JPH0420170B2 - - Google Patents

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JPH0420170B2
JPH0420170B2 JP58189886A JP18988683A JPH0420170B2 JP H0420170 B2 JPH0420170 B2 JP H0420170B2 JP 58189886 A JP58189886 A JP 58189886A JP 18988683 A JP18988683 A JP 18988683A JP H0420170 B2 JPH0420170 B2 JP H0420170B2
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optical recording
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active energy
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Yoichi Hosono
Sumio Hirose
Katsuyoshi Sasagawa
Masao Imai
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Mitsui Toatsu Chemicals Inc
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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
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  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、記録された畫像、音声等の情報をレ
ーザービームで読み出し再生する光記録媒体に関
し、より詳しくは該情報を活性エネルギー線露光
により書き込む光記録媒体に関する。
近年、レーザー技術の進歩に伴い、情報の記
録、再生にレーザービームを用いた光記録が注目
をあつめ、ビデイオデイスク、オーデイオデイス
ク等一つの情報を数多く複製し、ユーザーへ供給
することが実用化されている。かかる光記録方式
は、記録密度が著しく大きく、非接触読みだしの
為に寿命がながく又ランダムアクセス時間が短い
等従来のレコード等のアナログ記録方式や磁気記
録では達成しえなかつた利点が認められている。
しかし、一方では、これ等ビデイオデイスク、
オーデイオデイスクの記録媒体は、1μm以下の
小さな記録ピツトを射出成形、プレス成形等の機
械的な方法で形成しており、高価な精密成形機を
必要とする他、成形材料の材質的制約や、ピツト
転写用スタンパーの目づまり等生産技術的に多く
の問題をかかえている。
本発明者等は、より簡便な装置で高収率で生産
しうる光記録媒体を研究し、先に特開昭57−
195336及び59−195341に記載する光記録システム
及び媒体を提案した。
すなわち、該記録システム及び媒体は、特定の
可視〜近赤外線域に吸収する化合物を含有する記
録層の所望の位置に、紫外線、電子線等の活性エ
ネルギー線が照射された該化合物の可視〜近赤外
線域の吸収が減衰することを利用して可視〜近赤
外線に発振波長を有するレーザービームで記録の
読み出し再生を行うものであり、射出成形等の機
械的方法によるピツトの形成をなんら必要としな
いという特長を有する。
しかしながら、活性エネルギー線を使用した場
合の可視〜近赤外線或の吸収の減衰は、通常の照
射エネルギー量ではかならずしも十分ではなく、
例えば少くとも500mJ以上という強度の活性エ
ネルギー線の照射を要しより小さい照射エネルギ
ーで記録を行うことの出来る記録媒体の高感度化
