JPH038722A - 超電導膜の製造方法 - Google Patents
超電導膜の製造方法Info
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- JPH038722A JPH038722A JP1144503A JP14450389A JPH038722A JP H038722 A JPH038722 A JP H038722A JP 1144503 A JP1144503 A JP 1144503A JP 14450389 A JP14450389 A JP 14450389A JP H038722 A JPH038722 A JP H038722A
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- superconducting film
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明はＢｉ系層状ペロブスカイト型の高Ｔｃ相超伝導
膜の製造方法に関し、高Ｔｃ相形成のためにＰｂを必要
な量ドープし、そして、Ｃｕ含有量を最適化し、高Ｔｃ
単一相を短時間の焼成で生成することのできる超伝導膜
の製造方法を提供することを目的とし、Ｂｉ系系層状ペ
ロブスカイト型超伝導膜を製造する工程において、基板
上に該超伝導膜を合成するための酸化物の膜を堆積した
該酸化物の金属元素の成分が以下の弐で表される超伝導
膜の製造方法により構成する。
膜の製造方法に関し、高Ｔｃ相形成のためにＰｂを必要
な量ドープし、そして、Ｃｕ含有量を最適化し、高Ｔｃ
単一相を短時間の焼成で生成することのできる超伝導膜
の製造方法を提供することを目的とし、Ｂｉ系系層状ペ
ロブスカイト型超伝導膜を製造する工程において、基板
上に該超伝導膜を合成するための酸化物の膜を堆積した
該酸化物の金属元素の成分が以下の弐で表される超伝導
膜の製造方法により構成する。
Ｂｉ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝１：ｓ： Ｌ：ｕ：ｖ
但 し ０．６＜ｓ＜０．９． ０＜ｔ＜１．
５（産業上の利用分野） 本発明はＢｉ系趙伝導膜の製造方法の改良に関する。特
に、臨界温度と臨界電流密度とを向上する改良に関する
。
但 し ０．６＜ｓ＜０．９． ０＜ｔ＜１．
５（産業上の利用分野） 本発明はＢｉ系趙伝導膜の製造方法の改良に関する。特
に、臨界温度と臨界電流密度とを向上する改良に関する
。
〔従来の技術］
ｐｂを添加したＢｉ系超超伝導体作製する方法としては
、出発原料として［１ｉ２０．、ＰｂＯ，５ｒＣＯ，、
ＣａＣ０，、ＣＵＯ等の粉末を混合し、仮焼、粉砕、圧
粉、本焼成を行うのが、−船釣である。 Ｂｉ系超超伝
導体臨界温度が最も高い１１０ Ｋ相を合成するときの
原料粉末の混合割合としては、Ｂｉ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ
：Ｃｕの比が、およそ１．８：０．３４：１．９：２．
０：３．０程度とするのがよいとされている。
、出発原料として［１ｉ２０．、ＰｂＯ，５ｒＣＯ，、
ＣａＣ０，、ＣＵＯ等の粉末を混合し、仮焼、粉砕、圧
粉、本焼成を行うのが、−船釣である。 Ｂｉ系超超伝
導体臨界温度が最も高い１１０ Ｋ相を合成するときの
原料粉末の混合割合としては、Ｂｉ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ
：Ｃｕの比が、およそ１．８：０．３４：１．９：２．
０：３．０程度とするのがよいとされている。
Ｂｉ系超伝導膜は、単位胞内に含まれるＣｕ−０平面の
数の違いに応じて臨界温度（Ｔｃ）が異なる超伝導相が
存在することが知られている。今までのところ、式 Ｂ
ｉｚＳｒｚＣａａ−＋ＣｕｎＯｘにおいてｎ＝１に対す
るＴｃ・１０ Ｋの相、ｎ・２に対するＴｃ・８０にの
相、ｎ・３に対するＴｃ・１１０にの相が知られている
。実用的には、臨界温度が最も高い１１ＯＫ相を合成す
ることが望まれるが、単に１１０ Ｋ相の化学量論組成
に合わせても８０に相が合成され易い。これは、ＣａＯ
が存在する場合には焼成温度領域（８５０−８７０°Ｃ
