JPH0371641B2 - - Google Patents
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- JPH0371641B2 JPH0371641B2 JP57024939A JP2493982A JPH0371641B2 JP H0371641 B2 JPH0371641 B2 JP H0371641B2 JP 57024939 A JP57024939 A JP 57024939A JP 2493982 A JP2493982 A JP 2493982A JP H0371641 B2 JPH0371641 B2 JP H0371641B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating resin
- film
- creep
- solid powder
- strain sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/20—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress
- G01L1/22—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
- G01L1/2287—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges constructional details of the strain gauges
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49082—Resistor making
- Y10T29/49103—Strain gauge making
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measurement Of Force In General (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ロードセル秤等への利用に適した歪
センサに関するものである。
センサに関するものである。
従来、薄膜抵抗体を有する歪センサにおいて
は、起歪部を備えたビーム体にSiO2やAl2O3や
Ta2O5などの無機酸化物による絶縁膜が形成さ
れ、この絶縁膜上に薄膜抵抗体が形成されてい
る。このような絶縁膜や薄膜抵抗体は真空槽中で
スパツタリングや蒸着等の手段によりビーム体の
表面に形成するものであるが、クリープ現象が生
じると云う欠点を有する。すなわち、歪センサに
おけるクリープとは、その歪センサに印加された
荷重に比例した歪量が時間により変化する現象を
云う。このとき、ビーム体の歪は絶縁膜を介して
薄膜低抗体に伝達されるものであり、クリープ現
象は絶縁膜の特性に大部分起因する。もちろん、
薄膜低抗体の材質や膜厚およびそのパターンの形
状、ビーム体の形状や材質等もクリープ現象には
関連がある。
は、起歪部を備えたビーム体にSiO2やAl2O3や
Ta2O5などの無機酸化物による絶縁膜が形成さ
れ、この絶縁膜上に薄膜抵抗体が形成されてい
る。このような絶縁膜や薄膜抵抗体は真空槽中で
スパツタリングや蒸着等の手段によりビーム体の
表面に形成するものであるが、クリープ現象が生
じると云う欠点を有する。すなわち、歪センサに
おけるクリープとは、その歪センサに印加された
荷重に比例した歪量が時間により変化する現象を
云う。このとき、ビーム体の歪は絶縁膜を介して
薄膜低抗体に伝達されるものであり、クリープ現
象は絶縁膜の特性に大部分起因する。もちろん、
薄膜低抗体の材質や膜厚およびそのパターンの形
状、ビーム体の形状や材質等もクリープ現象には
関連がある。
本発明は、このような点に鑑みなされたもの
で、クリープの影響のない歪センサを得ることを
目的とする。
で、クリープの影響のない歪センサを得ることを
目的とする。
本発明は、起歪部を有するビーム体の表面に絶
縁樹脂を塗布して絶縁樹脂膜を直接形成し、この
絶縁樹脂膜上に薄膜低抗体を直接形成したものに
おいて、前記絶縁樹脂膜を所定量の固体粉末を含
む絶縁樹脂により形成したものである。したがつ
