JPH0370844B2 - - Google Patents
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- JPH0370844B2 JPH0370844B2 JP57065448A JP6544882A JPH0370844B2 JP H0370844 B2 JPH0370844 B2 JP H0370844B2 JP 57065448 A JP57065448 A JP 57065448A JP 6544882 A JP6544882 A JP 6544882A JP H0370844 B2 JPH0370844 B2 JP H0370844B2
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- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 45
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 37
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 11
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- -1 aluminum-substituted yttrium iron Chemical class 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- MTRJKZUDDJZTLA-UHFFFAOYSA-N iron yttrium Chemical compound [Fe].[Y] MTRJKZUDDJZTLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006247 magnetic powder Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/02—Recording, reproducing, or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、磁気記録媒体が形成する磁界の変
化による磁性体の特性変化を利用して再生を行な
う磁気再生装置に関する。
化による磁性体の特性変化を利用して再生を行な
う磁気再生装置に関する。
磁気記録媒体に記録された信号を再生する磁気
再生装置は従来、リング型の磁気ヘツドを用い、
これに誘起される超電力を再生出力として取出す
構成となつている。しかし、この方式は再生出力
レベルおよびそのＳ／Ｎが記録トラツク幅に大き
く依存するため、高密度記録再生に不利であり、
現状では記録トラツク幅が20μ、Ｓ／Ｎが43dB程
度が限界とされている。
再生装置は従来、リング型の磁気ヘツドを用い、
これに誘起される超電力を再生出力として取出す
構成となつている。しかし、この方式は再生出力
レベルおよびそのＳ／Ｎが記録トラツク幅に大き
く依存するため、高密度記録再生に不利であり、
現状では記録トラツク幅が20μ、Ｓ／Ｎが43dB程
度が限界とされている。
そこで、発明者らは既に特願昭55−110340号に
おいて新しい原理に基づく磁気再生装置を提案し
ている。この装置は磁気記録媒体からの磁界の変
化を透磁率や高周波損失等の特性変化として検出
する磁性体を設け、この磁性体に巻回したコイル
のインダクタンス変化を利用して再生を行なうも
のである。即ち、上記コイルはキヤパシタンス素
子とともに同調回路を構成し、この同調回路には
高周波発振器から高周波信号が供給される。この
場合、磁気記録媒体からの磁界によつて上記磁性
体の特性が変化し、これに巻回したコイルのイン
ダクタンスが変化すると、これに伴い同調回路の
共振同波数やＱ（尖鋭度）が変化するので、同調
回路よりの高周波信号出力が変化する。従つてこ
の高周波信号出力の変化を検波回路を通して検出
することにより、磁気記録媒体に記録された信号
に対応した再生出力が得られる。
おいて新しい原理に基づく磁気再生装置を提案し
ている。この装置は磁気記録媒体からの磁界の変
化を透磁率や高周波損失等の特性変化として検出
する磁性体を設け、この磁性体に巻回したコイル
のインダクタンス変化を利用して再生を行なうも
のである。即ち、上記コイルはキヤパシタンス素
子とともに同調回路を構成し、この同調回路には
高周波発振器から高周波信号が供給される。この
場合、磁気記録媒体からの磁界によつて上記磁性
体の特性が変化し、これに巻回したコイルのイン
ダクタンスが変化すると、これに伴い同調回路の
共振同波数やＱ（尖鋭度）が変化するので、同調
回路よりの高周波信号出力が変化する。従つてこ
の高周波信号出力の変化を検波回路を通して検出
することにより、磁気記録媒体に記録された信号
に対応した再生出力が得られる。
この方式によれば、磁気記録媒体が形成する磁
界のわずかな変化も磁性体の特性変化として検出
され、再生出力として取出されるとともに、再生
出力エネルギーが高周波発振器から供給されるの
で、高レベルかつＳ／Ｎの良好な再生出力を得る
ことができ、記録トラツク幅を20μ以下にまで狭
くしても十分に再生を行なうことが可能となる。
界のわずかな変化も磁性体の特性変化として検出
され、再生出力として取出されるとともに、再生
出力エネルギーが高周波発振器から供給されるの
で、高レベルかつＳ／Ｎの良好な再生出力を得る
