JPH038534B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH038534B2 JPH038534B2 JP56078584A JP7858481A JPH038534B2 JP H038534 B2 JPH038534 B2 JP H038534B2 JP 56078584 A JP56078584 A JP 56078584A JP 7858481 A JP7858481 A JP 7858481A JP H038534 B2 JPH038534 B2 JP H038534B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording
- metal complexes
- absorption
- visible light
- bis
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、可視光線又は近赤外線吸収能を有す
る物質を用いた新規な記録及び記録の読みだし方
法、及び記録物に関する。
る物質を用いた新規な記録及び記録の読みだし方
法、及び記録物に関する。
近年、画像、音声を始めとする情報の記録及び
再生を高速度に又高密度にしかも簡便に行うこと
がますます強く要望されており、各種の方法と伴
う記録物が提案され又一部実用化されている。
再生を高速度に又高密度にしかも簡便に行うこと
がますます強く要望されており、各種の方法と伴
う記録物が提案され又一部実用化されている。
その中で、レーザー光を記録信号の読みとりに
用いる代表的には、いわゆる光デイスクは、極め
て高密度に情報を記録することが出来、又、媒体
の任意の場所から記録された所望の情報を読みだ
すことが出来ることから広く実用化されることが
期待されている。
用いる代表的には、いわゆる光デイスクは、極め
て高密度に情報を記録することが出来、又、媒体
の任意の場所から記録された所望の情報を読みだ
すことが出来ることから広く実用化されることが
期待されている。
従来の光デイスクの典型的な記録及び読みだし
のシステムは、光透過性のプラスチツクの表面に
微細なピツトを形成することによつて情報の記録
を行い、微細なビツト形成面に金属蒸着等によつ
て反射層をもうけ、これに一般的には反対側の面
からレーザー光のスポツトビームをあてて、ピツ
トエツジ部での光の回折による反射光量の変化を
フオトダイオード等によつて検出し又電気信号に
変換して記録の読みだしを行う方法である。
のシステムは、光透過性のプラスチツクの表面に
微細なピツトを形成することによつて情報の記録
を行い、微細なビツト形成面に金属蒸着等によつ
て反射層をもうけ、これに一般的には反対側の面
からレーザー光のスポツトビームをあてて、ピツ
トエツジ部での光の回折による反射光量の変化を
フオトダイオード等によつて検出し又電気信号に
変換して記録の読みだしを行う方法である。
しかし、この方法では、1μ以下の極めて微細
な物理的形状即ちビツトを射出成型や加圧成型等
の物理的方法によつて形成するので個々の情報に
対応した数の型を要する等繁雑であると共に、正
確な記録を工業的規模で行うには、記録精度及び
生産性に難点があり、大幅な技術改良が望まれて
いる。
な物理的形状即ちビツトを射出成型や加圧成型等
の物理的方法によつて形成するので個々の情報に
対応した数の型を要する等繁雑であると共に、正
確な記録を工業的規模で行うには、記録精度及び
生産性に難点があり、大幅な技術改良が望まれて
いる。
本発明は、従来の光デイスクの特徴である、記
録の高密度性、記録の読みだしの容易性を犠性に
することなく、又従来の光デイスクの上記した情
報記録方法の繁雑性又低い生産性を一挙に回避す
る新規な記録及び記録の読みだし方法及び記録物
を提供する。
録の高密度性、記録の読みだしの容易性を犠性に
することなく、又従来の光デイスクの上記した情
報記録方法の繁雑性又低い生産性を一挙に回避す
る新規な記録及び記録の読みだし方法及び記録物
を提供する。
更に本発明の方法によれば、上記の如く、一つ
の情報内容を簡便に多数複製できるのみならず、
経済上多数複製せざるを得ずかつ大型とならざる
を得ない成形機等を要する上記従来法と異り例え
