JPH0380446A - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPH0380446A JPH0380446A JP21632489A JP21632489A JPH0380446A JP H0380446 A JPH0380446 A JP H0380446A JP 21632489 A JP21632489 A JP 21632489A JP 21632489 A JP21632489 A JP 21632489A JP H0380446 A JPH0380446 A JP H0380446A
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- JP
- Japan
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- magneto
- layer
- optical recording
- film
- recording medium
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は書き替え可能な光磁気記録媒体の製造方法に関
し、特にプラスチック基板を用いた光磁気記録媒体の製
造方法に関するものである。
し、特にプラスチック基板を用いた光磁気記録媒体の製
造方法に関するものである。
光磁気ディスクは光デイスク同様レーザ光を用いて情報
の記録再生を行うため記憶容量が大きく、その上書き替
え可能である。又、非接触で記録再生が出来、塵埃の影
響を受けないことから安定性にも優れている。光磁気デ
ィスク用基板としては。
の記録再生を行うため記憶容量が大きく、その上書き替
え可能である。又、非接触で記録再生が出来、塵埃の影
響を受けないことから安定性にも優れている。光磁気デ
ィスク用基板としては。
ガラス基板が破損し易くかつ高価であることや直接案内
溝を形成することが容易でないことから、ポリカーボネ
ート（ｐｃ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）
、ポリオレフィン（ＡＰＯ）等のプラスチック基板が用
いられている。又、光磁気記録膜（以下記録膜と記す。
溝を形成することが容易でないことから、ポリカーボネ
ート（ｐｃ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）
、ポリオレフィン（ＡＰＯ）等のプラスチック基板が用
いられている。又、光磁気記録膜（以下記録膜と記す。
）に用いる材料としては、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ
Ｃｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、 ＮｄＤｙＦｅＣｏ等の希土
類−遷移金属非晶質合金薄膜（以下ＲＥ−ＴＭ膜と記す
。）が盛んに開発されており、現在、商品化段階を迎え
るまでに至っている。このＲＥ−７Ｍ膜は非晶質である
ため粒界による媒体ノイズが無く、スパッタ法を用いる
ことにより容易に垂直磁化膜が得られるという利点を有
している。しかし、このＲＥ−７Ｍ膜の特に希土類（Ｒ
，Ｅ）成分は酸化腐食を受は易く、経時と共に膜の保磁
力や垂直磁気異方性等の磁気特性が劣化するという大き
な欠点がある。この酸化腐食は記録膜の形成時に真空槽
内に残存する酸素二ブラスチック基板の表面に吸着され
た酸素、水：ターゲツト材中に含まれる酸素：大気中の
酸素、水等によるものであるが、特に大きな影響を及ぼ
すのは、基板及び大気からの水や酸素の侵入である。そ
こで水や酸素の侵入を防止する方法としてＳｉＮ、５ｉ
ＡＱＮ、 ＳｉＡ Ｑ ＯＮ等の誘電膜でＲＥ−７Ｍ膜
を両面から被覆する方法がとられており、この誘電膜は
干渉層も兼ねている。つまり、第２図に示したようにプ
ラスチック基板（案内溝付）１上に干渉Ｍ２、記録層３
、反射層４を順次形成した構成にすることにより、光磁
