JPH0383953A - 新規なビス―m―ベンゾトリフルオライド化合物 - Google Patents
新規なビス―m―ベンゾトリフルオライド化合物Info
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- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C225/00—Compounds containing amino groups and doubly—bound oxygen atoms bound to the same carbon skeleton, at least one of the doubly—bound oxygen atoms not being part of a —CHO group, e.g. amino ketones
- C07C225/22—Compounds containing amino groups and doubly—bound oxygen atoms bound to the same carbon skeleton, at least one of the doubly—bound oxygen atoms not being part of a —CHO group, e.g. amino ketones having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C317/00—Sulfones; Sulfoxides
- C07C317/14—Sulfones; Sulfoxides having sulfone or sulfoxide groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C323/00—Thiols, sulfides, hydropolysulfides or polysulfides substituted by halogen, oxygen or nitrogen atoms, or by sulfur atoms not being part of thio groups
- C07C323/01—Thiols, sulfides, hydropolysulfides or polysulfides substituted by halogen, oxygen or nitrogen atoms, or by sulfur atoms not being part of thio groups containing thio groups and halogen atoms, or nitro or nitroso groups bound to the same carbon skeleton
- C07C323/09—Thiols, sulfides, hydropolysulfides or polysulfides substituted by halogen, oxygen or nitrogen atoms, or by sulfur atoms not being part of thio groups containing thio groups and halogen atoms, or nitro or nitroso groups bound to the same carbon skeleton having sulfur atoms of thio groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton
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- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、新規なビス−m−ペンシトリフルオライド化
合物に関する。特に、本発明はビス−mペンシトリフル
オライドジアミン、該ジアミンの製造のための前駆体、
及び該ジアミンから製造されたポリマーに関する。
合物に関する。特に、本発明はビス−mペンシトリフル
オライドジアミン、該ジアミンの製造のための前駆体、
及び該ジアミンから製造されたポリマーに関する。
ポリイミドは、通常第一ジアミンと二無水物又はテトラ
カルボン酸との反応により製造される縮合ポリマーであ
る。芳香族ポリイミドは、シア逅ンモノマー及び二無水
物又はテトラカルボン酸モノマーの両方が芳香族である
場合、顕著な機械的性質及び優れた熱及び酸化安定性を
示す。それらは、金属及びガラスの代わりに、電気、電
子、自動車、宇宙航空技術及び包装産業にわたる高性能
の用途に広く使用される。
カルボン酸との反応により製造される縮合ポリマーであ
る。芳香族ポリイミドは、シア逅ンモノマー及び二無水
物又はテトラカルボン酸モノマーの両方が芳香族である
場合、顕著な機械的性質及び優れた熱及び酸化安定性を
示す。それらは、金属及びガラスの代わりに、電気、電
子、自動車、宇宙航空技術及び包装産業にわたる高性能
の用途に広く使用される。
特定のポリイミドの性質は、当然ながら、それらの製造
に使用される特定のジアミン及び二無水物又はテトラカ