ば家庭や事業所に於て記憶させたい情報を任意に
記録し保存するデイスクメモリーとしての記録及
び記録の読みだしにも極めて有用である。
の情報内容を簡便に多数複製できるのみならず、
経済上多数複製せざるを得ずかつ大型とならざる
を得ない成形機等を要する上記従来法と異り例え
ば家庭や事業所に於て記憶させたい情報を任意に
記録し保存するデイスクメモリーとしての記録及
び記録の読みだしにも極めて有用である。
すなわち、本発明は
１ 600nm〜1200nmの可視光線又は近赤外線の
波長領域に極大吸収を有し、かつ紫外線、Ｘ
線、電子線又はイオンビームの照射によつて、
上記の可視光線又は近赤外線の吸収能を失うか
減ずる物質を含有する物体の所望の位置に夫々
紫外線、Ｘ線、電子線又はイオンビーム（以下
記録線と称する）を照射し、可視光線又は近赤
外線の吸収能の有無又は強弱のパターンを形成
して記録を行い、上記可視光線又は近赤外線の
波長を有するレーザー光を上記パターンにあて
て、該レーザー光吸収の有無又は強弱を検出し
て記録の読みだしを行う方法及び ２ 600nm〜120nmの可視光線又は近赤外線波長
領域に極大吸収を有しかつ紫外線、Ｘ線、電子
線又はイオンビームの照射によつて、上記の可
視光線又は近赤外線の吸収能を失うか減ずる物
質を含有る物体の所望の位置に夫々紫外線、Ｘ
線、電子線又はイオンビームを照射し、可視光
線又は近赤外線の吸収能の有無又は強弱のパタ
ーンを形成した記録物である。
波長領域に極大吸収を有し、かつ紫外線、Ｘ
線、電子線又はイオンビームの照射によつて、
上記の可視光線又は近赤外線の吸収能を失うか
減ずる物質を含有する物体の所望の位置に夫々
紫外線、Ｘ線、電子線又はイオンビーム（以下
記録線と称する）を照射し、可視光線又は近赤
外線の吸収能の有無又は強弱のパターンを形成
して記録を行い、上記可視光線又は近赤外線の
波長を有するレーザー光を上記パターンにあて
て、該レーザー光吸収の有無又は強弱を検出し
て記録の読みだしを行う方法及び ２ 600nm〜120nmの可視光線又は近赤外線波長
領域に極大吸収を有しかつ紫外線、Ｘ線、電子
線又はイオンビームの照射によつて、上記の可
視光線又は近赤外線の吸収能を失うか減ずる物
質を含有る物体の所望の位置に夫々紫外線、Ｘ
線、電子線又はイオンビームを照射し、可視光
線又は近赤外線の吸収能の有無又は強弱のパタ
ーンを形成した記録物である。
本発明に用いる600nm〜1200nmの可視光線又
は近赤外線領域に極大吸収を有し、かつ記録線の
照射によつて、上記の可視光線又は近赤外線（以
下読みだし線と称する）の吸収能を失う物質（以
下記録物質と称する）としては、上記機能を有す
る物質は全て用いうるが、例えば極めて代表的な
例として芳香族ジアミン系金属錯体、芳香族ジチ
オール系金属錯体、メルカプトフエノール系金属
錯体、メルカプトフエニルアミン系金属錯体、脂
肪族ジチオール系金属錯体、アリールアルミニウ
ム塩などが用いられる。
は近赤外線領域に極大吸収を有し、かつ記録線の
照射によつて、上記の可視光線又は近赤外線（以
下読みだし線と称する）の吸収能を失う物質（以
下記録物質と称する）としては、上記機能を有す
る物質は全て用いうるが、例えば極めて代表的な
例として芳香族ジアミン系金属錯体、芳香族ジチ
オール系金属錯体、メルカプトフエノール系金属
錯体、メルカプトフエニルアミン系金属錯体、脂
肪族ジチオール系金属錯体、アリールアルミニウ
ム塩などが用いられる。
本発明において記録物質として用いるために特
に好ましい具体例を示せば芳香族ジアミン系金属
錯体としてはビス（４−クロロ−ｏ−フエニレン
ジアミン）ニツケル（極大吸収波長λmax〔以下
λmaxと称する〕800nm、モル比吸光係数ε〔以
下εと称する〕66600）、芳香族ジチオール系金属
錯体としてはビス（１，２，３，４−テトラクロ
ロ−５，６−ジチオフエノレート）ニツケル
（）テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム
（λmax885nm、ε15700）、メルカプトフエノール
系金属錯体としてはビス（１−メルカプトレート
−２−ナフトレート）ニツケル（）テトラ−ｎ
−ブチルアンモニウム（λmax1100nm、
ε12290）、脂肪族ジチオール系金属錯体としては
