JPH038761A - 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 - Google Patents
電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法Info
- Publication number
- JPH038761A JPH038761A JP1143723A JP14372389A JPH038761A JP H038761 A JPH038761 A JP H038761A JP 1143723 A JP1143723 A JP 1143723A JP 14372389 A JP14372389 A JP 14372389A JP H038761 A JPH038761 A JP H038761A
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- JP
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- voltage
- mol
- firing
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電気機器、電子機器で発生する異常高電圧、ノ
イズ、静電気などから機器の半導体および回路を保護す
るためのコンデンサ特性とバリスタ特性を有する電圧依
存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法
に関するものである。
イズ、静電気などから機器の半導体および回路を保護す
るためのコンデンサ特性とバリスタ特性を有する電圧依
存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法
に関するものである。
従来の技術
従来、各種の電気機器、電子機器における異常高電圧の
吸収、ノイズの除去、火花消去、静電気対策のために電
圧依存性非直線抵抗特性を有するＳｉＣバリスタや、Ｚ
ｎＯ系バリスタなどが使用されている。このようなバリ
スタの電圧−電流特性は近似的に次式のように表すこと
ができる。
吸収、ノイズの除去、火花消去、静電気対策のために電
圧依存性非直線抵抗特性を有するＳｉＣバリスタや、Ｚ
ｎＯ系バリスタなどが使用されている。このようなバリ
スタの電圧−電流特性は近似的に次式のように表すこと
ができる。
１＝（Ｖ／Ｃ）α
ここで、■は電流、■は電圧、Ｃはバリスタ固有の定数
、αは電圧−電流非直線指数である。
、αは電圧−電流非直線指数である。
ＳｉＣバリスタのαは２〜７程度、ＺｎＯ系バリスタで
はαが５０にもおよぶものがある。このようなバリスタ
は比較的高い電圧の吸収には優れた性能を有しているが
、誘電率が低く、固有の静電容量が小さいため、バリス
タ電圧以下の比較的低い電圧の吸収にはほとんど効果を
示さず、また誘電損失ｔａｎδが５〜１０％と大きい。
はαが５０にもおよぶものがある。このようなバリスタ
は比較的高い電圧の吸収には優れた性能を有しているが
、誘電率が低く、固有の静電容量が小さいため、バリス
タ電圧以下の比較的低い電圧の吸収にはほとんど効果を
示さず、また誘電損失ｔａｎδが５〜１０％と大きい。
一方、これらの低電圧のノイズなどの除去には見かけの
誘電率が５Ｘ１０４程度で、ｔａｎδが１％前後の半導