ことができ、記録トラツク幅を20μ以下にまで狭
くしても十分に再生を行なうことが可能となる。
以上のように、特願昭55−110340号で提案した
方式は原理的に従来の磁気再生装置に比べ高密度
記録再生に適しているが、その高密度化にはやは
り限界がある。即ち、記録密度を上げるには記録
トラツク幅を狭くするとともに、記録波長を短く
すればよいが、その場合上記の方式で再生を行な
おうとすると、記録トラツク幅に合せて磁性体の
幅を小さくし、かつ短い記録波長に合せて磁性体
の厚さも小さくする必要がある。磁性体の厚さを
小さくする理由は、磁気記録媒体が形成する磁界
が表面近傍程度強く、しかも記録波長が短い程、
つまり記録信号周波数が高い程その傾向が強いた
めで、この厚さが大きくなると磁界が磁性体の一
部にしか及ばず、磁界の変化による磁性体の特性
変化が小さくなるからである。
方式は原理的に従来の磁気再生装置に比べ高密度
記録再生に適しているが、その高密度化にはやは
り限界がある。即ち、記録密度を上げるには記録
トラツク幅を狭くするとともに、記録波長を短く
すればよいが、その場合上記の方式で再生を行な
おうとすると、記録トラツク幅に合せて磁性体の
幅を小さくし、かつ短い記録波長に合せて磁性体
の厚さも小さくする必要がある。磁性体の厚さを
小さくする理由は、磁気記録媒体が形成する磁界
が表面近傍程度強く、しかも記録波長が短い程、
つまり記録信号周波数が高い程その傾向が強いた
めで、この厚さが大きくなると磁界が磁性体の一
部にしか及ばず、磁界の変化による磁性体の特性
変化が小さくなるからである。
このように、より高密度記録再生を行なおうと
すると磁性体の寸法を極力小さくする必要があ
り、それに伴い磁性体に巻回されるコイルの寸法
も小さくしなければならない。このコイルの寸法
を小さくしてゆくと、第１にその直流抵抗の増大
によりＱが低下する。同調回路のＱはこのコイル
自体のＱによつて制限されているので、結局磁気
記録媒体からの磁界による磁性体の特性変化を効
率よく電気信号に変換することが困難となつてく
る。また磁性体の寸法を極めて小さくすると、コ
イルの実効容積と磁性体の容積比、いわゆる充填
率が低下し、これも再生感度の低下の原因とな
る。例えば磁性体の寸法がミリメートルオーダの
場合は、コイルを磁性体に密着巻きすることがで
きるため、充填率をほぼ１にすることは容易であ
る。ところが、高密度記録再生を行なうべく通常
の磁気ヘツドのキヤツプ長に相当する磁性体の厚
みをミクロンオーダのように極めて薄くすると、
磁性体に巻回されるコイルの厚みも同じ寸法とす
れば厚み方向で考えた充填率は1/2となる。磁性
体の厚みがさらにサブミクロンオーダにもなる
と、この充填率の低下ひいては再生感度の低下は
一層顕著となる。
すると磁性体の寸法を極力小さくする必要があ
り、それに伴い磁性体に巻回されるコイルの寸法
も小さくしなければならない。このコイルの寸法
を小さくしてゆくと、第１にその直流抵抗の増大
によりＱが低下する。同調回路のＱはこのコイル
自体のＱによつて制限されているので、結局磁気
記録媒体からの磁界による磁性体の特性変化を効
率よく電気信号に変換することが困難となつてく
る。また磁性体の寸法を極めて小さくすると、コ
イルの実効容積と磁性体の容積比、いわゆる充填
率が低下し、これも再生感度の低下の原因とな
る。例えば磁性体の寸法がミリメートルオーダの
場合は、コイルを磁性体に密着巻きすることがで
きるため、充填率をほぼ１にすることは容易であ
る。ところが、高密度記録再生を行なうべく通常
の磁気ヘツドのキヤツプ長に相当する磁性体の厚
みをミクロンオーダのように極めて薄くすると、
磁性体に巻回されるコイルの厚みも同じ寸法とす
れば厚み方向で考えた充填率は1/2となる。磁性
体の厚みがさらにサブミクロンオーダにもなる
と、この充填率の低下ひいては再生感度の低下は
一層顕著となる。
この発明の目的は、記録トラツク幅が非常に狭
い場合でも十分レベルの大きい再生出力をＳ／Ｎ
よく得ることができる磁気再生装置を提供するこ
とである。
い場合でも十分レベルの大きい再生出力をＳ／Ｎ
よく得ることができる磁気再生装置を提供するこ
とである。
この発明は、磁気記録媒体が形成する磁界の変
化により透磁率が変化する磁性体を含む電極間物
質を一対の板状電極の間に配置して、磁性体の透
磁率変化によりキヤパシタンスが変化するキヤパ
シタンス素子を構成すると共に、このキヤパシタ
ンス素子を同調素子としてインダクタンス素子と
共に構成し、この同調回路に高周波信号を供給す
ると共に、キヤパシタンス素子のキヤパシタンス
変化に伴う該同調回路の同調周波数の変化による
高周波信号出力の変化を検出して磁気記録媒体に
記録された信号を再生するようにしたことを特徴
としている。
化により透磁率が変化する磁性体を含む電極間物
質を一対の板状電極の間に配置して、磁性体の透
磁率変化によりキヤパシタンスが変化するキヤパ
シタンス素子を構成すると共に、このキヤパシタ
ンス素子を同調素子としてインダクタンス素子と
共に構成し、この同調回路に高周波信号を供給す
ると共に、キヤパシタンス素子のキヤパシタンス
変化に伴う該同調回路の同調周波数の変化による
高周波信号出力の変化を検出して磁気記録媒体に
記録された信号を再生するようにしたことを特徴
としている。
即ち、一般にキヤパシタンス素子に交流電圧を
印加すると、電極間物質内には導電電流と変位電
流が流れる。これら両電流は電極間物質の物質定
