JPH0410624B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光
線，可視光線，赤外光線，Ｘ線，γ線等を示す）
の様な電磁波に感受性のある光導電部材に関す
る。 固体撮像装置、或いは像形成分野における電子
写真用像形成部材や原稿読取装置における光導電
層を形成する光導電材料としては、高感度で、
SN比〔光電流（Ip）／暗電流（Id）〕が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性にマツチングした
吸収スペクトル特性を有すること、光応等性が速
く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時におい
て人体に対して無公害であること、更には固体撮
像装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。
殊に、事務機としてオフイスで使用される電子写
真装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の場
合には、上記の使用時における無公害性は重要な
点である。 この様な点に立脚して最近注目されている光導
電材料にアモルフアスシリコン（以後ａ−Siと表
記す）があり、例えば、独国公開第2746967号公
報、同第2855718号公報には電子写真用像形成部
材として、独国公開第2933411号公報には光電変
換換読取装置への応用が記載されている。 而乍ら、従来のａ−Siで構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値，光感度，光応答
性等の電気的，光学的，光導電的特性，及び使用
環境特性の点、更には経時的安定性及び耐久性の
点において、各々、個々には特性の向上が計られ
ているが総合的な特性向上を計る上で更に改良さ
れる余地が存するのが実情である。 例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合
に、高光感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとす
ると従来においてはその使用時において残留電位
が残る場合が度々観測され、この種の光導電部材
は長時間繰返し使用し続けると、繰返し使用によ
る疲労の蓄積が起つて、残像が生ずる所謂ゴース
ト現象を発する様になる等の不都合な点が少なく
なかつた。 又、ａ−Si材料で光導電層を構成する場合に
は、その電気的，光導電的特性の改良を計るため
に、水素原子或いは弗素原子や塩素原子等のハロ
ゲン原子、及び電気伝導型の制御のために硼素原
子や燐原子等が、或いはその他の特性改良のため
に他の原子が、各々構成原子として光導電層中に
含有されるか、これ等の構成原子の含有の仕方如
何によつては、形成した層の電気的或いは光導電
的特性や耐圧性更には、耐久性等に問題が生ずる
場合があつた。 即ち、例えば電子写真用像形成部材として使用
した場合、形成した光電層中に光照射によつて発
生したフオトキヤリアの該層中での寿命が充分で
ないことや暗部において、支持体側よりの電荷の
注入の阻止が充分でないこと、或いは、転写紙に
転写された画像に俗に「白ヌケ」と呼ばれる、局
所的な放電破壊現象によると思われる画像欠陥
や、例えば、クリーニングに、ブレードを用いる
とその摺擦によると思われる、俗に「白スジ」と
云われている所謂画像欠陥が生じたりしていた。
又、多湿雰囲気中で使用したり、或いは多湿雰囲
気中に長時間放置した直後に使用すると俗に云う
画像のボケが生ずる場合が少なくなかつた。 更には、層厚が十数μ以上になると層形成用の
真空堆積室より取り出した後、空気中での放置時
間の経過と共に、支持体表面からの層の浮きや剥
離、或いは層に亀裂が生ずる等の現象を引起し勝
ちであつた。この現象は、殊に支持体が通常、電
子写真分野に於いて使用されているドラム状支持
体の場合に多く起る等、経時的安定性の点に於い
て解決される可き点がある。 従つてａ−Si材料そのものの特性改良が計られ
る一方で光導電部材を設計する際に、上記した様