）では先ず８０ Ｋ相が安定して生成してしまい目的と
する１１０ Ｋ相に変化するには、１００時間を越える
ような焼成時間を必要とするためと考えられる。
数の違いに応じて臨界温度（Ｔｃ）が異なる超伝導相が
存在することが知られている。今までのところ、式 Ｂ
ｉｚＳｒｚＣａａ−＋ＣｕｎＯｘにおいてｎ＝１に対す
るＴｃ・１０ Ｋの相、ｎ・２に対するＴｃ・８０にの
相、ｎ・３に対するＴｃ・１１０にの相が知られている
。実用的には、臨界温度が最も高い１１ＯＫ相を合成す
ることが望まれるが、単に１１０ Ｋ相の化学量論組成
に合わせても８０に相が合成され易い。これは、ＣａＯ
が存在する場合には焼成温度領域（８５０−８７０°Ｃ
）では先ず８０ Ｋ相が安定して生成してしまい目的と
する１１０ Ｋ相に変化するには、１００時間を越える
ような焼成時間を必要とするためと考えられる。
高野等（Ｊｐｎ、Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、２７．１９
８８． Ｌ１０４１）はＢｉ系超超伝導体、ｐｂｏを添
加することにより１１０に相比軸的生成され易いことを
報告している。さらに、用台等（Ｊｐｎ、Ｊ、Ａｐｐｌ
、Ｐｈｙｓ、２７．１９８８． Ｌ１４７６）は１１０
Ｋ相の単相化を試みＢｉ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕの
比が１８４：０．３４：１．９１：２．０．３：３．０
６の時に１１０ Ｋ相がほぼ１００χのバルクが得られ
ることを見出している。
８８． Ｌ１０４１）はＢｉ系超超伝導体、ｐｂｏを添
加することにより１１０に相比軸的生成され易いことを
報告している。さらに、用台等（Ｊｐｎ、Ｊ、Ａｐｐｌ
、Ｐｈｙｓ、２７．１９８８． Ｌ１４７６）は１１０
Ｋ相の単相化を試みＢｉ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕの
比が１８４：０．３４：１．９１：２．０．３：３．０
６の時に１１０ Ｋ相がほぼ１００χのバルクが得られ
ることを見出している。
通常の薄膜の形成方法（スパッタ法、蒸着法等）では、
膜を基板上に堆積後熱処理を加え、超伝導膜を合成する
が、その過程において相当量のＰｂが蒸発し、十分な１
１０に相が生成されない。こうした課題に対しては、ｐ
ｂを多量に添加することによりある程度の１１０ Ｋ相
が合成できることを指摘した（Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、
Ｌｅｔｔ、 ５４ ｐｐ、１３６２−１３６４．１
９８９）。しかしながら、ｐｂを多量に添加した膜では
焼成中に針状結晶が析出し、１１０ Ｋ相を単一相とし
て合成することは困難であった。膜の均質性がｔ員なわ
れると、臨界電流密度も著しく低下し、膜の均質性を向
上させることが大きな課題となっていた。
膜を基板上に堆積後熱処理を加え、超伝導膜を合成する
が、その過程において相当量のＰｂが蒸発し、十分な１
１０に相が生成されない。こうした課題に対しては、ｐ
ｂを多量に添加することによりある程度の１１０ Ｋ相
が合成できることを指摘した（Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、
Ｌｅｔｔ、 ５４ ｐｐ、１３６２−１３６４．１
９８９）。しかしながら、ｐｂを多量に添加した膜では
焼成中に針状結晶が析出し、１１０ Ｋ相を単一相とし
て合成することは困難であった。膜の均質性がｔ員なわ
れると、臨界電流密度も著しく低下し、膜の均質性を向
上させることが大きな課題となっていた。
本発明はＢｉ系系層状ペロブスカイト型超伝導膜を製造
する工程において、基板上に該超伝導膜を合成するため
の酸化物の膜を堆積した該酸化物の金属元素の成分が以
下の式 ％式％：： で表されることを特１枚とする超伝導膜の製造方法によ
り達成される。
する工程において、基板上に該超伝導膜を合成するため
の酸化物の膜を堆積した該酸化物の金属元素の成分が以
下の式 ％式％：： で表されることを特１枚とする超伝導膜の製造方法によ
り達成される。
本発明は、Ｂｉ層層状ペロブスカイト型超伝導膜を堆積
