JPH0371658U - - Google Patents
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- JPH0371658U JPH0371658U JP13322889U JP13322889U JPH0371658U JP H0371658 U JPH0371658 U JP H0371658U JP 13322889 U JP13322889 U JP 13322889U JP 13322889 U JP13322889 U JP 13322889U JP H0371658 U JPH0371658 U JP H0371658U
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- band gap
- concentration semiconductor
- semiconductor layers
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 9
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
Description
第１図ａ，ｂは本考案の一実施例の断面構造模
式図及び上面図、第２図は別の実施例の断面構造
模式図、第３図は従来例の断面構造模式図、第４
図は従来の他の例の上面図である。 図中、１，１３……半絶縁性ＩｎＰ基板、２，
４……ｎ＋−ＩｎＧａＡｓ、３，１４……ｎ−−
ＩｎＧａＡｓ、５，７，１２……ｎ＋−ＩｎＧａ
ＡｓＰ、６，１１……ｎ−−ＩｎＧａＡｓＰ、８
，９，１０，１５，１６，１７，１８……電極、
を各々示す。
式図及び上面図、第２図は別の実施例の断面構造
模式図、第３図は従来例の断面構造模式図、第４
図は従来の他の例の上面図である。 図中、１，１３……半絶縁性ＩｎＰ基板、２，
４……ｎ＋−ＩｎＧａＡｓ、３，１４……ｎ−−
ＩｎＧａＡｓ、５，７，１２……ｎ＋−ＩｎＧａ
ＡｓＰ、６，１１……ｎ−−ＩｎＧａＡｓＰ、８
，９，１０，１５，１６，１７，１８……電極、
を各々示す。
Claims (1)
- 半絶縁性半導体基板上に、それぞれ同じ導電型
を呈するバンドギヤツプＥ１なる複数の高濃度半
導体層と、該高濃度半導体層よりも１層少ないバ
ンドギヤツプＥ１の低濃度半導体層とを交互に積
層して成る積層構造を備え、さらにこの積層構造
上に、バンドギヤツプＥ２（Ｅ２＞Ｅ１）なる複
数の高濃度半導体層と、該高濃度半導体層よりも
１層少ないバンドギヤツプＥ２の低濃度半導体層
とが交互に積層されている積層構造を備え、バン
ドギヤツプＥ２の半導体層で成る積層構造表面を
受光面とした事を特徴とする光導電性半導体受光
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13322889U JPH0371658U (ja) | 1989-11-15 | 1989-11-15 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13322889U JPH0371658U (ja) | 1989-11-15 | 1989-11-15 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0371658U true JPH0371658U (ja) | 1991-07-19 |
Family
ID=31680638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13322889U Pending JPH0371658U (ja) | 1989-11-15 | 1989-11-15 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0371658U (ja) |
-
1989
- 1989-11-15 JP JP13322889U patent/JPH0371658U/ja active Pending