JPS6380407A - 薄膜の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、薄膜の製造方法に関する０ 〔従来の技術〕 一般に、従来より基板上に誘電体膜を成膜する方法とし
て、スパッタ法、蒸着法、イオンブレーティング法等が
あるが、誘電体は一般に融点が非常に高＜　（２０００
〜３０００℃）、蒸着法、イオンブレーティング法で基
板上に誘電体膜を成膜する場合、どうしても基板の温度
が上昇してしまう。又、スパッタ法の場合は、ターゲッ
トに誘電体自身を用いるか、メタルで反応スパッタする
かどちらかで１基板上に誘電体膜を成膜することになる
が、どちらにしても高周波（ＲＦ）スパッタ法を用いる
ととＫなり、やはり基板の温度が上昇してしまう。基板
の温度上昇は、成膜速度と膜厚にもよるが、数十度〜数
百度となる。

そこで、プラスチック基板を用いる時には、プラスチッ
クの持つ欠点が問題となってくる。つまり、融点が低い
（百数十度）ことが問題となる。

真空中で成膜する基本に真空度を良好な状態にすること
が必要であるが、プラスチック基板の温度が上昇すれば
するほど、基板からのガス放出量が多くなり良質の膜が
つくれないことＫなる。特に１酸化し易い機能性薄膜を
成膜する場合、基板からのガス放出は禁物となる。

そこで、従来、プラスチック基板に誘電体膜を成膜し、
その上に酸化され易い機能性薄膜を成膜する場合には、
誘電体膜の成膜速度を極力遅くして、プラスチック基板
の温度上昇を低くしていた。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかし、前述の従来技術ではプラスチック基板の温度上
昇は低く押えられているが・成膜速度が極端に遅く成膜
時間が長時間になるため量産的でないという問題点を有
する〇 そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところはプラスチック基板上に誘電体膜を
成膜する際、成膜速度は速く成膜時間を短時間にし、し
かもその上に酸化され易い機能性薄膜を成膜する時に問
題となる基板からのガス放出量をも低く押える成膜方法
を提供するところにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の薄膜の製造方法は、プラスチック基板上に薄膜
を多ｌ成膜する方法において、プラスチック基板上に誘
電体膜を成膜した後、冷却工程を経て機能性薄膜を成膜
することを特徴とする。

〔作　用〕 本発明の上記の構成によれば、プラスチック基板上に誘
電体膜を成膜した後に１冷却工程を入れるため・誘電体
膜を成膜する時にプラスチック基板の温度上昇が高くな
っても、冷却工程の所でプラスチック基板の温度は十分
低くなる１そのためガス放出の無い状態で機能性薄膜を
成膜できることになる。

次に本発明を具体的実施例をもとに詳述する０〔実施例
〕 第１図は本発明の実施例における・光磁気記録媒体の断
面図であるｏｌはプラスチック基板で、ポリカーボネー
ト基板（１，２ｍｔ、、案内溝付き）である。２は窒化
アルミニウムと窒化シリコンの８合誘電体Ｗｊ　１ｏ　
ｏ　ｏ　Ｘ厚テアリ、３はＮｄＤｙＦｅ０ｏＴｉ°光磁
気記録膜４００ｘ厚で、４は２と同じ窒化アルミニウム
と窒化シリコンの複合誘電体膜１０００Ｘ厚である〇 成膜方法はスパッタ法を用い、まずポリカーボネート基
板をセットし、ターゲットはＡｆｆｉと８１の焼結ター
ゲットをＲ７反応（Ａｒ、＋Ｎｔ）スパッタにて２の誘
電体膜を１ｏｏｏＸ成膜した・その時のＲＩＦパワーは
２ＫＷであり成膜速度は２００　Ｘ　／　ｍである。そ
して１層目の誘電体膜の成膜が終わった後、基板を冷却
するために３時間そのまま放置しておいた（基板をセッ
トする基板ホルダー自身が液体窒素で冷却されている）
。その後・３のＮｄＤｙ１ＦｅＣｏＴｉ光磁気記録膜４
００ｘを成膜した。ターゲットはＮｄＤｙＦｅＣｏＴｉ
合金ターゲットを用いＤＣスパッタで成膜した。そして
、その後すぐに４の誘電体膜を１ｏｏｏＸ成膜した。

