JPH0375633A - 可視レーザ記録用感光材料 - Google Patents
可視レーザ記録用感光材料Info
- Publication number
- JPH0375633A JPH0375633A JP1210652A JP21065289A JPH0375633A JP H0375633 A JPH0375633 A JP H0375633A JP 1210652 A JP1210652 A JP 1210652A JP 21065289 A JP21065289 A JP 21065289A JP H0375633 A JPH0375633 A JP H0375633A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- formula
- polymer
- beams
- visible laser
- photosensitive material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要］
可視レーザ記録用感光材料に関し、
可視レーザに高感度であり、かつ解像性、保存安定性お
よび非腐食性に優れた感光材料を提供することを目的と
し、 下記式（Ｉ）又は（ＩＩ）で表わされるポリマーと下記
式（ＩＩＩ）で表わされる鉄アレーン錯体とで構成する
。
よび非腐食性に優れた感光材料を提供することを目的と
し、 下記式（Ｉ）又は（ＩＩ）で表わされるポリマーと下記
式（ＩＩＩ）で表わされる鉄アレーン錯体とで構成する
。
６
（式中、ｐｌ、 ＲＺ、 Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５及びＲ６は
それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基又
はフェニル基を示し、Ｒ７はアルキレン基を示し、ｎ及
びｍはそれぞれ独立に５〜５００の整数である。）Ｒ６ （式中、Ｒ１，Ｒ１，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ％及びＲ＆はそれ
ぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基又はフ
ェニル基を示し、Ｒ？はアルキレン基を示し、ｎ及びｍ
はそれぞれ独立に５〜５００の整数である。）（式中、
Ａは芳香族炭化水素基である。）〔産業上の利用分野〕 本発明は可視レーザ記録用感光材料に関する。
それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基又
はフェニル基を示し、Ｒ７はアルキレン基を示し、ｎ及
びｍはそれぞれ独立に５〜５００の整数である。）Ｒ６ （式中、Ｒ１，Ｒ１，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ％及びＲ＆はそれ
ぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基又はフ
ェニル基を示し、Ｒ？はアルキレン基を示し、ｎ及びｍ
はそれぞれ独立に５〜５００の整数である。）（式中、
Ａは芳香族炭化水素基である。）〔産業上の利用分野〕 本発明は可視レーザ記録用感光材料に関する。
可視レーザ記録用感光材料は凸版用、レリーフ像用およ
びフォトレジスト用などに広く適用されている。
びフォトレジスト用などに広く適用されている。
このような可視レーザ記録用感光材料の保持すべき特性
としては、（１）高感度であること、（２）高解像度を
有すること、（３）保存安定性に優れていること、（４
）アルカリ現像が可能なこと、及び（５）非腐食性に優
れていることなどが要求される。
としては、（１）高感度であること、（２）高解像度を
有すること、（３）保存安定性に優れていること、（４
）アルカリ現像が可能なこと、及び（５）非腐食性に優
れていることなどが要求される。
ここで用いるレーザは安定して高い出力が得られ、コヒ
ーレント長に優れたガスレーザであるＡｒイオンレーザ
（波長７４５８．４８Ｂ及び５１４ｎｍ ）が望ましい
。
ーレント長に優れたガスレーザであるＡｒイオンレーザ
（波長７４５８．４８Ｂ及び５１４ｎｍ ）が望ましい
。
可視レーザ記録用感光材料としては、可視光に対して十
分な感度を持つことが必要である。従来より、可視レー
ザ記録用感光材料の感度を増大させるために光重合開始
剤系について多くの研究がなされている。このような光
重合開始剤としてはベンゾイン及びその誘導体、置換又
は非置換の多核率ノン類などの多くの物質が既に知られ
ているが、特に可視光において十分な感度や解像性を有
するものは未だ知られていない。
分な感度を持つことが必要である。従来より、可視レー
ザ記録用感光材料の感度を増大させるために光重合開始
剤系について多くの研究がなされている。このような光
重合開始剤としてはベンゾイン及びその誘導体、置換又
は非置換の多核率ノン類などの多くの物質が既に知られ
ているが、特に可視光において十分な感度や解像性を有
するものは未だ知られていない。
また、例えばＮ−フェニルグリシンのようなＮ−アリー
ル−α−デア５ノ酸各種の光吸収性化合物とを組み合わ
せた材料が知られている（例えば時開５７−８３５０１
号公報など参照）、シかしながら、この材料も感度や解
像性が十分ではなく、保存安定性も劣るなどの問題点が
ある。