体コンデンサが利用されている。
誘電率が５Ｘ１０４程度で、ｔａｎδが１％前後の半導
体コンデンサが利用されている。
しかし、このような半導体コンデンサはサージなどによ
りある限度以上の電圧または電流が印加されると、静電
容量が減少したり、破壊されたりしてコンデンサとして
の機能を果たさなくなったりする。
りある限度以上の電圧または電流が印加されると、静電
容量が減少したり、破壊されたりしてコンデンサとして
の機能を果たさなくなったりする。
そこで最近になってＳｒＴｉＯ３を主成分とし、バリス
タ特性とコンデンサ特性の両方の機能を有するものが開
発され、コンピュータなどの電子機器におけるＩＣ，Ｌ
ＳＩなどの半導体素子の保護に利用されている。
タ特性とコンデンサ特性の両方の機能を有するものが開
発され、コンピュータなどの電子機器におけるＩＣ，Ｌ
ＳＩなどの半導体素子の保護に利用されている。
発明が解決しようとする課題
上記の５ｒＴｉＣｈを主成分とするバリスタとコンデン
サの両方の機能を有する素子はＺｎＯ系バリスタに比べ
誘電率が約１０倍と大きいが、αやサージ耐量が小さ（
、バリスタ電圧を低（すると特性が劣化しやすいといっ
た欠点を有していた。
サの両方の機能を有する素子はＺｎＯ系バリスタに比べ
誘電率が約１０倍と大きいが、αやサージ耐量が小さ（
、バリスタ電圧を低（すると特性が劣化しやすいといっ
た欠点を有していた。
そこで本発明では、誘電率が大きく、バリスタ電圧が低
（、αが大きいと共にサージ耐量が大きい電圧依存性非
直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法を提供
することを特徴とする特許である。
（、αが大きいと共にサージ耐量が大きい電圧依存性非
直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法を提供
することを特徴とする特許である。
課題を解決するための手段
上記の問題点を解決するために本発明では、Ｓ ｒ＋−
ｘＣａｘＴ ｉ ０３（０．００１≦ｘ≦０．３００）
（以下第１成分と呼ぶ）を９０．０００〜９９．９９８
ｍｏｌ％、Ｎｂ２Ｏ５，Ｔａ２０５゜ＷＯ２，ＤＶ２０
３．Ｙ２Ｏ３，Ｌ ａ２０３．ＣｅＯ２゜Ｓｍ２０ｓ、
Ｐｒ１ＢＯ１１，Ｎｄ２Ｏ３のうち少なくとも１１類以
上（以下第２成分と呼ぶ）を０．００１〜５．０ＯＯｉ
ｏ１％、Ａｔ！ ２０３．Ｓ ｂ２０３．Ｂａｄ。
ｘＣａｘＴ ｉ ０３（０．００１≦ｘ≦０．３００）
（以下第１成分と呼ぶ）を９０．０００〜９９．９９８
ｍｏｌ％、Ｎｂ２Ｏ５，Ｔａ２０５゜ＷＯ２，ＤＶ２０
３．Ｙ２Ｏ３，Ｌ ａ２０３．ＣｅＯ２゜Ｓｍ２０ｓ、
Ｐｒ１ＢＯ１１，Ｎｄ２Ｏ３のうち少なくとも１１類以
上（以下第２成分と呼ぶ）を０．００１〜５．０ＯＯｉ
ｏ１％、Ａｔ！ ２０３．Ｓ ｂ２０３．Ｂａｄ。
Ｂｅｄ、Ｐｂ０．Ｂ２Ｏ３，Ｃｒ２０３．Ｆ ｅ２０３
゜Ｃｄ Ｏ，に２Ｏ，Ｃａ Ｏ，Ｃ０２０３，Ｃｕ Ｏ
，ＣｔＪ２０Ｌ ｉ２Ｏ，Ｌ ｉ Ｆ、ＭｇＯ，ＭｎＯ
２，ＭｏＯ３゜Ｎａ２Ｏ，ＮａＦ、Ｎｉｐ、Ｒｈ２Ｏ３
，５ｅｅ２゜Ａｇ２Ｏ，５ｉ０２．ＳｉＣ，ＳｒＯ，Ｔ
ｅ２０３゜Ｔｈ０ｚ、Ｔ ｉＣｈ、Ｖ２Ｏ５，Ｂ １２
０３．ＺｎＯ。
゜Ｃｄ Ｏ，に２Ｏ，Ｃａ Ｏ，Ｃ０２０３，Ｃｕ Ｏ
，ＣｔＪ２０Ｌ ｉ２Ｏ，Ｌ ｉ Ｆ、ＭｇＯ，ＭｎＯ
２，ＭｏＯ３゜Ｎａ２Ｏ，ＮａＦ、Ｎｉｐ、Ｒｈ２Ｏ３
