JPH0383331A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体集積回路、特にＭＯ３構造の素子を有す
る半導体装置に関するものである。

従来の技術 従来、ＭＯ３構造素子と半導体装置内に形成する場合に
は、金属（電極）を半導体との間に電位差を設ける。電
位差がなければ素子としての機能を果たせないからであ
る。

発明が解決しようとする課題 素子の微細化に伴い、ＭＯＳ構造における絶縁膜も薄膜
化し、従来では問題とならなかったチャージアップ現象
により絶縁膜破壊が生じることが明らかとなった。

このチャージアップ現象はプラズマ放電を利用した工程
においても発生するが、最も顕著に現れるのはイオン注
入工程である。イオン注入工程の中でも高ドーズ量や大
ビーム電流の条件の場合は、従来から問題となっており
電子シャワーを利用したチャージアップ防止策が採られ
ている。しかしながら、上記対策では微細化、薄膜化が
進んだ素子には対応できず、従来構造の半導体装置では
絶縁膜破壊が発生してしまう。

課題を解決するための手段 上記問題点を解決するために、本発明では、ＭＯＳ　（
金属−酸化シリコン−半導体）型素子を有する半導体装
置において、半導体装置内で最も広い面積の金属（電極
）で構成される素子の電極側と半導体側との電位を同等
とした。この場合、半導体装置内で最も広い面積の金属
（電極）と絶縁膜と半導体とで構成されるＭＯＳ構造に
おいて金属（電極）と半導体とを配線により連結させる
ことにより容易に同電位とすることができる。

作用 この構造をもつ半導体装置では、イオン注入工程でチャ
ージアップによる絶縁膜破壊が発生しても装置特性に影
響しない。チャージアップ現象は、半導体装置内の最も
面積の広い金属（電極）を有する素子でおこることが明
らかとなった。つまり、半導体装置内で最も広い面積の
金属（電極）で構成される素子の絶縁膜は破壊するが、
電極側と半導体側との電位を同等とすることにより絶縁
膜破壊を起こしても半導体装置が形成できることになる
。

実施例 第１図により本発明の一実施例を説明する。

第１図（ａ）のように、Ｐ型車結晶シリコン基板１にＮ
型拡散層２および素子分離領域７を形成し、ＭＯ３型素
子の絶縁膜３，５、金属（電極）４゜６を形成する。金
属４はこの半導体装置内で最も面積の広いものである。

この状態で、砒素イオン８を注入する。この時Ｎ型拡散
層９を形成するが、第１図（ｂ）のように、チャージア
ップにより絶縁膜３が破壊し、ピンホール１０が生じる
。

本発明の構造によれば、第１図（Ｃ）に示すように、金
属（電極）４とＮ型拡散層２とは配線１１により連結さ
れるためピンホール１０によりリーク電流が発生するこ
とがない。

発明の効果 本発明によれば、チャージアップによる絶縁膜の破壊や
劣化を半導体装置特性に無関係な素子でまかなうため、
従来の構造に比べ、絶縁膜の高信頼性や高歩留まりをも
たらすものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を説明するための図である。 １・・・・・・Ｐ型シリコン基板、２，９・・・・・・
Ｎ型拡散層、３，５・・・・・・素子用絶縁膜、４，６
・・・・・・金属（電極）、７・・・・・・素子分離領
域、１０・・・・・・静電破壊により生じたピンホール
、１１・・・・・・配線、１２層間絶縁膜。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体装置内で最も広い面積の金属（電極）で構成され
   るＭＯＳ型素子の前記金属と前記金属下の素子用絶縁膜
   を隔てた半導体との電位を同等とすることを特徴とする
   半導体装置。