JPH04101440A - バンプ用プローブカード - Google Patents
バンプ用プローブカードInfo
- Publication number
- JPH04101440A JPH04101440A JP21949890A JP21949890A JPH04101440A JP H04101440 A JPH04101440 A JP H04101440A JP 21949890 A JP21949890 A JP 21949890A JP 21949890 A JP21949890 A JP 21949890A JP H04101440 A JPH04101440 A JP H04101440A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe card
- tab tape
- pattern
- probe
- tip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
ＩＣテスタに用いられる新規な構成のプローブカードに
関し、 安価で、容易に作成することを目的とし、（１） バ
ンプを設けたウェハーを測定するプローブカードであっ
て、 中央に覗き窓をもった絶縁基板と、該覗き窓に配置され
た位置合わせマークと、前記絶縁基板の下面に張り合わ
されたＴＡＢテープバクーンとから構成され、該ＴＡＢ
テープパターンの先端をバンプ電極に接触させて試験す
るようにしたことを特徴とする。
関し、 安価で、容易に作成することを目的とし、（１） バ
ンプを設けたウェハーを測定するプローブカードであっ
て、 中央に覗き窓をもった絶縁基板と、該覗き窓に配置され
た位置合わせマークと、前記絶縁基板の下面に張り合わ
されたＴＡＢテープバクーンとから構成され、該ＴＡＢ
テープパターンの先端をバンプ電極に接触させて試験す
るようにしたことを特徴とする。
（２） バンプを設けたウェハーを測定するプローブ
カードであって、 絶縁基板の下面に張り合わされたＴＡＢテープパターン
より構成され、該ＴＡＢテープパターンの先端をバンプ
電極に接触させて試験するようにしたことを特徴とする
。
カードであって、 絶縁基板の下面に張り合わされたＴＡＢテープパターン
より構成され、該ＴＡＢテープパターンの先端をバンプ
電極に接触させて試験するようにしたことを特徴とする
。
本発明はＩＣテスタに用いられる新規な構成のプローブ
カードに関する。
カードに関する。
近年、ＩＣ，ＬＳＩなどの半導体装置は需要の増加と共
に、その製造の合理化が図られており、本発明はウェハ
ーのプローブ先端１−における合理化に関している。
に、その製造の合理化が図られており、本発明はウェハ
ーのプローブ先端１−における合理化に関している。
周知のように、ＩＣなどの半導体装置はウェハー上に多
数の素子を形成し、これを個々のチップに分割する前に
プローブ（ｐｒｏｂｅ、探針）を電極に接触させて、予
めその電気的特性の良否を判別しており、これをウェハ
ーのプローブテストと呼んでいる。このようなプローブ
テストをおこなえば、完成後の半導体製品をほぼ全数良
品にできて、製造コストを削減できるからである。
数の素子を形成し、これを個々のチップに分割する前に
プローブ（ｐｒｏｂｅ、探針）を電極に接触させて、予
めその電気的特性の良否を判別しており、これをウェハ
ーのプローブテストと呼んでいる。このようなプローブ
テストをおこなえば、完成後の半導体製品をほぼ全数良
品にできて、製造コストを削減できるからである。
第４図はプローブナス１〜ヘツドの概要図を示しており
、図中の記号１はプローブカード、２はウェハー、３は
フロックリング、４はパフォーマンスポード、５はテス
タ（テストステーション）６は可動ステージで、これら
の相互間はコンタクトピン７で接続されている。そのう
ち、プローブカード１はＩＣの品種毎にプローブが接触
するウェハー（チップ）の電極バンドの位置が異なるた
めに、品種毎に特定のプローブカードを作製しており、
試験品種が異なる毎にプローブカードを交換してプロー
ブテストをおこなっている。
、図中の記号１はプローブカード、２はウェハー、３は
フロックリング、４はパフォーマンスポード、５はテス
タ（テストステーション）６は可動ステージで、これら
の相互間はコンタクトピン７で接続されている。そのう
ち、プローブカード１はＩＣの品種毎にプローブが接触
するウェハー（チップ）の電極バンドの位置が異なるた
めに、品種毎に特定のプローブカードを作製しており、