ルボン酸に依存する。電子産業において非常に有用な性
質には、ポリイミドの有機溶媒に対する高い溶解性並び
に低い誘電率が含まれる。ポリイミドがフィルムとして
使用される場合には、下層の物質が見えるように無色で
あること及び透明であること、並びに変形されないこと
が望ましい。
に使用される特定のジアミン及び二無水物又はテトラカ
ルボン酸に依存する。電子産業において非常に有用な性
質には、ポリイミドの有機溶媒に対する高い溶解性並び
に低い誘電率が含まれる。ポリイミドがフィルムとして
使用される場合には、下層の物質が見えるように無色で
あること及び透明であること、並びに変形されないこと
が望ましい。
本発明者らは、ポリイミドの製造におけるモノマーとし
て非常に有用な新規な群のジアミン、及び該ジアミンを
製造するための前駆体を見出し、製造した。本発明のジ
アミンは、製造されるポリイミドに優れた電子製品とし
ての性質、特に有機溶媒に対する高い溶解性及び低い誘
電率を与える2つのペンシトリフルオライド基を含む。
て非常に有用な新規な群のジアミン、及び該ジアミンを
製造するための前駆体を見出し、製造した。本発明のジ
アミンは、製造されるポリイミドに優れた電子製品とし
ての性質、特に有機溶媒に対する高い溶解性及び低い誘
電率を与える2つのペンシトリフルオライド基を含む。
当該技術分野で公知の他のペンシトリフルオライドジア
ミンとは異なり、本発明のペンシトリフルオライドジア
ミンはメタ−ペンシトリフルオライドジアミンであり、
これはベンゼン環上の置換基が1゜3.5位にあること
を意味する。置換基がメタ位にあるため、得られたポリ
イミドは、類似の、しかしメタでないペンシトリフルオ
ライドジアミンに比べてはるかに安定である。
ミンとは異なり、本発明のペンシトリフルオライドジア
ミンはメタ−ペンシトリフルオライドジアミンであり、
これはベンゼン環上の置換基が1゜3.5位にあること
を意味する。置換基がメタ位にあるため、得られたポリ
イミドは、類似の、しかしメタでないペンシトリフルオ
ライドジアミンに比べてはるかに安定である。
新規な本発明のメタ−ペンシトリフルオライド化合物は
下記の一般式で表される。
下記の一般式で表される。
(式中、Aは各々独立にNO□、N11t又はNH3”
Zを表し、Bはo 、 co、 s 、 so又はSO
,を表す)ニトロ化合物 (AがNO□を表す化合物)
はジアミンの製造に使用される中間体化合物である。A
がNH3”Z−である場合、Zが陰イオンであるアミン
塩が生成する。適当な陰イオンの例には、塩化物イオン
、臭化物イオン、フッ化物イオン、硫酸イオン、及び硫
酸水素イオンが挙げられる。塩化物の塩を製造するのに
必要な化合物は安価であり、容易に得られるので、塩化
物イオンが好ましい。
Zを表し、Bはo 、 co、 s 、 so又はSO
,を表す)ニトロ化合物 (AがNO□を表す化合物)
はジアミンの製造に使用される中間体化合物である。A
がNH3”Z−である場合、Zが陰イオンであるアミン
塩が生成する。適当な陰イオンの例には、塩化物イオン
、臭化物イオン、フッ化物イオン、硫酸イオン、及び硫
酸水素イオンが挙げられる。塩化物の塩を製造するのに
必要な化合物は安価であり、容易に得られるので、塩化
物イオンが好ましい。
上記式において、Bが0、COl又はSO2を表す化合
物が、ポリイミドの製造に最も有用なため、好ましい。
物が、ポリイミドの製造に最も有用なため、好ましい。
本発明のジアミンは、種々の方法により製造することが
できる。適当な方法は、製造される特定のジアミンに依
存する。エーテル(BがOを表す)は、有機溶媒中、水
及び約2当it(生成物の重量に対して)のカリウム又
はセシウムフルオライドの存在下で、3.5−ジニトロ
ベンシトリフルオライドを加熱することにより製造する
ことができ、結果としてジニトロジベンゾトリフルオラ
イドエーテルが生成する。
できる。適当な方法は、製造される特定のジアミンに依
存する。エーテル(BがOを表す)は、有機溶媒中、水
及び約2当it(生成物の重量に対して)のカリウム又
はセシウムフルオライドの存在下で、3.5−ジニトロ
ベンシトリフルオライドを加熱することにより製造する
ことができ、結果としてジニトロジベンゾトリフルオラ
イドエーテルが生成する。
本反応において、触媒としてのフッ化カリウム及び溶媒
としてのN、N−ジメチルホルムアミド(DMF)を使
用すること、並びに約120″Cと160°Cの間の温
度で加熱することが好ましい。本反応は少量の高分子エ
ーテルをも生成する。
としてのN、N−ジメチルホルムアミド(DMF)を使
用すること、並びに約120″Cと160°Cの間の温
度で加熱することが好ましい。本反応は少量の高分子エ
ーテルをも生成する。
エーテルは、下記式
(式中、XはNO,、C1,Fを表わす)で表されるニ
トロベンシトリフルオライド化合物又はその混合物を、
フッ化カリウム、フッ化セシウム又はそれらの混合物と
、本発明者らによる本願と同日付の出1jll(米国特
許第394 、986号)に記載したように加熱するこ
とにより製造することもできる。これらは本願の参考文
献とされる。
トロベンシトリフルオライド化合物又はその混合物を、
フッ化カリウム、フッ化セシウム又はそれらの混合物と