する工程において、化学量論組成より若干Ｃｕを多く堆
積し、一方ｐｂをＢｉに対し、０．６以上０．９以下添
加量することにより、短時間の焼成で、十分な量の１１
０に相を合成することを特徴とする。
する工程において、化学量論組成より若干Ｃｕを多く堆
積し、一方ｐｂをＢｉに対し、０．６以上０．９以下添
加量することにより、短時間の焼成で、十分な量の１１
０に相を合成することを特徴とする。
本発明は、ｐｂを添加したＢｉ系型超伝導膜を製造方法
に関し、ｐｂをＢｉに対し、０．６から０．９の間の範
囲で添加し、臨界温度が１１０にの超伝導相を多く含み
、均質性に優れ、密度が高い薄膜を短時間で形成し、そ
れにより、臨界温度が高＜、臨界電流密度も大きな超伝
導膜を製造する方法を提供するものである。
に関し、ｐｂをＢｉに対し、０．６から０．９の間の範
囲で添加し、臨界温度が１１０にの超伝導相を多く含み
、均質性に優れ、密度が高い薄膜を短時間で形成し、そ
れにより、臨界温度が高＜、臨界電流密度も大きな超伝
導膜を製造する方法を提供するものである。
ここでｐｂをバルクの最適添加量に較べはるかに多く添
加するのは、薄膜では、焼成中にｐｂが容易に蒸発する
ため、１１０に相の生成を促進させるためには、Ｂｉに
対し、０．６以上添加しなければ有効でないためである
。また、添加量を０．９以下とするのは、焼成時に、膜
が部分溶融し、膜組成にばらつきが生じるのを抑制する
ためである。
加するのは、薄膜では、焼成中にｐｂが容易に蒸発する
ため、１１０に相の生成を促進させるためには、Ｂｉに
対し、０．６以上添加しなければ有効でないためである
。また、添加量を０．９以下とするのは、焼成時に、膜
が部分溶融し、膜組成にばらつきが生じるのを抑制する
ためである。
このような膜を堆積するためには、堆積中にｐｂとＣｕ
とが欠損しないようにＢ１−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０層と
ＰｂＯとＣｕＯとを高濃度に含む層とを積層した多層膜
とするのが現実的である。
とが欠損しないようにＢ１−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０層と
ＰｂＯとＣｕＯとを高濃度に含む層とを積層した多層膜
とするのが現実的である。
（作用）
本発明では、比較的多量のＰｂを添加し、また、焼成中
に蒸発し易いＣｕを若干多めにした非晶質の膜を基板上
に堆積し、その後短時間の焼成で、Ｂｉｉ状ペロプスカ
イト型超伝導体を合成している。
に蒸発し易いＣｕを若干多めにした非晶質の膜を基板上
に堆積し、その後短時間の焼成で、Ｂｉｉ状ペロプスカ
イト型超伝導体を合成している。
この方法により焼成時に８０ Ｋ相が合成されにくく、
１１０に相を多く含み、均質性に優れ、密度が高い薄膜
を短時間で形成できる。従って、高い臨界温度と電流密
度の膜が合成できる。
１１０に相を多く含み、均質性に優れ、密度が高い薄膜
を短時間で形成できる。従って、高い臨界温度と電流密
度の膜が合成できる。
膜の堆積はＲＦマグネトロンスパッタ法により行った。
スパック条件を表Ｉに示す。
表１ スパック条件
基板温度 ４００°Ｃ
スパッタガス Ａｒ：Ｏ□−２：１スバンタガ
ス圧 ＩＰａ 高周波電力 ７５〜１００Ｗ堆積速度
８０人／ ｍ ｉ ｎ膜厚
０．８５μｍ ターゲットには、Ｂｉ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝ ３：２：
２：３となるような組成比の酸化物ターゲットＩとＰｂ
０Ｘのターゲット■およびＣｕＯのターゲット■を用い
た。
ス圧 ＩＰａ 高周波電力 ７５〜１００Ｗ堆積速度
８０人／ ｍ ｉ ｎ膜厚
０．８５μｍ ターゲットには、Ｂｉ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝ ３：２：
２：３となるような組成比の酸化物ターゲットＩとＰｂ
０Ｘのターゲット■およびＣｕＯのターゲット■を用い
た。
４００’Ｃに加熱されたＭｇＯ基板上に、それぞれのタ
ーゲットを交互にスパッタし、Ｂ１−３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ
−０層ｐｂｏ、１層、ＣｕＯ層とを多層に堆積した。
ーゲットを交互にスパッタし、Ｂ１−３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ
−０層ｐｂｏ、１層、ＣｕＯ層とを多層に堆積した。
ターゲット■として［ｆｉ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝ ３：
２：２：３となるようにＢｉを多くしたのは酸化ビスマ
スは堆積されにくいためでる。ターゲットＩにより堆積
すると、膜組成が１１０ Ｋ相の化学量論組成である２
：２：２＋３に近くなる。それぞれの層の厚さは以下の
通りである。
２：２：３となるようにＢｉを多くしたのは酸化ビスマ
スは堆積されにくいためでる。ターゲットＩにより堆積
すると、膜組成が１１０ Ｋ相の化学量論組成である２
：２：２＋３に近くなる。それぞれの層の厚さは以下の
通りである。
Ｂ１−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０層： ２０００ 人ｐ
ｂｏ、層： ３００人 ＣｕＯ層＝３００人 各層を２回以上堆積し、膜厚が１ μｍの膜を得た。堆
積された薄膜のＩｃＰ による組成分析の結果は以下の
通りである。
ｂｏ、層： ３００人 ＣｕＯ層＝３００人 各層を２回以上堆積し、膜厚が１ μｍの膜を得た。堆
積された薄膜のＩｃＰ による組成分析の結果は以下の
通りである。
Ｂｉ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝１．Ｏ；０．８：１．
０：１．０：１．６Ｂｉが適切な置台まれ、Ｃｕが化学
量論組成より多く含まれていることがわかる。上記の多
層膜を大気中８５０°Ｃで１時間焼成し、超伝導膜を得
た。得られた膜のＸ線回折パターン（ＣｕＫα）を第１
図に示す。ＭｇＯはＭｇｏ基板による回折、Ｌは低Ｔｃ
相による回折、他は亮Ｔｃ和による回折パターンをしめ
す。膜はほぼ単一の高温和からなっていることがわかる
。また、第２図に膜のＳＥＭ観察による微構造を示す。
０：１．０：１．６Ｂｉが適切な置台まれ、Ｃｕが化学
量論組成より多く含まれていることがわかる。上記の多
層膜を大気中８５０°Ｃで１時間焼成し、超伝導膜を得
た。得られた膜のＸ線回折パターン（ＣｕＫα）を第１
図に示す。ＭｇＯはＭｇｏ基板による回折、Ｌは低Ｔｃ
相による回折、他は亮Ｔｃ和による回折パターンをしめ
す。膜はほぼ単一の高温和からなっていることがわかる
。また、第２図に膜のＳＥＭ観察による微構造を示す。
鱗片状の超伝導結晶がＣ軸配向して重なっていることが
わかる。第３図直流４端子法により測定した電気抵抗の
温度変化を示す。１２０ Ｋ付近から電気抵抗が急激に
減少し１０６．５ Ｋ で電気抵抗がゼロとなった。ま
た臨界電流密度は７７．３ Ｋにおいて５．８ｘｌＯ’
Ａ／ｃｍ” と十分大きい。
わかる。第３図直流４端子法により測定した電気抵抗の
温度変化を示す。１２０ Ｋ付近から電気抵抗が急激に
減少し１０６．５ Ｋ で電気抵抗がゼロとなった。ま
た臨界電流密度は７７．３ Ｋにおいて５．８ｘｌＯ’
Ａ／ｃｍ” と十分大きい。
〔比較例−１〕
ｐｂを多量に添加した膜（堆積直後の組成比がＢｉ：Ｐ
ｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝１．０：１．１：１．０：１．
０：１．７の膜）を８５０°Ｃで１時間焼成した場合の
Ｘ線回折パターンを第４図に示す。先に述べた実Ｍｍ例
と同一条件で焼成しても、１１０に相の割合があまり増
えない。また、走査型電子顕微鏡で膜を観察すると、Ｃ
ａ−ＣｕＯの大きな針状結晶が観測された。７７．３
Ｋにおける臨界電流密度は０．８ｘｌＯ’ Ａ／ｃ＋ｗ
”であり実施例で示した膜にくらべ非常に劣っている。
ｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝１．０：１．１：１．０：１．
０：１．７の膜）を８５０°Ｃで１時間焼成した場合の
Ｘ線回折パターンを第４図に示す。先に述べた実Ｍｍ例
と同一条件で焼成しても、１１０に相の割合があまり増
えない。また、走査型電子顕微鏡で膜を観察すると、Ｃ