数によつてそれぞれ大きさが異なるが、それらの
和はキヤパシタンス素子の両端の導線を流れる導
電電流に等しい。そしてこれら両電流はいずれも
キヤパシタンス素子内に磁界を発生せしめること
ができる。従つて電極間物質の導電率が極めて小
さい場合は、キヤパシタンス素子には変位電流だ
けが流れこれが該物質中に交流磁界を発生させる
ことになる。
印加すると、電極間物質内には導電電流と変位電
流が流れる。これら両電流は電極間物質の物質定
数によつてそれぞれ大きさが異なるが、それらの
和はキヤパシタンス素子の両端の導線を流れる導
電電流に等しい。そしてこれら両電流はいずれも
キヤパシタンス素子内に磁界を発生せしめること
ができる。従つて電極間物質の導電率が極めて小
さい場合は、キヤパシタンス素子には変位電流だ
けが流れこれが該物質中に交流磁界を発生させる
ことになる。
ここで、この電流間物質として導電損失が低
く、しかも磁界による透磁率や高周波損失の大き
な磁性体を選んでキヤパシタンス素子を構成する
と、これに高周波電流を流すことともに、外部か
ら磁界を加えた場合、磁性体の透磁率や高周波損
失が変化する。これは見方をかえれば、キヤパシ
タンス素子の見掛けのキヤパシタンスや高周波損
失が外部磁界の変化によつて変調されると考える
ことができる。従つて、このキヤパシタンス素子
を同調素子として同調回路を構成すれば、この同
調回路の高周波信号出力は外部磁界つまり磁気記
録媒体が形成する磁界によつて変化されるので、
この変化を検出することによつて再生を行なうこ
とが可能である。
く、しかも磁界による透磁率や高周波損失の大き
な磁性体を選んでキヤパシタンス素子を構成する
と、これに高周波電流を流すことともに、外部か
ら磁界を加えた場合、磁性体の透磁率や高周波損
失が変化する。これは見方をかえれば、キヤパシ
タンス素子の見掛けのキヤパシタンスや高周波損
失が外部磁界の変化によつて変調されると考える
ことができる。従つて、このキヤパシタンス素子
を同調素子として同調回路を構成すれば、この同
調回路の高周波信号出力は外部磁界つまり磁気記
録媒体が形成する磁界によつて変化されるので、
この変化を検出することによつて再生を行なうこ
とが可能である。
この発明によれば、磁気記録媒体が形成する磁
界を検出する磁性体を同調回路におけるキヤパシ
タンス素子として用いるため、磁性体にコイルを
巻回してインダクタンス素子として用いる場合に
比べて、超高密度記録再生に対応すべく磁性体の
寸法を小さくしても同調回路のＱを低下させるこ
とがなく、勿論インダクタンス素子の場合の充填
率の問題を考慮する必要もない。従つて、記録ト
ラツク幅が20μｍ以下というような超高密度記録
再生においても再生感度の低下がなく、高レベル
かつＳ／Ｎの良好な再生出力を得ることができ
る。
界を検出する磁性体を同調回路におけるキヤパシ
タンス素子として用いるため、磁性体にコイルを
巻回してインダクタンス素子として用いる場合に
比べて、超高密度記録再生に対応すべく磁性体の
寸法を小さくしても同調回路のＱを低下させるこ
とがなく、勿論インダクタンス素子の場合の充填
率の問題を考慮する必要もない。従つて、記録ト
ラツク幅が20μｍ以下というような超高密度記録
再生においても再生感度の低下がなく、高レベル
かつＳ／Ｎの良好な再生出力を得ることができ
る。
第１図は本発明の一実施例を示すものである。
図において板状の磁性体１１はその両面に板状金
属電極１２，１３が披着されることによつてキヤ
パシタンス素子１０を形成し、このキヤパシタン
ス素子１０は同調用インダクタンス素子１４と共
にLC並列同調回路を構成する。この同調回路の
一端は整合用コンデンサ１５を介して高周波発振
器１６に接続され、他端は接地されている。同調
回路の一端にはさらにダイオード１７と抵抗１８
及びコンデンサ１９からなるピーク検波回路２０
が接続されている。
図において板状の磁性体１１はその両面に板状金
属電極１２，１３が披着されることによつてキヤ
パシタンス素子１０を形成し、このキヤパシタン
ス素子１０は同調用インダクタンス素子１４と共
にLC並列同調回路を構成する。この同調回路の
一端は整合用コンデンサ１５を介して高周波発振
器１６に接続され、他端は接地されている。同調
回路の一端にはさらにダイオード１７と抵抗１８
及びコンデンサ１９からなるピーク検波回路２０
が接続されている。
このように構成された磁気再生装置において、
信号が記録された磁気記録媒体２１に前記キヤパ
シタンス素子１０を図のように対向させると、磁
気記録媒体１０からの記録信号に応じて変化する
磁界が磁性体１１に加わり、これにより磁性体１
１の透磁率μが第２図に示す如く変化する。ここ
で磁性体１１としてμの変化が大きく、しかも導
電率の極めて小さい材料、例えば薄膜化したスピ
ネル系あるいはガーネツト系統等のフエライトを
選択し、高周波損失の生じない周波数領域で用い
ると、磁性体１１の透磁率μの変化によつて磁性
体１１が形成するキヤパシタンス素子１０の見掛
けのキヤパシタンスが大きく変化し、これによつ
てこのキヤパシタンス素子１０とインダクタンス
素子１４とで構成される同調回路の同調周波数が
変化する。例えばこの同調同調回路の初期の同調
周波数を第３図ａ実線の特性曲線で示す如くr0
と設定しておくと、キヤパシタンス素子１０のキ
ヤパシタンスが変化することによりその同調周波
数が第５図ａの破線の特性曲線で示す如く′r0に
変化する。このため高周波発振器１６からこの同
調回路に供給される高周波信号の周波数を第３図