、本発明者らによる本願と同日付の出1jll(米国特
許第394 、986号)に記載したように加熱するこ
とにより製造することもできる。これらは本願の参考文
献とされる。
ジアミンは、対応するジニトロ化合物から、還元剤、例
えば約10〜約50%の鉄及び1〜約20%の塩酸中で
加熱することにより製造されうる。
えば約10〜約50%の鉄及び1〜約20%の塩酸中で
加熱することにより製造されうる。
4.4′
一オキシビス(3−トリフルオロメチル)−ベンザミン
反応は、約O″C〜はぼ室温で行うことができ、還元剤
として硫化アンモニウムを使用することもできる。還元
反応において酸を存在させると、アミド塩(即ちAがN
H,” Z−を表すもの)が生成する。アミン塩は任意
の塩基、例えば水酸化ナトリウム、トリエチルアミン、
又はピリジンを添加することにより、容易にアミンに転
化しうる。
反応は、約O″C〜はぼ室温で行うことができ、還元剤
として硫化アンモニウムを使用することもできる。還元
反応において酸を存在させると、アミド塩(即ちAがN
H,” Z−を表すもの)が生成する。アミン塩は任意
の塩基、例えば水酸化ナトリウム、トリエチルアミン、
又はピリジンを添加することにより、容易にアミンに転
化しうる。
ケトンシアミン(BはCOを表す)は、ジベンゾトリフ
ルオライドケトンを発煙硫酸の存在下で発煙硝酸と反応
させて先ずジニトロケトンを製造することにより製造し
うる。
ルオライドケトンを発煙硫酸の存在下で発煙硝酸と反応
させて先ずジニトロケトンを製造することにより製造し
うる。
反応は、望ましくない生Tfi、物の生成を妨げるため
に60°C未満の温度で行われるべきである。ジニトロ
ケトンは上記と同じ還元反応によりシアミノケトンに還
元されうる。
に60°C未満の温度で行われるべきである。ジニトロ
ケトンは上記と同じ還元反応によりシアミノケトンに還
元されうる。
硫化化合物(BはSを表す)は、ジニトロベンシトリフ
ルオライドを硫化ナトリウム又は硫化カリウムと反応さ
せて先ずジニトロスルフィドを製造することにより製造
しうる。
ルオライドを硫化ナトリウム又は硫化カリウムと反応さ
せて先ずジニトロスルフィドを製造することにより製造
しうる。
反応は約150°Cで約4時間行われ、ガスクロマトグ
ラフィー(GC)で追跡しうる。この反応による収率は
約10%である。ジニトロスルフィドは上記の還元反応
によりジアミノスルフィドに還元しうる。
ラフィー(GC)で追跡しうる。この反応による収率は
約10%である。ジニトロスルフィドは上記の還元反応
によりジアミノスルフィドに還元しうる。
スルホキシド(BはSOを表す)は、ジアミノスルフィ
ド化合物を酸化することにより製造しうる。
ド化合物を酸化することにより製造しうる。
これは、過酸化水素又はより好ましくはメタクロロ過安
息香酸のような酸化剤により、0°Cより低い温度で行
うことができる。
息香酸のような酸化剤により、0°Cより低い温度で行
うことができる。
スルホン化合物(BはSO□を表す)は、ペンシトリフ
ルオライドメタ−クロライドを硫化ナトリウムと反応さ
せてジベンゾトリフルオライドスルフィドを製造するこ
とにより製造されうる。
ルオライドメタ−クロライドを硫化ナトリウムと反応さ
せてジベンゾトリフルオライドスルフィドを製造するこ
とにより製造されうる。
この反応は、NMPのような有機溶媒中、約170°C
の温度で行われる。次の工程においては、スルフィドは
酢酸中30%濃度の30%過酸化水素のような酸化剤を
用いてスルホンに酸化される。
の温度で行われる。次の工程においては、スルフィドは
酢酸中30%濃度の30%過酸化水素のような酸化剤を
用いてスルホンに酸化される。
これらの最初の2工程は、
当該技術分野におい
て知られた反応である1、米国特許第3.538.16
6号の実施例17及びJ、R,Call1pbell及
びR,E、HattonによるJ、 Org、 Che
+s、 26. p、 2480 (1961)の記事
参照。
6号の実施例17及びJ、R,Call1pbell及
びR,E、HattonによるJ、 Org、 Che
+s、 26. p、 2480 (1961)の記事
参照。
次工程において、スルホンを少なくとも2当量の硝酸(
密度1.5 g/cc以上)及び65%以下のSO3を
含有する少なくとも2当量の硫酸の混合物を用いて、8
0℃未満の温度でニトロ化する。
密度1.5 g/cc以上)及び65%以下のSO3を
含有する少なくとも2当量の硫酸の混合物を用いて、8
0℃未満の温度でニトロ化する。
最後に、ジニトロ化合物を上記の還元反応によりアミン
に還元する。
に還元する。
スルホンを製造する第二の方法は、Jeffrey S
。
。
5tultsによる’Method of Makin
g Dinitro andDiamino 1eta
−Bisbenzotrifluoride Co+l
1pounds’という名称の米国特許第394,99
8号に記載されている。これは本願の参考文献となる。
g Dinitro andDiamino 1eta
−Bisbenzotrifluoride Co+l
1pounds’という名称の米国特許第394,99
8号に記載されている。これは本願の参考文献となる。