ビス〔シス−１，２−ビス（ｐ−メトキシフエニ
ル）エチレン−１，２−ジチオレート〕ニツケル
（λmax920nm、ε35000）、メルカプトフエニルア
ミン系金属錯体としてはビス（ｏ−メルカプトア
ニリド）ニツケル（λmax825nm、ε8900）、アリ
ールアミニウム塩としてはｐ−メトキシフエニル
−ビス（ジエチルアミノフエニル）アミニウム・
SbF6塩（λmax630nmおよび1025nmでそれぞれ
のεは26800および5200）などが用いられ、一方
場合によつては、このような化合物の構造の部分
（以下記録物質部分と称する）を有する例えば重
合体や重合体を形成しうる化合物等の化合物であ
つてもよい。
に好ましい具体例を示せば芳香族ジアミン系金属
錯体としてはビス（４−クロロ−ｏ−フエニレン
ジアミン）ニツケル（極大吸収波長λmax〔以下
λmaxと称する〕800nm、モル比吸光係数ε〔以
下εと称する〕66600）、芳香族ジチオール系金属
錯体としてはビス（１，２，３，４−テトラクロ
ロ−５，６−ジチオフエノレート）ニツケル
（）テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム
（λmax885nm、ε15700）、メルカプトフエノール
系金属錯体としてはビス（１−メルカプトレート
−２−ナフトレート）ニツケル（）テトラ−ｎ
−ブチルアンモニウム（λmax1100nm、
ε12290）、脂肪族ジチオール系金属錯体としては
ビス〔シス−１，２−ビス（ｐ−メトキシフエニ
ル）エチレン−１，２−ジチオレート〕ニツケル
（λmax920nm、ε35000）、メルカプトフエニルア
ミン系金属錯体としてはビス（ｏ−メルカプトア
ニリド）ニツケル（λmax825nm、ε8900）、アリ
ールアミニウム塩としてはｐ−メトキシフエニル
−ビス（ジエチルアミノフエニル）アミニウム・
SbF6塩（λmax630nmおよび1025nmでそれぞれ
のεは26800および5200）などが用いられ、一方
場合によつては、このような化合物の構造の部分
（以下記録物質部分と称する）を有する例えば重
合体や重合体を形成しうる化合物等の化合物であ
つてもよい。
本発明の上記記録物質は、記録線のいずれかの
照射によつて上記の読みだし線の吸収能を失うか
減ずる物質や化合物であることが必要である。
照射によつて上記の読みだし線の吸収能を失うか
減ずる物質や化合物であることが必要である。
記録線の中で紫外線は装置の簡便性の点からは
最も好ましく通常450nm以下、特に160〜400nm
以下の波長を有する紫外線の照射が好ましく、紫
外線の発生装置としては、水銀燈、高圧水銀燈、
キセノンアークランプ、水銀・キセノンアークラ
ンプ、重水素ランプ等が通常用いられる。
最も好ましく通常450nm以下、特に160〜400nm
以下の波長を有する紫外線の照射が好ましく、紫
外線の発生装置としては、水銀燈、高圧水銀燈、
キセノンアークランプ、水銀・キセノンアークラ
ンプ、重水素ランプ等が通常用いられる。
Ｘ線、電子線又はイオンビーム等の発生装置
は、紫外線の発生装置に比し高価で複雑である
が、より微細なパターン形成には有用である。
は、紫外線の発生装置に比し高価で複雑である
が、より微細なパターン形成には有用である。
本発明の上記記録物質は、通常透明なプラスチ
ツク等の媒体基材に練り込みフイルム又はシート
状にして用いるか或いは上記記録物質を有機溶剤
等の溶媒に溶解し又は更にフイルム形成能を有す
る樹脂等を混合る等して支持体なる基材に塗布し
有機溶剤等を乾燥除去する等、一般的には平面又
は曲面にそつて通常均一に連続した状態で分布さ
せた層にして用いる。尚、上記の記録物質又は記
録物質部分の含有量はその極大吸収波長において
上記媒体基材の吸光係数の５倍以上好ましくは10
倍以上となるように使用されることが記録再生の
精度の点で好ましい。
ツク等の媒体基材に練り込みフイルム又はシート
状にして用いるか或いは上記記録物質を有機溶剤
等の溶媒に溶解し又は更にフイルム形成能を有す
る樹脂等を混合る等して支持体なる基材に塗布し
有機溶剤等を乾燥除去する等、一般的には平面又
は曲面にそつて通常均一に連続した状態で分布さ
せた層にして用いる。尚、上記の記録物質又は記