，５ｅｅ２゜Ａｇ２Ｏ，５ｉ０２．ＳｉＣ，ＳｒＯ，Ｔ
ｅ２０３゜Ｔｈ０ｚ、Ｔ ｉＣｈ、Ｖ２Ｏ５，Ｂ １２
０３．ＺｎＯ。
Ｚ ｒｃｈ 、５ｎ０２のうち少なくとも１種類以上（
以下第３成分と呼ぶ）を０．００１〜５．０００ｍｏｌ
％含有してなる主成分１００重量部と、Ｓ ｒＴ ｉ
０３ ６０．０００〜３２．５００ｍｏｌ％。
以下第３成分と呼ぶ）を０．００１〜５．０００ｍｏｌ
％含有してなる主成分１００重量部と、Ｓ ｒＴ ｉ
０３ ６０．０００〜３２．５００ｍｏｌ％。
ＳｉＣ２４０．○ＯＯ〜６７．５００ｍｏｌ％からなる
混合物を１２００〜１３００ ’Ｃで焼成してなる添加
物（以下第４成分と呼ぶ）０．００１〜１０．０００重
量部とからなる電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物を得
ることにより問題を解決しようとするものである。
混合物を１２００〜１３００ ’Ｃで焼成してなる添加
物（以下第４成分と呼ぶ）０．００１〜１０．０００重
量部とからなる電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物を得
ることにより問題を解決しようとするものである。
また、上記組成物を１１００°Ｃ以上で焼成するバリス
タの製造方法、あるいは上記組成物を１１００℃以上で
焼成した後、還元性雰囲気中で１２００℃以上で焼成し
、その後酸化性雰囲気中で９００〜１３００℃で焼成す
るバリスタの製造方法を提案するものである。
タの製造方法、あるいは上記組成物を１１００℃以上で
焼成した後、還元性雰囲気中で１２００℃以上で焼成し
、その後酸化性雰囲気中で９００〜１３００℃で焼成す
るバリスタの製造方法を提案するものである。
作用
上記の発明において第１成分は主たる成分であり、５ｉ
Ｔｉ０３のＳｒの一部をＣａで置換することにより粒界
に形成される高抵抗層がサージに対して強くなる。第２
成分は主に第１成分の半導体化を促進する金属酸化物で
ある。また、第３成分は誘電率、α、サージ耐量の改善
に寄与するものであり、第４成分はバリスタ電圧の低下
、誘電率の改善に有効なものである。特に、第４成分は
融点が１２３０〜１２５０℃と比較的低いため、融点前
後の温度で焼成すると液相となり、その他の成分の反応
を促進すると共に粒子の成長を促進する。そのため粒界
部分に第３成分が偏析しやくずなり、粒界が高抵抗化さ
れ易くなり、バリスタ機能およびコンデンサ機能が改善
される。また、粒成長が促進されるためバリスタ電圧が
低くなり、粒径の均一性が向上するため特性の安定性が
よくなり、特にサージ耐量が改善されることとなる。
Ｔｉ０３のＳｒの一部をＣａで置換することにより粒界
に形成される高抵抗層がサージに対して強くなる。第２
成分は主に第１成分の半導体化を促進する金属酸化物で
ある。また、第３成分は誘電率、α、サージ耐量の改善
に寄与するものであり、第４成分はバリスタ電圧の低下
、誘電率の改善に有効なものである。特に、第４成分は
融点が１２３０〜１２５０℃と比較的低いため、融点前
後の温度で焼成すると液相となり、その他の成分の反応
を促進すると共に粒子の成長を促進する。そのため粒界
部分に第３成分が偏析しやくずなり、粒界が高抵抗化さ
れ易くなり、バリスタ機能およびコンデンサ機能が改善
される。また、粒成長が促進されるためバリスタ電圧が
低くなり、粒径の均一性が向上するため特性の安定性が
