JPH04104411A - 酸化物超電導テープ導体の製造方法 - Google Patents
酸化物超電導テープ導体の製造方法Info
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- JPH04104411A JPH04104411A JP2219354A JP21935490A JPH04104411A JP H04104411 A JPH04104411 A JP H04104411A JP 2219354 A JP2219354 A JP 2219354A JP 21935490 A JP21935490 A JP 21935490A JP H04104411 A JPH04104411 A JP H04104411A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は、酸化物超電導体などの電気的異方性の大き
な超電導体を気任１法に、Ｊ、リフー−−ブ状に形成−
４−ろ際に、結晶量同性を向上さＵて電気的５υ／。
な超電導体を気任１法に、Ｊ、リフー−−ブ状に形成−
４−ろ際に、結晶量同性を向上さＵて電気的５υ／。
性を克服（７、優れた超′市導特性を得ろように・）る
乙のである３、 「従来の技術 フＬノギノフルなテープ状の金属Ｊ＋ｌｌ：に、気相法
によって超１は導体を形成ｊ７てアープ状の超電導体を
製造ずろ試み（」、従来よりＮｂ、Ｓ１１等の脆い超電
導金属間化合物を使用シ、）′−超電導線の分野におい
て既に実用化されている。
乙のである３、 「従来の技術 フＬノギノフルなテープ状の金属Ｊ＋ｌｌ：に、気相法
によって超１は導体を形成ｊ７てアープ状の超電導体を
製造ずろ試み（」、従来よりＮｂ、Ｓ１１等の脆い超電
導金属間化合物を使用シ、）′−超電導線の分野におい
て既に実用化されている。
とごろか、Ｉ ９８ Ｅｉ ４’ｌにム゛１、てから発
見さイ］ノ二酸化物超電導体においては、機械的強度が
弱いノーめに、これを克服づ−ろ必要かあるという−１
に、ｋｌ’ｉ品の配向性による電気的異方性が非常に大
きし）ということから、酸化物超電導体の１−１品をテ
ープに配向さ且て作成−４”ろごとか重要な技術課題と
な、ている。そして従来、その課題を解決するためのり
の手段として、気相ｎ、を用いたフーーブ状の酸化物超
電導体の作成方法がｆｌ、１−１さねてし）る１３この
種の酸化物超電導体（Ｊ１スパッタリンク、ＣＶＤ（化
学気相θ、）法、レーザ蒸着法等の種々の気相プロセス
で作成されろよ）にな−でいろ。
見さイ］ノ二酸化物超電導体においては、機械的強度が
弱いノーめに、これを克服づ−ろ必要かあるという−１
に、ｋｌ’ｉ品の配向性による電気的異方性が非常に大
きし）ということから、酸化物超電導体の１−１品をテ
ープに配向さ且て作成−４”ろごとか重要な技術課題と
な、ている。そして従来、その課題を解決するためのり
の手段として、気相ｎ、を用いたフーーブ状の酸化物超
電導体の作成方法がｆｌ、１−１さねてし）る１３この
種の酸化物超電導体（Ｊ１スパッタリンク、ＣＶＤ（化
学気相θ、）法、レーザ蒸着法等の種々の気相プロセス
で作成されろよ）にな−でいろ。
［発明が解決しようとする課題−１
ところで、テープ状の酸化物超電導体を製造する場合に
おいて、Ｓ ｒＴｉｏ 、、ＭｇＯ、Ｙ Ｓχム゛との
中結晶基板で、面指数が（１００）のらのを用い、この
」Ｊ、＋Ａ上に酸化物超電導薄膜を成膜−４′れば、強
く結晶配向した酸化物超電導層を作製することがてき、