な問題の総てが解決される様に工夫される必要が
ある。 本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ
−Siに就て電子写真用像形成部材や固体撮像装
置、読取装置等に使用される光導電部材としての
適用性とその応用性という観点から総括的に鋭意
研究検討を続けた結果、シリコン原子を母体と
し、水素原子(H)又はハロゲン原子（Ｘ）のいずれ
か一方を少なくと含有するアモルフアス材料、所
謂水素化アモルフアスシリコン、ハロゲン化アモ
ルフアスシリコン、或いはハロゲン含有水素化ア
モルフアスシリコン〔以後これ等の総称的表記と
して「ａ−Si（Ｈ，Ｘ）」を使用する〕から構成さ
れる光導電層を有する光導電部材の層構成を以後
に説明される様な特定化の下に設計されて作成さ
れた光導電部材は実用上著しく優れた特性を示す
ばかりでなく、従来の光導電部材と較べてみても
あらゆる点において凌駕していること、殊り電子
写真用の光導電部材として著しく優れた特性を有
していることを見出した点に基づいている。 本発明は電気的，光学的，光導電的特性が使用
環境に殆んど依存なく実質的に常時安定してお
り、耐光疲労に著しく長け、繰返し使用に際して
も劣化現象を起さず耐久性，耐湿性に優れ、残留
電位が全く、又は殆んど観測されない光導電部材
を提供することを主たる目的とする。 本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層
と支持体との間や積層される層の各層間に於ける
密着性に優れた、構造配列的に緻密で安定的であ
り、層品質の高い光導電部材を提供ることであ
る。 本発明の他の目的は、電子写真用像形成部材と
して適用させた場合、静電像形成のための帯電処
理の際の電荷保持能力が充分あり、通常の電子写
真法が極めて有効に適用され得る、優れた電子写
真特性を有する光導電部材を提供することであ
る。 本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフ
トーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画
像を得ることが容易にできる電子写真用の光導電
部材を提供することである。 本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体
と、シリコン原子を母体とし、構成原子として
25atomic％未満の窒素原子と、水素原子とを含
有する非晶質材料で構成された補助層と、シリコ
ン原子を母体とし、周期律表第族に属する原子
を構成原子として含有する非晶質材料で構成され
た、層厚0.3〜5μの電荷注入防止層と、シリコン
原子を母体と非晶質材料で構成され、光導電性を
示す第一の非晶質層と、該第一の非晶質層上に、
シリコン原子と炭素原子とを構成原子として含む
非晶質材料で構成された第二の非晶質層を有する
事を特徴とする。 上記した様な層構成を取る様にして設計された
本発明の光導電部材は、前記した諸問題の総てを
解決し得、極めて優れた電気的，光学的，光導電
的特性，耐圧性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用像形成部材として適用させた
場合には、画像形成への残留電位の影響が全くな
く、その電気的特性が安定しており高感度で、高
SN比を有するものであつて、耐光疲労、繰返し
使用特性に長け、濃度が高く、ハーフトーンが鮮
明に出て、且つ解像度の高い、高品質の画像を安
定して繰返し得ることができる。 又、本発明の光導電部材は支持体上に形成され
る非晶質層が、層自体が強靭であつて、且つ支持
体との密着性に著しく優れており、高速で長時間
連続的に繰返し使用することが出来る。 以下、図面に従つて、本発明の光導電部材に就
て詳細に説明する。 第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電
部材の層構成を説明するために模式的に示した模
式的構成図である。 第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材