が望まれてきた。
本発明者らは、かかる要望に応じるべく鋭意検
討した結果、より低いエネルギー量の活性エネル
ギー線露光により情報の書き込みが出来る光記録
媒体を見出し、本発明を完成した。
すなわち、本発明は、 1 (a) 600〜1200nmの波長域に極大吸収を有
する有機金属錯体と、 (b) 分子量2000以上の樹脂バインダーと、 (c) および活性エネルギー線照射によりカチオン
を発生する増感剤とからなる記録層を有するこ
とを特徴とし、活性エネルギー線露光により情
報の書き込みを行う光記録媒体、および 2 (a) 600〜1200nmの極大吸収を有する有機
金属錯体と、 (b) 分子量2000以上の樹脂バインダーと、 (c) 活性エネルギー線照射によりカチオンを発生
する増感剤と、 (d) および揮発性のないエポキシ化合物からなる
記録層を有することを特徴とし、活性エネルギ
ー線露光により、情報の書き込みを行う光記録
媒体、 を提供するものである。
以下、本発明の構成要件をその作用効果と共に
分説する。
上記の本発明における記録層の構成成分である
(a)600〜1200nmの波長域に極大吸収を有する有
機金属錯体(以下レーザー光吸収剤と略称する)
としては、本発明者らの先願にかかる特願昭56−
100497号、同56−201574号、同56−201575号、同
56−113749号等に開示されている()芳香族ジ
アミン系金属錯体、()芳香族ジチオール系金
属錯体、()脂肪族ジアミン系金属錯体、()
脂肪族ジチオール系金属錯体、()メルカプト
フエノール系金属錯体等が使用出来る。
() 芳香族ジアミン系錯体としては、一般式
()で示される化合物 (式中、Rは水素、アルキル基、ハロゲン基、
ニトロ基を、nは1〜4の整数値を、Mはニツ
ケル、コバルト、パラジウム、白金等の金属原
子を表わす)が好ましく、例えばビス(4−ク
ロロ−O−フエニレンジアミノ)ニツケル(極
大吸収λmax800nm、モル比吸光係数ε66600)
およびビス(4−メチル−O−フエニレンジア
ミノ)ニツケル(λmax795nm、ε55100)等が
好んで用いられる。
() 芳香族ジチオール系金属錯体としては、一
般式() (式中Zは水素、アルキル基、ハロゲン基を、
nは1〜4の整数値をMはニツケル、コバル
ト、パラジウム、白金等の金属原子を、Aは第
4級アンモニウム基を表わす)であらわされる
有機金属錯体が好ましく、例えばビス(1−メ
チル−3,4−ジチオフエノレート)ニツケル
()テトラ−n−ブチルアンモニウム
(λmax890nm、ε16270)、ビス(1、2、3、
4−テトラクロロ−5,6−ジチオフエノレー
ト)ニツケル()テトラ−n−ブチルアンモ
ニウム(λmax885nm、ε15700)、ビス(1,
2,4−トリクロロ−5,6−ジチオフエノレ
ートニツケル()テトラ−nブチルアンモニ
ウム(λmax870nm、ε14900)等がある。
() 脂肪族ジアミン系金属錯体としては、一般
式() (式中、Yは水素、アルキル基、フエニル基、
シアノ基を、Mはニツケル、コバルト、パラジ
ウム、白金等の金属原子を表わす)で表わされ
る有機金属錯体が好ましく、例えばビス(ジイ
ミノサクシノニリロ)白金(λmax640nm、
ε32000)、ビス(ジイミノサクシノニトリロ)
ニツケル(λmax700nm、ε23500)等が用いら
れる。
() 脂肪族ジオール系金属錯体としては、一般
式() (式中Eは水素、アルキル基、フエニル基を、
Mはニツケル、コバルト、パラジウム、白金等
の金属原子を表わす)であらわされる有機金属
錯体が好ましく、例えばビス〔シス−1,2−
ビス(φ−メトキシフエニル)エチレン−1,
2−ジチオレート〕−ニツケル(λmax920nm、
ε35000)、ビス(シス−1,2−ビスフエニル
エチレン−1,2−ジチオレート)白金
(λmax800、ε51600)等が用いられる。
