JPH0393247A - バンプ付フィルムキャリア - Google Patents
バンプ付フィルムキャリアInfo
- Publication number
- JPH0393247A JPH0393247A JP23087089A JP23087089A JPH0393247A JP H0393247 A JPH0393247 A JP H0393247A JP 23087089 A JP23087089 A JP 23087089A JP 23087089 A JP23087089 A JP 23087089A JP H0393247 A JPH0393247 A JP H0393247A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- beam lead
- bumps
- film carrier
- bump
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明はバンプ付フィルムキャリアに関するものである
． く従来の技術〉 従来、半導体素子をフィルムキャリアに接続するために
バンブを用いる方法が採用されており、このようなバン
プは通常、半導体素子側またはフィルムキャリア側に形
成されている． 半導体素子側にバンプを形成する場合は、半導体ウエハ
にバリア金属を蒸着し、ホトリソとエッチングを繰り返
して行なう必要があり、工程が煩雑で、かつコストがか
かるという欠点を有する。
． く従来の技術〉 従来、半導体素子をフィルムキャリアに接続するために
バンブを用いる方法が採用されており、このようなバン
プは通常、半導体素子側またはフィルムキャリア側に形
成されている． 半導体素子側にバンプを形成する場合は、半導体ウエハ
にバリア金属を蒸着し、ホトリソとエッチングを繰り返
して行なう必要があり、工程が煩雑で、かつコストがか
かるという欠点を有する。
また溶融した半田槽に半導体ウエハを浸漬し、超音波振
動を与えることで半田バンプを形成することもできるが
、ピームリードと半田との接合強度が低いという欠点を
有する．さらに、ワイヤーボンダーを利用して半導体素
子の電極上にボールボンディングする方法もあるが、時
間がかかる上にバンプ高さにバラツキが生じる． 一方、フィルムキャリア側にバンプを形成する場合、第
２図に示すように絶縁性フィルム１の片面に設けられた
金属箔２からなる回路配線がデバイスホールＡにビーム
リードとして延出し、このビールリード先端部に金メッ
キなどでバンプ３が形成される．しかし、この場合はデ
バイスホール内のビームリード背面には支持体としての
絶縁性フィルムがないので強度が弱くバンブを設けにく
い．また、回路配線が高密度になりリード幅が狭くなる
と、さらにリードの強度が弱くなり作業性にも劣るよう
になる。また、第３図に示すように、金属！；ｔ３２の
厚みを厚くしてビームリードを形成し、このリード部先
端の金属箔２をエッチングによってバンブ状に残し、こ
の部分に金メッキを施こすという方法もある．しかし、
この方法でもビームリードに支持体がないことと、エッ
チッグの困難さが伴なう． く発明が解決しようとする課題〉 本発明は上記従来の技術が有する欠点を解決するフィル
ムキャリア、詳しくは半導体素子を接続するためのバン
プを容易に、かつ精度よく形成してなるバンプ付フィル
ムキャリアを提供することを目的とするものである。
動を与えることで半田バンプを形成することもできるが
、ピームリードと半田との接合強度が低いという欠点を
有する．さらに、ワイヤーボンダーを利用して半導体素
子の電極上にボールボンディングする方法もあるが、時
間がかかる上にバンプ高さにバラツキが生じる． 一方、フィルムキャリア側にバンプを形成する場合、第
２図に示すように絶縁性フィルム１の片面に設けられた
金属箔２からなる回路配線がデバイスホールＡにビーム
リードとして延出し、このビールリード先端部に金メッ
キなどでバンプ３が形成される．しかし、この場合はデ
バイスホール内のビームリード背面には支持体としての
絶縁性フィルムがないので強度が弱くバンブを設けにく
い．また、回路配線が高密度になりリード幅が狭くなる
と、さらにリードの強度が弱くなり作業性にも劣るよう
になる。また、第３図に示すように、金属！；ｔ３２の
厚みを厚くしてビームリードを形成し、このリード部先
端の金属箔２をエッチングによってバンブ状に残し、こ
の部分に金メッキを施こすという方法もある．しかし、
この方法でもビームリードに支持体がないことと、エッ