ａのfr1の如く設定すると、同調回路の両端に発
生する電圧はV1からV2の如く変化する。従つて
高周波発振器１６の出力は同調回路で第３図ｂの
ように、磁気記録媒体２１の記録信号により振幅
変調を受ける。この変調を受けた同調回路の高周
波信号出力は検出回路、例えばピーク検出回路２
０に供給されてそのピーク値が検出される。その
結果、第３図ｃに示すような検波出力、即ち信号
再生出力が得られる。
信号が記録された磁気記録媒体２１に前記キヤパ
シタンス素子１０を図のように対向させると、磁
気記録媒体１０からの記録信号に応じて変化する
磁界が磁性体１１に加わり、これにより磁性体１
１の透磁率μが第２図に示す如く変化する。ここ
で磁性体１１としてμの変化が大きく、しかも導
電率の極めて小さい材料、例えば薄膜化したスピ
ネル系あるいはガーネツト系統等のフエライトを
選択し、高周波損失の生じない周波数領域で用い
ると、磁性体１１の透磁率μの変化によつて磁性
体１１が形成するキヤパシタンス素子１０の見掛
けのキヤパシタンスが大きく変化し、これによつ
てこのキヤパシタンス素子１０とインダクタンス
素子１４とで構成される同調回路の同調周波数が
変化する。例えばこの同調同調回路の初期の同調
周波数を第３図ａ実線の特性曲線で示す如くr0
と設定しておくと、キヤパシタンス素子１０のキ
ヤパシタンスが変化することによりその同調周波
数が第５図ａの破線の特性曲線で示す如く′r0に
変化する。このため高周波発振器１６からこの同
調回路に供給される高周波信号の周波数を第３図
ａのfr1の如く設定すると、同調回路の両端に発
生する電圧はV1からV2の如く変化する。従つて
高周波発振器１６の出力は同調回路で第３図ｂの
ように、磁気記録媒体２１の記録信号により振幅
変調を受ける。この変調を受けた同調回路の高周
波信号出力は検出回路、例えばピーク検出回路２
０に供給されてそのピーク値が検出される。その
結果、第３図ｃに示すような検波出力、即ち信号
再生出力が得られる。
なお、上記実施例においては磁性体１１の透磁
率変化に基づくキヤパシタンス素子１０のキヤパ
シタンスの変化による同調周波数の変化を利用し
信号を再生する場合について説明したが、上記と
同様な構成により、磁性体１１の高周波損失の変
化による同調回路の尖鋭度Ｑの変化を利用して信
号再生を行なうことも可能である。すなわち磁気
記録媒体２１からの磁界が変化すると、磁性体１
１の磁化の状態に応じてその高周波損失が変化
し、これにより同調回路のＱが変化する。従つて
磁性体１１として磁界の変化による高周波損失の
変化が大きい材料、例えば前述したスピネル系あ
るいはガーネツト系等の薄膜化したフエライトな
どを適当な周波数の下で用いると、Ｑの大きな変
化が得られる。Ｑが変化すると同調回路の両端の
電圧は第４図ａに示すように変化する。従つて高
周波発振器１６の出力は第４図ｂに示すようにＱ
の変化により振幅変調を受けるので、これをピー
ク検波することにより第４図ｃに示すように再生
出力を得ることができる。
率変化に基づくキヤパシタンス素子１０のキヤパ
シタンスの変化による同調周波数の変化を利用し
信号を再生する場合について説明したが、上記と
同様な構成により、磁性体１１の高周波損失の変
化による同調回路の尖鋭度Ｑの変化を利用して信
号再生を行なうことも可能である。すなわち磁気
記録媒体２１からの磁界が変化すると、磁性体１
１の磁化の状態に応じてその高周波損失が変化
し、これにより同調回路のＱが変化する。従つて
磁性体１１として磁界の変化による高周波損失の
変化が大きい材料、例えば前述したスピネル系あ
るいはガーネツト系等の薄膜化したフエライトな
どを適当な周波数の下で用いると、Ｑの大きな変
化が得られる。Ｑが変化すると同調回路の両端の
電圧は第４図ａに示すように変化する。従つて高
周波発振器１６の出力は第４図ｂに示すようにＱ
の変化により振幅変調を受けるので、これをピー
ク検波することにより第４図ｃに示すように再生
出力を得ることができる。
ここで一例として導電損失の低い磁性体１１
（例えばアルミニウム置換型イツトリウム鉄ガー
ネツトフエライト）の両面を電極１２，１３で挟
み込んだキヤパシタンス素子１０に高周波電圧
（500MHz）を印加し、これに外部磁界を加えたと
きと加えないときのキヤパシタンス素子１０のイ
ンピーダンスの実数部分RHとROの比RH／ROを外
部磁界を変えて実測した結果を第５図に示す。但
し、磁性体１１としてはアルミニウム置換型イツ
トリウム鉄ガーネツトフエライトの10φ、1tの円
板試料を用い、外部磁界の印加方向は円板の半径
方向とした。これによると外部磁界を零から
80Oe程度まで上げるとRH／ROは75％程度と極め
て大きな変化を得ることができる。即ち、磁性体
１１中において所謂直流抵抗の磁界による変化お
よび導電電流は無視できるために導電損失は低
く、RH／ROは両電極１２，１３間に流れる変位
電流によつて生じる高周波磁界と磁性体１１の相
互作用に起因する高周波磁気損失に基づくインピ
ーダンス見掛けの抵抗分の変化と考れられる。
（例えばアルミニウム置換型イツトリウム鉄ガー
ネツトフエライト）の両面を電極１２，１３で挟
み込んだキヤパシタンス素子１０に高周波電圧
（500MHz）を印加し、これに外部磁界を加えたと
きと加えないときのキヤパシタンス素子１０のイ
ンピーダンスの実数部分RHとROの比RH／ROを外
部磁界を変えて実測した結果を第５図に示す。但