気ディスクの寿命は１０年以上保障出来るまでに改善さ
れた。
Ｃｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、 ＮｄＤｙＦｅＣｏ等の希土
類−遷移金属非晶質合金薄膜（以下ＲＥ−ＴＭ膜と記す
。）が盛んに開発されており、現在、商品化段階を迎え
るまでに至っている。このＲＥ−７Ｍ膜は非晶質である
ため粒界による媒体ノイズが無く、スパッタ法を用いる
ことにより容易に垂直磁化膜が得られるという利点を有
している。しかし、このＲＥ−７Ｍ膜の特に希土類（Ｒ
，Ｅ）成分は酸化腐食を受は易く、経時と共に膜の保磁
力や垂直磁気異方性等の磁気特性が劣化するという大き
な欠点がある。この酸化腐食は記録膜の形成時に真空槽
内に残存する酸素二ブラスチック基板の表面に吸着され
た酸素、水：ターゲツト材中に含まれる酸素：大気中の
酸素、水等によるものであるが、特に大きな影響を及ぼ
すのは、基板及び大気からの水や酸素の侵入である。そ
こで水や酸素の侵入を防止する方法としてＳｉＮ、５ｉ
ＡＱＮ、 ＳｉＡ Ｑ ＯＮ等の誘電膜でＲＥ−７Ｍ膜
を両面から被覆する方法がとられており、この誘電膜は
干渉層も兼ねている。つまり、第２図に示したようにプ
ラスチック基板（案内溝付）１上に干渉Ｍ２、記録層３
、反射層４を順次形成した構成にすることにより、光磁
気ディスクの寿命は１０年以上保障出来るまでに改善さ
れた。
しかしながら、基板にプラスチック基板を用いた場合、
成膜中に基板温度が上昇し、基板と各層との線膨張係数
の違いによる熱応力によってディスク全体に反りが生じ
る。第２図に示したような片面媒体の場合、この反りが
大きいとトラッキングが出来ないとか、ＣハやＢＥＲ（
ピットエラーレート）等の動特性に悪影響を及ぼす。又
、片面媒体の膜面どうじを接合層を介して貼り合わせた
構造の両面媒体の場合１反りは互いに矯正されるが、反
りが大きすぎると貼り合せ時或いは経時的に膜にクラッ
クが生じる。よって片面媒体の状態において反りは無い
かもしくはなるべく小さい方が良い。
成膜中に基板温度が上昇し、基板と各層との線膨張係数
の違いによる熱応力によってディスク全体に反りが生じ
る。第２図に示したような片面媒体の場合、この反りが
大きいとトラッキングが出来ないとか、ＣハやＢＥＲ（
ピットエラーレート）等の動特性に悪影響を及ぼす。又
、片面媒体の膜面どうじを接合層を介して貼り合わせた
構造の両面媒体の場合１反りは互いに矯正されるが、反
りが大きすぎると貼り合せ時或いは経時的に膜にクラッ
クが生じる。よって片面媒体の状態において反りは無い
かもしくはなるべく小さい方が良い。
本発明の目的は、プラスチック基板を用いた光磁気記録
媒体の反りを小さくし、クラックが無く、片面媒体の状
態においてもＣ／ＮやＢＥＲ等の動特性に悪影響を生じ
ない信頼性の高い光磁気記録媒体を提供することを目的
とする。
媒体の反りを小さくし、クラックが無く、片面媒体の状
態においてもＣ／ＮやＢＥＲ等の動特性に悪影響を生じ
ない信頼性の高い光磁気記録媒体を提供することを目的
とする。
〔課題を解決するための手段及び作用〕媒体に反りが生
じる主な原因は、スパッタ法による成膜中ターゲット材
からの輻射熱によって基板温度が上昇し、真空槽から大
気中に取出す時に各層と基板との線膨張係数の違いによ
って両者の間に熱応力が生じることによるものである。
じる主な原因は、スパッタ法による成膜中ターゲット材
からの輻射熱によって基板温度が上昇し、真空槽から大
気中に取出す時に各層と基板との線膨張係数の違いによ
って両者の間に熱応力が生じることによるものである。
この基板温度は干渉層、記録層、反射層を順次形成する
につれて徐々に上昇する。これは、前の成膜工程中に上
昇した温度が真空中であるため熱の伝導による温度の降
下がほとんど無く、成膜ごとに熱が蓄積されるからであ
る。よってこれを防ぐためには各成膜後に上昇した基板
温度をその都度下げてやればよい、ところが、各層の成
膜後にそれぞれ冷却工程を設けたのでは媒体の製造時間