用としての支持体１０１の上に、補助層１０２、
電荷注入防止層１０３、光導電性を有する第一の
非晶質層（）１０４、シリコン原子と炭素原子
とを構成原子とする非晶質材料（以後「ａ−Si_x
C_1-x」と記す）で構成される第二の非晶質層
（）１０５を具備し、該非晶質層（）１０５
は自由表面１０６を有している。 補助層１０２は主に、支持体１０１と電荷注入
防止層１０３との間の密着性を計る目的の為に設
けられ、支持体１０１と電荷注入防止層１０３の
両方と親和性がある様に、後述する材質で構成さ
れる。 電荷注入防止層１０３は、支持体１０１側より
非晶質層（）１０４中へ電荷が注入されるのを
効果的に防止する機能を主に有する。 非晶質層（）１０４は、感受性の光の照射を
受けて該層１０４中でフオトキヤリアを発生し、
所定方向に該フオトキヤリアを輸送する機能を主
に有する。 非晶質層（）１０５は、主に耐湿性，連続繰
返し使用特性，耐圧性，使用環特性，耐久性に於
いて本発明の目的を達成する為に設けられる。 本発明に於ける補助層は、シリコン原子SCを
母体とし、構成原子として窒素原子と、水素原子
とを含有し、窒素原子の含有量C_CN1が25atomic
％未満である非晶質材料（以後ａ−（SiaN_1-a）
bH_1-bと記す。但し、0.6＜ａ，0.65≦ｂ）で構成
される。 ａ−（SiaN_1-a）bH₁−ｂで構成される補助層
の形成はグロー放電法、スパツターリング法、イ
オンインプランテーシヨン法、イオンプレーテイ
ング法、エレクトロンビーム法等によつて成され
る。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下
の負荷程度、製造規模、作製される光導電部材に
所望される特性等の要因によつて適宜選択されて
採用されるが、所望する特性を有する光導電部材
を製造する為の作製条件の制御が比較的容易であ
るが、シリコン原子と共に窒素原子及び水素原子
を作製する補助層中に導入するのが容易に行なえ
る等の利点からグロー放電法或いはスパツターリ
ング法が好適に採用される。 更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパ
ツターリング法とを同一装置内で併用して中間層
１０２を形成しても良い。 グロー放電法によつて補助層を形成するには、
ａ−（SiaN_1-a）bH_1-b形成用の原料ガスを、必
要に応じて稀釈ガスと所定量の混合比で混合し
て、支持体の設置してある真空堆積用の堆積室に
導入し、導入されたガスをグロー放電を生起させ
ることでガスプラズマ化して前記支持体上にａ−
（SiaN_1-a）bH_1-bを堆積させれば良い。 本発明に於いてａ−（SiaN_1-a）bH_1-b形成用
の原料ガスとしては、Si，Ｎ，Ｈの中の少なくと
も１つを構成原子とするガス状の物質はガス化し
得る物質をガス化したものの中の大概のものが使
用され得る。 Si，Ｎ，Ｈの中の１つとしてSiを構成原子とす
る原料ガスを使用する場合は、例えばSiを構成原
子とする原料ガスと、Ｎを構成原子とする原料ガ
スと、Ｈを構成原子とする原料ガスとを所望の混
合比で混合して使用するか、又は、Siを構成原子
とする原料ガスと、Ｎ及びＨを構成原子とする原
料ガスとを、これも又所望の混合比で混合して使
用することが出来る。 又、別には、SiとＨとを構成原子とする原料ガ
スにＮを構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良い。 本発明に於いて、補助層形成用の原料ガスに成
り得るものとして有効に使用される出発物質は、
SiとＨとを構成原子とするSiH₄，Si₂H₆，Si₃H₈，
Si₄H₁₀等のシラン（Silane）類等の水素化硅素、
Ｎを構成原子とする、或いはＮとＨとを構成原子
とする、例えば窒素（N₂）、アンモニア（NH₃）、
ヒドラジン（H₂NNH₂）、アジ化水素（HN₃）ア
ジ化アンモニウム（NH₄N₃）等のガス状の又は
ガス化し得る窒素、窒化物及びアジ化物等の窒素
化合物を挙げることが出来る。これ等の補助層形
成用の出発物質となるものの他、Ｈ導入用原料ガ