し、磁性体１１としてはアルミニウム置換型イツ
トリウム鉄ガーネツトフエライトの10φ、1tの円
板試料を用い、外部磁界の印加方向は円板の半径
方向とした。これによると外部磁界を零から
80Oe程度まで上げるとRH／ROは75％程度と極め
て大きな変化を得ることができる。即ち、磁性体
１１中において所謂直流抵抗の磁界による変化お
よび導電電流は無視できるために導電損失は低
く、RH／ROは両電極１２，１３間に流れる変位
電流によつて生じる高周波磁界と磁性体１１の相
互作用に起因する高周波磁気損失に基づくインピ
ーダンス見掛けの抵抗分の変化と考れられる。
上述した２つの再生方式、即ち磁性体１１の透
磁性の変化に基づくキヤパシタンス素子１０のキ
ヤパシタンスの変化による同調周波数の変化を利
用した再生方式、および磁性体１１の高周波損失
による同調回路のＱの変化を利用した再生方式
は、どちらか一方のみを選択的に使用することも
できるが、同調回路の同調周波数の変化およびＱ
の変化という現象は同時に起こり得るので、この
２つの現象を同時に利用してピーク検波回路２０
で同調回路の高周波信号出力の変化を検出するこ
とで再生を行なつても良い。
磁性の変化に基づくキヤパシタンス素子１０のキ
ヤパシタンスの変化による同調周波数の変化を利
用した再生方式、および磁性体１１の高周波損失
による同調回路のＱの変化を利用した再生方式
は、どちらか一方のみを選択的に使用することも
できるが、同調回路の同調周波数の変化およびＱ
の変化という現象は同時に起こり得るので、この
２つの現象を同時に利用してピーク検波回路２０
で同調回路の高周波信号出力の変化を検出するこ
とで再生を行なつても良い。
また上記実施例では低磁界における透磁率の変
化、高周波損失分の変化を利用した場合を想定し
ているが、高磁界において生じる磁気共鳴吸収現
象に基づく透磁率、高周波損失の変化を利用する
ことも可能である。
化、高周波損失分の変化を利用した場合を想定し
ているが、高磁界において生じる磁気共鳴吸収現
象に基づく透磁率、高周波損失の変化を利用する
ことも可能である。
第６図は或る高周波数におけるテンソル透磁率
μ′およびその損失項μ″が外部磁界により変化する
様子を示している。この図で外部磁界の正方向と
しては磁性体の磁化ベクトルの才差運動の向き、
回転数と、高周波の円偏波の向き、回転数とが一
致する共振の生ずる側をとつた。この図からわか
るように、一般に磁性体においては低磁界におい
て透磁率μ（テンソル透磁率μ′）や損失μ″が変化
する特性Ｌを示すほか、高磁界においては共鳴吸
収という現象を生じテンソル透磁率μ′や損失（共
鳴損失）が変化する特性Ｋを示す。従つて、この
共鳴吸収部を利用して前述と同様の再生を行うこ
とができる。この場合、予め磁性体にバイアス磁
界を加えておく必要がある。バイアス磁界のかけ
方としては永久磁石あるいは電磁石により直流又
は必要に応じ交流磁界を磁性体にかければよい。
この場合共鳴磁界HR（ｚ方向）はこれに直交する
ｘ−ｙ平面に加える高周波磁界の周波数をｆとす
ると、以下の関係になる。
μ′およびその損失項μ″が外部磁界により変化する
様子を示している。この図で外部磁界の正方向と
しては磁性体の磁化ベクトルの才差運動の向き、
回転数と、高周波の円偏波の向き、回転数とが一
致する共振の生ずる側をとつた。この図からわか
るように、一般に磁性体においては低磁界におい
て透磁率μ（テンソル透磁率μ′）や損失μ″が変化
する特性Ｌを示すほか、高磁界においては共鳴吸
収という現象を生じテンソル透磁率μ′や損失（共
鳴損失）が変化する特性Ｋを示す。従つて、この
共鳴吸収部を利用して前述と同様の再生を行うこ
とができる。この場合、予め磁性体にバイアス磁
界を加えておく必要がある。バイアス磁界のかけ
方としては永久磁石あるいは電磁石により直流又
は必要に応じ交流磁界を磁性体にかければよい。
この場合共鳴磁界HR（ｚ方向）はこれに直交する
ｘ−ｙ平面に加える高周波磁界の周波数をｆとす
ると、以下の関係になる。
＝ｒ√｛R＋X−Z）S｝｛
R＋y−z）S｝ ｒ：ジヤイロマグネテイツク比で通常 2.8M
Hz／Oe Nx.y.z：共鳴磁界（外部磁界）の方向をｚ方向と
した場合の反磁界係数でNx＋Ny＋Nz＝4π MS：飽和磁化 ここで例えば面状の磁性体（Nx4π、Ny＝Nz＝
０）の軸に沿つて外部磁界を加える場合、上記の
式は ＝ｒ√｛R（R＋4S） となり、適当な飽和磁化値を選べば共鳴磁界HR
を磁気記録媒体の保持力300Oe〜500Oe以下にし
て記録状態を野保持することが容易である。例え
ば＝280MHzとすると飽和磁化が1000ガウスの
磁性材料、例えばアルミニウム置換型イツトリウ
ム鉄ガーネツトを面状にして10Oeを加えて実現
できる。従つて10Oe近傍にバイアス磁界を設定
しておくと共鳴現象によるテンソル透磁率又はそ
の損失分の変化がとり出し易くなる。なお10Oe
より低く、飽和状態に達しない保磁力を下廻るバ
イアス磁界（無バイアス磁界状態も含めて）に設
定すれば、前述したように低磁界損失の変化をと
り出すことが容易になる。
R＋y−z）S｝ ｒ：ジヤイロマグネテイツク比で通常 2.8M
Hz／Oe Nx.y.z：共鳴磁界（外部磁界）の方向をｚ方向と
した場合の反磁界係数でNx＋Ny＋Nz＝4π MS：飽和磁化 ここで例えば面状の磁性体（Nx4π、Ny＝Nz＝
０）の軸に沿つて外部磁界を加える場合、上記の
式は ＝ｒ√｛R（R＋4S） となり、適当な飽和磁化値を選べば共鳴磁界HR