録物質部分の含有量はその極大吸収波長において
上記媒体基材の吸光係数の５倍以上好ましくは10
倍以上となるように使用されることが記録再生の
精度の点で好ましい。
本発明に用いられる上記の記録物質を含有する
物体は、通常フイルム状、シート状等の平面形状
を有するのが一般的であるが、例えば円筒状や球
面状等の曲面体又はテープ状物等長尺形状のもの
であつてもよい。
物体は、通常フイルム状、シート状等の平面形状
を有するのが一般的であるが、例えば円筒状や球
面状等の曲面体又はテープ状物等長尺形状のもの
であつてもよい。
上記の如くして形成された記録物質含有層を有
する物体の所望の位置に記録線をあてパターンを
形成するには、記録線を透過する部分と透過しな
い部分を有するマスク材料を該物体の相当する面
に重ねあわせて照射を行うか、記録線をスポツト
ビームに集光し、かつ記録内容の信号に応じたパ
ルス状に、上記層をビーム及び／又は物体の移動
により走査せしめて、露光部分の読み出し線吸収
能を低下又は消失せしめ、読みだし線の吸収の有
無又は強弱による通常デジタル的パターンを形成
して情報の記録を行う。
する物体の所望の位置に記録線をあてパターンを
形成するには、記録線を透過する部分と透過しな
い部分を有するマスク材料を該物体の相当する面
に重ねあわせて照射を行うか、記録線をスポツト
ビームに集光し、かつ記録内容の信号に応じたパ
ルス状に、上記層をビーム及び／又は物体の移動
により走査せしめて、露光部分の読み出し線吸収
能を低下又は消失せしめ、読みだし線の吸収の有
無又は強弱による通常デジタル的パターンを形成
して情報の記録を行う。
又、記録線の照射量又は照射時間を自動的に調
整し、読みだし線の吸収能を連続的に変化させた
アナログ的パターンの形成による情報の記録を行
うことも可能である。
整し、読みだし線の吸収能を連続的に変化させた
アナログ的パターンの形成による情報の記録を行
うことも可能である。
上記のデジタル的パターンの形成においては、
ノイズの影響を出来るだけ低減する為に、露光の
読みだし線の吸収能は、未露光部の吸収能の２分
の１好ましくは５分の１以下更好ましくは10分の
１以下になるよう光源あるいは線源の強度、露光
時間及び／又は露光速度を調整することが一般的
である。
ノイズの影響を出来るだけ低減する為に、露光の
読みだし線の吸収能は、未露光部の吸収能の２分
の１好ましくは５分の１以下更好ましくは10分の
１以下になるよう光源あるいは線源の強度、露光
時間及び／又は露光速度を調整することが一般的
である。
上記の如くして得られたパターン上に、600nm
〜120nmの波長を有する読みとり線としてレーザ
ー光をレンズで絞り常1μ以下のスポツトビーム
として照射して、レーザー光の吸収の有無又は強
弱からレーザー光の透過率の差異又は反射率の差
異を検出して記録された情報を読みとる。上記の
レーザー光の透過又は反射による光量変化は、例
えば光電管やフオトダイオードの使用等の通常の
方法によつて電気信号に変換され、音声、画像の
再生やコンピユーターの入力に結びつけられる。
〜120nmの波長を有する読みとり線としてレーザ
ー光をレンズで絞り常1μ以下のスポツトビーム
として照射して、レーザー光の吸収の有無又は強
弱からレーザー光の透過率の差異又は反射率の差
異を検出して記録された情報を読みとる。上記の
レーザー光の透過又は反射による光量変化は、例
えば光電管やフオトダイオードの使用等の通常の
方法によつて電気信号に変換され、音声、画像の
再生やコンピユーターの入力に結びつけられる。
レーザー光の発生装置としては、例えばヘリウ
ムネオンレーザー、アルゴンイオンレーザー、炭
酸ガスレーザー、各種固体レーザー、各種半導体
レーザー等が用いられ600nm〜1200nmの波長を
有するレーザーであればレーザーの発生方式によ
らずいずれでも用いることが出来るが、上記した
記録物質の極大吸収値に近い波長を有するレーザ
ーを読みとりに用いることが好ましい。
ムネオンレーザー、アルゴンイオンレーザー、炭
酸ガスレーザー、各種固体レーザー、各種半導体
レーザー等が用いられ600nm〜1200nmの波長を
有するレーザーであればレーザーの発生方式によ
らずいずれでも用いることが出来るが、上記した
記録物質の極大吸収値に近い波長を有するレーザ