チッグの困難さが伴なう． く発明が解決しようとする課題〉 本発明は上記従来の技術が有する欠点を解決するフィル
ムキャリア、詳しくは半導体素子を接続するためのバン
プを容易に、かつ精度よく形成してなるバンプ付フィル
ムキャリアを提供することを目的とするものである。
く課題を解決するための手段〉
本発明者らは鋭意検討を重ねた結果、表裏面に導通ずる
貫通孔をビームリード当接頭域に設けた絶縁性フィルム
に形成すると共に、バンプ状金属突出物を形成し、ビー
ムリード形成領域の絶縁性フィルムの一部を除去するこ
とによって、上記目的を達成できるバ１ンプ付フィルム
キャリアが得られることを見い出し、本発明を完戒する
に至った．即ち、本発明のバンプ付フィルムキャリアは
、ビームリードを片面に有する絶縁性フィルムのビーム
リード当接領域内に、少なくとも１個の微細貫通孔が厚
み方向に設けられており、かつ該貫通孔には金属物質に
よる導通路が形成されていると共に、該貫通孔のビーム
リード当接面と反対面の開口部にはバンブ状の金属突出
物が形成されてなるフィルムキャリアであって、ビーム
リード形成領域の絶縁性フィルムが一部除去されてなる
ものである． 〈実施例〉 以下に、本発明を図面に示す一実施例に基づき説明する
． 第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明のバンプ付フィルムキャ
リアを得るための製造工程図であり、第１図（ａ）にお
いて絶縁性フィルム１の片面には金属箔２からなるビー
ムリードが回路配線として設けられており、リード当接
領域内の絶縁性フィルム１には表裏に貫通する貫通孔４
が設けられている．このような貫通孔４は、機械加工や
レーザー加工、光加工、プラズマ加工、化学エッチング
などの方法によって任意の形状、孔径にて設けることが
でき、これらのうちエキシマレーザーの照射による穿孔
加工が好ましい．孔径はビームリード幅と同程度とする
か、あるいは載置、接続する半導体素子の外部接続用電
極の大きさに合わせて設けることが好ましい。
貫通孔をビームリード当接頭域に設けた絶縁性フィルム
に形成すると共に、バンプ状金属突出物を形成し、ビー
ムリード形成領域の絶縁性フィルムの一部を除去するこ
とによって、上記目的を達成できるバ１ンプ付フィルム
キャリアが得られることを見い出し、本発明を完戒する
に至った．即ち、本発明のバンプ付フィルムキャリアは
、ビームリードを片面に有する絶縁性フィルムのビーム
リード当接領域内に、少なくとも１個の微細貫通孔が厚
み方向に設けられており、かつ該貫通孔には金属物質に
よる導通路が形成されていると共に、該貫通孔のビーム
リード当接面と反対面の開口部にはバンブ状の金属突出
物が形成されてなるフィルムキャリアであって、ビーム
リード形成領域の絶縁性フィルムが一部除去されてなる
ものである． 〈実施例〉 以下に、本発明を図面に示す一実施例に基づき説明する
． 第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明のバンプ付フィルムキャ
リアを得るための製造工程図であり、第１図（ａ）にお
いて絶縁性フィルム１の片面には金属箔２からなるビー
ムリードが回路配線として設けられており、リード当接
領域内の絶縁性フィルム１には表裏に貫通する貫通孔４
が設けられている．このような貫通孔４は、機械加工や
レーザー加工、光加工、プラズマ加工、化学エッチング
などの方法によって任意の形状、孔径にて設けることが
でき、これらのうちエキシマレーザーの照射による穿孔
加工が好ましい．孔径はビームリード幅と同程度とする
か、あるいは載置、接続する半導体素子の外部接続用電
極の大きさに合わせて設けることが好ましい。
第１図（ロ）において上記貫通孔４には金、銀、銅、ニ
ッケル、コバルトなどの各種金属、またはこれらの合金
などの金属物質５を電解メッキなどの手段にて充填して
導通路を形成し、その上部にバンプ状の金属突出物を数
μｍ〜数十μｍの高さに盛り上げて形成する． 次いで、ビームリード形ｒｆｃ領域にある絶縁性フィル
ム１を厚み方向に一部除去、即ち他の部分の絶縁性フィ
ルム厚より薄くすることによって、第１図（Ｃ）に示す
ような本発明のバンブ３付フィルムキャリアを得ること
ができる。このように絶縁性フィルムｌを薄くする場合
、絶縁性フィルムｌの厚みはバンプ３径の５〜２００％
の範囲の厚みで、かつバンブ３の高さを超えない範囲と
なるように除去することが好ましい。この範囲以外の厚
みとなるとビームリードを支持する強度が充分に得られ
なくなったり、バンプとしての機能が充分に発揮できず