試験品種が異なる毎にプローブカードを交換してプロー
ブテストをおこなっている。
このようなプローブカードは円形の絶縁基板に円い覗き
窓を有する形状で、その窓内で長さ３０〜４０ｍｍ、直
径数十μｍの細線からなるプローブの先端部分をウェハ
ーの電極パッドに接触させている。
窓を有する形状で、その窓内で長さ３０〜４０ｍｍ、直
径数十μｍの細線からなるプローブの先端部分をウェハ
ーの電極パッドに接触させている。
第５図はその従来のプローブカードを示しており、同図
（ａ）は斜視図、同図（ｂ）はそのＡＡ断面図である。
（ａ）は斜視図、同図（ｂ）はそのＡＡ断面図である。
図中の記号１１はプローブ、１２は絶縁基板１３はプロ
ーブを固定するための固定樹脂、１４はコンタクトピン
と接触するために設けた接続電極。
ーブを固定するための固定樹脂、１４はコンタクトピン
と接触するために設けた接続電極。
１５は絶縁基板の表面に設けた配線パターン、１６はプ
ローブの半田付は部である。例えば、絶縁基板１２は直
径十数ｃｍ、厚さ３．５ｍｍ程度で、中央に２０〜３０
ｍｍφの円孔を有しており、また、プローブ１１は長さ
３０〜４０ｍｍ、直径数十μｍの細い金属線で、タング
ステンやパラジウム等比較的に硬い金属からなり、先端
部分ＩＴが尖らしてあって、その先端部分がウェハーの
電極バンドに接触して試験がおこなわれる。また、配線
パターン１５は表面だけでなく、内部にも設けられて、
絶縁基板の中心円孔２Ｃから放射状に作成された金（Ａ
ｕ）パターンであり、且つ、プローブ１１の後端は絶縁
基板１２に設けられた配線パターン１５に半田付は部１
６で半田付けされている。なお、プローブ１１の本数は
２００本から４００本にも及んでおり、且つ、中心円孔
はプローブ先端がチップの電極バッドに正しく当接して
いるかどうかを上部から確認するための覗き窓である。
ローブの半田付は部である。例えば、絶縁基板１２は直
径十数ｃｍ、厚さ３．５ｍｍ程度で、中央に２０〜３０
ｍｍφの円孔を有しており、また、プローブ１１は長さ
３０〜４０ｍｍ、直径数十μｍの細い金属線で、タング
ステンやパラジウム等比較的に硬い金属からなり、先端
部分ＩＴが尖らしてあって、その先端部分がウェハーの
電極バンドに接触して試験がおこなわれる。また、配線
パターン１５は表面だけでなく、内部にも設けられて、
絶縁基板の中心円孔２Ｃから放射状に作成された金（Ａ
ｕ）パターンであり、且つ、プローブ１１の後端は絶縁
基板１２に設けられた配線パターン１５に半田付は部１
６で半田付けされている。なお、プローブ１１の本数は
２００本から４００本にも及んでおり、且つ、中心円孔
はプローブ先端がチップの電極バッドに正しく当接して
いるかどうかを上部から確認するための覗き窓である。
このように、プローブカードは極めて微細で複雑な構造
となっている。
となっている。
従って、上記のような微細で複雑な構造のプローブカー
ドは１個が十数万円から百五十万円と高価であり、しか
も、１品種毎に１個ずつ作成する必要があるために、プ
ローブカードに要する費用は非常に膨大になっている。
ドは１個が十数万円から百五十万円と高価であり、しか
も、１品種毎に１個ずつ作成する必要があるために、プ
ローブカードに要する費用は非常に膨大になっている。
一方、最近ではワイヤーボンディング方式の半導体デバ
イスの他にＴＡＢ （Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ
Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式の半導体デバイスが増大しており
、このＴＡＢ方式とはワイヤーボンディングの必要がな
くてボンディング時間が短く、高密度に実装できて、し
かも、デバイスが非常に薄い形状に作成される等の利点
があって、ＩＣカード、液晶パネルなどに使用されてい
るデバイスである。
イスの他にＴＡＢ （Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ
Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式の半導体デバイスが増大しており
、このＴＡＢ方式とはワイヤーボンディングの必要がな
くてボンディング時間が短く、高密度に実装できて、し
かも、デバイスが非常に薄い形状に作成される等の利点
があって、ＩＣカード、液晶パネルなどに使用されてい
るデバイスである。
このＴＡＢ方式の半導体デバイスは、ウェハープロセス
においてバンプを設けたチップを作成して、そのバンプ
