。 この金属間化合物層は、ミクロ的に見て、Ni
（Fe）とSnとの蜂巣状態を呈している、該層３の
形成は、リードフレーム１と半田との接合強度を
極度に低下せしめて両者の剥離原因となるもので
あり、IC素子の信頼性を低下させるため、致命
的欠点となり得る。この現象は、Snを含まない
場合と比べ、Sn及びNi又はFeが合金中に共存す
る場合に、上記金属間化合物層の成長が著しく促
進され、容易に剥離が起こつててしまう。 上記の如き剥離の原因は、次のように推定され
る。すなわち、リードフレームと半田との接合を
強固にするCu−Snの固溶状態部分が、Ni（Fe）−
Snの金属間化合物層のバリア形成により低下し、
CuとSnの相互拡散が不充分となることにより剥
離が起こるものと考えられる。 以上のことから、Ni、Fe及びSnの添加量を下
げて、剥離を防止しなければならないが、Ni又
はFeを添加しないと強度が向上せず、この場合
にNi−Sn−Cu合金と同等の強度を得るためには
Snを0.3％以上添加する必要がある。しかし、Sn
の増量は、前記のように金ボンデイング性等に悪
影響を及ぼす。一方、Ni又はFeの増量は剥離を
容易に引き起こす原因となる。 （発明が解決しようとする問題点） 本発明は、上記の問題点を解決し、電子部品と
して要求される特性を充分に有し、かつ電子部品
基材と半田との接合に伴う接合力の弱い金属間化
合物の生成が極めて少なく、接合力の優れた特性
を有する電子部品を提供することを目的とする。 ［発明の構成］ （問題点を解決するための手段及び作用） 本発明の電子部品は、主成分がCuで、第１添
加成分としてFeを0.05〜５重量％含有し（ただし
Niを含まない）、第２添加成分としてSnを0.05〜
４重量％含有し、第３添加成分としてZnを0.1〜
３重量％含有する合金から形成される基材と、そ
の表面に形成された半田層との間にFe集中拡散
軽減層を有することを特徴とする。 以下、本発明をさらに詳細に説明する。 本発明の電子部品としては、例えば、表面に半
田層を有するリードフレーム及びリード線が挙げ
られる。 該電子部品の基材となる合金の組成は、Feが
0.05〜５重量％の範囲であり、Niを含まずSnが
0.05〜４重量％の範囲であり、Znが0.1〜３重量
％の範囲であり、残部がCuからなる。 合金の添加成分として用いるFe、Sn及びZn
は、上記条件に加えて、各成分に対するZnの重
量比が、次式； Zn≧1/20（Fe、Sn） で示される関係を満たすことが好ましい。 本発明の電子部品の基材となる合金組成におい
て、Fe及びSnの添加量がそれぞれ0.05重量％未
満の場合には、電子部品の強度が不充分となり、
リードフレーム等にあつてはソケツトへの挿入困
難及び変形という不都合な事態を招来し、Fe添
加量が５重量％を超え、又はSnの添加量が４重
量％を超えると導電率の低下を招来し、熱伝導効
果も不充分となる。また、Znの添加量が0.1重量
％未満の場合は、後述するFeの集中拡散軽減層
がわずかしか形成されず、Fe−Snの拡散結合に
よる金属間化合物を生成してしまい、３重量％を
超えると、金ボンデイング性を低下せしめてIC
素子の信頼性を損ない、歩留りが悪くなる。さら
にZnの添加量が多い場合は、半田付けの際にZn
が瞬時に半田内に拡散し、半田の表面が荒れた
り、接合力が低下する等の種々の問題が発生す
る。 本発明の電子部品は前記合金から次のようにし
て製造される。例えば、まずリードフレームの場
合は、常法にしたがい、前記合金からなるインゴ
ツトを製造する。次にこれを圧延後、コイル化
し、プレス又はエツチング加工を施したのち、表
面に半田を溶着することにより得られる。 本発明における合金を用いた場合に前記問題点
が解消される理由を第３図に基づいて説明する。
第３図は、Cu−Fe−Sn−Zn合金のリードフレー
ムを製造し、該フレームの一部にSn−Pb半田を
溶着後、これを約150℃で300時間強性加熱した場
合における接合部の拡大断面図であり、図中、４
はFeの集中拡散軽減層である。すなわち、Sn−
Pb半田で接合した場合は、Fe−Snの金属間化合
物層の形成がほとんど起こらず、これに代わつて
Zn−Cu固溶体のZn濃縮に伴なうFe集中拡散軽減
層４が形成されている。該層４は、Cuに分散し
ているFeと半田内のSnとの拡散結合を能率よく
軽減もしくは抑制する作用を有しているため、
Cu内におけるFeの移動が制限され、Feの安定し
た分散状態が長期にわたつて維持されることにな
る。したがつて、Fe−Sn金属間化合物の生成が
ほとんど起こらず、Zn濃縮に伴なうFe集中拡散
軽減層が形成されるため、Sn−Pb半田とCu−Fe
−Sn−Zn合金とが強固に結合している。 （実施例） 本発明の電子部品を、以下の方法によつて製造
した。 表に示した各元素をそれぞれボールミル内に装
填したのち、Arガスを充填して撹拌混合した。
なお、Fe及びSnに対するZnの重量比は、Zn≧1/
２０（Fe、Sn）で示される関係を有している。 次に、得られた複合体を脱気した容器に装填
し、これを加熱溶融後、熱押出してインゴツトを
成形した。次に、このインゴツトを熱間及び冷間
圧延したのち、切断加工してコイルを得た。しか
るのち、このコイルをプレス加工してリードフレ
ームを製造した。その後、このリードフレームに
Sn−Pb半田を溶着して、本発明の電子部品とし
た。また、比較例として表に示す合金組成のリー
ドフレームの表面にSn−Pb半田を溶着したもの
を製造した。 上記の半田付けしたリードフレームについて表
に示した試験を行つた。各試験項目における判定
基準はほぼ次のとおりである。 半田付け性：目視観察により判定した。 ○−優 △−良 ×−不良 半田耐候性：約150℃で300時間強制加熱したの
ち、90℃の繰り返し曲げを３回行い、剥離の有
無で判定した。 ○−剥離せず △−２回で剥離 ×−１回で剥
離 機械的強度：マイクロビツカース硬度計により判
定した。 ○−130MHv以上 ×−130MHv以下 導電性：純銅からなるリードフレームの導電率を
100とした場合に、何パーセントの導電率を有