ーを読みとりに用いることが好ましい。
尚、レーザー光の反射率の差異によつて読みだ
しを行う場合には、レーザー光の照射面の反対側
に金属蒸着等の方法により平滑な反射層を形成
し、記録物質含有層を透過したレーザー光を反射
せしめるとよい。
しを行う場合には、レーザー光の照射面の反対側
に金属蒸着等の方法により平滑な反射層を形成
し、記録物質含有層を透過したレーザー光を反射
せしめるとよい。
上述の如き本発明の記録及び記録の読みだし方
法は、ビデオ等の画像の記録、再生や、音声の記
録、再生等の単一情報を多量に複製する場合に特
に有用である他、単一の読み取り行程でデジタル
的に記録された多重情報の時間分割的読みとりも
可能であり、コンピユーター用メモリーデイスク
等の情報の記録及び読みだしに広く利用すること
が出来、コンピユーター用メモリーデイスク等の
用途においては、ユーザー側での情報の書きこみ
が容易に行うことが出来る点従来に比し格段に秀
れる。
法は、ビデオ等の画像の記録、再生や、音声の記
録、再生等の単一情報を多量に複製する場合に特
に有用である他、単一の読み取り行程でデジタル
的に記録された多重情報の時間分割的読みとりも
可能であり、コンピユーター用メモリーデイスク
等の情報の記録及び読みだしに広く利用すること
が出来、コンピユーター用メモリーデイスク等の
用途においては、ユーザー側での情報の書きこみ
が容易に行うことが出来る点従来に比し格段に秀
れる。
以下実施例を示し本発明を具体的に説明する
が、これらは本発明の理解を容易ならしめる為の
極めて代表的な例にすぎず本発明は、これらに限
定されるものではない。
が、これらは本発明の理解を容易ならしめる為の
極めて代表的な例にすぎず本発明は、これらに限
定されるものではない。
なお以下に於る部、％、比率は特記せぬ限り重
量基準による。
量基準による。
実施例 １
ビス（１−メルカプトレート−２−ナフトレー
ト）ニツケル（）テトラ−ｎ−ブチルアンモニ
ウム（λmax1100nm）10部及びポリメチルメタ
クリレート樹脂100部をジクロルメタン500部及び
メチルエチルケトン500部の混合溶媒に溶解し、
厚さ３mmのメタクリル樹脂板上に乾燥塗布厚が
10μになるように塗布し、80℃で30分間熱風乾燥
炉で乾燥して記録物質含有層を形成し、その上に
1μ巾のスリツトを有するフオトマスクをかぶせ、
120W／cmの出力を有する高圧水銀燈ランプ下で
10秒間紫外線照射を行つた。次にこのシートに
Nd3+−YAGレーザー光（波長1060nm）のスポ
ツトビーム（直径1μ）をあて、上記材料をスラ
イドして紫外線の露光部及び未露光部を透過する
レーザー光の光量をフオトダイオードで検出し電
気信号に変換した結果スポツトビームが露光部を
通過する時に明りような信号が得られた。尚、上
記の紫外線照射条件でマスクを用いず露光した試
料の、上記レーザー光での吸収係数は、未露光試
料の吸収係数の1/8であつた。
ト）ニツケル（）テトラ−ｎ−ブチルアンモニ
ウム（λmax1100nm）10部及びポリメチルメタ
クリレート樹脂100部をジクロルメタン500部及び
メチルエチルケトン500部の混合溶媒に溶解し、
厚さ３mmのメタクリル樹脂板上に乾燥塗布厚が
10μになるように塗布し、80℃で30分間熱風乾燥
炉で乾燥して記録物質含有層を形成し、その上に
1μ巾のスリツトを有するフオトマスクをかぶせ、
120W／cmの出力を有する高圧水銀燈ランプ下で
10秒間紫外線照射を行つた。次にこのシートに
Nd3+−YAGレーザー光（波長1060nm）のスポ
ツトビーム（直径1μ）をあて、上記材料をスラ
イドして紫外線の露光部及び未露光部を透過する
レーザー光の光量をフオトダイオードで検出し電
気信号に変換した結果スポツトビームが露光部を
通過する時に明りような信号が得られた。尚、上
記の紫外線照射条件でマスクを用いず露光した試
料の、上記レーザー光での吸収係数は、未露光試
料の吸収係数の1/8であつた。
実施例 ２
ビス（１，２，３，４−テトラクロロ−５，６
−ジチオフエノレート）ニツケル（）テトラ−
ｎ−ブチルアンモニウム（λmax885nm）75部を
射出成型グレードのメタクリル樹脂1000部に、溶
融状態でねりこみ、射出成型で厚さ1.2mmの記録
物質含有のシートを得た。これに実施例１に用い