ル−α−デア５ノ酸各種の光吸収性化合物とを組み合わ
せた材料が知られている（例えば時開５７−８３５０１
号公報など参照）、シかしながら、この材料も感度や解
像性が十分ではなく、保存安定性も劣るなどの問題点が
ある。
そこで、レーザ照射で鉄アレーン錯体から発生した酸に
より、ブロック″した官能基をはずしてアルカリ可溶性
とする方法が開発されている（例えば特願昭６３−１３
８００号出願など参照）。鉄アレーン錯体のアニオンと
してＢＦ、−１ＰＦｔｈ−１ＡＳＦ＆−又はＳｂＦ、−
が用いられている。しかしながら、ハロゲンである弗素
やりん、砒素及びアンチモンなどは金属への腐食性が高
く、このような腐食性が高い酸発生剤を用いると金属基
板や配線などを腐食する恐れがある。
より、ブロック″した官能基をはずしてアルカリ可溶性
とする方法が開発されている（例えば特願昭６３−１３
８００号出願など参照）。鉄アレーン錯体のアニオンと
してＢＦ、−１ＰＦｔｈ−１ＡＳＦ＆−又はＳｂＦ、−
が用いられている。しかしながら、ハロゲンである弗素
やりん、砒素及びアンチモンなどは金属への腐食性が高
く、このような腐食性が高い酸発生剤を用いると金属基
板や配線などを腐食する恐れがある。
（発明が解決しようとする課題）
従って、本発明は、前記した従来技術の問題点を解決し
て、可視レーザに高感度であり、かつ解像性、保存安定
性及び耐腐食性に優れたアルカリ現像型の感光材料を提
供することを目的とする。
て、可視レーザに高感度であり、かつ解像性、保存安定
性及び耐腐食性に優れたアルカリ現像型の感光材料を提
供することを目的とする。
上記の目的は、本発明によれば、下記式（１）又は（Ｉ
Ｉ）で表わされるポリマーと下記式（ｎＩ）で表わされ
る鉄アレーン錯体とからなる可視レーザ記録用感光材料
によって達成される。
Ｉ）で表わされるポリマーと下記式（ｎＩ）で表わされ
る鉄アレーン錯体とからなる可視レーザ記録用感光材料
によって達成される。
６
（式中、Ｒ１，ｉｐ、 Ｒ３，Ｒ４，Ｒ’５及びＲ６は
それぞれ独立に水素原子、アルキル基（好ましくは炭素
数１〜５のアルキル基）、アルケニル基（好ましくは炭
素数２〜６のアルケニル基）又はフェニル基を示し、Ｒ
７はアルキレン基（好ましくは炭素数１〜ｌＯのアルキ
レン基）を示し、ｎ及びｍはそれぞれ独立に５〜５００
の整数である。） ｅ Ａ （式中、Ａは芳香族炭化水素基である。）式（１）又は
（ＩＩ）で表されるポリマーは、例えばポリ（ｐ−ヒド
ロキシスチレン）の水酸基をトリオルガノシリル基又は
アルキレントリオルガノシリル基などによりブロックす
ることによって得られるポリマーである。
それぞれ独立に水素原子、アルキル基（好ましくは炭素
数１〜５のアルキル基）、アルケニル基（好ましくは炭
素数２〜６のアルケニル基）又はフェニル基を示し、Ｒ
７はアルキレン基（好ましくは炭素数１〜ｌＯのアルキ
レン基）を示し、ｎ及びｍはそれぞれ独立に５〜５００
の整数である。） ｅ Ａ （式中、Ａは芳香族炭化水素基である。）式（１）又は
（ＩＩ）で表されるポリマーは、例えばポリ（ｐ−ヒド
ロキシスチレン）の水酸基をトリオルガノシリル基又は
アルキレントリオルガノシリル基などによりブロックす
ることによって得られるポリマーである。
式（Ｉ［［）の鉄アレーン錯体は、３００〜５００ｎ＋
１の可視光を吸収して酸を発生する酸発生剤として作用
する。式（ＩＩＩ）中、Ａの芳香族炭化水素基としては
、例えば、ベンゼン、ナフタレン、ナフタセン、ピレン
およびナフタビレンなどの縮合芳香族環が好ましい。
１の可視光を吸収して酸を発生する酸発生剤として作用
する。式（ＩＩＩ）中、Ａの芳香族炭化水素基としては
、例えば、ベンゼン、ナフタレン、ナフタセン、ピレン
およびナフタビレンなどの縮合芳香族環が好ましい。
本発明では、ポリマー中の特定の官能基を保護しておき
、これを可視レーザ照射で発生した酸によりはずして元
の官能基に戻す機構を利用する。
、これを可視レーザ照射で発生した酸によりはずして元
の官能基に戻す機構を利用する。
すなわち、可視光の吸収能が大きい式（Ｉ［［）の鉄ア
レーン錯体が光を吸収して酸を発生し、式（１）または
式（ＩＩ）のポリマーのブロックされた置換基がはずれ
て、アルカリ可溶性のポリ（Ｐヒドロキシスチレン）と
なる。アルカリ現像により露光部が溶解しポジパターン
が得られる。
レーン錯体が光を吸収して酸を発生し、式（１）または
式（ＩＩ）のポリマーのブロックされた置換基がはずれ
て、アルカリ可溶性のポリ（Ｐヒドロキシスチレン）と
なる。アルカリ現像により露光部が溶解しポジパターン
が得られる。
この機能を、式（Ｉ）のポリマーを用いた場合について
示すと下記のとおりである。
示すと下記のとおりである。
３
次に、この右辺のポリマーがアルカリ現像によって溶解
する。
する。
保護基として用いるトリオルガノシリル基とアルキレン
トリオルガノシリル基は酸を触媒とする開裂速度が速く
、かつ酸が存在しない場合、即ち、露光しない限り極め
て安定である。また、酸発生剤のアニオンは腐食性が非
常に低い。このため、本発明の可視レーザ記録用感光材
料によれば、高感度、高解像度、高保存安定性及び非腐
食性が同時に得られる。
トリオルガノシリル基は酸を触媒とする開裂速度が速く
、かつ酸が存在しない場合、即ち、露光しない限り極め
て安定である。また、酸発生剤のアニオンは腐食性が非
常に低い。このため、本発明の可視レーザ記録用感光材