にバンブ３を介しての接続が不充分となる場合がある．
また、本発明では第１図（ｄ）のようにバンプ状金属突
出部３周囲のみに絶縁性フィルムｌを少し残し、他の絶
縁性フィルムを除去し、かつデバイスホールＡを開ける
こともできる。
ッケル、コバルトなどの各種金属、またはこれらの合金
などの金属物質５を電解メッキなどの手段にて充填して
導通路を形成し、その上部にバンプ状の金属突出物を数
μｍ〜数十μｍの高さに盛り上げて形成する． 次いで、ビームリード形ｒｆｃ領域にある絶縁性フィル
ム１を厚み方向に一部除去、即ち他の部分の絶縁性フィ
ルム厚より薄くすることによって、第１図（Ｃ）に示す
ような本発明のバンブ３付フィルムキャリアを得ること
ができる。このように絶縁性フィルムｌを薄くする場合
、絶縁性フィルムｌの厚みはバンプ３径の５〜２００％
の範囲の厚みで、かつバンブ３の高さを超えない範囲と
なるように除去することが好ましい。この範囲以外の厚
みとなるとビームリードを支持する強度が充分に得られ
なくなったり、バンプとしての機能が充分に発揮できず
にバンブ３を介しての接続が不充分となる場合がある．
また、本発明では第１図（ｄ）のようにバンプ状金属突
出部３周囲のみに絶縁性フィルムｌを少し残し、他の絶
縁性フィルムを除去し、かつデバイスホールＡを開ける
こともできる。
本発明にて用いる絶縁性フィルム１は、電気絶縁性を有
するものであればその素材に制限はなく、ポリエステル
樹脂、エボキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、
ポリアξド樹脂、ＡＢＳ樹脂、ボリカーボネート樹脂、
シリコーン樹脂などの熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂を問
わず使用することができる。これらのうち、耐熱性や機
械的強度の点からはポリイミド樹脂を用いることが好ま
しい．また、上記絶縁性フィルム１を第１図（Ｃ）や（
ｄ）の工程において除去する方法としては、機械加工や
レーザー加工、光加工、プラズマ加工、化学エッチング
加工などの方法が採用でき、前記穿孔処理と同様、エキ
シマレーザーの照射による加工を行なうことが好ましい
ものである。
するものであればその素材に制限はなく、ポリエステル
樹脂、エボキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、
ポリアξド樹脂、ＡＢＳ樹脂、ボリカーボネート樹脂、
シリコーン樹脂などの熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂を問
わず使用することができる。これらのうち、耐熱性や機
械的強度の点からはポリイミド樹脂を用いることが好ま
しい．また、上記絶縁性フィルム１を第１図（Ｃ）や（
ｄ）の工程において除去する方法としては、機械加工や
レーザー加工、光加工、プラズマ加工、化学エッチング
加工などの方法が採用でき、前記穿孔処理と同様、エキ
シマレーザーの照射による加工を行なうことが好ましい
ものである。
〈発明の効果〉
以上のように、本発明のバンプ付フイルムキャリアはビ
ームリード当接領域内の絶縁性フイルムに貫通孔を設け
、その内部に金属物質を充填し、さらにバンプ状の金属
突出物を形成し、さらにリード形成領域の絶縁性フィル
ムの一部を除去してなるので、リード部に応力負担をか
けずにバンプが確実に形成できる。また、ビームリード
背面には絶縁性フィルムによる支持体が形成されている
ので、リードの機械的強度が強化され、半導体素子との
接続作業も容易となるものである．さらに、第１図（イ
）のように絶縁性フィルムをバンプ状突出物の周辺にの
み残すことによって、バンプの補強ができバンブとビー
ムリードとの接着強度が増強できるものである。
ームリード当接領域内の絶縁性フイルムに貫通孔を設け
、その内部に金属物質を充填し、さらにバンプ状の金属
突出物を形成し、さらにリード形成領域の絶縁性フィル
ムの一部を除去してなるので、リード部に応力負担をか
けずにバンプが確実に形成できる。また、ビームリード
背面には絶縁性フィルムによる支持体が形成されている
ので、リードの機械的強度が強化され、半導体素子との
接続作業も容易となるものである．さらに、第１図（イ
）のように絶縁性フィルムをバンプ状突出物の周辺にの
み残すことによって、バンプの補強ができバンブとビー
ムリードとの接着強度が増強できるものである。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明のバンプ付フィルムキャ