よくなり、特にサージ耐量が改善されることとなる。
実施例
以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。
まず、ＳｒＴｉＯ３ 、Ｓ ｉ０２を下記の第１表に示
すように組成比を種々変えて秤量し、ボールミルなどで
２０８ｒ混合する。次に、乾燥した後、下記の第１表に
示すように温度を種々変えて焼成し、再びボールミルな
どで２０Ｈｒ粉砕した後、乾燥し、第４成分とする。次
いで、第１成分、第２成分、第３成分、第４成分を下記
の第１表に示した組成比になるように秤量し、ボールミ
ルなどで２４８ ｒ混合した後、乾燥し、ポリビニルア
ルコールなどの有機バインダーを１０ｗｔ％添加して造
粒した後、１（ｔ／ｃＩ＋？）のプレス圧力で１０φＸ
ｉｔ （ｍｍ）の円板状に成形し、１０００℃で１０Ｈ
ｒ焼成し脱バインダーする。次に、第１表に示したよう
に温度を種々変えて４Ｈｒ焼成（第１焼成）し、その後
還元性雰囲気、例えばＮ２ ：Ｎ２ ＝９： １のガ
ス中で温度を種々変えて４Ｈｒ焼成（第２焼成）する。
すように組成比を種々変えて秤量し、ボールミルなどで
２０８ｒ混合する。次に、乾燥した後、下記の第１表に
示すように温度を種々変えて焼成し、再びボールミルな
どで２０Ｈｒ粉砕した後、乾燥し、第４成分とする。次
いで、第１成分、第２成分、第３成分、第４成分を下記
の第１表に示した組成比になるように秤量し、ボールミ
ルなどで２４８ ｒ混合した後、乾燥し、ポリビニルア
ルコールなどの有機バインダーを１０ｗｔ％添加して造
粒した後、１（ｔ／ｃＩ＋？）のプレス圧力で１０φＸ
ｉｔ （ｍｍ）の円板状に成形し、１０００℃で１０Ｈ
ｒ焼成し脱バインダーする。次に、第１表に示したよう
に温度を種々変えて４Ｈｒ焼成（第１焼成）し、その後
還元性雰囲気、例えばＮ２ ：Ｎ２ ＝９： １のガ
ス中で温度を種々変えて４Ｈｒ焼成（第２焼成）する。
さらにその後、酸化性雰囲気中で温度を種々変えて３Ｈ
ｒ焼成（第３焼成）する。
ｒ焼成（第３焼成）する。
こうして得られた第１図、第２図に示す焼結体１の両平
面に外周を残すようにしてＡｇなどの導電性ペーストを
スクリーン印刷などにより塗布し、６００℃、５ｍ１ｎ
で焼成し、電極２，３を形成する。次に、半田などによ
りリード線を取付け、エポキシなどの樹脂を塗布する。
面に外周を残すようにしてＡｇなどの導電性ペーストを
スクリーン印刷などにより塗布し、６００℃、５ｍ１ｎ
で焼成し、電極２，３を形成する。次に、半田などによ
りリード線を取付け、エポキシなどの樹脂を塗布する。
このようにして得られた素子の特性を下記の第２表に示
す。
す。
なお、見掛は誘電率は１ＫＨｚでの静電容量がら計算し
たものであり、αは α＝ １ ／ Ｌ ｏ ｇ （ＶＩＯｍ＾／ Ｖ １１
１Ａ）（ただし、ＶＩｎＡ ＊ ＶｌＯｍＡは１ｍＡ、
１０ｍＡの電流を流した時に素子の両端にががる電圧で
ある。）で評価した。また、サージ耐量はパルス性の電
流を印加した後のＶｌｉＡの変化率が±１０％以内であ
る時の最大のパルス性電流値により評価している。
たものであり、αは α＝ １ ／ Ｌ ｏ ｇ （ＶＩＯｍ＾／ Ｖ １１
１Ａ）（ただし、ＶＩｎＡ ＊ ＶｌＯｍＡは１ｍＡ、
１０ｍＡの電流を流した時に素子の両端にががる電圧で
ある。）で評価した。また、サージ耐量はパルス性の電
流を印加した後のＶｌｉＡの変化率が±１０％以内であ