() メルカプトフエノール系有機金属錯体とし
ては、一般式()又は() (式中、Gは水素、アルキル基、ハロゲン基
を、Mはニツケル、コバルト、パラジウム、白
金等の金属原子を、Aは第4級アンモニウム基
を表わす)であらわされる有機金属錯体が好ま
しく、例えばビス(1−メルカプト−2−ナフ
トレート)ニツケル()テトラ−n−ブチル
アンモニウム(λmax1100nm、ε12290)、ビス
(1−メルカプト−2−フエノレート)ニツケ
ル()テトラ−n−プチルアンモニウム
(λmax1025nm、ε12700)等が用いられる。
上記したレーザー光吸収剤は、紫外線、電子
線、イオンビーム、X線等の活性エネルギー線の
照射によつて、レーザー光の吸収特性がある程度
減衰するものの、かならずしも十分な減衰を示さ
ないものである。
しかしながら、本発明におけるがごとく、(c)活
性エネルギー等の照射によりカチオンを発生する
増感剤の存在下において、活性エネルギー線を照
射することにより、はじめてレーザー光の吸収特
性が顕著に減衰し、短時間に高感度の記録を行う
ことが出来るのである。
本発明に用いられる(b)分子量2000以上の樹脂バ
インダーは、上記の(a)のレーザー光吸収剤及び(c)
の増感剤に均一に分散せしめた記録層塗膜を支持
基体上に形成する為に必要な結合剤である。この
様なバインダーとしては、例えば、アクリル酸エ
ステルやメタクリル酸エステルの単独重合体又は
共重合体であるアクリル樹脂;スチレン、α−メ
チルスチレン等の芳香族ビニル単量体の単独又は
共重合樹脂;酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル等
のビニルエステル類の単独又は共重合樹脂;塩化
ビニル、塩化ビニリデン等のハロゲン化ビニル単
量体の単独又は共重合樹脂;ポリカーボネート樹
脂、ポリエーテルサルフオン樹脂、エポキシ樹
脂、フエノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウ
レタン樹脂等の縮合系樹脂;ニトロセルロース、
酢酸セルロース、セルロースアセテート、ブチレ
ート、セルロースブチレート、セルロースプロピ
オネートの如きセルロース誘導体等がある。ただ
し上記のレーザー光吸収剤や増感剤を均一に分散
し記録層の塗膜を支持基体上に形成しうるもので
あれば上記の例示した樹脂に限定されるものでは
ないことはもちろんである。
樹脂バインダーの分子量は2000以上、特に5000
以上であり、常温においてベタつきのない膜を形
成しうるものでかつ有機溶剤に可溶であるものが
好ましい。なお、ここにいう分子量はゲルパーミ
エーシヨンクロマトグラフ法によるポリスチレン
換算の数平均分子量にて定義されたものである。
本発明における(c)活性エネルギー線照射により
カチオンを発生する増感剤としては、例えば
()第Va族元素のオニウム塩、()第a族元
素のオニウム塩()芳香族ハロニウム塩、()
芳香族ジアゾニウム塩等が用いられる。
() 第Va族のオニウム塩は一般式()で表
わされる化合物である。
〔(R)a(R1)b(R2)cX〕+ d〔MQe〕-(e-f)
() (式中、Rは一価の芳香族有機基、R1はアル
キル、アルコキシ、シクロアル基およびそれら
の置換誘導体から選ばれた一価の脂肪族有機
基、R2はXと複素環を形成する多価有機基、
XはN,P,As,SbおよびBiから選ばれた第
Va族の元素、MはSb,Fe,Sn,Bi,Al,Ga,
In,Ti,Zr,Sc,V,Cr,Mn,Co等の金属
原子又B,P,As等の半金属原子、Qは弗素、
塩素、臭素、沃素等のハロゲン原子、aは0〜
4の整数、bは0〜2の整数、cは0〜2の整
数であり、a+b+c=4であり、fはMの原
子価(2〜7の整数)、eはfより大きい整数
を示しかつd=e−fである。)これらに属す
る化合物の例としては例えばトリフエニルフエ
