JPH0368186A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH0368186A JPH0368186A JP20310189A JP20310189A JPH0368186A JP H0368186 A JPH0368186 A JP H0368186A JP 20310189 A JP20310189 A JP 20310189A JP 20310189 A JP20310189 A JP 20310189A JP H0368186 A JPH0368186 A JP H0368186A
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- laser
- semiconductor laser
- fiber
- fiber array
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はモニタ光を独立に制御できる多点アレイレー
ザに関するものである。
ザに関するものである。
第７図、第８図は実開昭６３−１４５３５９号公報に示
された従来の半導体レーザ装置を示した断面図℃図にお
いて、（３〉は半導体レーザアレイ、ＣＤ−（至）は第
１〜第３半導体レーザチ・ソプ、（４）は受光素子、−
〜婚は受光領域、車は廿ブマウント、０は導波部材、ａ
３は導波溝、ゆははんだ材、初はレーザチ・ソプより出
射されるレーザ光である。
された従来の半導体レーザ装置を示した断面図℃図にお
いて、（３〉は半導体レーザアレイ、ＣＤ−（至）は第
１〜第３半導体レーザチ・ソプ、（４）は受光素子、−
〜婚は受光領域、車は廿ブマウント、０は導波部材、ａ
３は導波溝、ゆははんだ材、初はレーザチ・ソプより出
射されるレーザ光である。
次に動作ｆコりいて説明する。第１〜第３半導体レーザ
チ゛ソブＣ（Ｉ）−（至）から成る半導体レーザアレイ
（３）に個々に独立に順バイアスを印加すると％第１〜
第３半導体レーザチ・ソブは前・後面にレーザ光０を出
射する。半導体レーザアレイ（３）と導波溝０が形成さ
れた導波部材０が、サブマウント東上にはんだ材のを用
いて固定されている。半導体レーザチ・ソブ後面より出
射されたレーザ光０は導波部材Ｏ中の導波溝０を導波し
、各々のレーザチ・ソプに対応する受光素子（４）の受
光領Ｍ−〜（財）に入射される。入射されたレーザ光は
受光素子（４）により電気信号に変換され各々のレーザ
チップに帰還され、これによって、個々のレーザチ・ソ
プは独立に制御される。
チ゛ソブＣ（Ｉ）−（至）から成る半導体レーザアレイ
（３）に個々に独立に順バイアスを印加すると％第１〜
第３半導体レーザチ・ソブは前・後面にレーザ光０を出
射する。半導体レーザアレイ（３）と導波溝０が形成さ
れた導波部材０が、サブマウント東上にはんだ材のを用
いて固定されている。半導体レーザチ・ソブ後面より出
射されたレーザ光０は導波部材Ｏ中の導波溝０を導波し
、各々のレーザチ・ソプに対応する受光素子（４）の受
光領Ｍ−〜（財）に入射される。入射されたレーザ光は
受光素子（４）により電気信号に変換され各々のレーザ
チップに帰還され、これによって、個々のレーザチ・ソ
プは独立に制御される。
従来の半導体レーザ装置は以上のようにＷＩｆｉ、され
ていたので、導波溝を有する導波部材を用いた場合、隣
接するレーザ光との間のクロストークを避けるために導
波溝を平行に形成できず、アレイ数が増えれば増えるは
ど導波溝の形成が複雑になリ、さらに導波部材が大入く
なり、半導体レー）。
ていたので、導波溝を有する導波部材を用いた場合、隣
接するレーザ光との間のクロストークを避けるために導
波溝を平行に形成できず、アレイ数が増えれば増えるは
ど導波溝の形成が複雑になリ、さらに導波部材が大入く
なり、半導体レー）。
装置が大型になるという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解決するためｆζなさ
れたもので、３点以上の多点アレイレーザの場合でも、
アレイレーザチ゛ソプ廿イズとはホ同等の大きさで、か
つ、クロストークがなく個々のレーザチ・ソプを独立に
制御できる半導体レーザ装置を得ることを目的とする。
れたもので、３点以上の多点アレイレーザの場合でも、
アレイレーザチ゛ソプ廿イズとはホ同等の大きさで、か
つ、クロストークがなく個々のレーザチ・ソプを独立に
制御できる半導体レーザ装置を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体レーザ装置は、ファイバアレイと
ファイバアレイを固定する固定台と固定台上に接着され
たアレイレーザチ１ンプとアレイレーザ光をモニタオる
アレイ受光素子を気密封止したものである。
ファイバアレイを固定する固定台と固定台上に接着され
たアレイレーザチ１ンプとアレイレーザ光をモニタオる