スとしては勿論H₂も有効なものとして使用され
る。 スパツターリング法によつて補助層を形成する
には、単結晶又は多結晶のSiウエーハー、又は
Si₃N₄ウエーハー、又はSiとSi₃N₄が混合されて
含有されているウエーハーをターゲツトとして、
これ等を種々のガス雰囲気中でスパツターリング
することによつて行なえば良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、ＮとＨを導入する為の原料ガス、例えば
H₂とN₂、又はNH₃を、必要に応じて稀釈ガスで
稀釈して、スパツター用の堆積室中に導入し、こ
れ等のガスのガスプラズマを形成して前記Siウエ
ーハーをスパツターリングすれば良い。 又、別には、SiとSi₃N₄とは別のターゲツトと
して、又はSiとSi₃N₄の混合して形成した一枚の
ターゲツトを使用することによつて、少なくとも
Ｈ原子を含有するガス雰囲気中でスパツターリン
グすることによつて成される。 Ｎ又はＨ導入用の原料ガスと成り得るものとし
ては、先述したグロー放電の例で示した補助層形
成用の出発物質のガスが、スパツターリングの場
合にも有効なガスとして使用され得る。 本発明に於いて、補助層をグロー放電法又はス
パツターリング法で形成する際に使用される稀釈
ガスとしては、所謂・希ガス、例えばHe，Ne，
Ar等が好適なものとして挙げることが出来る。 本発明の補助層を構成するａ−（SiaN_1-a）
bH_1-bは補助層の機能が、支持体と電荷注入防止
層との間の密着を強固にし、加えてそれ等の間に
於ける電気的接触性を均一にするものであるから
補助層に要求される特性が所望通りに与えられる
様にその作成条件の選択が厳密に成されて注意深
く形成される。 本発明の目的に適した特性を有するａ−
SiaN_1-a）bH_1-bが作成される為の作成条件の中
の重要な要素として、作成時の支持体温度を挙げ
る事が出来る。 即ち、支持体の表面にａ−（SiaN_1-a）bH_1-b
から成る補助層を形成する際、層形成中の支持体
温度は、形成される層の構造及び特性を左右する
重要な因子であつて、本発明に於いては、目的と
する特性を有するａ−（SiaN_1-a）bH_1-bが所望
通りに作成され得る様に層作成時の支持体温度が
厳密に制御される。 本発明に於ける目的が効果的に達成される為の
補助層を形成する際の支持体温度としては補助層
の形成法に併せて適宜最適範囲が選択されて、補
助層の形成が実行されるが、通常の場合、50℃〜
350℃好適には100℃〜250℃とされるものが望ま
しいものである。補助層の形成には、同一系内で
補助層から電荷注入防止層，非晶質層、更には必
要に応じて非晶質層上に形成される他の層まで連
続的に形成する事が出来る、各層を構成する原子
の組成比の微妙な制御や層厚の制御が他の方法に
較べて比較的容易である事等の為に、グロー放電
法やスパツターリング法の採用が有利であるが、
これらの層形成法で補助層を形成する場合には、
前記の支持体温度と同様に層形成の際の放電パワ
ー及びガス圧が作成されるａ−（SiaN_1-a）
bH_1-bの特性を左右する重要な因子として挙げら
れる。 本発明に於ける目的が達成される為の特性を有
するａ−（SiaN_1-a）bH_1-bが生産性良く効果的
に形成される為の放電パワー条件としては、通常
１〜300W、好適には２〜100Wである。堆積室内
のガス圧は通常グロー放電にて層形成を行う場合
に於いて0.01〜5Torr、好適には0.1〜0.5Torr程
度に、スパツタリング法にて層形成を行なう場合
に於いては、通常10^-3〜５×10^-2Torr，好適に
は８×10^-3〜３×10^-2Torr程度とされるのが望
ましい。 本発明の光導電部材に於ける補助層に含有され
る窒素原子（Ｎ）及び水素原子（Ｈ）の量は、補
助層の作成条件と同様、本発明の目的を達成する
所望の特性が得られる補助層が形成される重要な
因子である。 本発明に於ける補助層に含有される窒素原子
（Ｎ）の量Ｃ（Ｎ）は、通常は前記した値の範囲と
されるが、atomic％で表示すれば好適には１×
10^-3≦Ｃ（Ｎ）＜25，より好ましくは、１≦Ｃ（Ｎ）
