JPH0384729A - 磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0384729A JPH0384729A JP22223289A JP22223289A JPH0384729A JP H0384729 A JPH0384729 A JP H0384729A JP 22223289 A JP22223289 A JP 22223289A JP 22223289 A JP22223289 A JP 22223289A JP H0384729 A JPH0384729 A JP H0384729A
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- JP
- Japan
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- hardness
- tin
- adhesion strength
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【産業上の利用分野Ｊ
本発明は磁気記録謀体、とくにその保護層及びこの保護
層の製造方法に関するものである。
層の製造方法に関するものである。
〔従来の技術Ｊ
従来の磁気記録導体は例えば特公昭６０−２３４０６号
公報に示されるような炭素膜が保護層として使われてい
た。この炭素膜はフェライトヘッドに対しては充分なａ
ＳＳ（コンタクト・スタート・ストップ）耐性を有して
はいるものの、薄膜ヘッド（ＡｌｚＯ３・Ｔｉｃスライ
ダー）に対しては硬度が低過ぎて、保護層としての機能
を果たし得なかった。
公報に示されるような炭素膜が保護層として使われてい
た。この炭素膜はフェライトヘッドに対しては充分なａ
ＳＳ（コンタクト・スタート・ストップ）耐性を有して
はいるものの、薄膜ヘッド（ＡｌｚＯ３・Ｔｉｃスライ
ダー）に対しては硬度が低過ぎて、保護層としての機能
を果たし得なかった。
そこで、この炭素膜に代わる保護層としてＢ４Ｃ。
ＢＮ等が考えられているが、密着性に問題があり未だ実
用には至っていない。
用には至っていない。
一方、’Ｉ’ｉｌｌ ｍは、硬度が高く、薄膜ヘッドの
使用にも耐え得る性能を有してはいるものの、やはり密
着性に問題があり、実用に供するには例えば特開昭６１
−１４４７２８号公報に示されるように、２層膜とする
ことによって密着性を向上させていた。
使用にも耐え得る性能を有してはいるものの、やはり密
着性に問題があり、実用に供するには例えば特開昭６１
−１４４７２８号公報に示されるように、２層膜とする
ことによって密着性を向上させていた。
従来の磁気記録謀体は以上のように構成されてかり保護
層にＴｉＮを用いた場合にかいても、密着性は充分では
なく、２層構造とすることによっても薄膜ヘッドの使用
には耐えられないという問題があった。
層にＴｉＮを用いた場合にかいても、密着性は充分では
なく、２層構造とすることによっても薄膜ヘッドの使用
には耐えられないという問題があった。
また、らの２１ｍ膿では、上記公報中にも記載しである
通り恥、ｚ！１１尊を含有する材質のヘラＦにしか耐え
得ないεいう問題点もあった。さらに、２層膜とするこ
とはプロセス的にも複雑になり、コストの上昇にりなが
Ｄｌまた製造方法に関しても、デヲズマ窺化処理を行う
己εから、表面のみにだけＴｉＮが形成されるという問
題点があった。
通り恥、ｚ！１１尊を含有する材質のヘラＦにしか耐え
得ないεいう問題点もあった。さらに、２層膜とするこ
とはプロセス的にも複雑になり、コストの上昇にりなが
Ｄｌまた製造方法に関しても、デヲズマ窺化処理を行う
己εから、表面のみにだけＴｉＮが形成されるという問
題点があった。
本発明は上記のような問題点を解消するためになされた
ものであυ、密着性が良く、薄膜ヘッドの使用にも１耐
え得る高硬度の保護層、しよびその保護層を簡明なグロ
九スで容易に製逸することを目的とする。
ものであυ、密着性が良く、薄膜ヘッドの使用にも１耐
え得る高硬度の保護層、しよびその保護層を簡明なグロ
九スで容易に製逸することを目的とする。
本発明による磁気記録謀体は、磁性廟上に、Ｔｉ２Ｎの
割合が１０〜４０％の、ＴｉＮ 、！： Ｔｉ２Ｎとの
混晶よ＃）なる保護層を形成したものである。