ナシルホスホニウムテトラフルオロホウ酸塩、
トリフエニルエトキシカルボニルメチルホスホ
ニウムヘキサフルオロアーセネート、N−フエ
ナシルピリジニウムテトラフルオロホウ酸塩等
があり、これ等の各種の化合物は特公昭52−
14277等に数多く開示されている。
() 第a族オニウム塩は一般式()で表わ
される化合物である。
〔(R)a(R1)b(R2)cX〕+ d〔MQe〕-(e-f)
() (式中Rは一価の芳香族有機基、R1はアルキ
ル、シクロアルキルおよびそれ等の置換誘導体
から選ばれる一価の脂肪族有機基、R2はXと
複素環を形成する多価有機基、Xはイオウ、セ
レン、テルルから選ばれる第a族元素、Mは
Sb、Fe、Sn、Bi、Al、Ga、In、Ti、Zr、Sc、
V、Cr、Mn、Cs等の金属原子又はB、P、
As等の半金属原子、Qは弗素、塩素、臭素、
沃素等のハロゲン原子、aは0〜3の整数、b
は0〜2の整数、cは0又は1の整数でa+b
+c=3であり、fはMの原子価(2〜7の整
数)、eはfより大きい整数を示しかつd=e
−fである。) これらに属する化合物の例としては例えばト
リフエニルスルホニウムテトラフルオロホウ酸
塩、、トリフエニルスルホニウムヘキサフルオ
ロアンチモネート、S−フエニルジベンゾチオ
フエニウムテトラフルオロホウ酸塩等があり、
その他これ等に属する各種の化合物の例は特公
昭52−14278等に数多く開示されている。
() 芳香族ハロニウム塩は、一般式()で表
わされる化合物である。
〔(R)a(R1)bX〕+ c〔MQd〕-(d-e) () (式中Rは一価の芳香族有機基、R1とXと複
素環を形成する2価の芳香族有機基、Xは沃
素、臭素、塩素等のハロゲン原子、MはSb、
Fe、Sn、Bi、Al、Ga、In、Ti、Zr、Sc、V、
Cr、Mn、Cs等の金属原子又はB、P、As等
の半金属原子、aは0又は2の整数、bは0又
は1の整数でa+b=2であり、eはMの原子
価(2〜7の整数)、dはeよりも大きい整数
でかつc=d−eである。) これ等に属する化合物の例としては、ジフエ
ニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネー
ト、ジフエニルヨードニウムテトラフルオロホ
ウ酸塩等があり、これ等の各種の化合物の例は
特開昭50−151996等に数多く開示されている。
() 芳香族ジアゾニウム塩は、一般式(X)で
表わされる化合物である。
(式中Yは水素、アルキル基、ニトロ基、ハロ
ゲン基、アルコキシ基、アミノ基、アリール
基、N−モルホリン基等の置換基であり、Mは
Sb、Fe、Sn、Bi、Al、Ga、In、Ti、Zr、Sc、
V、Cr、Mn、Cs等の金属原子又はB、P、
As等の半金属原子、Xは弗素、塩素、臭素、
沃素等のハロゲン原子であり、m、nは1〜7
の整数である。) これらに属する化合物の例としては、P−ニ
トロベンゼンジアゾニウム、ヘキサフルオロホ
スフエート、2,4−ジクロロパラニトルベン
ゼンヘキサクロロスタネート等があり、その他
これ等に属する化合物の例は、特公昭49−
17040等に数多く開示されている。
本発明の光記録媒体における記録層は、上記の
ごとき(a)有機金属錯体(レーザー光吸収剤)、(b)
樹脂バインダー、(c)カチオン発生増感剤から構成
される。
しかして、該記録層が情報書き込み用活性エネ
ルギー線(紫外線、遠紫外線、電子線等)の照射
を受けるとその照射によつて(c)の増感剤からフオ
トカチオンが発生し、該カチオンが上記の(a)レー
ザー光吸収剤の金属錯体を攻撃してこの構造を変
化せしめることにより、(a)の600〜1200nmにお
ける光吸収性能を顕著に減衰させると考えられ
る。
なお、本発明の光記録媒体の作成工程或いは貯
蔵中にカチオンを発生することは好ましくないの
で、熱や弱い可視部の光でルイス酸を発生するこ
とのない第a族オニウム塩、第a族オニウム