良ｋｆム゛超電導特性を得ろごとができろごとが知られ
てＬ）る。
おいて、Ｓ ｒＴｉｏ 、、ＭｇＯ、Ｙ Ｓχム゛との
中結晶基板で、面指数が（１００）のらのを用い、この
」Ｊ、＋Ａ上に酸化物超電導薄膜を成膜−４′れば、強
く結晶配向した酸化物超電導層を作製することがてき、
良ｋｆム゛超電導特性を得ろごとができろごとが知られ
てＬ）る。
１、かじながら、超電導マクネソ）・などの電力応用を
意識Ｉまた長尺テープ導体用の基材として使用可能なも
の（」、金属や可撓性セラミックスなどの多結晶基材で
ある。この種の多結晶基材においてム、適切な成膜条件
を選択すれは、結晶配向性の良好ム゛酸化物超電導層を
作製することができろか、多結晶柄材」−に形成した酸
化物超電導層にあっては、Ｓ ｒＴ ｉｏ ３などのｉ
ｉｊ結晶基＋Ａ上に作製した酸化物超電導層に比較する
と、結晶配向性、超電導特性ともに低−トケる傾向があ
ることは避けられなか っ ）こ 。
意識Ｉまた長尺テープ導体用の基材として使用可能なも
の（」、金属や可撓性セラミックスなどの多結晶基材で
ある。この種の多結晶基材においてム、適切な成膜条件
を選択すれは、結晶配向性の良好ム゛酸化物超電導層を
作製することができろか、多結晶柄材」−に形成した酸
化物超電導層にあっては、Ｓ ｒＴ ｉｏ ３などのｉ
ｉｊ結晶基＋Ａ上に作製した酸化物超電導層に比較する
と、結晶配向性、超電導特性ともに低−トケる傾向があ
ることは避けられなか っ ）こ 。
本発明は前記課題を解決４”ろためになされた乙ので、
多結晶基材ｌ−に酸化物超電導層を形成１２八構造であ
ってし、結晶配向性に優れ、超電導’＋、’ｊｌ’ｌに
優れ人ニ酸化物超電導う−−プ導体を提１１ｉ ′・１
゛ろごとを目的とする。
多結晶基材ｌ−に酸化物超電導層を形成１２八構造であ
ってし、結晶配向性に優れ、超電導’＋、’ｊｌ’ｌに
優れ人ニ酸化物超電導う−−プ導体を提１１ｉ ′・１
゛ろごとを目的とする。
［課題を解決するための手段−１
本発明（」前記課題を解決するために、多結晶体からな
るテープ状のｊ；！； ＋ｇ１−に、酸化物超電導層を
一形成して酸化物超電導テープ導体を製造−４−る方法
において、前記基しｌ−にｉ’ ｉなとの六方晶系の〕
し素の基礎薄膜を、この基礎薄膜の（０００１）ｉｒｉ
ｉか基Ｈ上面に平行になるように形成し、次に酸化物超
電導体の格子常数に近い原子間距離を何Ａ゛ろ１′／′
方品系の中間薄膜を、この中間薄膜の（１００）面が基
材上面に平行になるように塙礎薄膜七にｊ［ニ成し、次
い−ご前記中間薄膜上に酸化物超電導層を成膜ｄ−るち
のである。
るテープ状のｊ；！； ＋ｇ１−に、酸化物超電導層を
一形成して酸化物超電導テープ導体を製造−４−る方法
において、前記基しｌ−にｉ’ ｉなとの六方晶系の〕
し素の基礎薄膜を、この基礎薄膜の（０００１）ｉｒｉ
ｉか基Ｈ上面に平行になるように形成し、次に酸化物超
電導体の格子常数に近い原子間距離を何Ａ゛ろ１′／′
方品系の中間薄膜を、この中間薄膜の（１００）面が基
材上面に平行になるように塙礎薄膜七にｊ［ニ成し、次
い−ご前記中間薄膜上に酸化物超電導層を成膜ｄ−るち
のである。
「作用１
多結晶体からなるＪｌｌ、材上に、′■゛１などからな
ろ六方晶系の基礎薄膜を形成上るとその（０００１）面
が基祠１−２面とに１・行になるように生成ずろ。次に
基礎薄膜上に立方晶系の中間薄膜を成膜すると、中間薄
膜がその（１００）而を−１にしで良好な配向性てムー
