JPH0376131A - 半導体圧力センサー装置 - Google Patents
半導体圧力センサー装置Info
- Publication number
- JPH0376131A JPH0376131A JP21141489A JP21141489A JPH0376131A JP H0376131 A JPH0376131 A JP H0376131A JP 21141489 A JP21141489 A JP 21141489A JP 21141489 A JP21141489 A JP 21141489A JP H0376131 A JPH0376131 A JP H0376131A
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- JP
- Japan
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- substrate
- bonding agent
- pressure sensor
- mount
- chip
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- Pending
Links
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Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体圧力センサー装置に関し、特に基板上に
半導体センサーチップを搭載するためのマウント接合剤
の厚みを減少させるのに改良を施したものである。
半導体センサーチップを搭載するためのマウント接合剤
の厚みを減少させるのに改良を施したものである。
［従来の技術と課題］
従来、半導体圧力センサー装置としては、第３図及び第
４図に示すものが知られている。但し、第３図は装置全
体の断面図、第４図はこの装置のマウント基板の平面図
・である。
４図に示すものが知られている。但し、第３図は装置全
体の断面図、第４図はこの装置のマウント基板の平面図
・である。
図中の１は、中央部に圧力導入孔２を有したマウント基
板である。この基板ｌ上には、半田、樹脂などからなる
マウント接合剤３を介して圧力センサーチップ４が搭載
されている。ここで、前記基板ｌは、通常、材質間の熱
膨張の差によって生じる零点温度特性等の不具合を防ぐ
目的で、前記チップ４と同様の材質を使用する場合が多
い。まｔ２、前記マウント接合剤３の材質についても熱
膨張係数が前記チップ４に近いものを使用するが、完全
に同じものがない。
板である。この基板ｌ上には、半田、樹脂などからなる
マウント接合剤３を介して圧力センサーチップ４が搭載
されている。ここで、前記基板ｌは、通常、材質間の熱
膨張の差によって生じる零点温度特性等の不具合を防ぐ
目的で、前記チップ４と同様の材質を使用する場合が多
い。まｔ２、前記マウント接合剤３の材質についても熱
膨張係数が前記チップ４に近いものを使用するが、完全
に同じものがない。
こうしたことから、マウント接合剤３の厚みが大きく、
ゲージ零点温度特性に影響してくる。しかるに、従来の
装置ではマウント接合剤３の逃げがないため、マウント
接合剤３の厚みが十分に薄くならず、ゲージ零点温度特
性等に不具合を生じる。
ゲージ零点温度特性に影響してくる。しかるに、従来の
装置ではマウント接合剤３の逃げがないため、マウント
接合剤３の厚みが十分に薄くならず、ゲージ零点温度特
性等に不具合を生じる。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、基板表面側
に溝を設けることによりマウント接合層の逃げを作り、
もってマウント接合剤の厚みを薄くし、ゲージ零点温度
特性等の向上をなしえる半導体圧力センサー装置を提供
することを目的とする。
に溝を設けることによりマウント接合層の逃げを作り、
もってマウント接合剤の厚みを薄くし、ゲージ零点温度
特性等の向上をなしえる半導体圧力センサー装置を提供
することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明は、基板上にマウント接合剤を介して半導体セン
サーチップを搭載した半導体圧力センサー装置において
、チップを搭載する側の前記基板表面に、過剰な前記マ
ウント接合剤を流すための溝を設けたことを特徴とする
半導体圧力センサー装置である。
サーチップを搭載した半導体圧力センサー装置において
、チップを搭載する側の前記基板表面に、過剰な前記マ
ウント接合剤を流すための溝を設けたことを特徴とする
半導体圧力センサー装置である。
本発明に係る基板の材質としては、Ｓｉ、あるいはプラ
スチックなどの絶縁材でもよい。
スチックなどの絶縁材でもよい。
本発明に係る溝は、環状に１つ設けてもよいし、あるい
は複数個設けてもよい。
は複数個設けてもよい。
［作用］
本発明によれば、基板表面側に溝を設けることによりマ
ウント接合層の逃げを作り、もってマウント接合剤の厚
みを薄くし、ゲージ零点温度特性等を向上できる。
ウント接合層の逃げを作り、もってマウント接合剤の厚
みを薄くし、ゲージ零点温度特性等を向上できる。
［実施例］
以下、本発明の一実施例を第１図及び第２図を参照して
説明する。但し、第１図は装置全体の断面図、第２図は
この装置のマウント基板の平面図である。
説明する。但し、第１図は装置全体の断面図、第２図は
この装置のマウント基板の平面図である。
図中の１１は、中心部に圧力導入孔１２を有した円板状
のマウント基板である。このマウント基板１１の表面に
は、環状の溝１３が前記圧力導入孔Ｉ２と同心円状に設
けられている。前記基板１１上には、半田からなるマウ
ント接合剤１４を介して圧力センサーチップ１５が搭載
されている。
のマウント基板である。このマウント基板１１の表面に
は、環状の溝１３が前記圧力導入孔Ｉ２と同心円状に設
けられている。前記基板１１上には、半田からなるマウ
ント接合剤１４を介して圧力センサーチップ１５が搭載
されている。
しかして、こうした構成の半導体圧力センサー装置によ
れば、円板状のマウント基板１１の表面に環状の溝１３
を設けた構成となっているため、前記基板！ｌ上にマウ
ント接合剤１４を介して圧力センサーチップ１５を搭載
する際、マウント接合剤１４の一部が溝１３内に流出す
るため、基板上に残存するマウント接合剤１４が少なく
なり、その厚みを薄くできる。事実、マウント接合剤１
４の厚みは半田箔では５０μｍが限度であるため、半田