る時の最大のパルス性電流値により評価している。
（以 下 余 白）
また、第１成分のＳ ｒ １−ＸＣａｘＴ ｉ○３のＸ
の範囲を規定したのは、Ｘが０．００１よりも小さいと
効果を示さず、０．３００を超えると格子欠陥が発生し
に（くなるため半導体化が促進されず、粒界にＣａが単
一相として析出するため、組織が不均一になり、ＶＩｍ
Ａが高くなりすぎて特性が劣化するためである。さらに
、第２成分は○、ＯＯ１ｍｏｌ％未満では効果を示さず
、５．０００ｍｏｌ％を超えると粒界に偏析して粒界の
高抵抗化を抑制し、粒界に第２相を形成するため特性が
劣化するものである。また、第３成分はＯ１Ｏ○Ｉ Ｉ
ｌｌ Ｏｌ ？ｊｒ未満では効果を示さず、５．○○Ｏ
ｍｏｌ％を超えると粒界に偏析して第２相を形成するた
め特性が劣化するものである。そして、第４成分はＳｒ
ＴｉＯ３とＳｉＯ２に２成分系相図のなかで５ｒＴｉ○
３ｍｏｌ％、５ｉ０２４０．０００〜６７．５００ｍｏ
ｌ％の範囲内のものは、最も融点の低い領域の物質であ
り、その範囲外では融点が高くなるものである。また、
第４成分の添加量は、０．００１重量部未満では効果を
示さず、１０．０００重量部を超えると粒界の抵抗は高
（なるが粒界の幅が厚くなるため、静電容量が小さくな
ると共にＶｌｍＡが高くなり、サージに対して弱くなる
ものである。また、第４成分の焼成温度を規定したのは
、低融点の第４成分が合成される温度が１２００℃以上
であるためである。そして、第１焼成の温度を規定した
のは、第４成分の融点が１２３０〜１２５０℃であるた
め、１１００℃以上の温度で焼成すると第４成分が液相
に近い状態になって焼結が促進されるためであり、１１
００°Ｃ未満では第４成分の液相焼結効果がないためで
ある。また、第２焼成の温度を規定したのは、１２００
℃未満では第１焼成後の焼結体が十分に還元されず、バ
リスタ特性、コンデンサ特性共に劣化するためである。
の範囲を規定したのは、Ｘが０．００１よりも小さいと
効果を示さず、０．３００を超えると格子欠陥が発生し
に（くなるため半導体化が促進されず、粒界にＣａが単
一相として析出するため、組織が不均一になり、ＶＩｍ
Ａが高くなりすぎて特性が劣化するためである。さらに
、第２成分は○、ＯＯ１ｍｏｌ％未満では効果を示さず
、５．０００ｍｏｌ％を超えると粒界に偏析して粒界の
高抵抗化を抑制し、粒界に第２相を形成するため特性が
劣化するものである。また、第３成分はＯ１Ｏ○Ｉ Ｉ
ｌｌ Ｏｌ ？ｊｒ未満では効果を示さず、５．○○Ｏ
ｍｏｌ％を超えると粒界に偏析して第２相を形成するた
め特性が劣化するものである。そして、第４成分はＳｒ
ＴｉＯ３とＳｉＯ２に２成分系相図のなかで５ｒＴｉ○
３ｍｏｌ％、５ｉ０２４０．０００〜６７．５００ｍｏ
ｌ％の範囲内のものは、最も融点の低い領域の物質であ
り、その範囲外では融点が高くなるものである。また、
第４成分の添加量は、０．００１重量部未満では効果を
示さず、１０．０００重量部を超えると粒界の抵抗は高
（なるが粒界の幅が厚くなるため、静電容量が小さくな
ると共にＶｌｍＡが高くなり、サージに対して弱くなる
ものである。また、第４成分の焼成温度を規定したのは
、低融点の第４成分が合成される温度が１２００℃以上
であるためである。そして、第１焼成の温度を規定した
のは、第４成分の融点が１２３０〜１２５０℃であるた
め、１１００℃以上の温度で焼成すると第４成分が液相