て、絶縁樹脂に混合する固体粉末の量を適宜調節
することによりクリープの調整をすることがで
き、これにより、実質的にクリープのない状態を
得ることができるように構成したものである。
縁樹脂を塗布して絶縁樹脂膜を直接形成し、この
絶縁樹脂膜上に薄膜低抗体を直接形成したものに
おいて、前記絶縁樹脂膜を所定量の固体粉末を含
む絶縁樹脂により形成したものである。したがつ
て、絶縁樹脂に混合する固体粉末の量を適宜調節
することによりクリープの調整をすることがで
き、これにより、実質的にクリープのない状態を
得ることができるように構成したものである。
本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
まず、ビーム体１はSUS630等によるステンレス
材で形成されている。すなわち、機械加工により
溝２で連設された二つの孔３，４が形成されて薄
肉の起歪部５，６，７，８が形成され、一方では
取付用の二個の孔９が形成され、他方では皿受フ
レームが取付けられる一個の受孔１０が形成され
ている。そして、熱処理により所定の弾性特性を
得た後にパターン形成面１１を研磨加工により形
成する。
まず、ビーム体１はSUS630等によるステンレス
材で形成されている。すなわち、機械加工により
溝２で連設された二つの孔３，４が形成されて薄
肉の起歪部５，６，７，８が形成され、一方では
取付用の二個の孔９が形成され、他方では皿受フ
レームが取付けられる一個の受孔１０が形成され
ている。そして、熱処理により所定の弾性特性を
得た後にパターン形成面１１を研磨加工により形
成する。
このようなビーム体１のパターン形成面１１に
は絶縁樹脂膜１２が形成されている。この絶縁樹
脂膜１２の形成手段とその組成については後述す
る。
は絶縁樹脂膜１２が形成されている。この絶縁樹
脂膜１２の形成手段とその組成については後述す
る。
この絶縁樹脂膜１２の上にはNiCr（Ni50ωt％、
Crωt％）による抵抗膜１３がスパツタリングに
より積層形成されている。この抵抗膜１３の厚さ
は、たとえば1000Åである。つぎに、リード電極
としてスパツタリングにより厚さ2μｍのAu膜１
４を前記抵抗膜１３の上に積層する。このような
抵抗膜１３とAu膜１４とは第４図ａに示すよう
にフオトエツチングにより所定のパターンを形成
する。そして、第４図ｂに示すように部分的に
Au膜１４のみをエツチングしてR1、R2、R3、R4
と表示した四個の薄膜抵抗体１５が形成される。
これらの薄膜抵抗体１５の位置は前記起歪部５，
６の上面に一致している。このような薄膜抵抗体
１５のそれぞれはRLと表示したリードパターン
１６によりプリツジ結合され、各リードパターン
１６の端部は、Vl +とVl -と表示した入力端子部１
７とVl +とVl -と表示した出力端子部１８とよりな
る。
Crωt％）による抵抗膜１３がスパツタリングに
より積層形成されている。この抵抗膜１３の厚さ
は、たとえば1000Åである。つぎに、リード電極
としてスパツタリングにより厚さ2μｍのAu膜１
４を前記抵抗膜１３の上に積層する。このような
抵抗膜１３とAu膜１４とは第４図ａに示すよう
にフオトエツチングにより所定のパターンを形成
する。そして、第４図ｂに示すように部分的に
Au膜１４のみをエツチングしてR1、R2、R3、R4
と表示した四個の薄膜抵抗体１５が形成される。
これらの薄膜抵抗体１５の位置は前記起歪部５，
６の上面に一致している。このような薄膜抵抗体
１５のそれぞれはRLと表示したリードパターン
１６によりプリツジ結合され、各リードパターン
１６の端部は、Vl +とVl -と表示した入力端子部１
７とVl +とVl -と表示した出力端子部１８とよりな
る。
しかして、前記絶縁樹脂膜１２の形成に当つて
は、ビーム体１のパターン形成面１１を平坦に研
磨加工した後に清浄に洗浄し、その上に形成す
る。まず、絶縁樹脂としては、たとてばポリイミ
ド樹脂が用いられ、固体粉末としては、たとえば
SiO2微粉末が用いられる。すなわち、ポリイミ
ドワニスの中に所定量のSiO2の微粉末を混合し
て均一に分散させる。そして、1000CP（センチポ
イズ）に調整した後にビース体１のパターン形成
面１１に滴下し、スピンナで1500r.p.mの回転速