ａ−ＣｕＯの大きな針状結晶が観測された。７７．３
Ｋにおける臨界電流密度は０．８ｘｌＯ’ Ａ／ｃ＋ｗ
”であり実施例で示した膜にくらべ非常に劣っている。
〔比較例−２〕
ｐｂを少量添加した膜（堆積直後の組成比がＢｉ：Ｐｂ
：Ｓｒ；Ｃａ：Ｃｕ＝１．Ｏ：０．６：１．Ｏ＋１．Ｏ
：１．５） を８５０’Ｃで１時間焼成した場合のＸ
線回折パターンを第５図に示す。この膜においても１１
０ Ｋ相の割合があまり増えない。また、走査型電子顕
微鏡で膜を観察すると、針状結晶は見られないものの、
膜はＣ軸配向せず、膜の密度が実施例に較べ、著しく低
下していることがわかる。７７．３ ｋにおけろ臨界電
流密度は１．４ｘｌＯ’ Ａ／ｃｍ２ であり実施例で
示した膜にくらべ劣っている。
：Ｓｒ；Ｃａ：Ｃｕ＝１．Ｏ：０．６：１．Ｏ＋１．Ｏ
：１．５） を８５０’Ｃで１時間焼成した場合のＸ
線回折パターンを第５図に示す。この膜においても１１
０ Ｋ相の割合があまり増えない。また、走査型電子顕
微鏡で膜を観察すると、針状結晶は見られないものの、
膜はＣ軸配向せず、膜の密度が実施例に較べ、著しく低
下していることがわかる。７７．３ ｋにおけろ臨界電
流密度は１．４ｘｌＯ’ Ａ／ｃｍ２ であり実施例で
示した膜にくらべ劣っている。
以上説明したように本発明によれば、Ｂｉｉ層状ペロブ
スカイト型超伝導体のなかで、最も臨界温度が高い、１
１０に相を高純度にしかも短時間に合成でき、十分臨界
温度が高く、また十分大きな臨界１１１ｊ流密度を存す
るＢｉ系系層状ペロブスカイト型超伝導膜を形成できる
。
スカイト型超伝導体のなかで、最も臨界温度が高い、１
１０に相を高純度にしかも短時間に合成でき、十分臨界
温度が高く、また十分大きな臨界１１１ｊ流密度を存す
るＢｉ系系層状ペロブスカイト型超伝導膜を形成できる
。
第１図は本発明により得られた膜のＸ線回折パターンを
示す図、 第２図は本発明により得られた膜の微細構造を示す図、 第３図は本発明により得られた膜の電気抵抗の温度変化
を示す図、 第４図及び第５図は比較例方法により得られた膜のＸ線
回折パターンを示す図である。 〕回の、争書 手続補正書（方式） 平成元年１０月１９日 事件の表示 平成Ｏ１年特許願第１４４５０３号 発明の名称 超伝導膜の製造方法 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 神奈川県用崎市中原区上小田中 名称 ＜５２２）富士通株式会社 代表者 山 本 卓 眞
示す図、 第２図は本発明により得られた膜の微細構造を示す図、 第３図は本発明により得られた膜の電気抵抗の温度変化
を示す図、 第４図及び第５図は比較例方法により得られた膜のＸ線
回折パターンを示す図である。 〕回の、争書 手続補正書（方式） 平成元年１０月１９日 事件の表示 平成Ｏ１年特許願第１４４５０３号 発明の名称 超伝導膜の製造方法 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 神奈川県用崎市中原区上小田中 名称 ＜５２２）富士通株式会社 代表者 山 本 卓 眞
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｂｉ系層状ペロブスカイト型超伝導膜を製造する工程
において、基板上に該超伝導膜を合成するための酸化物
の膜を堆積した該酸化物の金属元素の成分が以下の式で
表されることを特徴とする超伝導膜の製造方法。 Ｂｉ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ：１：ｓ：ｔ：ｕ：ｖ但
し０．６＜ｓ＜０．９，０＜ｔ＜１．５ ０＜ｕ＜１．５，１．０＜ｖ＜３．０
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1144503A JPH038722A (ja) | 1989-06-06 | 1989-06-06 | 超電導膜の製造方法 |
| CA002003850A CA2003850C (en) | 1988-11-29 | 1989-11-24 | Process for preparing a perovskite type superconductor film |