に近い状態になって焼結が促進されるためであり、１１
００°Ｃ未満では第４成分の液相焼結効果がないためで
ある。また、第２焼成の温度を規定したのは、１２００
℃未満では第１焼成後の焼結体が十分に還元されず、バ
リスタ特性、コンデンサ特性共に劣化するためである。
第３焼成の温度を規定したのは、９００℃未満では粒界
の高抵抗化が十分に進まないため、ＶｌｆｆｌＡが低（
なりすぎバリスタ特性が劣化するためであり、１３００
℃を超えると静電容量が小さくなりすぎコンデンサ特性
が劣化するためである。また、第１焼成の雰囲気は酸化
性雰囲気でも還元性雰囲気でも同様の効果があることを
確認した。
の高抵抗化が十分に進まないため、ＶｌｆｆｌＡが低（
なりすぎバリスタ特性が劣化するためであり、１３００
℃を超えると静電容量が小さくなりすぎコンデンサ特性
が劣化するためである。また、第１焼成の雰囲気は酸化
性雰囲気でも還元性雰囲気でも同様の効果があることを
確認した。
なお、第２成分としては、２種類以上を組合せて上記範
囲内の添加量で用いてもよいものである。
囲内の添加量で用いてもよいものである。
また、第３成分としては、上記実施例で挙げた成分以外
にＳｂ２０ｗｌ 、Ｂａｄ、Ｃａｂ、ＬｉＦ。
にＳｂ２０ｗｌ 、Ｂａｄ、Ｃａｂ、ＬｉＦ。
Ｎａ２Ｏ，ＮａＦ、Ｒｈ２０３，５ｉ０２Ｓｒ○、Ｔｈ
０２ 、Ｔ ｉ０２ 、Ｖ２０５Ｚ００．５ｎｏ２を用
いることができ、かつ第２成分と同様に２種類以上を組
合せて上述した範囲内の添加量で用いてもよいものであ
る。さらに、上記実施例ではこれら添加物の組合せにつ
いては一部のみ示しているが、その他の組合せでも同様
の効果が得られることが確認それた。
０２ 、Ｔ ｉ０２ 、Ｖ２０５Ｚ００．５ｎｏ２を用
いることができ、かつ第２成分と同様に２種類以上を組
合せて上述した範囲内の添加量で用いてもよいものであ
る。さらに、上記実施例ではこれら添加物の組合せにつ
いては一部のみ示しているが、その他の組合せでも同様
の効果が得られることが確認それた。
発明の効果
以上に示したように本発明によれば、粒子径が大きいた
めバリスタ電圧が低く、誘電率εおよびαが太き（、粒
子径のばらつきが小さいためサージ電流が素子に均一に
流れ、またＣａによって粒界が効果的に高抵抗化される
ため、サージ耐量が太き（なるという効果が得られる。
めバリスタ電圧が低く、誘電率εおよびαが太き（、粒
子径のばらつきが小さいためサージ電流が素子に均一に
流れ、またＣａによって粒界が効果的に高抵抗化される
ため、サージ耐量が太き（なるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による素子を示す上面図、第２図は本発
明による素子を示す断面図である。 １・・・・・・焼結体、２，３・・・・・・電極。
明による素子を示す断面図である。 １・・・・・・焼結体、２，３・・・・・・電極。
Claims (3)
- （１）Ｓｒ＿１＿−＿ｘＣａ＿ｘＴｉＯ＿３（０．００
１≦ｘ≦０．３００）を９０．０００〜９９．９９８ｍ
ｏｌ％，Ｎｂ＿２Ｏ＿５，Ｔａ＿２Ｏ＿５，ＷＯ＿３，
Ｄｙ＿２Ｏ＿３，Ｙ＿２Ｏ＿３，Ｌａ＿２Ｏ＿３，Ｃｅ
Ｏ＿２，Ｓｍ＿２Ｏ＿３，Ｐｒ＿６Ｏ＿１＿１，Ｎｄ＿
２Ｏ＿３のうち少なくとも１種類以上を０．００１〜５
．０００ｍｏｌ％，Ａｌ＿２Ｏ＿３，Ｓｂ＿２Ｏ＿３，
ＢａＯ，ＢｅＯ，ＰｂＯ，Ｂ＿２Ｏ＿３，Ｃｒ＿２Ｏ＿