を磁気記録媒体の保持力300Oe〜500Oe以下にし
て記録状態を野保持することが容易である。例え
ば＝280MHzとすると飽和磁化が1000ガウスの
磁性材料、例えばアルミニウム置換型イツトリウ
ム鉄ガーネツトを面状にして10Oeを加えて実現
できる。従つて10Oe近傍にバイアス磁界を設定
しておくと共鳴現象によるテンソル透磁率又はそ
の損失分の変化がとり出し易くなる。なお10Oe
より低く、飽和状態に達しない保磁力を下廻るバ
イアス磁界（無バイアス磁界状態も含めて）に設
定すれば、前述したように低磁界損失の変化をと
り出すことが容易になる。
第７図はキヤパシタンス素子１０の他の構成例
を示している。同図ａはキヤパシタンス素子１０
の電極間物質を磁性体１１と誘電体２２との積層
体によつて形成したものである。磁性体１１の材
料は例えば典型的高周波材料であるフエライト
で、導電性はなく、一方、誘電体２２としては
SiO2等無機質系又はポリスチロール等の有機質
系の誘電体が目的に応じて選択できる。それぞれ
厚み、積層数も目的に応じて定められる。このよ
うな構成をとることによつてキヤパシタンス素子
１０の実効的な誘電率が増大し、これによつて電
束密度が大きくなるために、磁性体１１にはこの
電束率度の時間微分に相当する高周波磁界がその
分だけ強く加わるという利点がある。同図ｂは磁
性体１１を粉体状にして、これを誘電体２２中に
混合してキヤパシタンス素子１０の電極間物質と
したもので、ａと同様の効果を有するものであ
る。
を示している。同図ａはキヤパシタンス素子１０
の電極間物質を磁性体１１と誘電体２２との積層
体によつて形成したものである。磁性体１１の材
料は例えば典型的高周波材料であるフエライト
で、導電性はなく、一方、誘電体２２としては
SiO2等無機質系又はポリスチロール等の有機質
系の誘電体が目的に応じて選択できる。それぞれ
厚み、積層数も目的に応じて定められる。このよ
うな構成をとることによつてキヤパシタンス素子
１０の実効的な誘電率が増大し、これによつて電
束密度が大きくなるために、磁性体１１にはこの
電束率度の時間微分に相当する高周波磁界がその
分だけ強く加わるという利点がある。同図ｂは磁
性体１１を粉体状にして、これを誘電体２２中に
混合してキヤパシタンス素子１０の電極間物質と
したもので、ａと同様の効果を有するものであ
る。
また、同図ｃはキヤパシタンス素子１０の実効
的な誘電率をさらに増大せしめるためにｂに加え
てさらに金属粉２３を磁性体粉１１といつしよに
誘電体２２中に混合したものである。なお、これ
ら第６図ａ，ｂ，ｃいずれの場合も必要に応じて
磁性体１１として複数種類の磁性材料を用いて差
支えない。
的な誘電率をさらに増大せしめるためにｂに加え
てさらに金属粉２３を磁性体粉１１といつしよに
誘電体２２中に混合したものである。なお、これ
ら第６図ａ，ｂ，ｃいずれの場合も必要に応じて
磁性体１１として複数種類の磁性材料を用いて差
支えない。
第１図はこの発明の一実施例を示す図、第２図
は磁界の変化に対する磁性体の透磁率μの変化を
示す図、第３図ａは同調回路の同調周波数の変化
により同調回路の両端の電圧が変化する様子を示
す図、第３図ｂは記録媒体に記録された信号によ
り振幅変調を受けた高周波発振信号波形を示す
図、第３図ｅはそのピーク検波波形図、第４図ａ
は同調回路の尖鋭度Ｑの変化により同調回路の両
端の電圧が変化する様子を示す図、第４図ｂは記
録媒体に記録された信号により振幅変調を受けた
高周波発振信号波形を示す図、第４図ｃはそのピ
ーク検波波形図、第５図は磁性体を電極間物質と
して含むキヤパシタンス素子の高周波電圧印加状
態において外部磁界を加えたときと加えないとき
のインピーダンスの実数部分RHとROを外部磁界
を変えて実測した結果を示す図、第６図は磁界の
大きさに対するテンソル透磁率μ′および損失分
μ″の関係を示す図、第７図ａ，ｂ，ｃはこの発明
において用いるキヤパシタンス素子の他の構成例
を示す断面図である。 １０……キヤパシタンス素子、１１……磁性
体、１２，１３……電極、１４……同調用インダ
クタンス素子、１５……整合用コンデンサ、１６
……高周波発振器、２０……ピーク検波回路（検
出回路）、２１……磁気記録媒体、２２……誘電
体、２３……金属粉。
は磁界の変化に対する磁性体の透磁率μの変化を
示す図、第３図ａは同調回路の同調周波数の変化
により同調回路の両端の電圧が変化する様子を示
す図、第３図ｂは記録媒体に記録された信号によ
り振幅変調を受けた高周波発振信号波形を示す
図、第３図ｅはそのピーク検波波形図、第４図ａ
は同調回路の尖鋭度Ｑの変化により同調回路の両
端の電圧が変化する様子を示す図、第４図ｂは記
録媒体に記録された信号により振幅変調を受けた
高周波発振信号波形を示す図、第４図ｃはそのピ
ーク検波波形図、第５図は磁性体を電極間物質と
して含むキヤパシタンス素子の高周波電圧印加状
態において外部磁界を加えたときと加えないとき
のインピーダンスの実数部分RHとROを外部磁界
を変えて実測した結果を示す図、第６図は磁界の
大きさに対するテンソル透磁率μ′および損失分
μ″の関係を示す図、第７図ａ，ｂ，ｃはこの発明
において用いるキヤパシタンス素子の他の構成例
を示す断面図である。 １０……キヤパシタンス素子、１１……磁性
体、１２，１３……電極、１４……同調用インダ
クタンス素子、１５……整合用コンデンサ、１６
……高周波発振器、２０……ピーク検波回路（検
出回路）、２１……磁気記録媒体、２２……誘電
