JPH04133301A

JPH04133301A - 抵抗体

Info

Publication number: JPH04133301A
Application number: JP2254536A
Authority: JP
Inventors: Mitsuaki Yamakawa; 山川　光明
Original assignee: Toshiba Lighting and Technology Corp
Current assignee: Toshiba Lighting and Technology Corp
Priority date: 1990-09-25
Filing date: 1990-09-25
Publication date: 1992-05-07

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の目的〕（産業上の利用分野）本発明は、絶縁基板上に印刷あるいは蒸着等によって抵
抗膜を形成した抵抗体に関する。

（従来の技術）近年、電子機器の小型軽量化に伴って、ハイブリットＩ
Ｃが多用されてきており、このハイブリットＩＣの一般
的なものとしては抵抗体がある。

この抵抗体は、例えば第３図に示すように、絶縁基板１
上に２つの導体２を対向形成し、この導体２上にまたが
るように矩形状に抵抗膜３を形成している。この抵抗膜
３は、抵抗値が予め所望の抵抗値以下になるように長さ
しと幅Ｗとを設定しておき、抵抗膜３をレーザー光線ま
たはサンドブラスト等によってトリミングして切削溝４
を形成することにより、一対の電極２間の抵抗膜３の幅
Ｗを減少させて抵抗値を上昇させ、所望の抵抗値を得る
ようにしている。

そして、この抵抗体の抵抗膜３の長さしを１．７ｍＩＩ
、幅Ｗを２，５１１とした場合、切削量Ｘと抵抗値Ｒと
の関係を第２図に比較例１として破線で示す。同図によ
れば、特性の直線性が悪く、単位切削量に対する抵抗値
変動量が小さく、所望の抵抗値を得ることが困難であっ
た。

また、特開昭６：３−１２１０５号公報に記載された抵
抗体がある。この抵抗体は、第４図に示すように、絶縁
基板１上に矩形状の抵抗膜３を形成し、この抵抗膜３の
一端上に一対の電極２を近接して対向形成しており、こ
の抵抗膜３の他端側には電極２から突出する突出部３！
を有している。

そして、抵抗膜３は、抵抗値が予め所望の抵抗値以下に
なるように長さしと幅Ｗとを設定しておき、抵抗膜３を
レーザー光線またはサンドブラスト等によって一端側か
ら他端側の突出部３２に向けてトリミングして切削溝４
を形成することにより、その切削溝４によって一対の電
極２間の距離りを長くとって抵抗値を上昇させ、所望の
抵抗値を得るようにしている。

そして、この抵抗体の抵抗膜３の長さしを２．５■、幅
Ｗを１．７１とした場合、切削量Ｘと抵抗値Ｒとの関係
を第２図に比較例２として１点鎖線で示す。同図によれ
ば、比較例１に比べて特性の直線性が大幅に改善されて
いるため、速いトリミングスピードでも所望の抵抗値を
正確に得ることができ、また、低抵抗値領域での抵抗値
変動率も大きく、比較的低い抵抗値も迅速に得ることが
できる。

（発明が解決しようとする課題）しかし、第４図の抵抗体では、例えばシート抵抗値がＩ
ＯＫΩの場合に抵抗値の変化幅が３　ＫΩ〜２０にΩ程
度までと狭い範囲に限られ、抵抗膜３の長さしを一定と
して、より広範囲の抵抗値を得ることは困難であった。

特に、ファンクショントリミングでは抵抗値の変化幅の
大きなものを必要とするが、抵抗体の長さしを変えずに
は変化幅を大きくすることは困難であった。

また、切削溝４の単位切削量に対する抵抗値変化率が小
さく、トリミングによって所望の抵抗値を迅速に得るこ
とが困難であった。

本発明は、このような点に鑑みてなされたもので、抵抗
膜の一定長さ内でより広範囲の抵抗値を得ることを可能
とし、トリミングによって所望の抵抗値を迅速に得るこ
とができる抵抗体を提供することを目的とするものであ
る。

〔発明の構成〕

（課題を解決するための手段）本発明は、絶縁基板上に抵抗膜を形成するとともにこの
抵抗膜の幅方向両側に重接する一対の導体を対向形成し
、その抵抗膜には一対の導体間の一端側から他端側へ切
削溝を入れて所望の抵抗値を設定した抵抗体において、
前記抵抗膜は、他端側に前記切削溝を形成可能とする突
出部を前記導体より突出形成し、この突出部の幅を導体
が重接された一端側より小さくしたものである。