が大幅に増加してしまう０本発明者はこれらのことに鑑
み鋭意検討を重ねた結果、基板温度の上昇が最も大きな
干渉層の成膜後に基板温度を下げただけで媒体の反りが
効果的に防止できることを見い出し、本発明を完成する
に至った。
につれて徐々に上昇する。これは、前の成膜工程中に上
昇した温度が真空中であるため熱の伝導による温度の降
下がほとんど無く、成膜ごとに熱が蓄積されるからであ
る。よってこれを防ぐためには各成膜後に上昇した基板
温度をその都度下げてやればよい、ところが、各層の成
膜後にそれぞれ冷却工程を設けたのでは媒体の製造時間
が大幅に増加してしまう０本発明者はこれらのことに鑑
み鋭意検討を重ねた結果、基板温度の上昇が最も大きな
干渉層の成膜後に基板温度を下げただけで媒体の反りが
効果的に防止できることを見い出し、本発明を完成する
に至った。
すなわち、本発明の光磁気記録媒体の製造方法は、案内
溝を備えた透明なプラスチック基板上に干渉層、光磁気
記録層及び反射層等をスパッタ装置の真空槽内で順次形
成することからなる光磁気記録媒体の製造方法において
、干渉層形成後に不活性ガス雰囲気中での冷却工程を設
けたことを特徴とする。
溝を備えた透明なプラスチック基板上に干渉層、光磁気
記録層及び反射層等をスパッタ装置の真空槽内で順次形
成することからなる光磁気記録媒体の製造方法において
、干渉層形成後に不活性ガス雰囲気中での冷却工程を設
けたことを特徴とする。
以下本発明を図面に基づき更に詳述する。
第１図は本発明の製造方法を用いたスパッタ装置の一例
を示す概略図である０図中Ａは基板Ｓの取入れ室、Ｂは
干渉Ｍｌｆｊ、膜室、Ｃは冷却室、Ｄは記録層成膜室、
Ｅは反射層成膜室、Ｆは媒体の取出し室である。なお、
Ｔはターゲツト材、Ｐは水冷パイプである。本スパッタ
装置の特徴は、干渉層成膜室Ｂの次に冷却室Ｃが設置さ
れている点である。この冷却室ＣにはＡｒ（アルゴン）
やＮ！（窒素）ガス等の不活性ガスが導入されるように
なっている。つまり、この冷却室Ｃで基板Ｓは一度不活
性ガスによって真空から大気圧近くまで戻され、不活性
ガスを介して冷却された後、次の記録層成膜室りへと移
行する。冷却室Ｃは、冷却効果を高めるために水冷パイ
プＰが配設され、水冷されている。冷却室Ｃでの基板Ｓ
の冷却温度は３０℃以下であるのが好ましい。
を示す概略図である０図中Ａは基板Ｓの取入れ室、Ｂは
干渉Ｍｌｆｊ、膜室、Ｃは冷却室、Ｄは記録層成膜室、
Ｅは反射層成膜室、Ｆは媒体の取出し室である。なお、
Ｔはターゲツト材、Ｐは水冷パイプである。本スパッタ
装置の特徴は、干渉層成膜室Ｂの次に冷却室Ｃが設置さ
れている点である。この冷却室ＣにはＡｒ（アルゴン）
やＮ！（窒素）ガス等の不活性ガスが導入されるように
なっている。つまり、この冷却室Ｃで基板Ｓは一度不活
性ガスによって真空から大気圧近くまで戻され、不活性
ガスを介して冷却された後、次の記録層成膜室りへと移
行する。冷却室Ｃは、冷却効果を高めるために水冷パイ
プＰが配設され、水冷されている。冷却室Ｃでの基板Ｓ
の冷却温度は３０℃以下であるのが好ましい。
上記のスパッタ装置によれば、例えば第２図と同様、プ
ラスチック基板ｌ上に干渉Ｍ２、記録Ｎ３及び反射層４
を順次積層した構成の媒体が得られる。この場合、プラ
スチック基材ｌの材料としてはポリカーボネート（ｐｃ
）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、アモルフ
ァスポリオレフィン（ＡＰＯ）等が使用される。干渉層
２はＳｉＮ、 ５ｉＯ１、ＡＱＮ、ＢＮ、ＳｉＡ Ｑ
Ｎ、 ＳｉＡ悲ＯＮ等の一層以上の膜から形成すること
ができる。記録層３としては希土類−遷移金属非晶質合
金が使用でき、その具体例としてはＴｂＦｅＣｏ、Ｔｂ
ＧｄＦｅＣｏ、 ＴｂＤｙＦｅＣｏ、 ＮｄＤｙＦｅＣ
ｏ等の一層以上が挙げられる。反射Ｍ４としては脚、Ａ
ｌ２Ｔｉ、Ａ氾Ｓｉ、 Ｐｔ、 Ｚｒ、 Ｔａ等の一層
以上が挙げられる。
ラスチック基板ｌ上に干渉Ｍ２、記録Ｎ３及び反射層４