た1μのスリツトを有するフオトマスクをかぶせ、
アルミニウムをターゲツトとするＸ線を５秒間照
射した。次にこのシートに、AlGaAsレーザー光
（波長850nm）のスポツトビーム（直径1μ）をあ
て、上記シートをスライドしてＸ線の露光部及び
未露光部を透過するレーザー光の光量をフオトダ
イオードで検出し電気信号に変換した結果、スポ
ツトビームが露光部を通過する時に明りような信
号が得られた。尚、上記の紫外線照射条件でマス
クを用いず露光した試料の、上記レーザー光での
吸収係数は、未露光試料の吸収係数の1/12であつ
た。
−ジチオフエノレート）ニツケル（）テトラ−
ｎ−ブチルアンモニウム（λmax885nm）75部を
射出成型グレードのメタクリル樹脂1000部に、溶
融状態でねりこみ、射出成型で厚さ1.2mmの記録
物質含有のシートを得た。これに実施例１に用い
た1μのスリツトを有するフオトマスクをかぶせ、
アルミニウムをターゲツトとするＸ線を５秒間照
射した。次にこのシートに、AlGaAsレーザー光
（波長850nm）のスポツトビーム（直径1μ）をあ
て、上記シートをスライドしてＸ線の露光部及び
未露光部を透過するレーザー光の光量をフオトダ
イオードで検出し電気信号に変換した結果、スポ
ツトビームが露光部を通過する時に明りような信
号が得られた。尚、上記の紫外線照射条件でマス
クを用いず露光した試料の、上記レーザー光での
吸収係数は、未露光試料の吸収係数の1/12であつ
た。
実施例 ３
ｐ−メトキシフエニル−ビス（ジエチルアミノ
フエニル）アミニウムSbF6塩（λmax630nm）12
部をポリエチレンフタレート樹脂100部に混合し、
溶融状態で練合した後、厚さ100μのフイルムに
ひいて記録物質含有のフイルムを得た。
フエニル）アミニウムSbF6塩（λmax630nm）12
部をポリエチレンフタレート樹脂100部に混合し、
溶融状態で練合した後、厚さ100μのフイルムに
ひいて記録物質含有のフイルムを得た。
このフイルム上に、高密度集積回路作成用の電
子線描画装置を用いて、直径1μに集束した電子
線を走査させて露光を行つた。
子線描画装置を用いて、直径1μに集束した電子
線を走査させて露光を行つた。
次に上記フイルム上にHe−Neレーザー光（波
長633nm）のスポツトビーム（直径1μ）をあて、
電子線の露光部及び未露光部を透過するレーザー
光の光量をフオトダイオードで検出し電気信号に
変換した結果、スポツトビームが露光部を通過す
る時に明りような信号が得られた。
長633nm）のスポツトビーム（直径1μ）をあて、
電子線の露光部及び未露光部を透過するレーザー
光の光量をフオトダイオードで検出し電気信号に
変換した結果、スポツトビームが露光部を通過す
る時に明りような信号が得られた。
尚、上記の紫外線照射件での露光部の上記レー
ザー光での吸収係数は未露光部の1/15であつた。
ザー光での吸収係数は未露光部の1/15であつた。
実施例 ４
実施例１で得られた記録物質含有層を有するシ
ートに、300Wの水銀燈から出る紫外線を、光量
０〜100％連続的に変動する絞りも通し、更にそ
の紫外線を直径5μのスポツトビームに集光して
照射し、上記シートをスライドした。上記紫外線
の露光部分を実施例１で用いたレーザー光のスポ
ツトビームでトレースし、レーザー光の透過量を
光電管で検出し電気信号に変換した結果、紫外線
照射時の絞りの変動と比例関係にある信号が得ら
れた。
ートに、300Wの水銀燈から出る紫外線を、光量
０〜100％連続的に変動する絞りも通し、更にそ
の紫外線を直径5μのスポツトビームに集光して
照射し、上記シートをスライドした。上記紫外線
の露光部分を実施例１で用いたレーザー光のスポ
ツトビームでトレースし、レーザー光の透過量を
光電管で検出し電気信号に変換した結果、紫外線
照射時の絞りの変動と比例関係にある信号が得ら
れた。
実施例 ５
実施例１のビス（１−メルカプトレート−２−
ナフトレート）ニツケル（）テトラ−ｎ−ブチ
ルアンモニウムの代わりにビス（４−メチル−ｏ
−フエニレンジアミノ）ニツケル
（λmax795nm、ε55100）を用いる以外は、実施
例１と同様にして記録物質含有のフイルムを得
た。このフイルムの上に2μ巾のスリツトの有す
