JPH0372601A - 膜抵抗体 - Google Patents
膜抵抗体Info
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- JPH0372601A JPH0372601A JP1208790A JP20879089A JPH0372601A JP H0372601 A JPH0372601 A JP H0372601A JP 1208790 A JP1208790 A JP 1208790A JP 20879089 A JP20879089 A JP 20879089A JP H0372601 A JPH0372601 A JP H0372601A
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- electrodes
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- trimming
- resistance value
- resistor
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Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は膜抵抗体の改良に関するものである。
〈従来の技術〉
膜抵抗器、プリント回路の膜抵抗素子等の抵抗には、膜
抵抗に一対の電極を配設し電極間の抵抗値を所定値に調
ｆｉｌｌ Ｌ、たちのを用いている。
抵抗に一対の電極を配設し電極間の抵抗値を所定値に調
ｆｉｌｌ Ｌ、たちのを用いている。
而るに、この抵抗値のｌｘ１節には、第２図に示すよう
に、ｌ＋方向にトリごフグ溝４′を入れていく方法を施
用している。すなわら、膜ｌｌＬ抗３°の当初の抵抗値
を所定値よりも低く設定しておき、トリミングと抵抗値
測定を交互に行い、所定抵抗値に達していなければトリ
ミングを続行し、所定抵抗値の範囲内に達していればト
リくングを停止して所定の許容範囲内で所定の抵抗値に
設定している。
に、ｌ＋方向にトリごフグ溝４′を入れていく方法を施
用している。すなわら、膜ｌｌＬ抗３°の当初の抵抗値
を所定値よりも低く設定しておき、トリミングと抵抗値
測定を交互に行い、所定抵抗値に達していなければトリ
ミングを続行し、所定抵抗値の範囲内に達していればト
リくングを停止して所定の許容範囲内で所定の抵抗値に
設定している。
〈解決しようとする課題〉
しかしながら、従来の膜抵抗体においては、トリミング
の進行位置に関係なく電極２°・２°間の鞄類１が一定
であり、トリミング進行に４Ｊｉう）・り旦ングの長さ
増大に対する抵抗値変化が大である。
の進行位置に関係なく電極２°・２°間の鞄類１が一定
であり、トリミング進行に４Ｊｉう）・り旦ングの長さ
増大に対する抵抗値変化が大である。
すなわち、第２図において、トリミング長さＸのもとて
の抵抗値Ｒ（ｘ）は、電極間距離をし、膜抵抗の厚みを
り、膜抵抗のＩｌｌをす、Ｊｌｌｉ抗率をＳとすれば であり、トリミングの長さ増大ΔＸのもとての抵抗値変
化△Ｒ（ｘ）は、 であり、トリミング長さＸが大になるとΔＸに対する抵
抗値変化、すなわちΔＲ（Ｘ）／ΔＸが相当に大となる
。而して、抵抗値の微細８１ｓ１節が困難であり、荒い
調節となり設定抵抗値の許容範囲を大きくしなければな
らない。従って、膜抵抗体の小型化を図るうえに不利で
ある。
の抵抗値Ｒ（ｘ）は、電極間距離をし、膜抵抗の厚みを
り、膜抵抗のＩｌｌをす、Ｊｌｌｉ抗率をＳとすれば であり、トリミングの長さ増大ΔＸのもとての抵抗値変
化△Ｒ（ｘ）は、 であり、トリミング長さＸが大になるとΔＸに対する抵
抗値変化、すなわちΔＲ（Ｘ）／ΔＸが相当に大となる
。而して、抵抗値の微細８１ｓ１節が困難であり、荒い
調節となり設定抵抗値の許容範囲を大きくしなければな
らない。従って、膜抵抗体の小型化を図るうえに不利で
ある。
本発明の目的は、トリミングの長さ増大に対する抵抗値
変化を小さくして、抵抗値の微細調節を可能にする膜抵
抗体を提供することにある。
変化を小さくして、抵抗値の微細調節を可能にする膜抵
抗体を提供することにある。
〈課題を解決するための手段〉
本発明に係る膜１１（抗体は、絶縁基板上における長手
方向に間隔を隔てた一対の膜電極と電極間膜抵抗とを備
え、膜抵抗に抵抗値＃Ａ節用の巾方向のトリミング溝を
設けてなる抵抗体において、巾方向に至るほど電極間の
間隔を狭くしたことを特徴とする構成である。
方向に間隔を隔てた一対の膜電極と電極間膜抵抗とを備
え、膜抵抗に抵抗値＃Ａ節用の巾方向のトリミング溝を
設けてなる抵抗体において、巾方向に至るほど電極間の
間隔を狭くしたことを特徴とする構成である。
〈実施例の説明〉
以下、図面により本発明の実施例について説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す平面説明図である。第
１図において１は絶縁基板例えばセラくックス板である
。２・２は絶縁基板上に設けた膜電極であり、Ｙ方向（
長手方向）に隔てられており、その間隔ｌはＸ方向に至
るほど狭くしである。
１図において１は絶縁基板例えばセラくックス板である
。２・２は絶縁基板上に設けた膜電極であり、Ｙ方向（
長手方向）に隔てられており、その間隔ｌはＸ方向に至
るほど狭くしである。
３は電極間に設けた膜抵抗である。４は抵抗値調節用の
トリミング溝であり、レザー照射により施され、絶縁基
板上から膜抵抗の中小量に達している。
トリミング溝であり、レザー照射により施され、絶縁基
板上から膜抵抗の中小量に達している。
上記の膜電極は導電性金属粉末を混入した導電性塗料の
印刷・焼付けによって形成することができる。膜抵抗は