にＴＡＢテープを圧着してチップ内のワイヤーボンディ
ングに代わる配線をおこない、そのＴＡＢテープをチッ
プ外に導出してそのまま樹脂封止し、そのＴＡＢテープ
の他端を外部リード端子にした構造である。ＴＡＢテー
プ（ＴＡＢ Ｔａｐｅ）はポリイミドフィルムに銅箔パ
ターンを張り合わせたものである。
においてバンプを設けたチップを作成して、そのバンプ
にＴＡＢテープを圧着してチップ内のワイヤーボンディ
ングに代わる配線をおこない、そのＴＡＢテープをチッ
プ外に導出してそのまま樹脂封止し、そのＴＡＢテープ
の他端を外部リード端子にした構造である。ＴＡＢテー
プ（ＴＡＢ Ｔａｐｅ）はポリイミドフィルムに銅箔パ
ターンを張り合わせたものである。
このＴＡＢ方式のチップは、他のチップと同様に従来の
プローブテストにおいては、バンプ電極にプローブを接
触させて電気的接続を保って試験しているが、このＴＡ
Ｂ方式のチップはウェハープロセスにおいてバンブ電極
（こぶ状の電極）を形成しているために、従来のような
複雑なプローブカードを使用してバンプ電極に接触させ
なくても電気的接続を保つことができる。
プローブテストにおいては、バンプ電極にプローブを接
触させて電気的接続を保って試験しているが、このＴＡ
Ｂ方式のチップはウェハープロセスにおいてバンブ電極
（こぶ状の電極）を形成しているために、従来のような
複雑なプローブカードを使用してバンプ電極に接触させ
なくても電気的接続を保つことができる。
本発明はこの点に着目して、バンプ用プローブカードを
安価で、しかも、容易に作成することを目的にしたバン
プ用プローブカードを提案するものである。
安価で、しかも、容易に作成することを目的にしたバン
プ用プローブカードを提案するものである。
その課題は、第１図（ａｌ〜（Ｃ１に示す実施例のよう
に、中央に覗き窓２３をもった絶縁基板２２と、該覗き
窓２３に配置された位置合わせマークＭと、前記絶縁基
板の下面に張り合わされたＴＡＢテープパターン２１と
から構成され、 該ＴＡＢテープパターン２１の先端２Ｔをバンブ電極に
接触させて試験するようにしたバンプ用プローブカード
によって解決される。
に、中央に覗き窓２３をもった絶縁基板２２と、該覗き
窓２３に配置された位置合わせマークＭと、前記絶縁基
板の下面に張り合わされたＴＡＢテープパターン２１と
から構成され、 該ＴＡＢテープパターン２１の先端２Ｔをバンブ電極に
接触させて試験するようにしたバンプ用プローブカード
によって解決される。
また、第３図（ａ）、 （ｂ）に示す実施例のように、
絶縁基板３２の下面に張り合わされたＴＡＢテープパタ
ーン３１から構成され、 該ＴＡＢテープパターンの先端３Ｔをバンブ電極に接触
させて試験するようにしたバンプ用プローブカードによ
って解決される。
絶縁基板３２の下面に張り合わされたＴＡＢテープパタ
ーン３１から構成され、 該ＴＡＢテープパターンの先端３Ｔをバンブ電極に接触
させて試験するようにしたバンプ用プローブカードによ
って解決される。
即ち、本発明にかかるプローブカードは、バンブ電極に
接続するように構成したパターンをもったＴＡＢテープ
を絶縁基板に張り合わし、そのパターン先端にバンプ電
極を接触させると電気的接続ができて試験できる。且つ
、従来のプローブを目視して位置合わせする代わりに、
ウェハーとプローブカードとの位置合わせマークで位置
合わせをおこない、または、自動位置合わせをおこなう
。
接続するように構成したパターンをもったＴＡＢテープ
を絶縁基板に張り合わし、そのパターン先端にバンプ電
極を接触させると電気的接続ができて試験できる。且つ
、従来のプローブを目視して位置合わせする代わりに、
ウェハーとプローブカードとの位置合わせマークで位置
合わせをおこない、または、自動位置合わせをおこなう
。
そうすれば、プローブが不要になって、ＴＡＢテープを
利用した安価なプローブカードを容易に作成できて、し
かも、試験も容易になる。
利用した安価なプローブカードを容易に作成できて、し
かも、試験も容易になる。
以下に図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明にかかるプローブカード
を示しており、同図（ａｌは斜視図、同図（ｂ）は同図
（ａ）のＢＢ断面図、同図（Ｃ）は平面図である。図中
の記号２１はＴＡＢテープパターン、２２は弾性絶縁基
板。
を示しており、同図（ａｌは斜視図、同図（ｂ）は同図
（ａ）のＢＢ断面図、同図（Ｃ）は平面図である。図中