＜25，最適には10≦Ｃ（Ｎ）＜25とされるのが望ま
しい。又、水素原子（Ｈ）の量としては、好適に
は２〜35atnmic％，最適には５〜30atomic％と
されるのが望ましい。ａ−（SiaN_1-a）bH_1-bに
於けるａ，ｂの表示で示せばａの値としては、好
適には0.6＜ａ≦0.99999，より好ましくは0.6＜ａ
≦0.99，最適には0.6＜ａ≦0.9，ｂの値としては、
好適には、0.65≦ｂ≦0.98，より好適には0.7≦ｂ
≦0.95とされるのが望ましい。 本発明に於ける補助層の層厚の数値範囲は、本
発明の目的を効果的に達成する様に所望に従つて
適宜決定される。 本発明の目的を効果的に達成する為の補助層の
層厚としては、通常の場合30Å〜2μ，好適には
40Å〜1.5μ，最適には50Å〜1.5μとされるのが望
ましいものである。 本発明の光導電部材を構成する電荷注入防止層
は、シリコン原子（Si）を母体とし、周期律表第
族に属する原子（第族原子）と、好ましく
は、水素原子（Ｈ）又はハロゲン原子（Ｘ）、或
いはこの両者とを構成原子とする非晶質材料（以
後「ａ−Si（Ｖ，Ｈ，Ｘ）」と記す）で構成され、
その層厚ｔ及び層中の第族原子の含有量Ｃ（Ｖ）
は、本発明の目的が効果的に達成される様に所望
に従つて適宜決められる。 本発明に於ける電荷注入防止層の層厚ｔとして
は、好ましくは0.3〜5μ、より好ましくは0.5〜2μ
とされるのが望ましく、又、第族原子の含有量
Ｃ（Ｖ）としては、好ましくは１×10²〜１×
10⁵atomic ppm，より好ましくは、５×10²〜１
×10⁵atomic ppmとされるのが望ましい。 電荷注入防止層と補助層との相乗効果を得るた
めには上記範囲に各層の層厚と周期律表第族原
子または窒素原子を含有させる事が好ましい。 これは、充分な密着性を補助層に発揮させ、且
つ、充分な電荷注入の防止性を電荷注入防止層に
発揮させるために重要である。 一般的には、電荷注入防止層の厚みを薄くする
と周期律表第族原子を多くさせ、厚くした場合
は少なく含有させる事が好ましいが、本発明にお
いて補助層との密着性と電気的特性を十分に考慮
した結果、補助層の窒素原子の含有量を
25atomic％未満とし且つ電荷注入防止層の層厚
を上記した範囲とする事によつて、密着性の向上
と電荷注入防止より一層相乗効果的に達成するこ
とができるだけでなく、光導電部材に要求される
多くの特性を十分に満足させることができる事を
見出した。 本発明において、電荷注入防止層中に含有され
る周期律表第族に属する原子として使用される
のは、Ｐ（燐）、As（砒素）、Sb（アンチモン）、Bi
（ビスマス）等であり、殊に好適に用いられるの
はＰ，Asである。 本発明において、必要に応じて電荷注入防止層
中に含有されるハロゲン原子（Ｘ）としては、具
体的にはフツ素，塩素，臭素，ヨウ素等が挙げら
れ、殊にフツ素，塩素を好適なものとして挙げる
ことが出来る。 ａ−Si（Ｖ，Ｈ，Ｘ）で構成される電荷注入防
止層の形成には、補助層の形成の場合と同様に、
例えばグロー放電法、スパツタリング法、或いは
イオンプレーテイング法等の放電現象を利用する
真空堆積法が採用される。これ等の製造法は、製
造条件，設備資本投下の負荷程度，製造規模，作
製される光導電部材に所望される特性等の要因に
よつて適宜選択されて採用されるが、所望する特
性を有する光導電部材を製造する為の作製条件の
制御が比較的容易である、シリコン原子と共に第
族原子，必要に応じて水素原子（Ｈ）やハロゲ
ン原子（Ｘ）を作製する電荷注入防止層中に導入
するのが容易に行える等の利点からグロー放電法
或いはスパツターリング法が好適に採用される。 更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパ
ツターリング法とを同一装置系内で併用して電荷
注入防止層を形成しても良い。 例えば、グロー放電法によつて、ａ−Si（Ｖ，
Ｈ，Ｘ）で構成される電荷注入防止層を形成する
には、基本的にはシリコン原子（Si）を供給し得
るSi供給用の原料ガスと共に、第族原子を供給
し得る第族原子導入用の原料ガス、必要に応じ
て水素原子（Ｈ）導入用の又は／及びハロゲン原