簡単に言えば、ジベンゾトリフルオライドスルフィドを
、発煙硫酸の存在下、約O″C〜約75°Cで発煙硝酸
と反応させる。
、発煙硫酸の存在下、約O″C〜約75°Cで発煙硝酸
と反応させる。
本発明のジアミンはポリイミド、ポリアミド−イミド、
及びポリアミドの製造に有用である。ポリイミドは、ジ
アミンと二無水物又はテトラカルボン酸との周知の反応
を、使用されるジアミンを本発明のジアミンに置き換え
て行うことにより製造しうる。非芳香族性の二無水物を
使用することもできるが、より良好な熱的性質を有する
ポリイミドが得られる点で、芳香族二無水物が好ましい
。
及びポリアミドの製造に有用である。ポリイミドは、ジ
アミンと二無水物又はテトラカルボン酸との周知の反応
を、使用されるジアミンを本発明のジアミンに置き換え
て行うことにより製造しうる。非芳香族性の二無水物を
使用することもできるが、より良好な熱的性質を有する
ポリイミドが得られる点で、芳香族二無水物が好ましい
。
適する二無水物の例には、オキシジフタル酸無水物(O
DPA)、ビフェニル二無水物(BPDA)、ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物(BTDA) 、ピロ
メリット酸二無水物(PMDA) 、及び“6−F″”
二無水物(5,5’ −[2,2,2−)リフルオロ−
1(トリフルオロメチル)エチリデン1 ビス−1゜3
−イソベンゾフランジオン)が挙げられる。−船釣に、
ジアミンと二無水物又はテトラカルボン酸との反応は、
室温で又は穏やかな加熱下で進行しうる。反応進行がよ
り容易なため、二無水物がテトラカルボン酸より好まし
い。ポリイミドをテトラカルボン酸の半エステルから及
び加水分解されたニトリルから製造することもできるが
、反応はさらに困難となる。ポリアミドイミドは、ジア
ミンを、トリメリット酸無水物又はトリメリット酸のよ
うな三官能価の無水物又はカルボン酸と反応させること
により製造することもできる。ボリアごドはジアミンを
ジカルボン酸又は酸ハライドと反応させるこにより製造
することができ、ポリウレタンはジアミンをジイソシア
ネートと反応させることにより製造することができる。
DPA)、ビフェニル二無水物(BPDA)、ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物(BTDA) 、ピロ
メリット酸二無水物(PMDA) 、及び“6−F″”
二無水物(5,5’ −[2,2,2−)リフルオロ−
1(トリフルオロメチル)エチリデン1 ビス−1゜3
−イソベンゾフランジオン)が挙げられる。−船釣に、
ジアミンと二無水物又はテトラカルボン酸との反応は、
室温で又は穏やかな加熱下で進行しうる。反応進行がよ
り容易なため、二無水物がテトラカルボン酸より好まし
い。ポリイミドをテトラカルボン酸の半エステルから及
び加水分解されたニトリルから製造することもできるが
、反応はさらに困難となる。ポリアミドイミドは、ジア
ミンを、トリメリット酸無水物又はトリメリット酸のよ
うな三官能価の無水物又はカルボン酸と反応させること
により製造することもできる。ボリアごドはジアミンを
ジカルボン酸又は酸ハライドと反応させるこにより製造
することができ、ポリウレタンはジアミンをジイソシア
ネートと反応させることにより製造することができる。
下記の実施例により本発明をさらに詳細に説明する。
ILLL : 1 、 1 ’−スルホニルービス(3
−ニドロー5−トリフルオロメチル)ベンゼン11のフ
ラスコに、硝酸(発煙、50d)及び硫酸(20%9発
煙、130InIl)を入れ、フラスコを水浴で0〜5
°Cに冷却した。1,1′−スルホニル−ビス(3−)
リフルオロメチル)ベンゼン(23,5g)を添加した
。反応混合物を65°Cに加熱すると、3時間後に、G
C分析によりスルホンが完全に消費されたこと及び1−
(3−ニトロ−5−トリフルオロメチルフェニルスルホ
ニル)−3−トリフルオロメチルベンゼンの存在が確認
された。硝酸(発煙、75m)及び硫酸(20%。
−ニドロー5−トリフルオロメチル)ベンゼン11のフ
ラスコに、硝酸(発煙、50d)及び硫酸(20%9発
煙、130InIl)を入れ、フラスコを水浴で0〜5
°Cに冷却した。1,1′−スルホニル−ビス(3−)
リフルオロメチル)ベンゼン(23,5g)を添加した
。反応混合物を65°Cに加熱すると、3時間後に、G
C分析によりスルホンが完全に消費されたこと及び1−
(3−ニトロ−5−トリフルオロメチルフェニルスルホ
ニル)−3−トリフルオロメチルベンゼンの存在が確認
された。硝酸(発煙、75m)及び硫酸(20%。
発煙、195d)を添加し、反応体をさらに5時間加熱
した。反応混合物を窒素で窒素酸化物の発生が止むまで
パージした。反応混合物を400gの氷に注ぎ、得られ
た固体を集めた。固体を氷水で洗浄すると、所望の1,
1−スルホニル−ビス(3−ニトロ−5−トリフルオロ
メチル)ベンゼン26.8g(91%の収率)が得られ
た。
した。反応混合物を窒素で窒素酸化物の発生が止むまで
パージした。反応混合物を400gの氷に注ぎ、得られ
た固体を集めた。固体を氷水で洗浄すると、所望の1,
1−スルホニル−ビス(3−ニトロ−5−トリフルオロ