濡れ性の向上を十分に行なった場合でも２０〜３０μｍ
程度迄しか薄く出来なかったが、本発明によればＩＯμ
ｍ前後まで薄くできた。従って、本発明によれば、第５
図及び第６図に示す如く良好なゲージ零点温度特性を得
ることができた。ここで、第５図は低温側のゲージ零点
温度特性（前者）を示し、第６図は高温側のゲージ零点
温度特性（後者）を示す、前者の場合電圧（Ｖ Ｉ）
ハＶｏｖｖ （−２５℃）ＶＯＦＦ２５℃）であり、
後者の場合電圧（■、）は■。２゜（７５℃） ＶＯ
ＦＦ （２５℃）である。但し、Ｖ ０ＦＦ（−２５
℃） 、 ＶＯＦＦ （２５℃） 、 ＶｏｔＦ（７５
℃）は−２５℃、２５℃、７５℃のときのオフセット電
圧である。これに対し、従来のゲージ零点温度特性は、
第７図及び第８図に示す如く、中心から外れ好ましい結
果かえられなかった。
れば、円板状のマウント基板１１の表面に環状の溝１３
を設けた構成となっているため、前記基板！ｌ上にマウ
ント接合剤１４を介して圧力センサーチップ１５を搭載
する際、マウント接合剤１４の一部が溝１３内に流出す
るため、基板上に残存するマウント接合剤１４が少なく
なり、その厚みを薄くできる。事実、マウント接合剤１
４の厚みは半田箔では５０μｍが限度であるため、半田
濡れ性の向上を十分に行なった場合でも２０〜３０μｍ
程度迄しか薄く出来なかったが、本発明によればＩＯμ
ｍ前後まで薄くできた。従って、本発明によれば、第５
図及び第６図に示す如く良好なゲージ零点温度特性を得
ることができた。ここで、第５図は低温側のゲージ零点
温度特性（前者）を示し、第６図は高温側のゲージ零点
温度特性（後者）を示す、前者の場合電圧（Ｖ Ｉ）
ハＶｏｖｖ （−２５℃）ＶＯＦＦ２５℃）であり、
後者の場合電圧（■、）は■。２゜（７５℃） ＶＯ
ＦＦ （２５℃）である。但し、Ｖ ０ＦＦ（−２５
℃） 、 ＶＯＦＦ （２５℃） 、 ＶｏｔＦ（７５
℃）は−２５℃、２５℃、７５℃のときのオフセット電
圧である。これに対し、従来のゲージ零点温度特性は、
第７図及び第８図に示す如く、中心から外れ好ましい結
果かえられなかった。
なお、上記実施例では、環状の溝を設けた場合について
述べたが、これに限らず、複数個の溝を設けてもよい。
述べたが、これに限らず、複数個の溝を設けてもよい。
［発明の効果］
以上詳述した如く本発明によれば、基板表面側に溝を設
けることによりマウント接合層の逃げを作り、もってマ
ウント接合剤の厚みを薄くし、ゲージ零点温度特性等の
向上をなしえる半導体圧力センサー装置を提供できる。
けることによりマウント接合層の逃げを作り、もってマ
ウント接合剤の厚みを薄くし、ゲージ零点温度特性等の
向上をなしえる半導体圧力センサー装置を提供できる。
第１図は本発明の一実施例に係る半導体圧力センサー装
置全体の断面図、第２図はこの装置のマウント基板の平
面図、第３図は従来の半導体圧力センサー装置全体の断
面図、第４図はこの装置のマウント基板の平面図、第５
図及び第６図は夫々本発明装置によるゲージ零点温度特
性図、第７図及び第８図は夫々従来装置によるゲージ零
点温度特性図である。 目・−マウント基板、ｌ ２−・・圧力導入孔、１３・
・・環状の溝、＋ ４−・・マウント接合剤、１５・・
・圧力センサーチップ。
置全体の断面図、第２図はこの装置のマウント基板の平
面図、第３図は従来の半導体圧力センサー装置全体の断
面図、第４図はこの装置のマウント基板の平面図、第５
図及び第６図は夫々本発明装置によるゲージ零点温度特
性図、第７図及び第８図は夫々従来装置によるゲージ零
点温度特性図である。 目・−マウント基板、ｌ ２−・・圧力導入孔、１３・
・・環状の溝、＋ ４−・・マウント接合剤、１５・・
・圧力センサーチップ。
Claims (1)
- 基板上にマウント接合剤を介して半導体センサーチップ
を搭載した半導体圧力センサー装置において、チップを
搭載する側の前記基板表面に、過剰な前記マウント接合
剤を流すための溝を設けたことを特徴とする半導体圧力
センサー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21141489A JPH0376131A (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | 半導体圧力センサー装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21141489A JPH0376131A (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | 半導体圧力センサー装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0376131A true JPH0376131A (ja) | 1991-04-02 |
Family
ID=16605564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21141489A Pending JPH0376131A (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | 半導体圧力センサー装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0376131A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS599976A (ja) * | 1982-07-09 | 1984-01-19 | Toshiba Corp | 絶対圧形半導体圧力センサーの製造方法 |
| JPS6127337B2 (ja) * | 1980-10-07 | 1986-06-25 | Ishizuka Glass |
-
1989
- 1989-08-18 JP JP21141489A patent/JPH0376131A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6127337B2 (ja) * | 1980-10-07 | 1986-06-25 | Ishizuka Glass | |
| JPS599976A (ja) * | 1982-07-09 | 1984-01-19 | Toshiba Corp | 絶対圧形半導体圧力センサーの製造方法 |
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