割合が１０〜４０％の、ＴｉＮ 、！： Ｔｉ２Ｎとの
混晶よ＃）なる保護層を形成したものである。
また、上記保護層はＮ２ガス圧２〜１５ ｍ ｔｏｒｒ
、基板温度１００〜２５０Ｃのもとで、Ｎ２ガスによる
反応スパッタリング法により形成される。
、基板温度１００〜２５０Ｃのもとで、Ｎ２ガスによる
反応スパッタリング法により形成される。
本発明に訃けゐ保護層は、Ｔｉ２Ｎｉ／Ｃよ抄磁性層ε
の密着性が向上し、ＴｉＮにより高硬度が得られるゆ本
保護層は、Ｎ２ガスにぶる反応スパッタリング法によυ
、複雑なプロ量スを経ないで容易に製造できる。
の密着性が向上し、ＴｉＮにより高硬度が得られるゆ本
保護層は、Ｎ２ガスにぶる反応スパッタリング法によυ
、複雑なプロ量スを経ないで容易に製造できる。
Ｃ実施例〕
以下、本発明の一実施例を図について説明する。
第１図に３いで、（１）は基板、伐）は磁性層、（３）
は保護層である。保護層（３）ばＴｉＮとＴｉ２１１１
の混晶から戊り、この保護層（３）はＮ２ガス中でＴｉ
をターゲットにスパッタリングを行う反応スパッタリン
グ法により得られる。第２図は成膜時の基板温度２００
℃にかけるＮ２ガス圧とプイツカース硬度１ｉｖとの関
係である。Ｎ２ガス圧が高くなる程、ＴｉＮの割合が多
くなり、硬度が上昇する。第３図は成膜時の基板温度２
００℃にかけるＮ２ガス圧と密着力との関係である。密
着力は引っかき試験によシ測定した。試験時の膜厚は１
０００ＯＡ、である。Ｎ２ガス圧が高くなる程ＴｉＨの
割合が多くなり、’ａＲ力が小さくなる。
は保護層である。保護層（３）ばＴｉＮとＴｉ２１１１
の混晶から戊り、この保護層（３）はＮ２ガス中でＴｉ
をターゲットにスパッタリングを行う反応スパッタリン
グ法により得られる。第２図は成膜時の基板温度２００
℃にかけるＮ２ガス圧とプイツカース硬度１ｉｖとの関
係である。Ｎ２ガス圧が高くなる程、ＴｉＮの割合が多
くなり、硬度が上昇する。第３図は成膜時の基板温度２
００℃にかけるＮ２ガス圧と密着力との関係である。密
着力は引っかき試験によシ測定した。試験時の膜厚は１
０００ＯＡ、である。Ｎ２ガス圧が高くなる程ＴｉＨの
割合が多くなり、’ａＲ力が小さくなる。
従って硬度と密着力の両方を満足するには、Ｎ２ガス圧
２〜ｉ５ｍ ｔｏｍ好ましくは４〜ｌＯｍｔｏｒｒで成
膜すれば良い。
２〜ｉ５ｍ ｔｏｍ好ましくは４〜ｌＯｍｔｏｒｒで成
膜すれば良い。
なか、この時、ＴｉＮとＴｉｚＮの混晶の割合はほぼＴ
ｉ２Ｎの割合が４０〜１０ｑ６に対応している。
ｉ２Ｎの割合が４０〜１０ｑ６に対応している。
第４図はＮ２ガス圧８ｃｎｔｏｒｒで成膜した時の基板
温度と密着力との関係を示す図である。基板温度１００
℃以上で密着力は向上する。巴のようにして形成したＴ
ｉＮとＴｉ２Ｎの混晶より成る保護層は、Ｂｙが２０ｏ
Ｏ以上と非常に硬く、かつ密着力が大きく（引っかき試
験で５ｇ以上）、薄膜ヘッドの使用にも＃え、保護層護
摩４００１てＣｅＢ６万回以上という良好な特性を有す
る。Ｃｐｓ試験条件は、ディスク回転数３６００ｒｐｃ
ｎ 、ヘッド浮上距離Ｏ，２μのである。第５図はＮ２
ガス圧８ ｒｎ ｔｏｒｒ、基板温度２００℃で成膜し
た膜厚４００°ＡＬ：Ｄ膜の摺動試験による摩擦係数の
変化である。摺動回数８００ｏ問にかいても、摩擦係数
０，５以下と充分な耐久性を有している。このような良
好な特性を有するＴｉＮとＴｉ２Ｎの混晶から成る保護
層は、上述したように％Ｎ２Ｎ２ガス圧２〜１５ｏｒｒ
、基板温度１００〜２５０ Ｃ（上限の２５０’Ｃは基
板の＃熱温度による）のもεで、Ｎ２ガスによる反応ス
パッタリング法によって、複雑な工程を施すことなく、
容易に形成できる。
温度と密着力との関係を示す図である。基板温度１００
℃以上で密着力は向上する。巴のようにして形成したＴ
ｉＮとＴｉ２Ｎの混晶より成る保護層は、Ｂｙが２０ｏ
Ｏ以上と非常に硬く、かつ密着力が大きく（引っかき試
験で５ｇ以上）、薄膜ヘッドの使用にも＃え、保護層護
摩４００１てＣｅＢ６万回以上という良好な特性を有す
る。Ｃｐｓ試験条件は、ディスク回転数３６００ｒｐｃ
ｎ 、ヘッド浮上距離Ｏ，２μのである。第５図はＮ２
ガス圧８ ｒｎ ｔｏｒｒ、基板温度２００℃で成膜し
た膜厚４００°ＡＬ：Ｄ膜の摺動試験による摩擦係数の
変化である。摺動回数８００ｏ問にかいても、摩擦係数
０，５以下と充分な耐久性を有している。このような良