体、２３……金属粉。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 磁気記録媒体が形成する磁界の変化により透
磁率が変化する磁性体を含む電極間物質を一対の
板状電極の間に配置して構成され、磁性体の透磁
率変化によりキヤパシタンスが変化するキヤパシ
タンス素子と、 このキヤパシタンス素子を同調素子としてイン
ダクタンス素子と共に構成された同調回路と、 この同調回路に高周波信号を供給する手段と、 前記同調回路の前記キヤパシタンス素子のキヤ
パシタンス変化に伴う同調周波数の変化による高
周波信号出力の変化を検出して前記磁気記録媒体
に記録された信号を再生する検出回路と を備えることを特徴とする磁気再生装置。 ２ キヤパシタンス素子は、磁性体と誘電体との
積層体を電極間物質とするものであることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の磁気再生装
置。 ３ キヤパシタンス素子は、磁性体と誘電体との
混合物を電極間物質とするものであることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の磁気再生装
置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57065448A JPS58185007A (ja) | 1982-04-21 | 1982-04-21 | 磁気再生装置 |
| EP83302082A EP0092371B1 (en) | 1982-04-21 | 1983-04-13 | Magnetic reproduction system |
| DE8383302082T DE3372883D1 (en) | 1982-04-21 | 1983-04-13 | Magnetic reproduction system |
| US06/485,060 US4593332A (en) | 1982-04-21 | 1983-04-14 | Magnetic reproduction system utilizing magnetic body as capacitor |
| CA000426256A CA1202716A (en) | 1982-04-21 | 1983-04-20 | Magnetic reproduction system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57065448A JPS58185007A (ja) | 1982-04-21 | 1982-04-21 | 磁気再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58185007A JPS58185007A (ja) | 1983-10-28 |
| JPH0370844B2 true JPH0370844B2 (ja) | 1991-11-11 |
Family
ID=13287424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57065448A Granted JPS58185007A (ja) | 1982-04-21 | 1982-04-21 | 磁気再生装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4593332A (ja) |
| EP (1) | EP0092371B1 (ja) |
| JP (1) | JPS58185007A (ja) |
| CA (1) | CA1202716A (ja) |
| DE (1) | DE3372883D1 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5015953A (en) * | 1986-07-31 | 1991-05-14 | Security Tag Systems, Inc. | Magnetometer for detecting DC magnetic field variations |
| FR2624980B1 (fr) * | 1987-12-16 | 1990-03-02 | Commissariat Energie Atomique | Magnetometre vectoriel continu a capteur capacitif magnetostrictif et gradientmetre comportant application de ce capteur |
| US5390061A (en) | 1990-06-08 | 1995-02-14 | Hitachi, Ltd. | Multilayer magnetoresistance effect-type magnetic head |
| JPH04102215A (ja) * | 1990-08-21 | 1992-04-03 | Sony Corp | 磁気ヘッド |
| US5434832A (en) * | 1992-11-25 | 1995-07-18 | Gte Vantage Incorporated | Automated cassette library apparatus for transporting a cassette along three perpendicular axes |