メチル)ベンゼン26.8g(91%の収率)が得られ
た。
裏施量1:t 1’−オキシビス 3−ニトロ−5−
トリフルオロメチル ベンゼンの 500dの丸底フラスコに、3.5−ジニトロペンシト
リフルオライド(25,1g)、フッ化カリウム(27
,2g)、水(2,4rIi)及びジメチルホルムアミ
ド(DMF、125d)を入れた。反応体を160°C
に24時間加熱した。反応混合物を水<400m1)で
希釈し、エーテル(3×150d)で抽出した。エーテ
ルを硫酸マグネシウムで乾燥し、5°Cに冷却し、得ら
れた固体を集めると、合計で11.3g(収率53.8
%)の所望の1.1−オキシ−ビス(3−ニトロ−5−
トリフルオロメチル)ベンゼンが得られた。
トリフルオロメチル ベンゼンの 500dの丸底フラスコに、3.5−ジニトロペンシト
リフルオライド(25,1g)、フッ化カリウム(27
,2g)、水(2,4rIi)及びジメチルホルムアミ
ド(DMF、125d)を入れた。反応体を160°C
に24時間加熱した。反応混合物を水<400m1)で
希釈し、エーテル(3×150d)で抽出した。エーテ
ルを硫酸マグネシウムで乾燥し、5°Cに冷却し、得ら
れた固体を集めると、合計で11.3g(収率53.8
%)の所望の1.1−オキシ−ビス(3−ニトロ−5−
トリフルオロメチル)ベンゼンが得られた。
約0.88 gの実施例2の生成物を含有するフラスコ
ニ、1.8gの鉄粉末及び1OWdlの50%のエタノ
ールを添加した。この混合物を還流加熱し、50%エタ
ノール1.5成及び濃塩酸0.1 rrdlを加えた。
ニ、1.8gの鉄粉末及び1OWdlの50%のエタノ
ールを添加した。この混合物を還流加熱し、50%エタ
ノール1.5成及び濃塩酸0.1 rrdlを加えた。
該混合物を2時間還流させた。鉄粉末を濾去し、95%
エタノールで洗浄した。エタノールを蒸発させ、水を添
加し、生成物をエーテルで抽出した。塩化水素を生成物
のエーテル溶液に通気し、0、38 gの4,4′−オ
キシビス(3−トリフルオロメチル)−ベンズアミン塩
酸塩(収率43%)を集めた。
エタノールで洗浄した。エタノールを蒸発させ、水を添
加し、生成物をエーテルで抽出した。塩化水素を生成物
のエーテル溶液に通気し、0、38 gの4,4′−オ
キシビス(3−トリフルオロメチル)−ベンズアミン塩
酸塩(収率43%)を集めた。
硝酸(発煙、50d)及び硫酸(20%1発煙。
90−)を含有する冷却した(10″C)250mの丸
底フラスコに、1.1′−チオ−ビス(3−トリフルオ
ロメチル)ベンゼン(10g)を添加した。反応混合物
を、スルホキシド形成が完結するまで(約1.5時間)
低温に保持し、その後35°Cに加熱した。得られた反
応混合物をゆっくり65°Cに加熱した。反応混合物の
分析により、ニトロ化された化合物が生成したことが確
認された。酸化及びニトロ化反応は、反応混合物を85
°Cに加熱することにより完結した。その後、反応混合
物を氷上に注ぎ、固体を集め、冷水で洗浄して、白色固
体としての1.l′−スルホニル−ビス(3ニトロ−5
−トリフルオロメチル)ベンゼン(7,16g、収率5
2%)を得た。
底フラスコに、1.1′−チオ−ビス(3−トリフルオ
ロメチル)ベンゼン(10g)を添加した。反応混合物
を、スルホキシド形成が完結するまで(約1.5時間)
低温に保持し、その後35°Cに加熱した。得られた反
応混合物をゆっくり65°Cに加熱した。反応混合物の
分析により、ニトロ化された化合物が生成したことが確
認された。酸化及びニトロ化反応は、反応混合物を85
°Cに加熱することにより完結した。その後、反応混合
物を氷上に注ぎ、固体を集め、冷水で洗浄して、白色固
体としての1.l′−スルホニル−ビス(3ニトロ−5
−トリフルオロメチル)ベンゼン(7,16g、収率5
2%)を得た。
硝酸(発煙、50d)及び硫酸(20%2発煙。
90戚)を含有する冷却した(10°C)250成の丸
底フラスコに、1.1′−スルホニル−ビス(3−トリ
フルオロメチル)ベンゼン(27,3g)を添加した。
底フラスコに、1.1′−スルホニル−ビス(3−トリ
フルオロメチル)ベンゼン(27,3g)を添加した。
反応混合物を75°Cに加熱し、その後さらに硝酸(5
2d)及び硫酸(130d)を添加した。反応を7時間
75°Cで加熱し、さらに硝酸(3成)及び硫酸C3m
jりを加えた。反応混合物をさらに2時間加熱した。反
応混合物を氷600gに注ぎ、集めた固体を冷水で洗浄
して、白色固体としての1,1′−スルホニル−ビス(
3−ニトロ−5−トリフルオロメチル)ベンゼン(27
,2g、収率79%)を得た。
2d)及び硫酸(130d)を添加した。反応を7時間
75°Cで加熱し、さらに硝酸(3成)及び硫酸C3m
jりを加えた。反応混合物をさらに2時間加熱した。反
応混合物を氷600gに注ぎ、集めた固体を冷水で洗浄
して、白色固体としての1,1′−スルホニル−ビス(
3−ニトロ−5−トリフルオロメチル)ベンゼン(27
,2g、収率79%)を得た。
硝酸(発煙、33.8g)及び硫酸(20%2発AI、
83戚)を含有する250朧のフラスコに、先ず3,3
′−ビストリフルオロメチルベンゾフェノン(40,6