| DE68928256T DE68928256T2 (de) | 1988-11-29 | 1989-11-29 | Verfahren zur Herstellung einer supraleitenden Dünnenschicht des Perovskit-Typs |
| EP89312400A EP0372808B1 (en) | 1988-11-29 | 1989-11-29 | Process for preparing a perovskite type superconductor film |
| KR1019890017434A KR930008648B1 (ko) | 1988-11-29 | 1989-11-29 | 페로브스키트형 초전도체막 준비공정 |
| US07/565,209 US5141917A (en) | 1988-11-29 | 1990-08-09 | Multilayer deposition method for forming Pb-doped Bi-Sr-Ca-Cu-O Superconducting films |
| US08/378,087 US5585332A (en) | 1988-11-29 | 1995-01-25 | Process for preparing a perovskite Bi-containing superconductor film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1144503A JPH038722A (ja) | 1989-06-06 | 1989-06-06 | 超電導膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH038722A true JPH038722A (ja) | 1991-01-16 |
Family
ID=15363877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1144503A Pending JPH038722A (ja) | 1988-11-29 | 1989-06-06 | 超電導膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH038722A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0226879A (ja) * | 1988-07-13 | 1990-01-29 | Toray Ind Inc | 超伝導材 |
| JPH02124718A (ja) * | 1988-11-02 | 1990-05-14 | Agency Of Ind Science & Technol | Ｂｉ−Ｐｂ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ系酸化物超伝導膜の製造方法 |
| JPH02293326A (ja) * | 1989-05-09 | 1990-12-04 | Fujitsu Ltd | 超伝導体膜の製造方法 |
-
1989
- 1989-06-06 JP JP1144503A patent/JPH038722A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0226879A (ja) * | 1988-07-13 | 1990-01-29 | Toray Ind Inc | 超伝導材 |
| JPH02124718A (ja) * | 1988-11-02 | 1990-05-14 | Agency Of Ind Science & Technol | Ｂｉ−Ｐｂ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ系酸化物超伝導膜の製造方法 |
| JPH02293326A (ja) * | 1989-05-09 | 1990-12-04 | Fujitsu Ltd | 超伝導体膜の製造方法 |
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