３，Ｆｅ＿２Ｏ＿３，ＣｄＯ，Ｋ＿２Ｏ，ＣａＯ，Ｃｏ
＿２Ｏ＿３，ＣｕＯ，Ｃｕ＿２Ｏ，Ｌｉ＿２Ｏ，ＬｉＦ
，ＭｇＯ，ＭｎＯ＿２，ＭｏＯ＿３，Ｎａ＿２Ｏ，Ｎａ
Ｆ，ＮｉＯ，Ｒｈ＿２Ｏ＿３，ＳｅＯ＿２，Ａｇ＿２Ｏ
，ＳｉＯ＿２，ＳｉＣ，ＳｒＯ，Ｔｌ＿２Ｏ＿３，Ｔｈ
Ｏ＿２，ＴｉＯ＿２，Ｖ＿２Ｏ＿５，Ｂｉ＿２Ｏ＿３，
ＺｎＯ，ＺｒＯ＿２，ＳｎＯ＿２のうち少なくとも１種
類以上を０．００１〜５．０００ｍｏｌ％含有してなる
主成分１００重量部と、ＳｒＴｉＯ＿３６０．０００〜
３２．５００ｍｏｌ％，ＳｉＯ＿２４０．０００〜６７
．５００ｍｏｌ％からなる混合物を１２００℃以上で焼
成してなる添加物０．００１〜１０．０００重量部とか
らなることを特徴とする電圧依存性非直線抵抗体磁器組
成物。 - （２）Ｓｒ＿１＿−＿−＿ｘＣａ＿ｘＴｉＯ＿３（０．
００１≦ｘ≦０．３００）を９０．０００〜９９．９９
８ｍｏｌ％，Ｎｂ＿２Ｏ＿５，Ｔａ＿２Ｏ＿５，ＷＯ＿
３，Ｄｙ＿２Ｏ＿３，Ｙ＿２Ｏ＿３，Ｌａ＿２Ｏ＿３，
ＣｅＯ＿２，Ｓｍ＿２Ｏ＿３，Ｐｒ＿６Ｏ＿１＿１，Ｎ
ｄ＿２Ｏ＿３のうち少なくとも１種類以上を０．００１
〜５．０００ｍｏｌ％，Ａｌ＿２Ｏ＿３，Ｓｂ＿２Ｏ＿
３，ＢａＯ，ＢｅＯ，ＰｂＯ，Ｂ＿２Ｏ＿３，Ｃｒ＿２
Ｏ＿３，Ｆｅ＿２Ｏ＿３，ＣｄＯ，Ｋ＿２Ｏ，ＣａＯ，
Ｃｏ＿２Ｏ＿３，ＣｕＯ，Ｃｕ＿２Ｏ，Ｌｉ＿２Ｏ，Ｌ
ｉＦ，ＭｇＯ，ＭｎＯ＿２，ＭｏＯ＿３，Ｎａ＿２Ｏ，
ＮａＦ，ＮｉＯ，Ｒｈ＿２Ｏ＿３，ＳｅＯ＿２，Ａｇ＿
２Ｏ，ＳｉＯ＿２，ＳｉＣ，ＳｒＯ，Ｔｌ＿２Ｏ＿３，
ＴｈＯ＿２，ＴｉＯ＿２，Ｖ＿２Ｏ＿５，Ｂｉ＿２Ｏ＿
３，ＺｎＯ，ＺｒＯ＿２，ＳｎＯ＿２のうち少なくとも
１種類以上を０．００１〜５．０００ｍｏｌ％含有して
なる主成分１００重量部と、ＳｒＴｉＯ＿３６０．００
０〜３２．５０ｍｏｌ％，ＳｉＯ＿２４０．０００〜６
７．５００ｍｏｌ％からなる混合物を１２００℃以上で
焼成してなる添加物０．００１〜１０．０００重量部と
からなる組成物を１１００℃以上で焼成したことを特徴
とするバリスタの製造方法。 - （３）Ｓｒ＿１＿−＿ｘＣａ＿ｘＴｉＯ＿３（０．００
１≦ｘ≦０．３００）を９０．０００〜９９．９９８ｍ
ｏｌ％，Ｎｂ＿２Ｏ＿５，Ｔａ＿２Ｏ＿５，ＷＯ＿３，
Ｄｙ＿２Ｏ＿３，Ｙ＿２Ｏ＿３，Ｌａ＿２Ｏ＿３，Ｃｅ
Ｏ＿２，Ｓｍ＿２Ｏ＿３，Ｐｒ＿６Ｏ＿１＿１，Ｎｄ＿
２Ｏ＿３のうち少なくとも１種類以上を０．００１〜５
．０００ｍｏｌ％，Ａｌ＿２Ｏ＿３，Ｓｂ＿２Ｏ＿３，
ＢａＯ，ＢｅＯ，ＰｂＯ，Ｂ＿２Ｏ＿３，Ｃｒ＿２Ｏ＿
３，Ｆｅ＿２Ｏ＿３，ＣｄＯ，Ｋ＿２Ｏ，ＣａＯ，Ｃｏ
＿２Ｏ＿３，ＣｕＯ，Ｃｕ＿２Ｏ，Ｌｉ＿２Ｏ，ＬｉＦ
，ＭｇＯ，ＭｎＯ＿２，ＭｏＯ＿３，Ｎａ＿２Ｏ，Ｎａ
Ｆ，ＮｉＯ，Ｒｈ＿２Ｏ＿３，ＳｅＯ＿２，Ａｇ＿２Ｏ
，ＳｉＯ＿２，ＳｉＣ，ＳｒＯ，Ｔｌ＿２Ｏ＿３，Ｔｈ
Ｏ＿２，ＴｉＯ＿２，Ｖ＿２Ｏ＿５，Ｂｉ＿２Ｏ＿３，
ＺｎＯ，ＺｒＯ＿２，ＳｎＯ＿２のうち少なくとも１種
類以上を０．００１〜５．０００ｍｏｌ％含有してなる
主成分１００重量部と、ＳｒＴｉＯ＿３６０．０００〜
３２．５００ｍｏｌ％，ＳｉＯ＿２４０．０００〜６７
．５００ｍｏｌ％からなる混合物を１２００℃以上で焼
成してなる添加物０．００１〜１０．０００重量部とか
らなる組成物を１１００℃以上で焼成した後、還元性雰
囲気中で１２００℃以上で焼成し、その後酸化性雰囲気