度によつて均一な膜厚として塗布し、溶剤を乾燥
後に350℃で１時間加熱し、厚さ約4μｍの絶縁樹
脂膜１２を形成する。
は、ビーム体１のパターン形成面１１を平坦に研
磨加工した後に清浄に洗浄し、その上に形成す
る。まず、絶縁樹脂としては、たとてばポリイミ
ド樹脂が用いられ、固体粉末としては、たとえば
SiO2微粉末が用いられる。すなわち、ポリイミ
ドワニスの中に所定量のSiO2の微粉末を混合し
て均一に分散させる。そして、1000CP（センチポ
イズ）に調整した後にビース体１のパターン形成
面１１に滴下し、スピンナで1500r.p.mの回転速
度によつて均一な膜厚として塗布し、溶剤を乾燥
後に350℃で１時間加熱し、厚さ約4μｍの絶縁樹
脂膜１２を形成する。
このように絶縁樹脂膜１２中にSiO2等の固体
粉末をフイラーとして混合すると云うことは、荷
重印加時のクリープ量を調整するためのものであ
る。いま、固体粉末を混合しない場合、すなわ
ち、ポリイミド樹脂のみで絶縁樹脂膜１２を形成
した場合と、SiO2のみで絶縁樹脂膜１２を形成
した場合との二通りについて説明する。
粉末をフイラーとして混合すると云うことは、荷
重印加時のクリープ量を調整するためのものであ
る。いま、固体粉末を混合しない場合、すなわ
ち、ポリイミド樹脂のみで絶縁樹脂膜１２を形成
した場合と、SiO2のみで絶縁樹脂膜１２を形成
した場合との二通りについて説明する。
まず、第５図に示すものはビーム体１に
SUS630（JIS）を使用し、純粋のポリイミド樹脂
により厚さ約4μｍの絶縁樹脂膜１２に1000Åの
厚さの薄膜抵抗体１５を形成した場合である。荷
重を印加後に出力電圧V0はプラス方向に変化し、
荷重印加時と10分経過時とではΔV0なる出力電圧
変化が生じる。これがクリープ値である。また、
荷重を除去した後の零点の変化はΔV0′である。
ここで、ΔV0とΔV0′との絶対値は等しく符号は
反対である。
SUS630（JIS）を使用し、純粋のポリイミド樹脂
により厚さ約4μｍの絶縁樹脂膜１２に1000Åの
厚さの薄膜抵抗体１５を形成した場合である。荷
重を印加後に出力電圧V0はプラス方向に変化し、
荷重印加時と10分経過時とではΔV0なる出力電圧
変化が生じる。これがクリープ値である。また、
荷重を除去した後の零点の変化はΔV0′である。
ここで、ΔV0とΔV0′との絶対値は等しく符号は
反対である。
具体的な数値で表わすと、ビーム体１に荷重を
印加したとき、薄膜抵抗体１５の歪量がＥ＝Δl／ｌ ＝0.1％、そのゲージ率Ｋは1.8、入力電圧がVl＝
10000ｍＶとすると、出力電圧V0は、V0＝Vl・
Ｋ・ＥよりV0＝10×108×1.8×0.1×10-2＝18ｍＶ
である。このとき、クリープの実測値ΔV0＝＋
20μVであつた。すなわち、クリープはΔV0／V0
＝20／18000＝0.11％である。このクリープ値を
薄膜抵抗体１５の寸法変化に適用すると、薄膜抵
抗体１５が３mmの場合、 ΔE＝Ｅ×0.11％＝0.1×0.11＝11×10-7 したがつて、３mm×11×10-7＝33Åとなる。
印加したとき、薄膜抵抗体１５の歪量がＥ＝Δl／ｌ ＝0.1％、そのゲージ率Ｋは1.8、入力電圧がVl＝
10000ｍＶとすると、出力電圧V0は、V0＝Vl・
Ｋ・ＥよりV0＝10×108×1.8×0.1×10-2＝18ｍＶ
である。このとき、クリープの実測値ΔV0＝＋
20μVであつた。すなわち、クリープはΔV0／V0
＝20／18000＝0.11％である。このクリープ値を
薄膜抵抗体１５の寸法変化に適用すると、薄膜抵
抗体１５が３mmの場合、 ΔE＝Ｅ×0.11％＝0.1×0.11＝11×10-7 したがつて、３mm×11×10-7＝33Åとなる。
このように、クリープ量が0.11％の場合におい
ても非常にわずかな寸法変化しかない。しかも、
クリープ量0.11％の場合、歪センサとして使用す
るものとすれば、その精度が約1/1000であり、温
度変化や回路の誤差等の他の条件を含めるとさら
に精度の低いセンサしかできないことになる。実
用上の精度は1/3000、たとえば秤量３Kg、分解能
１ｇの秤が必要であり、さらにクリープ量を低減
させる必要がある。
ても非常にわずかな寸法変化しかない。しかも、