塩、芳香族ハロニウム塩が好ましく、特に芳香族
スルホニウム塩の如きa族オニウム塩が好適で
ある。
本発明の光記録媒体の記録層は上記のごとく、
(a)、(b)、(c)より構成されるが、それぞれの配合割
合は通常(a)が1〜50重量%(b)が30〜98重量%(c)が
1〜20重量%であり、好ましくは(a)が2〜20重量
%(b)が70〜96重量%(c)が2〜10重量%である。
(a)が1重量%未満では、記録部と未記録部のコ
ントラストが十分でなく読みとり時にノイズの影
響をうけやすいので好ましくなく、又50重量%を
越えると記録層の物理的強度が低下する為傷つき
やすさや支持基体への密着が低下したり、又(a)の
均一な記録層中への分散が困難となる。
一方(c)は1重量%未満では書き込み時の記録感
度が十分ではなく、又20重量%を越えると上記の
如き記録層の物理的な強度が低下する。
本発明の記録層は基本的には上記(a)、(b)、(c)の
三成分からなるものであるが、場合によつては、
更に上記の(a)、(b)、及び(c)の構成成分に加えて(d)
揮発性のないエポキシ化合物を併用してもよい。
(d)エポキシ化合物を併用することにより、活性エ
ネルギー線照射により、(c)の増感剤から発生した
カチオンが直接(a)のレーザー光吸収剤をアタツク
し光吸収能を減衰せしめるのと併行して、(d)のエ
ポキシ化合物をもアタツクしこれを連鎖重合形式
でカチオン的に開環重合せしめ該カチオンが連鎖
的に移動して(a)をアタツクすることによつても(a)
のレーザー吸収剤の変質をもたらすと考えられし
たがつて600〜1200nmの光吸収能をより強度に
減衰せしめるという作用効果を奏するのである。
(d)揮発性のないエポキシ化合物としては例えば
フエノール、ビスフエノールA、クレゾール、ハ
イドロキノン、ノボラツク樹脂、クレゾール樹脂
等のフエノール性化合物のグリシジルエーテル
類、C4以上のモノカルボン酸又は多価カルボン
酸のグリシジルエステル類、C4以上のモノアル
コール又は多価アルコールのグリシジルエーテル
類、オキシカルボン酸のグリシジルエステルエー
テル類、シクロヘキセンオキシド、ビニルシクロ
ヘキセンオキシド等の脂環族エポキシド類、シロ
キサンのエポキシド類、エポキシ化油、グリシジ
ルウレタン類、グリシジルアミン類、グリシジル
アミド類、エポキシ化ポリブタジエン等があり、
沸点が常圧で200℃以上特に250℃以上のエポキシ
化合物が好ましい。
(d)エポキシ化合物の添加割合は記録層の全固型
分の0〜30重量%が一般的であり、5〜20重量%
が好適であるが、記録層が常温で粘着性をおびな
いよう配慮してエポキシ化合物の種類に応じその
添加割合を選択することが好ましい。
なお、上記の(d)のエポキシ化合物の機能を上記
(b)の樹脂バインダーが兼ね備えることも可能で、
例えばグリシジルメタクリレート、グリシジルア
クリレート、β−メチルグリシジリルメタクリレ
ート、β−メチルグリシジルアクリレート、アリ
ルグリシジルエーテル等のグリシジル基含有単量
体の共重合体である分子量2000以上の樹脂バイン
ダーが特に好適である。
本発明の光記録媒体の記録層は次のごとくして
得られる。すなわち、上記の(a)、(b)、(c)及び必要
に応じて(d)の各成分を、望ましくは各成分を溶解
することの出来る有機溶媒(混合溶媒でもよい)
に溶解し、PMMA等透光性の樹脂板、ガラス板
等の支持基体、又は鏡面を有する金属(例えば金
属蒸着プラスチツク)等の支持基体に塗布し、し
かる後有機溶媒を蒸発除去して乾燥し記録層塗膜
を形成せしめればよい。記録層の厚みは通常0.1
〜10μmであるが、記録密度や分解能の観点から
0.2〜2.0μmであることが特に好ましい。
以上のごとくして得られた記録層を有する本発
明の記録媒体は、活性エネルギー線露光により情
報の書き込みが行なわれる。