アレイ受光素子を気密封止したものである。
この発明に係る半導体レーザ装置は、チ・ソブ後面より
出射されるレーザ光をクロストークなく導波するのにフ
ァイバアレイを用いたので、小型化が可能と、２す、ま
た気密封止ができることより、レーザおよび受光素子の
信頼性が上がる。ファイバアレイは固定台に固定されて
おり、かつ発光部、コア部、受光部のビパ７チ間隔が同
じであるので。
出射されるレーザ光をクロストークなく導波するのにフ
ァイバアレイを用いたので、小型化が可能と、２す、ま
た気密封止ができることより、レーザおよび受光素子の
信頼性が上がる。ファイバアレイは固定台に固定されて
おり、かつ発光部、コア部、受光部のビパ７チ間隔が同
じであるので。
レーザチップとファイバアレイ間およびファイバアレイ
と受光素子間が直接結合であるにもかかわらず光軸のず
れ及びクロストークがなくなる。
と受光素子間が直接結合であるにもかかわらず光軸のず
れ及びクロストークがなくなる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図〜第３図はこの発明の半導体レーザ装置の一実施例を
示し、第１図は第２図の１−１線における断面図、第２
図は第１図の１−１線における断面図、第３図は第１図
の璽−口線における断面図を示す。図において、（１）
はファイバアレイ固定台、（２）はファイバアレイ、（
３）は半導体レーサ７Ｌ／４、（４） ハ受光素子アレ
イ、（５）はファイバアレイのコア部分％（６）はファ
イバアレイのクラ・ソド部分、（７）は半導体レーザア
レイの活性領域１ｇははんだ材、闘はファイバ固定用樹
脂である。第４図はファイバアレイの側断面図である。
図〜第３図はこの発明の半導体レーザ装置の一実施例を
示し、第１図は第２図の１−１線における断面図、第２
図は第１図の１−１線における断面図、第３図は第１図
の璽−口線における断面図を示す。図において、（１）
はファイバアレイ固定台、（２）はファイバアレイ、（
３）は半導体レーサ７Ｌ／４、（４） ハ受光素子アレ
イ、（５）はファイバアレイのコア部分％（６）はファ
イバアレイのクラ・ソド部分、（７）は半導体レーザア
レイの活性領域１ｇははんだ材、闘はファイバ固定用樹
脂である。第４図はファイバアレイの側断面図である。
一定間隔ｌでコア（５）がクラ・ソド部分（６）内にあ
る。また、第５図はファイバアレイ（２）と半導体レー
ザアレイ（３）と受光素子アレイ（４）が配置されたフ
ァイバアレイ固定台（１）をステム（９）に固定し、ガ
巧ス窓付キャ゛ソプ（８）を用いて気密封止した場合の
断面図を示す。
る。また、第５図はファイバアレイ（２）と半導体レー
ザアレイ（３）と受光素子アレイ（４）が配置されたフ
ァイバアレイ固定台（１）をステム（９）に固定し、ガ
巧ス窓付キャ゛ソプ（８）を用いて気密封止した場合の
断面図を示す。
次に動作について説明する。前記従来のものを）同様、
個々の半導体レーザチ・ソプから成る半導体レーザアレ
イ（３）Ｉこ独立ｔこ順バイアスを印加すると、個々の
半導体レーザチ・ソプは前・後面にレーザ光卿を出射す
る。半導体レーザアレイ（３）とファイバ７Ｌ／イｔ２
）ト受光素子アレイ（４）はファイバ固定台（１）上に
固定されており、ファイバアレイ（２）内のコア部分（
５）の間隔は半導体アレイレーザ（３）の各発光点のビ
″！チと等しいことから直接結合で、クロストークｔＪ
＜個々のレーザ光を独立に各コア内を導波させることが
できる。一般に、熱的、電気的なりロストークを抑制す
るには、半導体レーザアレイの発光点のビ・ソチ間隔は
１００μｍ程度必要である。
個々の半導体レーザチ・ソプから成る半導体レーザアレ
イ（３）Ｉこ独立ｔこ順バイアスを印加すると、個々の
半導体レーザチ・ソプは前・後面にレーザ光卿を出射す
る。半導体レーザアレイ（３）とファイバ７Ｌ／イｔ２
）ト受光素子アレイ（４）はファイバ固定台（１）上に
固定されており、ファイバアレイ（２）内のコア部分（
５）の間隔は半導体アレイレーザ（３）の各発光点のビ
″！チと等しいことから直接結合で、クロストークｔＪ
＜個々のレーザ光を独立に各コア内を導波させることが
できる。一般に、熱的、電気的なりロストークを抑制す
るには、半導体レーザアレイの発光点のビ・ソチ間隔は
１００μｍ程度必要である。
ファイバアレイ（２）はファイバ固定台（１）上に機械
的に固定されているので、光軸ずれを起こしにくい。
的に固定されているので、光軸ずれを起こしにくい。
ファイバアレイ（２）を導波した光は、受光素子アレイ
（４）の各々の受光領域に入射される。入射された光は
受光素子（４目こより、電気信号に変換され、各々ル−
サチツプに帰還される。これによって、個々のレーザチ
ップを独立に制御することが可能とｆＪる。
（４）の各々の受光領域に入射される。入射された光は
受光素子（４目こより、電気信号に変換され、各々ル−
サチツプに帰還される。これによって、個々のレーザチ