クリープ量0.11％の場合、歪センサとして使用す
るものとすれば、その精度が約1/1000であり、温
度変化や回路の誤差等の他の条件を含めるとさら
に精度の低いセンサしかできないことになる。実
用上の精度は1/3000、たとえば秤量３Kg、分解能
１ｇの秤が必要であり、さらにクリープ量を低減
させる必要がある。
つぎに、第６図に示すものはポリイミド樹脂の
代りに厚さ3μｍのSiO2膜を形成した場合であり、
クリープはΔV0／V0＝0.2％であつた。このよう
に出力電圧V0が時間とともに減少するのがマイ
ナスクリープである。この場合も精度1/3000のよ
うな高精度秤の歪センサに使用することはできな
いものである。
代りに厚さ3μｍのSiO2膜を形成した場合であり、
クリープはΔV0／V0＝0.2％であつた。このよう
に出力電圧V0が時間とともに減少するのがマイ
ナスクリープである。この場合も精度1/3000のよ
うな高精度秤の歪センサに使用することはできな
いものである。
しかして、絶縁樹脂に固体粉末を混合した場合
の混合率とクリープ量との関係を第７図ないし第
１０図に基づいて説明する。まず、いずれの場合
もビーム体１はSUS630（JIS）によるものであ
り、絶縁樹脂はポリイミド樹脂で厚さ4μｍの絶
縁樹脂膜１２であり、クリープ量の測定値は荷重
印加後10分経過時のものである。また、固体粉末
はSiO2であり、平均粒径は約15μｍである。
の混合率とクリープ量との関係を第７図ないし第
１０図に基づいて説明する。まず、いずれの場合
もビーム体１はSUS630（JIS）によるものであ
り、絶縁樹脂はポリイミド樹脂で厚さ4μｍの絶
縁樹脂膜１２であり、クリープ量の測定値は荷重
印加後10分経過時のものである。また、固体粉末
はSiO2であり、平均粒径は約15μｍである。
まず、第７図に示すものは薄膜抵抗体１５の材
質がNiCr（Ni50％、Cr50％）であり、膜厚が
1000Åのものである。クリープ量はSiO2粉末の
含有量が増加するにしたがつてマイナス方向に向
う傾向を示し、約2wt％でクリープ量は零付近に
なる。
質がNiCr（Ni50％、Cr50％）であり、膜厚が
1000Åのものである。クリープ量はSiO2粉末の
含有量が増加するにしたがつてマイナス方向に向
う傾向を示し、約2wt％でクリープ量は零付近に
なる。
第８図に示すものは薄膜抵抗体１５の膜厚を
6000Åとした場合であり、クリープ量が零になる
のはSiO2粉末の含有量が約5wt％のときである。
6000Åとした場合であり、クリープ量が零になる
のはSiO2粉末の含有量が約5wt％のときである。
つぎに、第９図に示すものは薄膜抵抗体１５の
材質がNiCrSi（Ni70％、Cr20％、Si10％）、膜厚
1000Åのものについての結果を示すもので、
SiO2粉末含有量が3wt％でクリープ量はほぼ零付
近になる。
材質がNiCrSi（Ni70％、Cr20％、Si10％）、膜厚
1000Åのものについての結果を示すもので、
SiO2粉末含有量が3wt％でクリープ量はほぼ零付
近になる。
また、第１０図に示すものはその膜厚が6000Å
のものについての結果であり、SiO2粉末含有量
6.5wt％でクリープ量はほぼ零付近になる。
のものについての結果であり、SiO2粉末含有量
6.5wt％でクリープ量はほぼ零付近になる。
以上の実験結果より、SiO2粉末の混合量によ
り容易にクリープ量の調整ができることが解つ
た。したがつて、各種条件にしたがつてクリープ
量が零の状態を設定すれば、クリープの影響のな
い歪センサが得られる。
り容易にクリープ量の調整ができることが解つ
た。したがつて、各種条件にしたがつてクリープ
量が零の状態を設定すれば、クリープの影響のな
い歪センサが得られる。
しかして、固体粉末としては、SiO2粉末のか
わりとしてAl2O3、MgO、TiO2等を用いること
も可能である。ただし、粒径依存性を示し、粒径
が大きくなるとその混合量が多くなる傾向にあ
る。また、粉末の材質については、微粒子化が容
易であり、絶縁樹脂との反応性のない安定したも
のであれば如何なるものでもよく、たとえば、
BN、MoS2などもクリープ制御のためには有効
である。さらに、カーボン等の導電性を示す微粉
末であつても均一に絶縁樹脂に分散させれば使用