すなわち、活性エネルギー線による露光を受け
た部分の読み出し用レーザーの発振波長に対応す
る600〜1200nmの波長の吸収が、未露光部に比
し顕著に減衰することにより、信号が書き込まれ
るのである。
書き込み用活性エネルギー線としては、電子
線、イオンビーム、紫外線、X線、γ線等が利用
できるが、実用性および取り扱いの容易性の点か
ら特に紫外線が好ましい。
かかる紫外線光源としては、400nm以下特に
200〜400nmに発光スペクトルを有するものであ
ればいかなるものでもよく、例えば、水銀燈、ナ
トリウム燈、セシウム燈、カドミウム燈、メタル
ハライドランプ、ヘリウムランプ、ネオンラン
プ、アルゴンランプ、クリプトンランプ、クセノ
ンランプ、クセノン−水銀アークランプ、アルゴ
ンレーザー、ヘリウムカドミウムレーザー、色素
レーザー、エキシマレーザー等が用いられる。ま
た、紫外線域に発振波長を有する上記のレーザー
光をスポツトビームに絞つて、記録層上を走査さ
せ、信号の書き込みを行うことも可能である。
なお、本発明の記録媒体により、一度に同一の
情報を複製する場合には、記録信号に対応するフ
オトマスクを介して密着露光、投影露光等で活性
エネルギー線を露光し、上記のごとく露光部の
600〜1200nmの吸収を未露光部に比し減衰せし
めることによつて信号の書き込みを行えばよい。
以上のごとくして信号の書き込みを行つた本発明
の光記録媒体から信号の読み出しを行うには、光
記録媒体の構成成分である(a)のレーザー光吸収剤
の吸収スペクトルに対応する発振波長のレーザー
光例えば半導体レーザーやヘリウムネオンレーザ
ー、YAGレーザー等のスポツトビームを記録層
上にあて、透過率や反射率の変化を検出すること
によつて信号を読み出し、信号変調して量像、音
声等の再生を行うのである。
なお、活性エネルギー線露光による書き込み後
に記録層上に金属蒸着を施して反射層を形成し、
透明な支持基体側から反射光を用いて記録の読み
だしを行うことも出来る。また、記録層上に金属
蒸着のプライマーを施すことや、金属蒸着層の保
護被覆を行うこと、或いは二枚の光記録媒体をは
りあわせ両面板として使用することも可能であ
る。以下、実施例により、本発明の実施の態様を
より具体的に説明する。
実施例 1 ビス(1,2,3,4−テトラクロロ−5,6
−ジチオフエノレート)ニツケル()テトラ−
n−ブチルアンモニウム(λmax885nm、
ε15700)10重量部、ポリメタクリル酸メチル(分
子量15000)85重量部、トリフエニルフエナシル
ホスホニウムテトラフルオロホウ酸塩5重量部を
アセトン100重量部、エチレングリコールモノエ
チルエーテル100重量部及びメチレンジクロライ
ド100重量部からなる混合有機溶媒に溶解し、そ
の溶液を支持基体である1.2mm厚のメタクリル樹
脂板に、スピンコーターで乾燥膜厚が1μmにな
るように塗布し、80℃で10分間加熱して溶媒を乾
燥除去し、本発明の光記録媒体を作成した。
次に第1図に示したごとき石英ガラス製の内径
d′=20mm、外径d=120mmのドーナツ板状フオト
マスク1(ここでXはクロム未蒸着部で透光部で
ありYはクロム蒸着部で遮光部である)をこれと
同形状に形成した本発明の光記録媒体2の記録層
に密着させ2Kwの高圧水銀燈ランプ下で露光量
300mJ/cm2の露光を行つた。半導体レーザー
(発振波長830nm)を用いて、第2図のごとく得
られた記録層の露光部A、未露光部Bの吸収係数
を測定した結果その比は1/3であり光記録媒体
として十分な感度が得られることがわかつた。
実施例 2 ビス(4−メチル−O−フエニレンジアミノ)
ニツケル(λmax795nm、ε55100)5重量部、セ
ルロースアセテートブチレート樹脂(分子量
8000)90重量部及びトリフエニルスルホニウムヘ
キサフルオロアンチモネート5重量部をメチレン
ジクロライド100重量部、メチルエチルケトン100