ップを独立に制御することが可能とｆＪる。
なお、上記実施例ではファイバ固定台（１）にファイバ
アレイ（２）をはめ込み、さらξζ樹脂ＨＥこより固定
した場合を示したが、第６図のように半導体レーザアレ
イチ゛ソプ（３）及び受光素子アレイ（４）を固定する
はんだ材圓より融点の高いはんだ材を用いて、ファイバ
アレイ（２）ヲファイバ固定台に固定してもよい。直接
結合で光のクロストークを抑えるために、ファイバアレ
イ（２）をファイバ固定台（１）に固定してから、半導
体レーザアレイチップ（３）を固定するものとする。
アレイ（２）をはめ込み、さらξζ樹脂ＨＥこより固定
した場合を示したが、第６図のように半導体レーザアレ
イチ゛ソプ（３）及び受光素子アレイ（４）を固定する
はんだ材圓より融点の高いはんだ材を用いて、ファイバ
アレイ（２）ヲファイバ固定台に固定してもよい。直接
結合で光のクロストークを抑えるために、ファイバアレ
イ（２）をファイバ固定台（１）に固定してから、半導
体レーザアレイチップ（３）を固定するものとする。
以上のようにこの発明によれば、半導体レーザアレイと
、アレイ受光素子の導波路にファイバアレイを用いると
とｌζより、小型で安価なかつ、りロストークの少ない
高性能な半導体レーザ装置が得られる効果がある。
、アレイ受光素子の導波路にファイバアレイを用いると
とｌζより、小型で安価なかつ、りロストークの少ない
高性能な半導体レーザ装置が得られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す半導体レーザアレイ
装置の断面平面図、第２図は第１図のＩ−１線における
断面正面図、第３図は第１図のｌ＝１線における側断面
図、第４図はこの発明に用いられるファイバアレイの横
断面図、第５図はこの発明の一実施例を示す半導体レー
ザアレイ装置をステムに固定し、ガラス窓付キャ゛ソプ
で気密封止した場合の断面図、第６図はこの発明の他の
実施例を示す半導体レーザ装置の断面図、第７図は従来
の半導体レーザ装置の断面正面図、第８図は第７図の■
−■線における断面図である。 図において、（１）はファイバ固定台、＋２）はファイ
バアレイ、（３）は半導体レーザアレイ、（４１は受光
素子アレイ、（８）はガラス窓付キヤ・ソブ、（９）は
ステムである。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
装置の断面平面図、第２図は第１図のＩ−１線における
断面正面図、第３図は第１図のｌ＝１線における側断面
図、第４図はこの発明に用いられるファイバアレイの横
断面図、第５図はこの発明の一実施例を示す半導体レー
ザアレイ装置をステムに固定し、ガラス窓付キャ゛ソプ
で気密封止した場合の断面図、第６図はこの発明の他の
実施例を示す半導体レーザ装置の断面図、第７図は従来
の半導体レーザ装置の断面正面図、第８図は第７図の■
−■線における断面図である。 図において、（１）はファイバ固定台、＋２）はファイ
バアレイ、（３）は半導体レーザアレイ、（４１は受光
素子アレイ、（８）はガラス窓付キヤ・ソブ、（９）は
ステムである。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- ファイバアレイとそれを固定する固定台とこの固定台上
に接着されたアレイレーザチップとアレイレーザ光をモ
ニタするアレイ受光素子が気密封止されていることを特
徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20310189A JPH0368186A (ja) | 1989-08-05 | 1989-08-05 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20310189A JPH0368186A (ja) | 1989-08-05 | 1989-08-05 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0368186A true JPH0368186A (ja) | 1991-03-25 |
Family
ID=16468405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20310189A Pending JPH0368186A (ja) | 1989-08-05 | 1989-08-05 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0368186A (ja) |
-
1989
- 1989-08-05 JP JP20310189A patent/JPH0368186A/ja active Pending
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