中で９００〜１３００℃で焼成したことを特徴とするバ
リスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1143723A JP2789674B2 (ja) | 1989-06-06 | 1989-06-06 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1143723A JP2789674B2 (ja) | 1989-06-06 | 1989-06-06 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH038761A true JPH038761A (ja) | 1991-01-16 |
| JP2789674B2 JP2789674B2 (ja) | 1998-08-20 |
Family
ID=15345498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1143723A Expired - Fee Related JP2789674B2 (ja) | 1989-06-06 | 1989-06-06 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2789674B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG104950A1 (en) * | 2000-11-15 | 2004-07-30 | Tdk Corp | Voltage-dependent nonlinear resistor ceramic, voltage-dependent nonlinear resistor with the ceramic, and method of manufacturing voltage-dependent nonlinear resistor ceramic |
| CN100497250C (zh) | 2000-11-15 | 2009-06-10 | Tdk株式会社 | 压敏非线性电阻器陶瓷 |
-
1989
- 1989-06-06 JP JP1143723A patent/JP2789674B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG104950A1 (en) * | 2000-11-15 | 2004-07-30 | Tdk Corp | Voltage-dependent nonlinear resistor ceramic, voltage-dependent nonlinear resistor with the ceramic, and method of manufacturing voltage-dependent nonlinear resistor ceramic |
| CN100497250C (zh) | 2000-11-15 | 2009-06-10 | Tdk株式会社 | 压敏非线性电阻器陶瓷 |
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| Publication number | Publication date |
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