リアの製造工程を示す断面図、第２図および第３図は従
来のバンプ付フィルムキャリアの断面図である．
リアの製造工程を示す断面図、第２図および第３図は従
来のバンプ付フィルムキャリアの断面図である．
Claims (3)
- （１）ビームリードを片面に有する絶縁性フィルムのビ
ームリード当接領域内に、少なくとも１個の微細貫通孔
が厚み方向に設けられており、かつ該貫通孔には金属物
質による導通路が形成されていると共に、該貫通孔のビ
ームリード当接面と反対面の開口部にはバンプ状の金属
突出物が形成されてなるフィルムキャリアであって、ビ
ームリード形成領域の絶縁性フィルムが一部除去されて
なるバンプ付フィルムキャリア。 - （２）ビームリード形成領域の絶縁性フィルム厚が、他
の部分の絶縁性フィルム厚より薄い請求項（１）記載の
バンプ付フィルムキャリア。 - （３）ビームリード形成領域の絶縁性フィルムが、バン
プ状金属突出部周囲のみを残し除去されている請求項（
１）記載のバンプ付フィルムキャリア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23087089A JP2690786B2 (ja) | 1989-09-05 | 1989-09-05 | バンプ付フィルムキャリア |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23087089A JP2690786B2 (ja) | 1989-09-05 | 1989-09-05 | バンプ付フィルムキャリア |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0393247A true JPH0393247A (ja) | 1991-04-18 |
| JP2690786B2 JP2690786B2 (ja) | 1997-12-17 |
Family
ID=16914599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23087089A Expired - Lifetime JP2690786B2 (ja) | 1989-09-05 | 1989-09-05 | バンプ付フィルムキャリア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2690786B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03220740A (ja) * | 1990-01-25 | 1991-09-27 | Nec Corp | 半導体装置の構造 |
| EP0747955A3 (de) * | 1995-06-07 | 1999-04-14 | Deutsche Telekom AG | Hybridschaltung und Verfahren zur Herstellung derselben |
-
1989
- 1989-09-05 JP JP23087089A patent/JP2690786B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03220740A (ja) * | 1990-01-25 | 1991-09-27 | Nec Corp | 半導体装置の構造 |
| EP0747955A3 (de) * | 1995-06-07 | 1999-04-14 | Deutsche Telekom AG | Hybridschaltung und Verfahren zur Herstellung derselben |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2690786B2 (ja) | 1997-12-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100829 Year of fee payment: 13 |
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| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
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Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100829 Year of fee payment: 13 |