次に比較のため冷却時間を０．α５，１５時間とした光
磁気記録媒体を作成し、それぞれの媒体の光磁気特性（
カーヒステリシス）を調べた。第２ＰＸＪが冷却時間の
異なるカーヒステリシス図である。（α）が冷却時間３
時間の媒体、（６）が冷却時間１５時間の媒体、（ｃ）
か冷却時間０．５時間の媒体、（ｄ）が冷却時間０時間
の媒体である・横軸は印加磁場、縦軸はカー回転角を示
す＠この図かられかる様に、冷却時間が長くなるにつれ
て、媒体の保磁力、カー回転角とも大きくなり（媒体は
遷移金ＪＩＩｒ　ｉ　ｃ　ｈ組成）、角形性も良くなっ
ている。これらは、基板からのガス放出量の差によるも
ので、基板の冷却が十分でないとき、つまり、基板から
のガスが放出されているときに光磁気記録層を成膜する
と、放出ガス（主としてＨｌｏ）によりＮ（１，Ｄ７等
の希土類金属が酸化されるために磁気特性が悪くなる０
光磁気記録層を成膜した後の誘電体膜成膜時には・基板
温度上昇があり基板からのガス放出があっても、光磁気
記録層の酸化劣化にない。

第３図は上述してきた媒体の、保磁力及び基板温度の冷
却時間依存性図である。横軸は冷却時間、縦軸は保磁力
及び基板温度である。この図より、冷却時間が長くなる
につれ保磁力は大きくなり３時間ぐらいから一定となる
。

つまり、〒定となる所ではガス放出も無くなっていると
いうことであり、本成膜法では３時間以上の冷却をおこ
なえば良いことになる。

本実施例のポリカーボネート基板上に誘電体膜を２ｏｏ
Ｘ／＝で成膜した場合、基板温度か８０℃に上昇してい
たか冷却時間がたつにつれ、基板温度は低くなっていく
。そして保磁力が一定となる所（５時間以上経過）では
、基板温度が４５℃以下であることより、基板温度が４
５℃以下になった所で１光磁気記録層を成膜すれば良い
こととなる。尚、第−層誘電体膜成膜後の冷却方法は・
本実施例に示すものに限定されるものでなく・例えば、
冷却したＡｒガス等を真空槽内に充満させる方法でも何
らさしつかえない。さらに、基板の種類もポリカーボネ
ートに限定されるものでなく１ＰＭＭＡ　、エポキシ樹
脂、ＰＭＰ等のプラスチック基板であれば全てに有効で
ある０ただし、プラスチック基板の種類によりガス放出
量が異なるため、冷却方法及び冷却時間に異なってくる
・又、本実施例では誘電体成膜後の機能性薄膜に、光磁
気記録膜ＮｄＤｙｌＰｅＣｏＴｉを選んだが、ＴｂＦｅ
０゜、ＧｄＴｂＩＦｅＣ！ｏ　、ＳｍＧｄ０ｏ等の希土
類遷移金属膜でも本発明は有効であり、さらに光磁気記
録膜でなくとも酸化されやすい機能性薄膜なら、なんで
も良い。そして、本実施例は、スパッタ法による成膜を
示したが、蒸着法、イオンブレーティング法等の薄膜製
造方法でも本発明は同様の効果がある〇 〔発明の効果〕 以上述べたように本発明によれば、プラスチック基板上
に薄膜を多層成膜する方法において、プラスチック基板
上に誘電体膜を成膜した後、冷却工程を経て機能性薄膜
を成膜することにより、誘電体膜の成膜速度を速くでき
るため、成膜時間が短くなり大量生産できるという効果
を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光磁気記録媒体の実施例の断面図・ 第２図（α）〜（ｄ）は、冷却時間の異なるカーヒステ
リシス図“。 第３図は、保磁力及び基板温度の冷却時間依存性図。 １・・・ポリカーボネート基板（ｉ２ａ＞ｔ、案内溝付
き） ２・・・窒化アルミニウムと窒化シリコンの複合誘電体
膜１０００Ｘ厚 ３−ＮｄＤｙＩＦｅＣｏＴｉ光磁気記録膜４００Ｘ厚４
・・・窒化子ルミニウムと窒化シリコンの複合誘電体膜
１０００Ｘ厚 以　　上 出願人　セイコーエプソン株式会社 代理人　弁理士　最　上　務　他１名 曵Ｎ 爲　１　図 男２図 易３図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　プラスチック基板上に薄膜を多層成膜する方法におい
   て、前記プラスチック基板上に誘電体膜を成膜した後、
   冷却工程を経て機能性薄膜を成膜することを特徴とする
   薄膜の製造方法。