子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得
る堆積室内に導入して、該堆積室内にグロー放電
を生起させ、予め所定位置に設置され、既に補助
層の設けてある所定の支持体の補助層表面上にａ
−Si（Ｖ，Ｈ，Ｘ）からなる層を形成させれば良
い。又、スパツタリング法で形成する場合には、
例えばAr，He等の不活性ガス又はこれらのガス
をベースとした混合ガスの雰囲気中でSiで構成さ
れたターゲツトをスパツタリングする際、第族
原子導入用の原料ガスを、必要に応じて水素原子
（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガ
スと共にスパツタリング用の堆積室に導入してや
れば良い。 本発明において電荷注入防止層を形成するのに
使用される原料ガスとなる出発物質としては、次
のものが有効なものとして挙げることが出来る。 先ずSi供給用の原料ガスとなる出発物質として
は、SiH₄，Si₂H₆，Si₃H₈，Si₄H₁₀等のガス状態
の又はガス化し得る水素化硅素（シラン類）が有
効に使用されるものとして挙げられ、殊に、層作
成作業の扱い易さ、Si供給効率の良さ等の点で
SiH₄，Si₂H₆が好ましいものとして挙げられる。 これ等の出発物質を使用すれば層形成条件を適
切に選択することによつて形成される補助層中に
Siと共にＨも導入し得る。 Si供給用の原料ガスとなる有効な出発物質とし
ては、上記の水素化硅素の他に、ハロゲン原子
（Ｘ）を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体、具体的には例えば
SiF₄，Si₂F₆，SiCl₄，SiBr₄等のハロゲン化硅が
好ましいものとして挙げることが出来、更には、
SiH₂F₂，SiH₂I₂，SiH₂Cl₂，SiHCl₃，SiH₂Br₂，
SiHBr₃等のハロゲン置換水素化硅素、等々のガ
ス状態の或いはガス化し得る、水素原子を構成要
素の１つとするハロゲン化物も有効な電荷注入防
止層形成の為のSi供給用の出発物質として挙げる
事が出来る。これ等のハロゲン原子（Ｘ）を含む
硅素化合物を使用する場合にも前述した様に、層
形成条件の適切な選択によつて形成される電荷注
入防止層中にSiと共にＸを導入することが出来
る。 上記した出発物質の中、水素原子を含むハロゲ
ン化硅化合物は、補助層形成の際に層中にハロゲ
ン原子（Ｘ）の導入と同時に電気的或いは光電的
特性の制御に極めて有効な水素原子（Ｈ）も導入
されるので、本発明においては好適なハロゲン原
子（Ｘ）導入用の出発物質として使用される。 本発明において補助層を形成する際に使用され
るハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスとなる有
効な出発物質としては、上記したものの他に、例
えばフツ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲンガ
ス、BrF，ClF，ClF₃，BrF₅，BrF₃，IF₃，IF₇，
ICl，IBr等のハロゲン間化合物、HF，HCl，
HBr，HI等のハロゲン化水素を挙げることが出
来る。 電荷注入防止層中に第族原子を構造的に導入
するには、層形成の際に第族原子導入用の出発
物質をガス状態で堆積室中に電荷注入防止層を形
成する為の他の出発物質と共に導入してやれば良
い。この様な第族原子導入用の出発物質と成り
得るものとしては、常温常圧でガス状の又は、少
なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るもの
が採用されるものが望ましい。 その様な第族原子導入用の出発物質として、
具体的には、燐原子導入用としては、PH₃，
P₂H₄等の水素化燐，PH₄I，PF₃，PF₅，PCl₃，
PCl₅，PBr₃，PBr₅，PI₃等のハロゲン化燐が挙
げられる。 この他、AsH₃，AsF₃，AsCl₃，AsBr₃，
AsF₅，SbH₃，SbF₃，SbF₅，SbCl₃，SbCl₅，
BiH₃，BiCl₃，BiBr₃等も第族原子導入用の出