料によれば、高感度、高解像度、高保存安定性及び非腐
食性が同時に得られる。
以下に、実施例によって、本発明を更に詳しく説明する
が、本発明の範囲をこれらの実施例に限定するものでは
ないことはいうまでもない。
が、本発明の範囲をこれらの実施例に限定するものでは
ないことはいうまでもない。
〔実施例］
２！Ｊｕ！１Ｌ
（Ｉ）のポリマー：ポリ（ｐ−１リオルガノメチルシロ
キシスチレン）１０ｇ 酸発生剤：炭酸水素化（η６ナフタレン）（η５シクロ
ペンタジェニル） 鉄（ＩＩ ） ０．５ｇ？容斉り
：モノクロベンゼン ４０ｇメチルイソ
ブチルケトン ４０ｇテトラヒドロフラン
４０ｇこの組成の感光液をシリコン基板上に
スピンコートシて乾燥後の膜厚５μｍの感光板を形成し
た。
キシスチレン）１０ｇ 酸発生剤：炭酸水素化（η６ナフタレン）（η５シクロ
ペンタジェニル） 鉄（ＩＩ ） ０．５ｇ？容斉り
：モノクロベンゼン ４０ｇメチルイソ
ブチルケトン ４０ｇテトラヒドロフラン
４０ｇこの組成の感光液をシリコン基板上に
スピンコートシて乾燥後の膜厚５μｍの感光板を形成し
た。
得られた感光板を、Ａｒレーザを用いてフォトマスクを
通して露光し、現像液としてテトラメチルアンモニウム
ヒドロキシドを用いて、ポジ型のパターンを形成した。
通して露光し、現像液としてテトラメチルアンモニウム
ヒドロキシドを用いて、ポジ型のパターンを形成した。
その結果、２５ ｍＪ／ｃｌで１０ｕｍラインの再現を
確認した。
確認した。
ｌ動艷え
（Ｉ）のポリマー：ポリ （ｐ−トリオルガノメチルシ
ロキシスチレン）１０ｇ 酸発生剤：炭酸水素化（η６ピレン） （η５シクロペンタジェニル）鉄（ＩＩ） ０．５ｇ
溶剤：モノクロルベンゼン ４０ｇメチル
イソブチルケトン ４０ｇテトラヒドロフラン
４０ｇ以下、実施例１と同様にしてポジ
型パターン形成したところ、１０ ｍＪ／ｃｉで１０μ
ｍラインの再現を確認した。
ロキシスチレン）１０ｇ 酸発生剤：炭酸水素化（η６ピレン） （η５シクロペンタジェニル）鉄（ＩＩ） ０．５ｇ
溶剤：モノクロルベンゼン ４０ｇメチル
イソブチルケトン ４０ｇテトラヒドロフラン
４０ｇ以下、実施例１と同様にしてポジ
型パターン形成したところ、１０ ｍＪ／ｃｉで１０μ
ｍラインの再現を確認した。
実Ｉｕ組よ
（ｎ）のポリマー：ポリ（ｐ−トリメチルシリルメトキ
シスチレン）１２ｇ 酸発生剤：炭酸水素化（ηｂピレン） （η５シクロペンタジェニル）＆（ＩＩ） ０．５ｇ
溶剤：モノクロルベンゼン ４０ｇメチル
イソブチルケトン ４０ｇテトラヒドロフラン
４０ｇ以下、実施例１と同様にしてポジ
型パターンを形成し、２０ ｍＪ／ｃｆｆｌで１０ＩＩ
Ｉ１１ラインの再現を確認した。
シスチレン）１２ｇ 酸発生剤：炭酸水素化（ηｂピレン） （η５シクロペンタジェニル）＆（ＩＩ） ０．５ｇ
溶剤：モノクロルベンゼン ４０ｇメチル
イソブチルケトン ４０ｇテトラヒドロフラン
４０ｇ以下、実施例１と同様にしてポジ
型パターンを形成し、２０ ｍＪ／ｃｆｆｌで１０ＩＩ
Ｉ１１ラインの再現を確認した。
夫旌班土
（ＩＩ）のポリマー：ポリ （ｐ−トリメチルシリルエ
トキシスチレン） １２ｇ酸発
生剤：炭酸水素化（η６ピレン） （η５シクロペンタジェニル）＆（ＩＩ） ０．５ｇ
ン容剤：モノクロルベンゼン ４０ｇメチ
ルイソブチルケトン ４０ｇテトラヒドロフラ
ン ４０ｇ以下、実施例１と同様にしてポ
ジ型パターンを形成し、１５ ｍＪ／ｃＪで１０μｍラ
インの再現を確認した。
トキシスチレン） １２ｇ酸発
生剤：炭酸水素化（η６ピレン） （η５シクロペンタジェニル）＆（ＩＩ） ０．５ｇ
ン容剤：モノクロルベンゼン ４０ｇメチ
ルイソブチルケトン ４０ｇテトラヒドロフラ
ン ４０ｇ以下、実施例１と同様にしてポ
ジ型パターンを形成し、１５ ｍＪ／ｃＪで１０μｍラ
インの再現を確認した。
以上説明したように、本発明の可視レーザ記録用感光材
料は、可視光領域において従来の感光材料よりも高い感
度および解像度でパターンを形成することができ、かつ
実用的に十分な保存安定性および非腐食性を有する。
料は、可視光領域において従来の感光材料よりも高い感
度および解像度でパターンを形成することができ、かつ
実用的に十分な保存安定性および非腐食性を有する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、下記式（ I ）又は（II）で表わされるポリマーと
下記式（III）で表わされる鉄アレーン錯体とからなる
可視レーザ記録用感光材料。 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （式中、Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３、Ｒ＾４、Ｒ＾５及び
Ｒ＾６はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケ
ニル基又はフェニル基を示し、Ｒ＾７はアルキレン基を
示し、ｎ及びｍはそれぞれ独立に５〜５００の整数であ