抵抗粉末例えば、酸化金属カーボン等を混入した抵抗塗
料の印刷・焼イリけによって形成することができる。
印刷・焼付けによって形成することができる。膜抵抗は
抵抗粉末例えば、酸化金属カーボン等を混入した抵抗塗
料の印刷・焼イリけによって形成することができる。
また、絶縁基材上に抵抗膜を積層した基板の抵抗膜をエ
ツチングして膜抵抗を形成し、次いで、電極アルミを蒸
着、導電性塗料の印刷・焼付けによって形成することも
できる。
ツチングして膜抵抗を形成し、次いで、電極アルミを蒸
着、導電性塗料の印刷・焼付けによって形成することも
できる。
上記において、Ｘ方向のある位渡における電極間比熱を
ｌ （ｘ）、１模抵抗の厚みをｔ、１１１をｂ、トリミ
ング溝さをＸ、膜抵抗の抵抗率をＳとすれば、電極間抵
抗値ｒ （ｘ）はほぼ次式で示される。
ｌ （ｘ）、１模抵抗の厚みをｔ、１１１をｂ、トリミ
ング溝さをＸ、膜抵抗の抵抗率をＳとすれば、電極間抵
抗値ｒ （ｘ）はほぼ次式で示される。
また、トリミングの長さ増大がΔＸであるときの抵抗値
変化△ｒ （ｘ）は、 となる。
変化△ｒ （ｘ）は、 となる。
而るに、第１図において、電極間の距ｔｉｌｌ ４１！
（Ｘ）を、１（ｘ）＝Ｌ−ｋｘ とすれば、 Δｒ （ｘ） ＜ΔＲ（ｘ） −■ を満たすようにｋを選定できる。
（Ｘ）を、１（ｘ）＝Ｌ−ｋｘ とすれば、 Δｒ （ｘ） ＜ΔＲ（ｘ） −■ を満たすようにｋを選定できる。
従って、本発１！１１に係る膜抵抗体においては、トリ
ミング長さの増大に対する抵抗値変化を、従来の膜抵抗
体より小さくすることが可能であり、トリミングによる
抵抗値の微細調節が可能となる。
ミング長さの増大に対する抵抗値変化を、従来の膜抵抗
体より小さくすることが可能であり、トリミングによる
抵抗値の微細調節が可能となる。
上記において、Ｘの増大に対する電極間間隔の減少の仕
方については、直線的に減少させるより双曲線的に減少
させる方が有利である。
方については、直線的に減少させるより双曲線的に減少
させる方が有利である。
本発明は両サイドからトリミングすることもでき、この
場合は各トリ珈ングの進行方間に対して電極間間隔を狭
くすることが必要である。また、トリミングにＬカット
、Ｊカット法等を使用することもできる 〈発明の効果〉 上述した通り、本発明に係る膜抵抗体においては、トリ
ミングの長さ増大に対する抵抗値の変化量を小さくでき
るから、微細な抵抗値調節が可能であり、超小型の膜抵
抗器、プリンＩ・回路の膜抵抗体として有用である。
場合は各トリ珈ングの進行方間に対して電極間間隔を狭
くすることが必要である。また、トリミングにＬカット
、Ｊカット法等を使用することもできる 〈発明の効果〉 上述した通り、本発明に係る膜抵抗体においては、トリ
ミングの長さ増大に対する抵抗値の変化量を小さくでき
るから、微細な抵抗値調節が可能であり、超小型の膜抵
抗器、プリンＩ・回路の膜抵抗体として有用である。
第１図は本発明の一実施例を示す説明図、第２図は従来
例を示す説明図である。 １・・・・・・絶縁基板 ２・・・・・・膜電極 ３・
・・・・・膜抵抗４・・・・・・トリミング溝
例を示す説明図である。 １・・・・・・絶縁基板 ２・・・・・・膜電極 ３・
・・・・・膜抵抗４・・・・・・トリミング溝
Claims (1)
- 絶縁基板上における長手方向に間隔を隔てた一対の膜
電極と電極間膜抵抗とを備え、膜抵抗に抵抗値調節用の
巾方向のトリミング溝を設けてなる抵抗体において、巾
方向に至るほど電極間の間隔を狭くしたことを特徴とす
る膜抵抗体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1208790A JPH0372601A (ja) | 1989-08-11 | 1989-08-11 | 膜抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1208790A JPH0372601A (ja) | 1989-08-11 | 1989-08-11 | 膜抵抗体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0372601A true JPH0372601A (ja) | 1991-03-27 |
Family
ID=16562157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1208790A Pending JPH0372601A (ja) | 1989-08-11 | 1989-08-11 | 膜抵抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0372601A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7394344B2 (en) * | 2004-02-27 | 2008-07-01 | Rohm Co., Ltd. | Chip resistor and method for manufacturing the same |
-
1989
- 1989-08-11 JP JP1208790A patent/JPH0372601A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7394344B2 (en) * | 2004-02-27 | 2008-07-01 | Rohm Co., Ltd. | Chip resistor and method for manufacturing the same |
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