の記号２１はＴＡＢテープパターン、２２は弾性絶縁基
板。
２３は覗き窓、 ２ＴはＴＡＢテープパターンの先端、
２ＢはＴＡＢテープパターンの後端１Ｍは位置合わせ
マーク、２３Ｇは位置合わせマークＭを有するガラスで
、弾性絶縁基板２２として例えば膜厚４ｍｍ程度の硬質
ゴムを用いる。また、ＴＡＢテープはポリイミドフィル
ム（厚さ５０〜１００ μｍ）に銅箔パターン（厚さ３
５μｍ）を接着して、フォトプロセスでパターン先端グ
したもので、半導体デバイス１品種毎に１個ずつのＴＡ
Ｂテープが作成されているから、所定の半導体デバイス
に合ったＴＡＢテープを所定のプローブカードに接着剤
で弾性絶縁基板２２の下面に張り合わせる。若し、ＴＡ
Ｂテープそのままを利用すると、小さくてプローブカー
ドからの導出に無理がある場合には、ＴＡＢテープを作
成するフォトプロセス工程を利用して、大きなＴＡＢテ
ープに特別にパターンを形成する。その場合、パターン
先端は半導体デバイスに合ったＴＡＢテープをそのまま
利用でき、後端の部分に粗いパターンを追加すればよい
から作成は容易で、安価に作成できる。このようにして
、作成したＴＡＢテープパターンは後端２Ｂを弾性絶縁
基板２２の上面に折り曲げて、その端部を接続電極（コ
ンタクトピンと接触する電極）にする。
２ＢはＴＡＢテープパターンの後端１Ｍは位置合わせ
マーク、２３Ｇは位置合わせマークＭを有するガラスで
、弾性絶縁基板２２として例えば膜厚４ｍｍ程度の硬質
ゴムを用いる。また、ＴＡＢテープはポリイミドフィル
ム（厚さ５０〜１００ μｍ）に銅箔パターン（厚さ３
５μｍ）を接着して、フォトプロセスでパターン先端グ
したもので、半導体デバイス１品種毎に１個ずつのＴＡ
Ｂテープが作成されているから、所定の半導体デバイス
に合ったＴＡＢテープを所定のプローブカードに接着剤
で弾性絶縁基板２２の下面に張り合わせる。若し、ＴＡ
Ｂテープそのままを利用すると、小さくてプローブカー
ドからの導出に無理がある場合には、ＴＡＢテープを作
成するフォトプロセス工程を利用して、大きなＴＡＢテ
ープに特別にパターンを形成する。その場合、パターン
先端は半導体デバイスに合ったＴＡＢテープをそのまま
利用でき、後端の部分に粗いパターンを追加すればよい
から作成は容易で、安価に作成できる。このようにして
、作成したＴＡＢテープパターンは後端２Ｂを弾性絶縁
基板２２の上面に折り曲げて、その端部を接続電極（コ
ンタクトピンと接触する電極）にする。
また、中央の覗き窓２３には位置合わせマークＭを有す
るガラス２３Ｇを設けて、ウェハーの位置合わせマーク
と位置合わせをおこなう。これは従来のプローブを覗き
窓から目視して位置合わせする従来法に代わる方法であ
る。
るガラス２３Ｇを設けて、ウェハーの位置合わせマーク
と位置合わせをおこなう。これは従来のプローブを覗き
窓から目視して位置合わせする従来法に代わる方法であ
る。
第２図は本発明にかかるプローブカードのテスト実施図
で、記号２はウェハー、３はフロックリング、２２は弾
性絶縁基板、２１はＴＡＢテープパターン、Ｂばウェハ
ー２のバンプ電極である。図のように、ＴＡＢテープパ
ターン２１の先端２Ｔをバンプ電極Ｂ（高さ２０〜３０
μｍ）に接触させている。この時、従来のテストでは押
圧した際にプローブに弾力があってクツションの役目を
果たしていたが、本発明にかかるプローブカードのＴＡ
Ｂテープパターン２１では弾性が不足するために、弾性
絶縁基板２２を用いて、弾力性を与えておく。
で、記号２はウェハー、３はフロックリング、２２は弾
性絶縁基板、２１はＴＡＢテープパターン、Ｂばウェハ
ー２のバンプ電極である。図のように、ＴＡＢテープパ
ターン２１の先端２Ｔをバンプ電極Ｂ（高さ２０〜３０
μｍ）に接触させている。この時、従来のテストでは押
圧した際にプローブに弾力があってクツションの役目を
果たしていたが、本発明にかかるプローブカードのＴＡ
Ｂテープパターン２１では弾性が不足するために、弾性
絶縁基板２２を用いて、弾力性を与えておく。
次に、第３図（ａ）、 （ｂ）は本発明にかかる他のプ
ローブカードを示しており、同図（ａ）は断面図、同図
（ｂｌは平面図で、記号３１はＴＡＢテープパターン、
３２は弾性絶縁基板、 ３ＴばＴＡＢテープパターンの
先端３ＢはＴＡＢテープパターンの後端である。本例は
オートセ・）１−アップ機構を設けたプローブテストの
プローブカードの例で、例えば、ＣＯＤなどを使って自
動位置決めされるために、覗き窓や位置合わせマークを
設ける必要はない。ＴＡＢ方式の半導体デバイスはチッ