を順次積層した構成の媒体が得られる。この場合、プラ
スチック基材ｌの材料としてはポリカーボネート（ｐｃ
）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、アモルフ
ァスポリオレフィン（ＡＰＯ）等が使用される。干渉層
２はＳｉＮ、 ５ｉＯ１、ＡＱＮ、ＢＮ、ＳｉＡ Ｑ
Ｎ、 ＳｉＡ悲ＯＮ等の一層以上の膜から形成すること
ができる。記録層３としては希土類−遷移金属非晶質合
金が使用でき、その具体例としてはＴｂＦｅＣｏ、Ｔｂ
ＧｄＦｅＣｏ、 ＴｂＤｙＦｅＣｏ、 ＮｄＤｙＦｅＣ
ｏ等の一層以上が挙げられる。反射Ｍ４としては脚、Ａ
ｌ２Ｔｉ、Ａ氾Ｓｉ、 Ｐｔ、 Ｚｒ、 Ｔａ等の一層
以上が挙げられる。
なお、本発明によれば作製できる光磁気記録媒体は上記
のものに限定されず、上記に例示の構成の媒体の記録層
と反射層の間にさらに干渉層を設けたり、反射層の上に
カバー層を設けたり、これらを膜面どうしで接合剤を介
して貼り合わせたりすることも可能である。
のものに限定されず、上記に例示の構成の媒体の記録層
と反射層の間にさらに干渉層を設けたり、反射層の上に
カバー層を設けたり、これらを膜面どうしで接合剤を介
して貼り合わせたりすることも可能である。
以下に実施例をあげて本発明をさらに説明するが、本発
明はここに例示の実施例のみに限定されるものではない
。
明はここに例示の実施例のみに限定されるものではない
。
（実施例）
直径１３０ｍｍ、厚さ１ 、２ｍｍのポリカーボネート
（ＰＣ）板を基板として用い、第１図に示すスパッタ装
置を使用して干渉層としてＳｉＮ膜を膜厚８００人に、
記録層としてＴｂＤｙＦｅＣｏ膜を膜厚２５０入に、反
射層として肋膜を膜厚５００Ａに順次形成して光磁気デ
ィスクを得た。冷却室においてはＡｒガスを流すととも
に水冷を行った。また各層の成膜条件は下記の通りとし
た。
（ＰＣ）板を基板として用い、第１図に示すスパッタ装
置を使用して干渉層としてＳｉＮ膜を膜厚８００人に、
記録層としてＴｂＤｙＦｅＣｏ膜を膜厚２５０入に、反
射層として肋膜を膜厚５００Ａに順次形成して光磁気デ
ィスクを得た。冷却室においてはＡｒガスを流すととも
に水冷を行った。また各層の成膜条件は下記の通りとし
た。
王夏夏
・成膜法：ＲＦマグネトロンスパッタ法・ターゲット材
：Ｓｉ ・背圧： ３．ＯＸ １０’−’ （Ｔｏｒｒ）ガス圧
： １０（ｍＴｏｒｒ） ガスの種類： Ｎｚ／Ａｒ＝０．１ ・成膜速度： ３００（入／ｍ１ｎ） 藍見凰 ・成膜法：ＤＣマグネトロンスパッタ法・ターゲット材
： ＴｂＤｙＦｅＣｏ合金・背圧： ３．ＯＸ １０−
’ （Ｔｏｒｒ）・ガス圧： ３（ｍＴｏｒｒ） ・ガスの種類：Ａｒ ・成膜速度： ５００（人／ｍ１ｎ） （比較例） 実施例１において、干渉層形成後に冷却工程がないこと
以外は同様にして光磁気ディスクを得た。
：Ｓｉ ・背圧： ３．ＯＸ １０’−’ （Ｔｏｒｒ）ガス圧
： １０（ｍＴｏｒｒ） ガスの種類： Ｎｚ／Ａｒ＝０．１ ・成膜速度： ３００（入／ｍ１ｎ） 藍見凰 ・成膜法：ＤＣマグネトロンスパッタ法・ターゲット材
： ＴｂＤｙＦｅＣｏ合金・背圧： ３．ＯＸ １０−
’ （Ｔｏｒｒ）・ガス圧： ３（ｍＴｏｒｒ） ・ガスの種類：Ａｒ ・成膜速度： ５００（人／ｍ１ｎ） （比較例） 実施例１において、干渉層形成後に冷却工程がないこと
以外は同様にして光磁気ディスクを得た。
以上のようにして作製した実施例と比較例の各光磁気デ
ィスクについて反り量を測定したところ、比較例では１
０（ｍｒａｄ）であったのに対し、実施例では３（ｍｒ
ａｄ）と著しく反りが減少した。これは干渉Ｎ成膜中に
受けた熱が冷却工程によって蓄積されないで記録層及び
反射層の成膜が行えたためである。なお、実施例と比較
例における反射ｉｔ膜終了時点での基板温度（ｐｃ基板
の裏に貼り付けたサーモラベルによって測定）は実施例
が６０℃、比較例が８０℃であった。
ィスクについて反り量を測定したところ、比較例では１