g )を入れ、その後続いてさらに硫酸(50d)を添
加した。温度は、氷水浴で冷却することにより40°C
未満に維持した。反応混合物を40°Cで約3時間加熱
した。反応混合物を300gの氷に注ぎ、沈澱を集め、
冷水・で洗浄し:その後乾燥して5,5′−ビストリフ
ルオロメチル−3,3′−ジニトロベンゾフェノン(5
1,4g、収率82%) 25−の20フラスコに、0.44 gのNatS9永
和物及び2In1のNMPを入れた。混合物を210°
Cに加熱して水を除去し、0.99 gのメタ−ジニト
ロベンシトリフルオライドを添加した。3.3′−チオ
ビス(3−ニトロ−5−トリフルオロメチル)ベンゼン
の収率は約10%であった。
83戚)を含有する250朧のフラスコに、先ず3,3
′−ビストリフルオロメチルベンゾフェノン(40,6
g )を入れ、その後続いてさらに硫酸(50d)を添
加した。温度は、氷水浴で冷却することにより40°C
未満に維持した。反応混合物を40°Cで約3時間加熱
した。反応混合物を300gの氷に注ぎ、沈澱を集め、
冷水・で洗浄し:その後乾燥して5,5′−ビストリフ
ルオロメチル−3,3′−ジニトロベンゾフェノン(5
1,4g、収率82%) 25−の20フラスコに、0.44 gのNatS9永
和物及び2In1のNMPを入れた。混合物を210°
Cに加熱して水を除去し、0.99 gのメタ−ジニト
ロベンシトリフルオライドを添加した。3.3′−チオ
ビス(3−ニトロ−5−トリフルオロメチル)ベンゼン
の収率は約10%であった。
エタノール(8(11d)及び5,5′−ビストリフル
オロメチル−3,3′−ジニトロベンゾフェノン(4,
9g)を含有する50°Cの丸底フラスコに、炭素上の
10%パラジウム(0,05g)を添加し、続いてヒド
ラジン(3,0d)を添加した。
オロメチル−3,3′−ジニトロベンゾフェノン(4,
9g)を含有する50°Cの丸底フラスコに、炭素上の
10%パラジウム(0,05g)を添加し、続いてヒド
ラジン(3,0d)を添加した。
反応温度が70″Cに上がり、反応体をさらに2時間攪
拌した。反応混合物を濾過手段により濾過し:エタノー
ルを減圧下で除去し、酢酸エチル(90rI11)で置
き換えた。酢酸エチルを飽和塩化ナトリウム溶液(10
d)で洗浄し、続いて水(10Id)で洗浄し、その後
飽和塩化ナトリウム溶液で洗浄した。酢酸エチルを乾燥
しく硫酸ナトリウム)、そして蒸発して残渣(3,62
g)を得た。残渣をエーテルに溶解し、エーテルを10
%の塩酸水溶液で、続いて5%の炭酸水素ナトリウム溶
液で洗浄した。その後、塩化水素ガスをエーテル溶液中
に通気して、沈澱として5.5′−ビストリフルオロメ
チル−3,3′−ジアミノベンゾフェノン塩酸塩(2,
1g、収率50%)を得た。
拌した。反応混合物を濾過手段により濾過し:エタノー
ルを減圧下で除去し、酢酸エチル(90rI11)で置
き換えた。酢酸エチルを飽和塩化ナトリウム溶液(10
d)で洗浄し、続いて水(10Id)で洗浄し、その後
飽和塩化ナトリウム溶液で洗浄した。酢酸エチルを乾燥
しく硫酸ナトリウム)、そして蒸発して残渣(3,62
g)を得た。残渣をエーテルに溶解し、エーテルを10
%の塩酸水溶液で、続いて5%の炭酸水素ナトリウム溶
液で洗浄した。その後、塩化水素ガスをエーテル溶液中
に通気して、沈澱として5.5′−ビストリフルオロメ
チル−3,3′−ジアミノベンゾフェノン塩酸塩(2,
1g、収率50%)を得た。
1.1−オキシビス(3−ニトロ−5−トリフルオロメ
チル)ベンゼンの製造のためにニトロ基の代わりに他の
脱離基を使用しうるか調べるために、下記の実験を行っ
た。実施例2の母液を蒸留することにより単離した3−
フルオロ−5−二トロペンゾトリフルオライドのDMP
(5d)中の溶液に、フッ化カリウム(0,7g)を添
加した。懸濁液を150 ’Cに加熱し、水2滴を添加
した。反応の進行をガスクロマトグラフィー(CC)に
より調べた。7時間後、GC分析により、1,1−オキ
シビス(3−ニトロ−5−トリフルオロメチル)ベンゼ
ンの混合物の出発フッ化物に対する比率が0.17:1
であることが61L2された。この比率は17.5時間
加熱した後には2.1:1に増加した。
チル)ベンゼンの製造のためにニトロ基の代わりに他の
脱離基を使用しうるか調べるために、下記の実験を行っ
た。実施例2の母液を蒸留することにより単離した3−
フルオロ−5−二トロペンゾトリフルオライドのDMP
(5d)中の溶液に、フッ化カリウム(0,7g)を添
加した。懸濁液を150 ’Cに加熱し、水2滴を添加
した。反応の進行をガスクロマトグラフィー(CC)に
より調べた。7時間後、GC分析により、1,1−オキ
シビス(3−ニトロ−5−トリフルオロメチル)ベンゼ
ンの混合物の出発フッ化物に対する比率が0.17:1
であることが61L2された。この比率は17.5時間
加熱した後には2.1:1に増加した。
Claims (15)
- (1)下記の一般式で表されるメタ−ベンゾトリフルオ
ライド化合物。 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、Aは各々独立にNO_2、NH_2及びNH_
3^+Z^−からなる群より選ばれ、Z^−は陰イオン