しているかにより判定した。 ○−30％以上 △−30〜20％ ×−20％以下 Fe集中拡散軽減層：約150℃で300時間強制加熱
したのち、該層が生成しているか否かをXMA
法により判定した。 有−生成 無−生成せず 試験結果を表に一括して記載した。
【表】
［発明の効果］
以上の説明から明らかなように、本発明の電子
部品は優れた各種の効果を有している。 すなわち、本発明の電子部品においては、上記
の如く、Fe−Sn結合に基づく界面での剥離現象
の解消に伴い、耐半田性及び半田耐候性が向上し
ている。また、Cu内にFeを最大に添加すること
が可能となるため、電子部品の強度をそれだけ増
大できるという効果がある。さらにCu内におけ
るZn−Cu固溶体のZn濃縮に伴ないFeの集中拡散
が抑制されるため、安定した分散状態が得られ、
基材合金と半田層との接合部分における機械的強
度の部分的低下が回避される。また、これらの元
素添加によつても、本発明の電子部品は依然とし
てCuに基づく高導電率及び加工容易性等の諸特
性を維持している。
部品は優れた各種の効果を有している。 すなわち、本発明の電子部品においては、上記
の如く、Fe−Sn結合に基づく界面での剥離現象
の解消に伴い、耐半田性及び半田耐候性が向上し
ている。また、Cu内にFeを最大に添加すること
が可能となるため、電子部品の強度をそれだけ増
大できるという効果がある。さらにCu内におけ
るZn−Cu固溶体のZn濃縮に伴ないFeの集中拡散
が抑制されるため、安定した分散状態が得られ、
基材合金と半田層との接合部分における機械的強
度の部分的低下が回避される。また、これらの元
素添加によつても、本発明の電子部品は依然とし
てCuに基づく高導電率及び加工容易性等の諸特
性を維持している。
第１図は従来の電子部品におけるリードフレー
ムとPb−Sn半田との接合部について、経時変化
後の組織状態を示した拡大断面図、第２図は電子
部品におけるリードフレームの合金組成として
Feを増量させた場合の接合部の組織状態を示し
た拡大断面図、第３図は本発明の電子部品におい
て基材となるリードフレームとSn−Pb半田との
接合部について、経時変化後の組織状態を示した
拡大断面図である。 １：リードフレーム、２：Sn−Pb半田、ａ：
ε−Cu3Sn層、ｂ：η−Cu6Sn5層、ｃ：Pb層、
３：Fe−Sn金属間化合物層、４：Fe集中拡散軽
減層。
ムとPb−Sn半田との接合部について、経時変化
後の組織状態を示した拡大断面図、第２図は電子
部品におけるリードフレームの合金組成として
Feを増量させた場合の接合部の組織状態を示し
た拡大断面図、第３図は本発明の電子部品におい
て基材となるリードフレームとSn−Pb半田との
接合部について、経時変化後の組織状態を示した
拡大断面図である。 １：リードフレーム、２：Sn−Pb半田、ａ：
ε−Cu3Sn層、ｂ：η−Cu6Sn5層、ｃ：Pb層、
３：Fe−Sn金属間化合物層、４：Fe集中拡散軽
減層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 主成分がCuで、第１添加成分としてFeを
0.05〜５重量％含有し（ただしNiを含まない）、
第２添加成分としてSnを0.05〜４重量％含有し、
第３添加成分としてZnを0.1〜３重量％含有する
合金から形成される基材と、その表面に形成され
た半田層との間にFe集中拡散軽減層を有するこ
とを特徴とする電子部品。 ２ Fe及びSnに対するZnの重量比が、次式； Zn≧1/20（Fe，Sn） で示される関係を有する特許請求の範囲第１項記
載の電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62312264A JPS63158859A (ja) | 1987-12-11 | 1987-12-11 | 電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62312264A JPS63158859A (ja) | 1987-12-11 | 1987-12-11 | 電子部品 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58112813A Division JPS605550A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | 電子部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63158859A JPS63158859A (ja) | 1988-07-01 |
| JPH0366813B2 true JPH0366813B2 (ja) | 1991-10-18 |
Family
ID=18027148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62312264A Granted JPS63158859A (ja) | 1987-12-11 | 1987-12-11 | 電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63158859A (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58112813A (ja) * | 1981-12-25 | 1983-07-05 | Niigata Eng Co Ltd | 軌道車両における空気タイヤ異常検出方法 |
| JPS605550A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-12 | Toshiba Corp | 電子部品 |
-
1987
- 1987-12-11 JP JP62312264A patent/JPS63158859A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63158859A (ja) | 1988-07-01 |
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