・て成長上る５、従−・てこの配向性の良好な１′１．
方晶系の中間薄膜上に酸化物超電導層を成膜するならば
、結晶配向１！１の良好な酸化物超電導層が生成−４−
ろ３、 以１・゛に本発明を更に詳細に説明４−る、１第１図は
、本発明方法を実施して製造された酸化物超電導テープ
導体の一例を示−４−らので、この例の超電導テープ導
体１は、テープ状の括（イ２の一１面に、基礎薄膜３と
中間薄膜４と酸化物超電導層５を順次積層してなるもの
である。
ろ六方晶系の基礎薄膜を形成上るとその（０００１）面
が基祠１−２面とに１・行になるように生成ずろ。次に
基礎薄膜上に立方晶系の中間薄膜を成膜すると、中間薄
膜がその（１００）而を−１にしで良好な配向性てムー
・て成長上る５、従−・てこの配向性の良好な１′１．
方晶系の中間薄膜上に酸化物超電導層を成膜するならば
、結晶配向１！１の良好な酸化物超電導層が生成−４−
ろ３、 以１・゛に本発明を更に詳細に説明４−る、１第１図は
、本発明方法を実施して製造された酸化物超電導テープ
導体の一例を示−４−らので、この例の超電導テープ導
体１は、テープ状の括（イ２の一１面に、基礎薄膜３と
中間薄膜４と酸化物超電導層５を順次積層してなるもの
である。
１！’Ｉ ｎ己７吉４４’ ２は、ハステ〔ｌイ、ステ
ンレスなど゛から１６Ｃろ耐熱金属テープあろい（」可
撓性セラミックスなとからなる乙ので、超電導マグネッ
トの製造のためにコイル加工かでさるよ一′ｌな可撓性
を仔するちのである４、 基礎薄膜；３はｉ” ｉ、 ７． ｒ、 ７． ｎ（’
ｌなとの六方晶系の元素の薄膜である３、この基礎薄膜
３を設（］ろ理は、後に形成オろ中間薄膜４の結晶配向
１’ｌを良々ｆに１−るためである、。
ンレスなど゛から１６Ｃろ耐熱金属テープあろい（」可
撓性セラミックスなとからなる乙ので、超電導マグネッ
トの製造のためにコイル加工かでさるよ一′ｌな可撓性
を仔するちのである４、 基礎薄膜；３はｉ” ｉ、 ７． ｒ、 ７． ｎ（’
ｌなとの六方晶系の元素の薄膜である３、この基礎薄膜
３を設（］ろ理は、後に形成オろ中間薄膜４の結晶配向
１’ｌを良々ｆに１−るためである、。
中間薄膜４ ｔＪ：、 ５ｒＴｉＯＪ、ＭｇＯ，Ｙ Ｓ
７．（イツトリア安定化ジルコニア） ｌ：ｉどのヅ
方晶系のｌｏ・ＩＩ膜である。
７．（イツトリア安定化ジルコニア） ｌ：ｉどのヅ
方晶系のｌｏ・ＩＩ膜である。
酸化物超電導層５は、Ｙ 、＋３ ａ２ｃ １１ＪＯ、
−ｓなる組成の酸化物超電導体に代表される△−Ｂ −
ＣｕＯ系酸化物超電導体などである。ごごてΔ（」、Ｙ
の他にＳｃ、Ｌａ、Ｅｒ、Ｙｔ、＋などの周期率表Ｉ’
ｌｌ ａ族元素の１種以上を示し、Ｌ３は＋３ ａの他
にＳｒなどの周期率表Ｉ ａ族元素の１種以上を示す。
−ｓなる組成の酸化物超電導体に代表される△−Ｂ −
ＣｕＯ系酸化物超電導体などである。ごごてΔ（」、Ｙ
の他にＳｃ、Ｌａ、Ｅｒ、Ｙｔ、＋などの周期率表Ｉ’
ｌｌ ａ族元素の１種以上を示し、Ｌ３は＋３ ａの他
にＳｒなどの周期率表Ｉ ａ族元素の１種以上を示す。
なお、ＢｉｐＳｒｐＣａ２Ｃｕ３０＞、なる組成に代表
されろ１３ｉ−３ｒ−ＣａＣｕ−０系の酸化物超電導体
、あろい（Ｊ、ＴＬ１１ａ２Ｃａ２ Ｃ１１３０＞なろ
組成に代表される′■川用用ａ−ＣａＣｕ−０系の酸化
物超電導体なとを用いろごとらできる。
されろ１３ｉ−３ｒ−ＣａＣｕ−０系の酸化物超電導体
、あろい（Ｊ、ＴＬ１１ａ２Ｃａ２ Ｃ１１３０＞なろ
組成に代表される′■川用用ａ−ＣａＣｕ−０系の酸化