を表し、そしてBはO、CO、S、SO及びSO_2か
らなる群より選ばれる) - (2)AがNH_2を表す請求項(1)記載の化合物。
- (3)BがOを表す請求項(1)記載の化合物。
- (4)BがCOを表す請求項(1)記載の化合物。
- (5)BがSO_2を表す請求項(1)記載の化合物。
- (6)請求項(2)記載の化合物と、二無水物、テトラ
カルボン酸及びそれらの混合物からなる群より選ばれる
四官能価の化合物との反応生成物を含むポリイミド。 - (7)前記四官能価の化合物がオキシジフタル酸無水物
である請求項(6)記載のポリイミド。 - (8)前記四官能価の化合物がビフェニル二無水物であ
る請求項(6)記載のポリイミド。 - (9)前記四官能価の化合物がベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸二無水物である請求項(6)記載のポリイミド
。 - (10)前記四官能価の化合物がポリメリット酸二無水
物である請求項(6)記載のポリイミド。 - (11)前記四官能価の化合物が6−F二無水物である
請求項(6)記載のポリイミド。 - (12)トリメリット酸無水物と請求項(2)記載の化
合物との反応生成物を含むポリアミド−イミド。 - (13)ジカルボン酸又はジカルボン酸ハライドと、請
求項(2)記載の化合物との反応生成物を含むポリアミ
ド。 - (14)イソシアネートと請求項(2)記載の化合物と
の反応生成物を含むポリウレタン。 - (15)下記の一般式で表されるメタベンゾトリフルオ
ライドジアミン。 ▲数式、化学式、表等があります▼ (BはO、CO及びSO_2からなる群から選ばれる)
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US39499089A | 1989-08-17 | 1989-08-17 | |
| US394990 | 1989-08-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0383953A true JPH0383953A (ja) | 1991-04-09 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2211454A Pending JPH0383953A (ja) | 1989-08-17 | 1990-08-09 | 新規なビス―m―ベンゾトリフルオライド化合物 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5498691A (ja) |
| EP (1) | EP0413194B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0383953A (ja) |
| CA (1) | CA2021753A1 (ja) |
| DE (1) | DE69001966T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5578697A (en) * | 1994-03-29 | 1996-11-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Polyimide precursor, bismaleimide-based cured resin precursor and electronic parts having insulating members made from these precursors |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7438957B2 (en) * | 2005-07-18 | 2008-10-21 | Akon Polymer Systems | Poly(aryletherimides) for negative birefringent films for LCDs |
Family Cites Families (13)
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|---|---|---|---|---|
| US3507765A (en) * | 1966-05-05 | 1970-04-21 | Gen Electric | Method for electrocoating a polyamide acid |
| DE1914367A1 (de) * | 1969-03-21 | 1970-10-01 | Bayer Ag | 2,2',4,4'-Tetrachlor-5,5'-diamino-diphenylaether |
| JPS59189122A (ja) * | 1983-04-11 | 1984-10-26 | Hitachi Ltd | 含フッ素ポリアミド酸及びポリイミドの製造方法 |
| US4535115A (en) * | 1984-08-20 | 1985-08-13 | Gulf Oil Corporation | Method of preparation of polyimide acids |