重量部及び酢酸エチル200重量部からなる混合溶
媒に溶解し実施例1と同様にしてメタクリル樹脂
板に塗布、乾燥して本発明の記録媒体を作成し
た。実施例1と全く同様な条件で紫外線露光を行
つた結果、半導体レーザー(発振波長830nm)
を用いて測定した露光部、未露光部の吸光係数の
比は1/2.5であり、光記録媒体として十分な感
度が得られた。
実施例 3 ビス(ジイミノサクシノニトリロ)白金
(λmax640nm、ε32000)5重量部、フエノキシ
樹脂(分子量13000)92重量部及びトリフエニル
スルホニウムヘキサフルオロアンチモネート3重
量部をエチレングリコールモノメチルエーテル
100重量部、メチルエチルケトン100重量部及びメ
チレンジクロライド100重量部からなる混合媒体
に溶解し、実施例1と同様にして、メタクリル樹
脂板に塗布、乾燥して本発明の光記録媒体を得
た。次に200Kvの印加電圧10mAの電流密度の電
子線照射装置下を通過せしめ記録層に電子線用マ
スクを密着させ10メガラツドの照射線量にて露光
を行つた。ヘリウムネオンレーザー発振波長
633nm)を用い露光部、未露光部の吸光係数を
測定した結果、その比は1/4であり、光記録媒
体として十分な感度が得られた。
実施例 4 ビス(シス−1,2−ビスフエニルエチレン−
1,2−ジチオレート)白金(λmax800nm、
ε51600)6重量部、フエノキシ樹脂(分子量
13000)90重量部及びジフエニルヨードニウムテ
トラフルオロホウ酸塩4重量部をメチレンジクロ
ライド100重量部、エチレングリコールモノメチ
ルエーテル100重量部及びメチルエチルケトン100
重量部からなる混合溶媒に溶解し、実施例1と同
様にして塗布、乾燥して本発明の記録媒体を得
た。
実施例1と全く同様な条件で紫外線露光を行つ
た結果、半導体レーザー(発振波長830nm)を
用いて測定した露光部、未露光部の吸光系数の比
は1/3であり光記録媒体として十分な感度が得
られた。
実施例 5 ビス(1−メルカプト−2−フエノレート)ニ
ツケル()テトラ−n−ブチルアンモニウム
(λmax1025nm、ε12700)10重量部、ポリメタク
リル酸メチル(分子量15000)85重量部及びトリ
フエニルスルホニウムテトラフルオロ硼酸塩5重
量部をメチレンジクロライド200重量部、メチル
エチルケトン100重量部及びシクロヘキサノン100
重量部からなる混合溶媒に溶解し、実施例1と同
様にしてメタクリル樹脂版に塗布乾燥して本発明
の支持記録媒体を作成した。
実施例1と全く同様な条件で紫外線露光を行つ
た結果YAGレーザーの発振波長である1060nmの
近赤外線で分光光度計を用いて測定した、露光
部、未露光部の吸光係数の比は1/3.2であり、
光記録媒体として十分な感度が得られた。
実施例 6 実施例1におけるポリメタクリル酸メチル85重
量部のうち、15重量部をビニルシクロヘキセンジ
エポキサイドにおきかえ、実施例1と同様にして
本発明の光記録媒体を作成し、同様の評価を行つ
た結果、露光部、未露光部の吸光係数の比は1/
4であり光記録媒体として十分な感度が得られ
た。なお、実施例1の感度1/3に比較してより
高感度になつていることがわかる。
実施例 7 実施例2におけるセルロースアセテートブチレ
ート樹脂90重量部の20重量部をトリメチロールプ
ロパントリグリシジルエーテルに置きかえ、実施
例2と同様にして本発明の光記録媒体を作成し、
同様の評価を行つた結果、露光部、未露光部の吸
光係数の比は、1/3.5であり光記録媒体として
十分な感度が得られた。なお、実施例2の感度
1/2.5に比較してより高感度になつていること
がわかる。
実施例 8 実施例3におけるフエノキシ樹脂92重量部のう
ち、12重量部をビスフエノールAジクリシジルエ
ーテルに置き換え、実施例3と同様にして本発明
の光記録媒体を作成し、同様の評価を行つた結果