物超電導体なとを用いろごとらできる。
前記構造の酸化物超電導テープ導体１を製造する１こ（
ま、」古＋１２の−Ｌ面（こスパツタリング、ＣＶ Ｉ
）法（化学気相法）、レーザ蒸着なとの成膜法を用Ｌ１
てＴ” ｉなとの六力品系の結晶構造を有する基礎薄膜
３を形成Ａ”ろ。この」み礎薄膜３は（０００１）面を
乱し２の１−面に平イｊにするように生成する。
ま、」古＋１２の−Ｌ面（こスパツタリング、ＣＶ Ｉ
）法（化学気相法）、レーザ蒸着なとの成膜法を用Ｌ１
てＴ” ｉなとの六力品系の結晶構造を有する基礎薄膜
３を形成Ａ”ろ。この」み礎薄膜３は（０００１）面を
乱し２の１−面に平イｊにするように生成する。
この際に形成４′る基礎薄膜３の厚さｌＪ：、０．２〜
０．５７１ｍ稈度かＩ）、ｉＴましい。また、成膜の際
に好まシ、＜は真空雰囲気中において柄材Ｉを２００〜
３００°Ｃ程度に加Ｍ旨４゛ろことか好ましい。ごこで
３００℃より高い１ＭＬ度に加熱すると結晶配向性が劣
化オろので好ましくなく、２００’Ｃより低い’／＋’
！度に加熱すると結晶配向性か劣化するので好ましくな
い。
０．５７１ｍ稈度かＩ）、ｉＴましい。また、成膜の際
に好まシ、＜は真空雰囲気中において柄材Ｉを２００〜
３００°Ｃ程度に加Ｍ旨４゛ろことか好ましい。ごこで
３００℃より高い１ＭＬ度に加熱すると結晶配向性が劣
化オろので好ましくなく、２００’Ｃより低い’／＋’
！度に加熱すると結晶配向性か劣化するので好ましくな
い。
基礎薄膜３を成膜したならば、基礎薄膜３上にスパッタ
リンク、ＣＶ ｌ）法、レーザ蒸着などの成膜法によっ
一ζ中間薄膜４を形成する。この中間薄膜４（」、（０
００１）而に配向した基礎薄膜３のｆｒ。
リンク、ＣＶ ｌ）法、レーザ蒸着などの成膜法によっ
一ζ中間薄膜４を形成する。この中間薄膜４（」、（０
００１）而に配向した基礎薄膜３のｆｒ。
に成膜されるか、この基礎薄膜３の（０００１）面の結
晶構造を模式的に示−４−と第２図に示す、Ｊ−うにな
る。ここで第２図において、隣接４−る原子ではなくて
、いくつか離間して並ぶ原子の間において（」縦５．１
１人、（苗５５９０人の原子間距離が存在する。従って
この３Ｊ−うな原子間隔の存在する」；（礎薄膜３の（
０００１）ｉｌｉｉ上に、第３図に示−４ように縦横５
１４人の原子間隔を自する立方晶の中間薄膜４を形成−
４〜るならば、成膜され人二中間薄膜４は基礎薄膜３に
揃って結晶配向し、その（１０（１）面か基月２の一１
４面と平行になると推定されろ９゜この際に形成する中
間薄膜４の厚さは、０２〜０５μｍ程度が好ましい。、
まノー、成膜の際に好ましくは真空雰囲気中においてＪ
ｉｌ： ４．４’ Ｉを２００〜４００°Ｃ程度に加熱
゛４′ろごとが好ましい。ごごて４００°Ｃより高い温
度て加熱すると結晶配向性か劣化するので好ましくなく
、２００°Ｃより低いｌ’ｆｎ’ｒ度で加熱すると結晶
配向性か劣化するので好ましくない。
晶構造を模式的に示−４−と第２図に示す、Ｊ−うにな
る。ここで第２図において、隣接４−る原子ではなくて
、いくつか離間して並ぶ原子の間において（」縦５．１
１人、（苗５５９０人の原子間距離が存在する。従って
この３Ｊ−うな原子間隔の存在する」；（礎薄膜３の（
０００１）ｉｌｉｉ上に、第３図に示−４ように縦横５
１４人の原子間隔を自する立方晶の中間薄膜４を形成−
４〜るならば、成膜され人二中間薄膜４は基礎薄膜３に
揃って結晶配向し、その（１０（１）面か基月２の一１
４面と平行になると推定されろ９゜この際に形成する中