る。） ▲数式、化学式、表等があります▼（III） （式中、Ａは芳香族炭化水素基である。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1210652A JPH0375633A (ja) | 1989-08-17 | 1989-08-17 | 可視レーザ記録用感光材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1210652A JPH0375633A (ja) | 1989-08-17 | 1989-08-17 | 可視レーザ記録用感光材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0375633A true JPH0375633A (ja) | 1991-03-29 |
Family
ID=16592856
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1210652A Pending JPH0375633A (ja) | 1989-08-17 | 1989-08-17 | 可視レーザ記録用感光材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0375633A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2145765A1 (en) * | 2008-07-18 | 2010-01-20 | FUJIFILM Corporation | Resin composition for laser engraving, image forming material, relief printing plate precursor for laser engraving. relief printing plate, and method of producing relief printing plate |
| US8273520B2 (en) | 2008-01-29 | 2012-09-25 | Fujifilm Corporation | Resin composition for laser engraving, relief printing plate precursor for laser engraving, relief printing plate and method of producing the same |
| US8278387B2 (en) | 2008-03-28 | 2012-10-02 | Fujifilm Corporation | Resin composition for laser engraving, image forming material, relief printing plate precursor for laser engraving, relief printing plate, and method of manufacturing relief printing plate |
-
1989
- 1989-08-17 JP JP1210652A patent/JPH0375633A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8273520B2 (en) | 2008-01-29 | 2012-09-25 | Fujifilm Corporation | Resin composition for laser engraving, relief printing plate precursor for laser engraving, relief printing plate and method of producing the same |
| US8278387B2 (en) | 2008-03-28 | 2012-10-02 | Fujifilm Corporation | Resin composition for laser engraving, image forming material, relief printing plate precursor for laser engraving, relief printing plate, and method of manufacturing relief printing plate |
| EP2145765A1 (en) * | 2008-07-18 | 2010-01-20 | FUJIFILM Corporation | Resin composition for laser engraving, image forming material, relief printing plate precursor for laser engraving. relief printing plate, and method of producing relief printing plate |
| US8367300B2 (en) | 2008-07-18 | 2013-02-05 | Fujifilm Corporation | Resin composition for laser engraving, image forming material, relief printing plate precursor for laser engraving, relief printing plate, and method of producing relief printing plate |
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