可能であり、絶縁特性を害することはない。
わりとしてAl2O3、MgO、TiO2等を用いること
も可能である。ただし、粒径依存性を示し、粒径
が大きくなるとその混合量が多くなる傾向にあ
る。また、粉末の材質については、微粒子化が容
易であり、絶縁樹脂との反応性のない安定したも
のであれば如何なるものでもよく、たとえば、
BN、MoS2などもクリープ制御のためには有効
である。さらに、カーボン等の導電性を示す微粉
末であつても均一に絶縁樹脂に分散させれば使用
可能であり、絶縁特性を害することはない。
また、絶縁樹脂としてポリイミド樹脂を用いた
状態について説明したが、ビーム体１の表面に均
一な膜が形成でき、しかも、ビーム体１との接着
性が良好であり、上層に形成する薄膜抵抗体１５
との接着性を低下させることがないものであれば
使用可能である。ただし、薄膜抵抗体１５をスパ
ツタリングあるいは蒸着する場合には、絶縁樹脂
膜１２が温度上昇するために、少なくとも100℃
以上の耐熱温度が必要である。そして、その膜厚
としては1μｍ〜20μｍの範囲が実用上適してい
る。その理由としては、膜厚が1μｍ以上でない
とビーム体１と薄膜抵抗体１５との間の絶縁性を
維持することが難かしく、また、厚さが20μｍ以
上になると均一に塗布形成することが難かしいた
めである。
状態について説明したが、ビーム体１の表面に均
一な膜が形成でき、しかも、ビーム体１との接着
性が良好であり、上層に形成する薄膜抵抗体１５
との接着性を低下させることがないものであれば
使用可能である。ただし、薄膜抵抗体１５をスパ
ツタリングあるいは蒸着する場合には、絶縁樹脂
膜１２が温度上昇するために、少なくとも100℃
以上の耐熱温度が必要である。そして、その膜厚
としては1μｍ〜20μｍの範囲が実用上適してい
る。その理由としては、膜厚が1μｍ以上でない
とビーム体１と薄膜抵抗体１５との間の絶縁性を
維持することが難かしく、また、厚さが20μｍ以
上になると均一に塗布形成することが難かしいた
めである。
このような条件に適合する絶縁樹脂としては、
耐熱性のあることや膜の形成のし易さ等の点でポ
リイミド樹脂が適しているが、この他にも環化ポ
リブタジエン樹脂やエポキシ樹脂、エポキシ変成
ポリイミド樹脂等を使用することが可能である。
耐熱性のあることや膜の形成のし易さ等の点でポ
リイミド樹脂が適しているが、この他にも環化ポ
リブタジエン樹脂やエポキシ樹脂、エポキシ変成
ポリイミド樹脂等を使用することが可能である。
本発明は、上述のように起歪部を有するビーム
体の表面に絶縁樹脂を塗布して絶縁樹脂膜を直接
形成し、この絶縁樹脂膜の上に薄膜抵抗体を直接
形成するようにしたものにおいて、固体粉末を絶
縁樹脂に混合して絶縁樹脂膜を形成するようにし
たので、固体粉末の含有量を調整することにより
クリープ量を変化させることができ、これによ
り、クリープのないものを得ることができ、きわ
めて高い精度のものを得ることができるものであ
る。
体の表面に絶縁樹脂を塗布して絶縁樹脂膜を直接
形成し、この絶縁樹脂膜の上に薄膜抵抗体を直接
形成するようにしたものにおいて、固体粉末を絶
縁樹脂に混合して絶縁樹脂膜を形成するようにし
たので、固体粉末の含有量を調整することにより
クリープ量を変化させることができ、これによ
り、クリープのないものを得ることができ、きわ
めて高い精度のものを得ることができるものであ
る。
図面は本発明の一実施例を示すもので、第１図
はロードセルの斜視図、第２図はその側面図、第
３図は回路図、第４図ａ，ｂはパターン形成過程
を示す平面図、第５図はポリイミド樹脂を用いた
場合のクリープを示すグラフ、第６図はSiO2を
用いた場合のクリープを示すグラフ、第７図ない
し第１０図は固体粉末の含有量とクリープとの関
係を示すグラフである。 １……ビーム体、５〜８……起歪部、１２……
絶縁樹脂膜、１５……薄膜抵抗体。
はロードセルの斜視図、第２図はその側面図、第
３図は回路図、第４図ａ，ｂはパターン形成過程
を示す平面図、第５図はポリイミド樹脂を用いた
場合のクリープを示すグラフ、第６図はSiO2を
用いた場合のクリープを示すグラフ、第７図ない
し第１０図は固体粉末の含有量とクリープとの関
係を示すグラフである。 １……ビーム体、５〜８……起歪部、１２……