プ周囲だけでなく、中央部分からも接続電極を取り出せ
る利点があるために、このような自動位置決めによるプ
ローブテストは今後に汎用される形式のものである。
ローブカードを示しており、同図（ａ）は断面図、同図
（ｂｌは平面図で、記号３１はＴＡＢテープパターン、
３２は弾性絶縁基板、 ３ＴばＴＡＢテープパターンの
先端３ＢはＴＡＢテープパターンの後端である。本例は
オートセ・）１−アップ機構を設けたプローブテストの
プローブカードの例で、例えば、ＣＯＤなどを使って自
動位置決めされるために、覗き窓や位置合わせマークを
設ける必要はない。ＴＡＢ方式の半導体デバイスはチッ
プ周囲だけでなく、中央部分からも接続電極を取り出せ
る利点があるために、このような自動位置決めによるプ
ローブテストは今後に汎用される形式のものである。
なお、上記例は正方形状のプローブカードを例として説
明したが、必ずしも正方形に限るものではなく、円形そ
の他のプローブカードを作成することも可能である。
明したが、必ずしも正方形に限るものではなく、円形そ
の他のプローブカードを作成することも可能である。
以上の説明から明らかなように、本発明にかかるプロー
ブカードはＴＡＢテープを利用して極めて安価に、容易
に作成できて、且つ、位置合わせも容易になって、プロ
ーブテストも効率化される効果のあるものである。
ブカードはＴＡＢテープを利用して極めて安価に、容易
に作成できて、且つ、位置合わせも容易になって、プロ
ーブテストも効率化される効果のあるものである。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明にかかるプローブカード
を示す図、 第２図は本発明にかかるプローブカードのテス１−実施
図、 第３図（ａｌ、 （ｂｌは本発明にかかる他のプローブ
カードを示す図、 第４図はプローブテストヘッドの概要図、第５図（ａ）
、 （ｂ）は従来のプローブカードを示す図である。 図において、 ２はウェハ Ｂはバンプ電極、 ２Ｌ ３１はＴＡＢ テープパターン、２２、３２は弾
性絶縁基板、 ２３は覗き窓、 ２Ｔ、 ３ＴはＴＡＢテープパターンの先端、２Ｂ、
３ＢはＴＡＢテープパターンの後端、Ｍは位置合わせマ
ーク、 ２３Ｇは位置合わせマークＭを有するガラスを示してい
る。 裾 導 ン
を示す図、 第２図は本発明にかかるプローブカードのテス１−実施
図、 第３図（ａｌ、 （ｂｌは本発明にかかる他のプローブ
カードを示す図、 第４図はプローブテストヘッドの概要図、第５図（ａ）
、 （ｂ）は従来のプローブカードを示す図である。 図において、 ２はウェハ Ｂはバンプ電極、 ２Ｌ ３１はＴＡＢ テープパターン、２２、３２は弾
性絶縁基板、 ２３は覗き窓、 ２Ｔ、 ３ＴはＴＡＢテープパターンの先端、２Ｂ、
３ＢはＴＡＢテープパターンの後端、Ｍは位置合わせマ
ーク、 ２３Ｇは位置合わせマークＭを有するガラスを示してい
る。 裾 導 ン
Claims (2)
- （１）バンプを設けたウェハーを測定するプローブカー
ドであって、 中央に覗き窓をもった絶縁基板と、 該覗き窓に配置された位置合わせマークと、前記絶縁基
板の下面に張り合わされたＴＡＢテープパターンとから
構成され、 該ＴＡＢテープパターンの先端をバンプ電極に接触させ
で試験するようにしたことを特徴とするバンプ用プロー
ブカード。 - （２）バンプ電極を設けたウェハーを測定するプローブ
カードであって、 絶縁基板の下面に張り合わされたＴＡＢテープパターン
より構成され、 該ＴＡＢテープパターンの先端をバンプ電極に接触させ
て試験するようにしたことを特徴とするバンプ用プロー
ブカード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21949890A JPH04101440A (ja) | 1990-08-20 | 1990-08-20 | バンプ用プローブカード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21949890A JPH04101440A (ja) | 1990-08-20 | 1990-08-20 | バンプ用プローブカード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04101440A true JPH04101440A (ja) | 1992-04-02 |
Family