| US4912197A (en) * | 1987-08-14 | 1990-03-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Highly soluble clear polyimides |
| US4996278A (en) * | 1988-02-09 | 1991-02-26 | Occidental Chemical Corporation | Novel polyimidesiloxanes and methods for their preparation and use based on diamines with pendant fluorine groups |
| US4876329A (en) * | 1988-06-28 | 1989-10-24 | Amoco Corporation | Polyimide polymers and copolymers using 3,5-diaminobenzotrifluoride |
| US5003086A (en) * | 1989-05-15 | 1991-03-26 | Occidental Chemical Corporation | Process of preparing dioxydiphthalic anhydride |
| US4990670A (en) * | 1989-08-17 | 1991-02-05 | Occidental Chemical Corporation | Method of making 1,1'-oxybis (3-nitro-5-trifluoromethyl)-benzene |
| US4997908A (en) * | 1989-11-13 | 1991-03-05 | Occidental Chemical Corporation | Solvent resistant polymidesiloxane |
| US5061781A (en) * | 1990-09-18 | 1991-10-29 | American Cyanamid Company | Polyimides from diaminobenzotrifluorides |
| US5021540A (en) * | 1990-09-18 | 1991-06-04 | American Cyanamid | Polyimides from diaminobenzotrifluorides |
| US5484879A (en) * | 1990-12-17 | 1996-01-16 | Occidental Chemical Corporation | Polyimides containing fluorine |
-
1990
- 1990-07-23 CA CA002021753A patent/CA2021753A1/en not_active Abandoned
- 1990-07-31 DE DE90114686T patent/DE69001966T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-07-31 EP EP90114686A patent/EP0413194B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-08-09 JP JP2211454A patent/JPH0383953A/ja active Pending
- 1990-10-09 US US07/594,479 patent/US5498691A/en not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-04-15 US US08/554,222 patent/US5675039A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5578697A (en) * | 1994-03-29 | 1996-11-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Polyimide precursor, bismaleimide-based cured resin precursor and electronic parts having insulating members made from these precursors |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69001966D1 (de) | 1993-07-22 |
| EP0413194B1 (en) | 1993-06-16 |
| EP0413194A1 (en) | 1991-02-20 |
| DE69001966T2 (de) | 1993-11-11 |
| US5498691A (en) | 1996-03-12 |
| CA2021753A1 (en) | 1991-02-18 |
| US5675039A (en) | 1997-10-07 |
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