絶縁樹脂膜、１５……薄膜抵抗体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 起歪部を有するビーム体の表面に絶縁樹脂を
塗布して絶縁樹脂膜を直接形成し、この絶縁樹脂
膜上に薄膜抵抗体を直接形成したものにおいて、
前記絶縁樹脂膜を所定量の固体粉末を含む絶縁樹
脂により形成したことを特徴とする歪センサ。 ２ 絶縁樹脂をポリイミド樹脂としたことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の歪センサ。 ３ 固体粉末を酸化物、窒化物、硫化物またはこ
れらの混合物としたことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の歪センサ。 ４ 固体粉末をSiO2、Al2O3、MgO、TiO2また
はこれらの混合物としたことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の歪センサ。 ５ 固体粉末を含んだ状態でビーム体表面に直接
塗布した後に加熱手段により均一な厚さの膜が形
成される少なくとも100℃以上の耐熱性を有する
絶縁樹脂としたことを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の歪センサ。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57024939A JPS58142206A (ja) | 1982-02-18 | 1982-02-18 | 歪センサ |
| US06/465,344 US4511877A (en) | 1982-02-18 | 1983-02-09 | Strain gauge with reduced creep phenomenon by improved insulation layering |
| AU11306/83A AU536998B2 (en) | 1982-02-18 | 1983-02-10 | Strain sensor |
| EP83101379A EP0087665B1 (en) | 1982-02-18 | 1983-02-14 | Strain sensor |
| DE8383101379T DE3374602D1 (en) | 1982-02-18 | 1983-02-14 | Strain sensor |
| KR1019830000611A KR860001781B1 (ko) | 1982-02-18 | 1983-02-15 | 왜곡센서(Sensor) |
| CA000421674A CA1184051A (en) | 1982-02-18 | 1983-02-16 | Strain sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57024939A JPS58142206A (ja) | 1982-02-18 | 1982-02-18 | 歪センサ |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25143388A Division JPH01124731A (ja) | 1988-10-05 | 1988-10-05 | 歪センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58142206A JPS58142206A (ja) | 1983-08-24 |
| JPH0371641B2 true JPH0371641B2 (ja) | 1991-11-14 |
Family
ID=12152018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57024939A Granted JPS58142206A (ja) | 1982-02-18 | 1982-02-18 | 歪センサ |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4511877A (ja) |
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