（作用）本発明では、絶縁基板上に形成された抵抗膜に一対の導
体間の一端側から他端側の突出部にわたりトリミングに
よって切削溝を入れ、所望の抵抗値を設定する。

そして、前記抵抗膜の突出部の幅を小さくすることによ
り、抵抗膜の一定長さ内でより広範囲の抵抗値が得られ
、かつ、切削溝の単位切削量に対する抵抗値変化率が大
きくなり、トリミングによって所望の抵抗値を迅速に得
られる。

（実施例）以下、本発明の一実施例の構成を第１図および第２図を
参照して説明する。

第１図は抵抗体の平面図を示し、１１はアルミナ等のセ
ラミック材料で形成された絶縁基板で、この絶縁基板１
１上に、抵抗ペーストを印刷、焼成して抵抗膜１２を形
成し、さらに、この抵抗膜１２上の一端幅方向両側に、
銅系あるいは銀パラジウム系等の導体ペーストを印刷、
焼成して一対の導体１３を近接した間隔Ｗ１で対向形成
している。

前記抵抗膜１２は、導体１３が重接された一端の重接部
１５と、導体１３より突出する他端の突出部１６とから
略Ｔ字状に形成され、この突出部１６の幅Ｗ２は重接部
１５の幅Ｗ、より小さくなっている。

次に、抵抗膜１２の抵抗値のトリミングを行う。

抵抗膜１２は抵抗値が予め所望の抵抗値以下になるよう
に設定されており、一対の導体１３間の抵抗膜１２の一
端側から他端側の突出部１６に向けてレーザー光線また
はサンドブラスト等によってトリミングして切削溝１７
を形成し、この切削溝１７によって一対の電極１３間の
距離を長くとって抵抗値を上昇させ、所望の抵抗値を得
るようにしている。

そして、このように構成された抵抗体において、導体１
３の間隔Ｗ＋　＝０．７ｍｍ、抵抗波膜１２の突出部１
６の幅Ｗ２＝０．７１１１、重接部１５の幅Ｗ。

＝１．７＋ｅｍ、重接部１５の長さＬ＋　＝０．３１１
３抵抗膜１２の長さＬ２＝２．５１１とした場合、切削
溝１７の切削量Ｘと抵抗値Ｒとの関係を第２図に実線で
示す。突出部１６の幅Ｗ２を小さくすることにより、抵
抗値の変化幅が比較例１．２に比べて１．５〜２倍に大
きくなり、３にΩから３０にΩまで直線性の非常によい
抵抗値を得ることができる。また、切削溝１７の単位切
削量に対する抵抗値変化率が大きく、トリミングによっ
て所望の抵抗値を迅速に得ることができる。また、低抵
抗領域での抵抗値変動率は小さいため、比較的低い抵抗
値も正確に得ることができる。

〔発明の効果〕

本発明によれば、絶縁基板上に形成された抵抗膜に一対
の導体間の一端側から他端側の突出部にわたりトリミン
グによって切削溝を入れ、所望の抵抗値を設定する抵抗
体において、前記抵抗膜の突出部の幅を小さくすること
により、抵抗膜の一定長さ内でより広範囲の抵抗値が得
られ、がっ、切削溝の単位切削量に対する抵抗値変化率
が大きく、トリミングによって所望の抵抗値を迅速に得
ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の抵抗体の一実施例を示す平面図、第２
図は特性図、第３図および第４図は従来の抵抗体の平面
図である。１１・・絶縁基板、１２・・抵抗膜、１３・・導体、１
６・・突出部、１７・・切削溝。】Ｉ■４

Claims

【特許請求の範囲】

（１）絶縁基板上に抵抗膜を形成するとともにこの抵抗
膜の幅方向両側に重接する一対の導体を対向形成し、そ
の抵抗膜には一対の導体間の一端側から他端側へ切削溝
を入れて所望の抵抗値を設定した抵抗体において、前記抵抗膜は、他端側に前記切削溝を形成可能とする突
出部を前記導体より突出形成し、この突出部の幅を導体
が重接された一端側より小さくしたことを特徴とする抵
抗体。