JPH038328A - 基板表面の洗浄装置 - Google Patents

基板表面の洗浄装置

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JPH038328A
JPH038328A JP14206989A JP14206989A JPH038328A JP H038328 A JPH038328 A JP H038328A JP 14206989 A JP14206989 A JP 14206989A JP 14206989 A JP14206989 A JP 14206989A JP H038328 A JPH038328 A JP H038328A
Authority
JP
Japan
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substrate
gas
ice particles
injection means
injected
Prior art date
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Pending
Application number
JP14206989A
Other languages
English (en)
Inventor
Itaru Sugano
至 菅野
Hayaaki Fukumoto
福本 隼明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Publication of JPH038328A publication Critical patent/JPH038328A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、超微細な氷粒子を半導体等の基板表面に噴
射することにより基板表面を洗浄するための基板表面の
洗浄装置に関するものである。
〔従来の技術〕
第3図は従来の基板表面の洗浄装置を示し、図において
、微細氷粒子を生成するための製氷部(1)に、冷却用
の液体窒素等の冷媒体を送給する手段(2)および純水
を噴霧するノズル(3)が設けられており、生成された
微細氷粒子(4)は噴射手段(5)から半導体等の基板
(6)表面に噴射される。
以上の構成により、断熱材で囲まれた製氷部(1)内に
、液体窒素等の冷媒体(2)を注入し、スプレーノズル
(3)より超純水等の被凍結体を微噴霧して微細氷粒子
(4)を得る。こうして得られた微細氷粒子(4)は、
気体の噴流によるエジェクタ一方式によって噴射手段(
5)に送られ、半導体等の基板(6)表面に噴射される
。基板(6)表面上の汚染物は噴射された@細氷粒子(
4)の衝突と、低温効果により除去される。噴射の際、
微細氷粒子(4)が基板(6)の表面全体に噴射される
ように、噴射手段(5)または基板(6)がスキャニン
グされる機構となっている。
〔発明が解決しようとする課題〕
以上のような従来の基板表面の洗浄装置は、N2ガスや
、乾燥空気をキャリヤガスとして微細氷粒子のみを噴射
していた。この方式では基板表面の汚染物は氷粒子によ
り一旦は除去されるが、微細氷粒子が噴射されていない
基板表面部位に移動または再付着して洗浄効果を低下さ
せるという問題点があった。また、基板の材質(例えば
アルミ材)によっては表面のダメージが生じるという問
題点もあった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、微細粒子により一旦除去された汚染物を速や
かに吹き飛ばし、基板表面に再付着するのを防ぎ、かつ
、アルミ材等の柔らかい材質の基板に対してダメージを
生じない基板表面の洗浄装置を得ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る基板表面の洗浄装置は、微細氷粒子を基
板表面に噴射する氷粒子噴射手段と、同時に基板表面に
任意の温度の高清浄度ガスを噴射するガス噴射手段とを
備えている。
〔作 用〕
この発明においては、ガス噴射手段から噴射される高純
度不活性ガスは微細氷粒子による基板表面上の汚染物除
去の効果を高めるように機能し、また、ガスのもつ熱量
によって微細氷粒子を軟化させ、基板表面へのダメージ
を和らげる。
〔実施例〕
第1図はこの発明の一実施例を示し、(7)は任意の温
度をもつ高清浄度ガス、(8)は高清浄度ガス(7)を
基板(6)表面に噴射するガス噴射手段である。
その他、第3図におけると同一符号は同一部分を示して
おり、説明を省略する。
次に動作について説明する。微細氷粒子(4)を生成し
、氷粒子噴射手段(5)によって基板(6)の面に噴射
するまでは従来技術と同様である。これに加えて、ガス
噴射手段(8)によって温度制御(O℃〜200℃)さ
れた高清浄度のガス(例えばN2等)(7)を基板(6
)の表面またはその上部へ噴射する。基板(6)表面へ
の微細氷粒子(4)と高清浄度ガス〈7)の噴射の様子
を第2図に示す。氷粒子噴射手段(5)によって噴射さ
れた微細氷粒子(4)が基板(6)表面に当たる基板表
面上の軌跡(9)は、氷粒子噴射手段(5)または基板
(6)を移動させることによりスキャンされる。高清浄
度ガス(7)はガス噴射手段(8)によって基板(6)
表面もしくはその上部へ同時に噴射され、基板(6)表
面へ噴射された微細氷粒子(4)と、これと衝突して飛
ばされた基板(6)表面上の汚染物、および微細氷粒子
(4)が基板(6)表面上で溶けた後の液体を基板(6
)表面の上から吹き飛ばす作用をする。また、温度制御
(例えば0℃〜200℃)された高清浄度ガス(7)は
微細氷粒子(4)の温度を高めて軟化させ、基板(6)
表面のダメージを低減させる。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によれば、凍結氷噴射手段とガ
ス噴射手段とを併用したことにより、基板表面で一旦除
去された汚染物の再付着を防いで、汚染物の除去効果を
高めると共に、柔らかい材質の基板表面に対してダメー
ジを低減させて洗浄を行うことができるという効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例の概略立断面図、第2図は
第1図のものの動作説明のための要部斜視図、第3図は
従来の基板表面の洗浄装置の概略立断面図である。 (1)  ・・製氷部、(4)  ・・微細氷粒子、(
5)・・・氷粒子噴射手段、(6)  ・・基板、(7
)・・高清浄度ガス、(8)・・ガス噴射手段。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 超純水より超微細な氷粒子を製氷する製氷部と、前記氷
    粒子を基板表面上に噴射する氷粒子噴射手段と、高清浄
    度のガスを前記基板表面に噴射するガス噴射手段とを備
    えてなる基板表面の洗浄装置
JP14206989A 1989-06-06 1989-06-06 基板表面の洗浄装置 Pending JPH038328A (ja)

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JP14206989A JPH038328A (ja) 1989-06-06 1989-06-06 基板表面の洗浄装置

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JPH038328A true JPH038328A (ja) 1991-01-16

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ID=15306707

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JP (1) JPH038328A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9534990B2 (en) 2011-03-18 2017-01-03 Ge Healthcare Uk Limited Arrangement for preservation of biological samples

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9534990B2 (en) 2011-03-18 2017-01-03 Ge Healthcare Uk Limited Arrangement for preservation of biological samples

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