JPH0529473Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この考案は、LSI製造のリソグラフイー工程に
使用されるプリクル体に関する。

さらに詳細には、本考案は第１図に示すような
構造をもち、膜１の上面（フレームが接合された
面と反対の面）に反射防止層３が設置されたもの
であり、反射防止効果により光線透過性に優れる
と同時に、反射防止層の剥れによるマスクへのゴ
ミ付着を防止したことを特徴としたペリクル体に
関する。

（従来技術とその問題点） 近年のLSIの発展に伴ない、その画線巾も１〜
3μmの非常に微細となつて来ている。このような
LSIを作成する場合、ゴミの管理が極めて重要と
なつて来ている。特にリソグラフイー工程でのゴ
ミの除去が問題となつて来ており、フオトマス
ク・レチクル（以下マスクと略す）に防塵カバー
体であるペリクル体を装着することにより、ゴミ
の結像を防止する方法がとられている。

かかるペリクル体は通常第２図に示す構造とな
つており、１は膜、２はフレーム、３は反射防止
層、４は接着層、５は粘着層、６は保護フイルム
である。ここで、反射防止層３は膜１の表裏面で
の反射光を消して高い光線透過率を得る為に設け
られる。

このペリクル体は、保護フイルム６を剥して、
マスクに粘着層５に介して貼られ、使用に供され
る（第３図参照）。

ペリクル体の目的とするところは、万一ゴミが
あつてもペリクル体上のゴミが付着し、マスク上
へはゴミが付着しない様に考案されたものであ
る。ところが、第２図の様に膜の下面（フレーム
が接合された面）に反射防止層がある場合、この
反射防止層は膜に接着されているとは言え、露光
光線による劣化や経時変化、温湿度変化等により
膜から剥離して、マスク上へ落下することがあ
る。

（問題点解決の手段・効果） かゝる欠点を解決すべく、本考案者は第１図に
示す構造のペリクル体を考案した。

即ち、反射防止層３を膜１の上面（フレームと
接合された面とは反対の面）にのみ設け、フレー
ムと接合された面には設けない構造とした。かゝ
る構造とすることにより、第３図に示す通り、マ
スクに貼つた場合、反射防止層が露光光線による
劣化や経時変化、温湿度変化等により万一膜から
剥離してもマスク面上には落下することがなく、
ゴミによるトラブルが起ることはなくなる。

膜の上面のみに反射防止を設けた本考案のペリ
クル体は両面に反射防止層を有するペリクル体よ
りは光線透過性が若干劣るものの、全く反射防止
層のないペリクル体よりは格段に優れた光線透過
性を有しており、充分に実用性のある性能を有し
ている。

以上の通り、本考案によれば、高い光線透過性
を有すると同時に反射防止層の剥れによるゴミ発
生のない利点を備えたペリクル体となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案のペリクル体の構造断面図、第
２図は従来のペリクル体の構造断面図、第３図は
マスクにペリクル体を貼つた状態を表わす断面図
である。 １は膜、２はフレーム、３は反射防止層、４は
接着層、５は粘着層、６は保護フイルム、７はマ
スクを表わす。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. ペリクル体の要部をなす膜１が、フレーム２に
   接合せしめられた面と反対の面のみに反射防止層
   ３を有することを特徴とする光線透過性に優れて
   いるとともにゴミの発生のないペリクル体。