間薄膜４の厚さは、０２〜０５μｍ程度が好ましい。、
まノー、成膜の際に好ましくは真空雰囲気中においてＪ
ｉｌ： ４．４’ Ｉを２００〜４００°Ｃ程度に加熱
゛４′ろごとが好ましい。ごごて４００°Ｃより高い温
度て加熱すると結晶配向性か劣化するので好ましくなく
、２００°Ｃより低いｌ’ｆｎ’ｒ度で加熱すると結晶
配向性か劣化するので好ましくない。
中間薄膜４を形成したならば、中間薄膜７１１．に薄膜
状の酸化物超電導層５を形成する。こごて酸化物超電導
層５は、ぺ「ノブスカイ）・構造を括本とする結晶構造
を有し、中間薄膜４の立方晶系の結晶構造と類似構造で
あり、結晶格子の大きさ０類似しているのて、酸化物超
電導層５（」中間薄膜４の結晶に揃って配向性の良好な
状態でエピタキノヤル成長４−る。
状の酸化物超電導層５を形成する。こごて酸化物超電導
層５は、ぺ「ノブスカイ）・構造を括本とする結晶構造
を有し、中間薄膜４の立方晶系の結晶構造と類似構造で
あり、結晶格子の大きさ０類似しているのて、酸化物超
電導層５（」中間薄膜４の結晶に揃って配向性の良好な
状態でエピタキノヤル成長４−る。
従−・て配向性の良好な臨界電流密度の優れた酸化物超
電導層５を（ｉ！ｉｉえた超電導づ−ブ導体１を得るご
とがてきる。
電導層５を（ｉ！ｉｉえた超電導づ−ブ導体１を得るご
とがてきる。
１実施例」
光沢研摩を施した多結晶の耐熱金属からなるテープ状の
Ｊ、（祠（ハステＣｌイＣ−２７６）上に基板温度３０
０℃、真空度２ Ｘ ］ ０ ４Ｔｏｒｒにおいて、′
Ｊ゛１薄膜をイオンピーク、スバ７ノタ法により作製シ
た。この′１゛１薄膜のＸ線回折パターンを測定した結
果を第４図に示す１、 更に、′■゛１薄膜の−１−にＹＳＺの薄膜をイオノビ
ームスバッタ法により成膜した。そのＹ Ｓ Ｚ 薄膜
のＸ線回折パターンを測定した結果を第４図に示す。
Ｊ、（祠（ハステＣｌイＣ−２７６）上に基板温度３０
０℃、真空度２ Ｘ ］ ０ ４Ｔｏｒｒにおいて、′
Ｊ゛１薄膜をイオンピーク、スバ７ノタ法により作製シ
た。この′１゛１薄膜のＸ線回折パターンを測定した結
果を第４図に示す１、 更に、′■゛１薄膜の−１−にＹＳＺの薄膜をイオノビ
ームスバッタ法により成膜した。そのＹ Ｓ Ｚ 薄膜
のＸ線回折パターンを測定した結果を第４図に示す。
第４図に示す回折パターンから、１゛１薄膜に関し、（
０００１）面と平行な（０［］０２）面の回折ピークが
見られ、ＹＳＺ薄膜は（１００）面と平行な（２００）
面の回折ピークが見られ、各薄膜とも配向しているごと
が明らかにノＪ゛った３゜次に萌記Ｙ Ｓ ７．薄膜１
−にＹ ＋ １３ａ２ＣＬ１２０−ｔ−ｓなる組成の薄
膜状の超電導層をスパッタｈ、に４１、すｊし成し、酸
化物超電導テープ導体を１１、ｔた。得られた超電導テ
ープ導体は、臨界温度８３■〈を示し、臨界電流密度１
００００△／ｃｍ２を小した。
０００１）面と平行な（０［］０２）面の回折ピークが
見られ、ＹＳＺ薄膜は（１００）面と平行な（２００）
面の回折ピークが見られ、各薄膜とも配向しているごと
が明らかにノＪ゛った３゜次に萌記Ｙ Ｓ ７．薄膜１
−にＹ ＋ １３ａ２ＣＬ１２０−ｔ−ｓなる組成の薄
膜状の超電導層をスパッタｈ、に４１、すｊし成し、酸
化物超電導テープ導体を１１、ｔた。得られた超電導テ
ープ導体は、臨界温度８３■〈を示し、臨界電流密度１
００００△／ｃｍ２を小した。
なお、比較のたｙ）に、光沢研ｌ？を施した多イ１層）
（１の耐熱金属からなろう゛−プ状のＪＪＬ伺（ハステ