るフオトマストをかぶせ120W／cmの出力を有す
るメタルハライドランプ下で10秒間紫外線照射を
行つた。次に、このフイルムに、半導体レーザー
（発信波長780nm）光のスポツトビーム（ビーム
直径1.7μ）を移動させながら照射し、フイルム上
の紫外線露光部及び未露光部の光量をフオトダイ
オードで検出した結果、スポツトビームが露光部
を通過する時に明瞭な信号が得られた。なお、上
記の紫外線照射条件でマスクを用いず露光した試
料の上記レーザー光での吸収係数は、未露光試料
の吸収係数の1/10であつた。
ナフトレート）ニツケル（）テトラ−ｎ−ブチ
ルアンモニウムの代わりにビス（４−メチル−ｏ
−フエニレンジアミノ）ニツケル
（λmax795nm、ε55100）を用いる以外は、実施
例１と同様にして記録物質含有のフイルムを得
た。このフイルムの上に2μ巾のスリツトの有す
るフオトマストをかぶせ120W／cmの出力を有す
るメタルハライドランプ下で10秒間紫外線照射を
行つた。次に、このフイルムに、半導体レーザー
（発信波長780nm）光のスポツトビーム（ビーム
直径1.7μ）を移動させながら照射し、フイルム上
の紫外線露光部及び未露光部の光量をフオトダイ
オードで検出した結果、スポツトビームが露光部
を通過する時に明瞭な信号が得られた。なお、上
記の紫外線照射条件でマスクを用いず露光した試
料の上記レーザー光での吸収係数は、未露光試料
の吸収係数の1/10であつた。
実施例 ６
実施例１のビス（１−メルカプトレート−２−
ナフトレート）ニツケル（）テトラ−ｎ−ブチ
ルアンモニウムの代わりにビス〔シス−１，２−
ビス（ｐ−メトキシフエニル）エチレン−１，２
−ジチオレート〕ニツケル（λmax920nm、
ε35000、1060nmでのε28000）を用いる以外は、
実施例１と同様にして記録物質含有のフイルムを
得た。次に実施例１と同様にして紫外線照射を行
つた後、露光部及び未露光部の検出を行つた結
果、スポツトビームが露光部を通過する時に明瞭
な信号が得られた。なお、上記の紫外線照射条件
でマスクを用いず露光した試料の上記レーザー光
での吸収係数は、未露光試料の吸収係数の1/8で
あつた。
ナフトレート）ニツケル（）テトラ−ｎ−ブチ
ルアンモニウムの代わりにビス〔シス−１，２−
ビス（ｐ−メトキシフエニル）エチレン−１，２
−ジチオレート〕ニツケル（λmax920nm、
ε35000、1060nmでのε28000）を用いる以外は、
実施例１と同様にして記録物質含有のフイルムを
得た。次に実施例１と同様にして紫外線照射を行
つた後、露光部及び未露光部の検出を行つた結
果、スポツトビームが露光部を通過する時に明瞭
な信号が得られた。なお、上記の紫外線照射条件
でマスクを用いず露光した試料の上記レーザー光
での吸収係数は、未露光試料の吸収係数の1/8で
あつた。
実施例 ７
実施例２のビス（１，２，３，４−テトラクロ
ロ−５，６−ジチオフエノレート）ニツケル
（）テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムの代わり
に、ビス（ｏ−メルカプトアニリド）ニツケル
（λmax825nm、ε8900）を用いる以外は、実施例
２と全く同様な法で行つた結果、スポツトビーム
が露光部を通過する際に明瞭な信号が得られた。
なお、上記の紫外線照射条件でマスクを用いず露
光した試料の上記レーザー光での吸収係数は、未
露光試料の吸収係数の1/10であつた。
ロ−５，６−ジチオフエノレート）ニツケル
（）テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムの代わり
に、ビス（ｏ−メルカプトアニリド）ニツケル
（λmax825nm、ε8900）を用いる以外は、実施例
２と全く同様な法で行つた結果、スポツトビーム
が露光部を通過する際に明瞭な信号が得られた。
なお、上記の紫外線照射条件でマスクを用いず露
光した試料の上記レーザー光での吸収係数は、未
露光試料の吸収係数の1/10であつた。
Claims (1)
- １ 600nm〜1200nmの可視光線又は近赤外線波
長領域に極大吸収を有しかつ紫外線、Ｘ線、電子
線又はイオンビームの照射によつて、上記の可視
光線又は近赤外線の吸収能を失うか減ずる、芳香