露光部、未露光部の吸光係数の比は1/4.7であ
り、光記録媒体として十分な感度が得られた。な
お、実施例3の感度1/4に比してより高感度に
なつていることがわかる。
実施例 9 実施例4におけるフエノキシ樹脂90重量部のう
ち、6重量部をノボラツクフエノールエポキシ樹
脂6重量部を安息香酸モノグリシジルエステルに
置き換え、実施例4と同様にして本発明の光記録
媒体を作成し、同様にして、評価を行つた結果、
露光部、未露光部の吸光係数の比は1/3.8であ
り、光記録媒体として十分な感度が得られた。な
お、実施例4の感度1/3に比較してより高感度
になつていることがわかる。
実施例 10 実施例5におけるポリメタクリル酸メチルのか
わりに、メタクリル酸メチル70重量%とグリシジ
ルメタクリレート30重量部からなる共重合体(分
子量6900)を用い、実施例5と同様にして本発明
の光記録媒体を作成し、同様の評価を行つた結
果、露光部、未露光部の吸光係数の比は1/4.6
であり、光記録媒体として十分な感度が得られ
た。なお、実施例5の感度1/3.2に比較してよ
り高感度になつていることがわかる。
比較例 1 実施例1におけるトリフエニルフエナシルホス
ホニウムテトラフルオロホウ酸を用いない以外は
実施例1を全く同様にして比較例用の光記録媒体
を作成し、実施例1と同様にして評価を行つた結
果、露光部、未露光部の吸光係数比は1/1.3で
光記録媒体の感度としては十分ではなかつた。
比較例 2 実施例2におけるトリフエニルスルホニウムヘ
キサフルオロアンチモネートを用いない以外は、
実施例2と全く同様にして比較例用の光記録媒体
を作成し、実施例2と同様にして評価を行つた結
果、露光部、未露光部の吸光係数比は1/1.4で
光記録媒体の感度としては十分ではなかつた。
比較例 3 実施例3におけるトリフエニルスルホニウムヘ
キサフルオロアンチモネートを用いない以外は、
実施例3と全く同様にして比較例用の光記録媒体
を作成し、実施例3と同様にして評価を行つた結
果、露光部、未露光部の吸光係数比は1/1.5で
光記録媒体の感度としては十分ではなかつた。
比較例 4 実施例4におけるジフエニルヨードニウムテト
ラフルオロホウ酸塩を除いた以外は実施例4と全
く同様にして比較例用の光記録媒体を作成し、実
施例4と同様な評価を行つた結果、露光部、未露
光部の吸光係数比は1/1.25で光記録媒体の感度
としては十分ではなかつた。
比較例 5 実施例5におけるトリフエニルスルホニウムテ
トラフルオロホウ酸塩を用いない以外は、実施例
5と全く同様にして比較例用の光記録媒体を作成
し、実施例5と同様な評価を行つた結果、露光
部、未露光部の吸光係数比は1/1.25で光記録媒
体の感度としては十分ではなかつた。
【図面の簡単な説明】
第1図は実施例で使用したフオトマスク1を示
す平面図であり、第2図は同じく光記録媒体2を
示す平面図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 (a) 600〜1200nmの波長域に極大吸収を有
    する有機金属錯体と、 (b) 分子量2000以上の樹脂バインダーと、 (c) および活性エネルギー線照射によりカチオン
    を発生する増感剤とからなる記録層を有するこ
    とを特徴とし、活性エネルギー線露光により情
    報の書き込みを行う光記録媒体。 2 (a) 600〜1200nmに極大吸収を有する有機
    金属錯体と、 (b) 分子量2000以上の樹脂バインダーと、 (c) 活性エネルギー線照射によりカチオンを発生
    する増感剤と、 (d) および揮発生のないエポキシ化合物からなる
    記録層を有することを特徴とし、活性エネルギ
    ー線露光により情報の書き込みを行う光記録媒
    体。
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