［フイＣ−２７６）−にに、０１」記と同等の条件−（
Ｅ Ｙ Ｓ ｙ、 ）薄膜を形成した後、Ｙ １１３
ａ、Ｃ１１１１０、，１ｒｊろ組成の酸化物超電導層を
１ｉｉｉ記と同等の条件で形成し一ζ酸化物超電導テー
プ導体を製造した。この酸化物超電導テープ導体（Ｊ１
臨界温度８２ Ｋを示し、臨界電流密度ｌ０００を示し
）こ。
（１の耐熱金属からなろう゛−プ状のＪＪＬ伺（ハステ
［フイＣ−２７６）−にに、０１」記と同等の条件−（
Ｅ Ｙ Ｓ ｙ、 ）薄膜を形成した後、Ｙ １１３
ａ、Ｃ１１１１０、，１ｒｊろ組成の酸化物超電導層を
１ｉｉｉ記と同等の条件で形成し一ζ酸化物超電導テー
プ導体を製造した。この酸化物超電導テープ導体（Ｊ１
臨界温度８２ Ｋを示し、臨界電流密度ｌ０００を示し
）こ。
以１−のことから、本発明方法を実施セるご七により、
結晶配向性の良好な超電導層Ｖ１の良好な酸化物超電導
テープ導体を得るごとかてきた。
結晶配向性の良好な超電導層Ｖ１の良好な酸化物超電導
テープ導体を得るごとかてきた。
「発明の効果−１
以」−説明しノこように本発明は、多し１１品体のノ１
ζ伺トに六万品系の基礎薄膜を（０００１Ｍ＋ｉを−ｌ
ｒ、看ｆ慣ように形成し、基礎薄膜の上に立方晶系の
中間薄膜を成膜セろので、中間薄膜が基礎薄膜に揃って
（１００）面を出して結晶配向した状態に成長ずろ。従
−てこの中間薄膜の上に酸化物超電導層を成膜するなら
ば、中間薄膜に対して結晶配向した配向慴の良好な酸化
物超電導層を生成させろことができる。
ζ伺トに六万品系の基礎薄膜を（０００１Ｍ＋ｉを−ｌ
ｒ、看ｆ慣ように形成し、基礎薄膜の上に立方晶系の
中間薄膜を成膜セろので、中間薄膜が基礎薄膜に揃って
（１００）面を出して結晶配向した状態に成長ずろ。従
−てこの中間薄膜の上に酸化物超電導層を成膜するなら
ば、中間薄膜に対して結晶配向した配向慴の良好な酸化
物超電導層を生成させろことができる。
従って臨界電流密度の高い酸化物超電導テープ導体を得
ろことができろ。また、１１ｆ１記の如く製造された酸
化物超電導アープ導体は、フレキソプルなテープ状の基
材にＪミ礎薄膜と中間層と酸化物超電導層とを形成して
いるので、長尺のらのを製造することが容易であり、可
撓性に優れ、超電導コイルを製造する場合のコイル加工
か可能なものである３゜
ろことができろ。また、１１ｆ１記の如く製造された酸
化物超電導アープ導体は、フレキソプルなテープ状の基
材にＪミ礎薄膜と中間層と酸化物超電導層とを形成して
いるので、長尺のらのを製造することが容易であり、可
撓性に優れ、超電導コイルを製造する場合のコイル加工
か可能なものである３゜
第１図は本発明方法によって製造された酸化物超電導テ
ープ導体の一例を示す１折面図、第２図はＴ１の薄膜の
（０００１）面の原子配置を示す平面図、第３図はＹＳ
Ｚの薄膜の（１００）面の原子配置を示す平面図、第４
図（」実施例で製造された酸化物超電導体のＸ線回折図
である。、 超電導テープ導体、２− Ｊｉ！； ＄４．３膜、４
中間薄膜、５ 酸化物超電導層。 ）、４、礎 ｉ・（【
ープ導体の一例を示す１折面図、第２図はＴ１の薄膜の
（０００１）面の原子配置を示す平面図、第３図はＹＳ
Ｚの薄膜の（１００）面の原子配置を示す平面図、第４
図（」実施例で製造された酸化物超電導体のＸ線回折図
である。、 超電導テープ導体、２− Ｊｉ！； ＄４．３膜、４
中間薄膜、５ 酸化物超電導層。 ）、４、礎 ｉ・（【
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 多結晶体からなるテープ状の基材上に、酸化物超電導層