０（ｍｒａｄ）であったのに対し、実施例では３（ｍｒ
ａｄ）と著しく反りが減少した。これは干渉Ｎ成膜中に
受けた熱が冷却工程によって蓄積されないで記録層及び
反射層の成膜が行えたためである。なお、実施例と比較
例における反射ｉｔ膜終了時点での基板温度（ｐｃ基板
の裏に貼り付けたサーモラベルによって測定）は実施例
が６０℃、比較例が８０℃であった。
以上詳細に説明したように、本発明によれば、干渉層形
成後に不活性ガス雰囲気中での冷却工程を設けたので、
蓄熱のない状態で記録層及び反射層の成膜が行えるよう
になり、媒体の反りを著しく低減することが可能となる
。
成後に不活性ガス雰囲気中での冷却工程を設けたので、
蓄熱のない状態で記録層及び反射層の成膜が行えるよう
になり、媒体の反りを著しく低減することが可能となる
。
第１図は本発明の製造方法を用いたスパッタ装置の構成
を示す概略図、第２図は光磁気記録媒体の一般的構成を
示す断面図である。 Ａ・・・取入れ室 Ｃ・・・冷却室 Ｅ・・・反射層成膜室 Ｓ・・・基板 Ｐ・・・水冷パイプ ２・・・干渉層 ４・・・反射層 Ｂ・・・干渉層成膜室 Ｄ・・・記録層成膜室 Ｆ・・・取出し室 Ｔ・・・ターゲツト材 １・・・プラスチック基板 ３・・・記録層
を示す概略図、第２図は光磁気記録媒体の一般的構成を
示す断面図である。 Ａ・・・取入れ室 Ｃ・・・冷却室 Ｅ・・・反射層成膜室 Ｓ・・・基板 Ｐ・・・水冷パイプ ２・・・干渉層 ４・・・反射層 Ｂ・・・干渉層成膜室 Ｄ・・・記録層成膜室 Ｆ・・・取出し室 Ｔ・・・ターゲツト材 １・・・プラスチック基板 ３・・・記録層
Claims (1)
- （１）案内溝を備えた透明なプラスチック基板上に干渉
層、光磁気記録層及び反射層等をスパッタ装置の真空槽
内で順次形成することからなる光磁気記録媒体の製造方
法において、干渉層形成後に不活性ガス雰囲気中での冷
却工程を設けたことを特徴とする光磁気記録媒体の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21632489A JPH0380446A (ja) | 1989-08-23 | 1989-08-23 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21632489A JPH0380446A (ja) | 1989-08-23 | 1989-08-23 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0380446A true JPH0380446A (ja) | 1991-04-05 |
Family
ID=16686747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21632489A Pending JPH0380446A (ja) | 1989-08-23 | 1989-08-23 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0380446A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6380407A (ja) * | 1986-09-22 | 1988-04-11 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜の製造方法 |
-
1989
- 1989-08-23 JP JP21632489A patent/JPH0380446A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6380407A (ja) * | 1986-09-22 | 1988-04-11 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜の製造方法 |
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