| JP3639407B2 (ja) * | 1996-05-10 | 2005-04-20 | キヤノン電子株式会社 | 磁気ヘッド |
| KR100296301B1 (ko) * | 1998-11-19 | 2001-08-07 | 구자홍 | 모니터의지자계자동보정장치 |
| EP1045375A3 (en) * | 1999-04-15 | 2006-03-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic reproduction device, magnetic head using the device and method for producing the magnetic head |
| US6906909B2 (en) * | 2003-10-23 | 2005-06-14 | John E. Stauffer | A C capacitor |
| US20100079908A1 (en) * | 2008-09-29 | 2010-04-01 | Infinitum Solutions, Inc. | Determining A Magnetic Sample Characteristic Using A Magnetic Field From A Domain Wall |
| US8259409B2 (en) * | 2009-06-25 | 2012-09-04 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Spin torque oscillator sensor |
| US8432644B2 (en) * | 2009-06-25 | 2013-04-30 | HGST Netherlands B.V. | Spin torque oscillator sensor enhanced by magnetic anisotropy |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2918534A (en) * | 1954-03-26 | 1959-12-22 | Armour Res Found | Coil-less playback head |
| US3842407A (en) * | 1972-06-30 | 1974-10-15 | Ibm | Inductive sensor for magnetic bubble domain detection |
| US4182987A (en) * | 1977-09-21 | 1980-01-08 | Eastman Kodak Company | Magnetometer employing hard axis thin film inductor |
| US4120011A (en) * | 1977-09-21 | 1978-10-10 | Eastman Kodak Company | Magnetic head employing easy axis thin film inductor |
| NL7806568A (nl) * | 1978-06-19 | 1979-12-21 | Philips Nv | Magnetoweerstand leeskop. |
| US4286216A (en) * | 1978-11-15 | 1981-08-25 | Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Ferromagnetic resonance probe and method for flaw testing in metals |
| JPS5736407A (en) * | 1980-08-13 | 1982-02-27 | Toshiba Corp | Magnetic reproducer |
-
1982
- 1982-04-21 JP JP57065448A patent/JPS58185007A/ja active Granted
-
1983
- 1983-04-13 DE DE8383302082T patent/DE3372883D1/de not_active Expired
- 1983-04-13 EP EP83302082A patent/EP0092371B1/en not_active Expired
- 1983-04-14 US US06/485,060 patent/US4593332A/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-04-20 CA CA000426256A patent/CA1202716A/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0092371B1 (en) | 1987-08-05 |
| EP0092371A3 (en) | 1984-10-24 |
| EP0092371A2 (en) | 1983-10-26 |
| US4593332A (en) | 1986-06-03 |
| JPS58185007A (ja) | 1983-10-28 |
| DE3372883D1 (en) | 1987-09-10 |
| CA1202716A (en) | 1986-04-01 |
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