を形成して酸化物超電導テープ導体を製造する方法にお
いて、 前記基材上にＴｉなどからなる六方晶系の基礎薄膜を、
この基礎薄膜の（０００１）面が基材上面に平行になる
ように形成し、次に酸化物超電導体の格子常数に近い原
子間距離を有する立方晶系の中間薄膜を、この中間薄膜
の（１００）面が基材上面に平行になるように基礎薄膜
上に形成し、次いで前記中間薄膜上に酸化物超電導層を
成膜することを特徴とする酸化物超電導テープ導体の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2219354A JP3061627B2 (ja) | 1990-08-21 | 1990-08-21 | 酸化物超電導テープ導体の製造方法 |
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| JP2219354A JP3061627B2 (ja) | 1990-08-21 | 1990-08-21 | 酸化物超電導テープ導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| JPH04104411A true JPH04104411A (ja) | 1992-04-06 |
| JP3061627B2 JP3061627B2 (ja) | 2000-07-10 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2219354A Expired - Lifetime JP3061627B2 (ja) | 1990-08-21 | 1990-08-21 | 酸化物超電導テープ導体の製造方法 |
Country Status (1)
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| JP (1) | JP3061627B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009263730A (ja) * | 2008-04-25 | 2009-11-12 | Fujikura Ltd | 多結晶薄膜の製造方法、多結晶薄膜及び酸化物超電導導体 |
| JP2011021270A (ja) * | 2009-06-16 | 2011-02-03 | Central Glass Co Ltd | セラミック薄膜の形成方法 |
-
1990
- 1990-08-21 JP JP2219354A patent/JP3061627B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009263730A (ja) * | 2008-04-25 | 2009-11-12 | Fujikura Ltd | 多結晶薄膜の製造方法、多結晶薄膜及び酸化物超電導導体 |
| JP2011021270A (ja) * | 2009-06-16 | 2011-02-03 | Central Glass Co Ltd | セラミック薄膜の形成方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3061627B2 (ja) | 2000-07-10 |
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