好な特性を有するＴｉＮとＴｉ２Ｎの混晶から成る保護
層は、上述したように％Ｎ２Ｎ２ガス圧２〜１５ｏｒｒ
、基板温度１００〜２５０ Ｃ（上限の２５０’Ｃは基
板の＃熱温度による）のもεで、Ｎ２ガスによる反応ス
パッタリング法によって、複雑な工程を施すことなく、
容易に形成できる。
以上のように５本発明によれば磁気記録謀体の保護層を
’ｒ１２Ｎの割合が１０〜４０９６の、ＴｉＮとＴｉ２
Ｎεの混晶で構成し九ので、高硬度、高密着性のものか
得られ、薄膜ヘッドによるＣ８Ｂにも充分＃見られ、装
置寿命が延びる効果がある。
’ｒ１２Ｎの割合が１０〜４０９６の、ＴｉＮとＴｉ２
Ｎεの混晶で構成し九ので、高硬度、高密着性のものか
得られ、薄膜ヘッドによるＣ８Ｂにも充分＃見られ、装
置寿命が延びる効果がある。
また、上記保護層はＮ２ガス圧２〜１５ ｍ ｔｏｒｒ
、基板温度１００〜２５０℃のもとで、Ｎ２ガスによる
反応スパッタリング法により形成するようにしたので、
簡単なグロ竜スで良好な特性の保護層が得られ、コスト
ダウンが図れる効果がある。
、基板温度１００〜２５０℃のもとで、Ｎ２ガスによる
反応スパッタリング法により形成するようにしたので、
簡単なグロ竜スで良好な特性の保護層が得られ、コスト
ダウンが図れる効果がある。
第１図は本発明の一実施例による磁気記録謀体を示す断
面構成図、第２図はＮ２ガス圧と形成された保護層のグ
イッカース硬度この関係を示す特性図、第３図はＮ２ガ
ス圧と形成きれた保護層の密清力乏の関係を示す特性図
、第４図は基板温度と形威された保護層の密着力との関
係を示す特性図、及び第５図は本発明の一実施例による
磁気記録謀体の摺動特性を示す特性図である。 図において、（１）は基板、Ｃ２）は磁性層、（３）は
保護層である。 なか、図中、同一符号は同−又は相当部分を示すＯ
面構成図、第２図はＮ２ガス圧と形成された保護層のグ
イッカース硬度この関係を示す特性図、第３図はＮ２ガ
ス圧と形成きれた保護層の密清力乏の関係を示す特性図
、第４図は基板温度と形威された保護層の密着力との関
係を示す特性図、及び第５図は本発明の一実施例による
磁気記録謀体の摺動特性を示す特性図である。 図において、（１）は基板、Ｃ２）は磁性層、（３）は
保護層である。 なか、図中、同一符号は同−又は相当部分を示すＯ
Claims (2)
- （１）基板上に形成された磁性層、及びこの磁性層上に
形成され、Ｔｉ＿２Ｎの割合が１０〜４０％の、ＴｉＮ
とＴｉ＿２Ｎとの混晶よりなる保護層を備えた磁気記録
謀体。 - （２）基板上に磁性層を形成する工程、及び上記磁性層
上に、Ｔｉ＿２Ｎの割合が１０〜４０％の、ＴｉＮとＴ
ｉ＿２Ｎとの混晶よりなる保護層を、Ｎ＿２ガス圧２〜
１５ｍｔｏｒｒ、基板温度１００〜２５０℃のもとで、
Ｎ＿２ガスによる反応スパッタリング法により形成する
工程を施した磁気記録謀体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22223289A JPH0384729A (ja) | 1989-08-29 | 1989-08-29 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22223289A JPH0384729A (ja) | 1989-08-29 | 1989-08-29 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0384729A true JPH0384729A (ja) | 1991-04-10 |
Family
ID=16779186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22223289A Pending JPH0384729A (ja) | 1989-08-29 | 1989-08-29 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0384729A (ja) |
-
1989
- 1989-08-29 JP JP22223289A patent/JPH0384729A/ja active Pending
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