ID=16736400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21949890A Pending JPH04101440A (ja) | 1990-08-20 | 1990-08-20 | バンプ用プローブカード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04101440A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI387030B (zh) * | 2004-12-20 | 2013-02-21 | 松下電器產業股份有限公司 | 探針卡及其製造方法、以及對準方法 |
-
1990
- 1990-08-20 JP JP21949890A patent/JPH04101440A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI387030B (zh) * | 2004-12-20 | 2013-02-21 | 松下電器產業股份有限公司 | 探針卡及其製造方法、以及對準方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101308819B (zh) | 半导体集成电路器件的制造方法及探针卡 | |
| US6672876B1 (en) | Probe card with pyramid shaped thin film contacts | |
| KR100733945B1 (ko) | 실리콘 핑거 접촉기를 갖는 접촉 구조체 및 그 제조 방법 | |
| KR100681772B1 (ko) | 반도체 시험 방법 및 반도체 시험 장치 | |
| JPH04233480A (ja) | 電子デバイスの試験装置 | |
| US6221682B1 (en) | Method and apparatus for evaluating a known good die using both wire bond and flip-chip interconnects | |
| JPH07221104A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置及び電極ピン形成用マスク及び電極ピン形成用マスクを用いた試験方法 | |
| JPH08504036A (ja) | エリアアレイ配線チップのｔａｂテスト | |
| JPH0369131A (ja) | 半導体集積回路試験用プローブおよび該プローブを用いる試験工程を含む半導体装置の製造方法 | |
| JP4343256B1 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2005322921A (ja) | バンプテストのためのフリップチップ半導体パッケージ及びその製造方法 | |
| KR100393452B1 (ko) | 반도체소자검사용 기판의 제조방법 | |
| JP2004144742A (ja) | プローブシート、プローブカード、半導体検査装置および半導体装置の製造方法 | |
| JPH07193106A (ja) | バーンインテスト用チップのホールディング装置及びその製造方法 | |
| JPH01128381A (ja) | Ｌｓｉウエハの試験方法 | |
| WO2013084874A1 (ja) | プローブカード用のバンプ付きメンブレンシート、プローブカード及びプローブカード用のバンプ付きメンブレンシートの製造方法 | |
| JPH10206464A (ja) | プローブ装置 | |
| JPH09159694A (ja) | Ｌｓｉテストプローブ装置 | |
| JP2000206148A (ja) | プロ―ブカ―ド及びそのプロ―ブカ―ドを用いたプロ―ビング方法 | |
| JP2003282656A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH04364054A (ja) | 検査装置およびその方法 | |
| JP2839686B2 (ja) | フィルムキャリヤテープおよびこのフィルムキャリヤテープを用いた半導体装置 | |
| JPH0433353A (ja) | Ｉｃチップの試験装置 | |
| JP3204090B2 (ja) | 半導体チップテスト用コンタクトピン | |
| JPH11121553A (ja) | ウェハ一括型測定検査のためプローブカードおよびそのプローブカードを用いた半導体装置の検査方法 |