族ジアミン系金属錯体、芳香族ジチオール系金属
錯体（但し、ベンゼンジチオール系ニツケル錯体
を除く）、メルカプトフエノール系金属錯体、メ
ルカプトフエニルアミン系金属錯体、脂肪族ジチ
オール系金属錯体、アリールアミニウム塩からな
る群より選択される記録物質を含有する物体の所
望の位置に夫々紫外線、Ｘ線、電子線又はイオン
ビームを照射し、可視光線又は近赤外線の吸収能
の有無又は強弱のパターンを形成して記録を行う
記録方法であつて、上記可視光線又は近赤外線域
の波長を有するレーザー光を上記パターンにあて
て該レーザー光吸収の有無又は強弱を検出して記
録の読みだしを行いうることを特徴とする方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56078584A JPS57195336A (en) | 1981-05-26 | 1981-05-26 | Recording and record reading method and recorded body |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56078584A JPS57195336A (en) | 1981-05-26 | 1981-05-26 | Recording and record reading method and recorded body |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57195336A JPS57195336A (en) | 1982-12-01 |
| JPH038534B2 true JPH038534B2 (ja) | 1991-02-06 |
Family
ID=13665953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56078584A Granted JPS57195336A (en) | 1981-05-26 | 1981-05-26 | Recording and record reading method and recorded body |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57195336A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6083029A (ja) * | 1983-10-13 | 1985-05-11 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 光記録媒体 |
| JPH0626028B2 (ja) * | 1984-02-06 | 1994-04-06 | 株式会社リコー | 光情報記録媒体 |
| JPH0632996B2 (ja) * | 1984-04-24 | 1994-05-02 | 三井東圧化学株式会社 | 光記録方法 |
| JP2695264B2 (ja) * | 1990-01-09 | 1997-12-24 | シャープ株式会社 | 光記録及び読み出し方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5953614B2 (ja) * | 1975-12-09 | 1984-12-26 | 松下電器産業株式会社 | ジヨウホウキロクホウホウ |
| JPS54133134A (en) * | 1978-04-06 | 1979-10-16 | Canon Inc | Recording medium |
| JPS54156521A (en) * | 1978-05-31 | 1979-12-10 | Asahi Chemical Ind | Picture forming material |
-
1981
- 1981-05-26 JP JP56078584A patent/JPS57195336A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57195336A (en) | 1982-12-01 |
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