発物質の有効なものとして挙げることが出来る。 本発明に於いては電荷注入防止特性を与える為
に電荷注入防止層中に含有させる第族原子は、
電荷注入防止層の層厚方向に実質的に平行な面
（支持体の表面に平行な面）内及び層厚方向に於
いては、実質的に均一に分布されるのが良いもの
である。 又、スパツタリング法で電荷注入防止層を形成
する場合には、例えばAr，He等の不活性ガス又
はこれ等のガスをベースとした混合ガス雰囲気中
でSiで構成されたターゲツトをスパツタリングす
る際、第族原子導入用の原料ガスを、必要に応
じて水素原子（Ｈ）導入用の又は／及びハロゲン
原子（Ｘ）導入用の原料ガスと共にスパツタリン
グを行う真空堆積室内に導入してやれば良い。 本発明に於いて、電荷注入防止層中に導入され
る第族原子の含有量は、堆積室中に流入される
第族原子導入用の出発物質のガス流量、ガス流
量比，放電パワー，支持体温度，堆積室内の圧力
等を制御することによつて任意に制御され得る。 本発明に於いて、電荷注入防止層中に必要に応
じて含有されるハロゲン原子（Ｘ）としては、補
助層の説明の際に記したのと同様のものが挙げら
れる。 本発明に於いて、電荷注入防止層をグロー放電
法又はスパツターリング法で形成する際に使用さ
れる稀釈ガスとしては、所謂、希ガス、例えば
He，Ne，Ar等が好適なものとして挙げること
が出来る。 本発明において、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第一の非晶質層（）を形成するには例えばグ
ロー放電法，スパツタリング法，或いはイオンプ
レーテイング法等の放電現象を利用する真空堆積
法によつて成される。例えば、グロー放電法によ
つて、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成される非晶質層を
形成するには、基本的にはシリコン原子（Si）を
供給し得るSi供給用の原料ガスと共に、水素原子
（Ｈ）導入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導
入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内
に導入して、該堆積室内にグロー放電を生起さ
せ、予め定位置に設置されてある所定の支持体表
面上に既に形成されてある電荷注入防止層上にａ
−Si（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成させれば良い。
又、スパツタリング法で形成する場合には、例え
ばAr，He等の不活性ガス又はこれ等のガスをベ
ースとした混合ガスの雰囲気中でSiで構成された
ターゲツトをスパツタリングする際、水素原子
（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガ
スをスパツタリング用の堆積室に導入してやれば
良い。 本発明において、必要に応じて非晶質層（）
中に含有されるハロゲン原子（Ｘ）としては、補
助層の場合に挙げたのと同様のものを挙げること
が出来る。 本発明においては非晶質層（）を形成するの
に使用されるSi供給用の原料ガスとしては、補助
層や電荷注入防止層に就て説明する際に挙げた
SiH₄，Si₂H₆，Si₃H₈，Si₄H₁₀等のガス状態の又
はガス化し得る水素化硅素（シラン類）が有効に
使用されるものとして挙げられ、殊に、層作成作
業の扱い易さ、Si供給効率の良さ等の点でSiH₄，
Si₂H₆が好ましいものとして挙げられる。 本発明において非晶質層（）を形成する際に
使用されるハロゲン原子導入用の原料ガスとして
有効なのは、補助層の場合と同様に多くのハロゲ
ン化合物が挙げられ、例えばハロゲンガス，ハロ
ゲン化物，ハロゲン間化合物，ハロゲンで置換さ
れたシラン誘導体等のガス状態の又はガス化し得
るハロゲン化合物が好ましく挙げられる。 又、更には、シリコン原子（Si）とハロゲン原
子（Ｘ）とを構成要素とするガス状態の又はガス
化し得る、ハロゲン原子を含む硅素化合物も有効
なものとして本発明においては挙げることが出来
る。 本発明に於いては、非晶質層（）には、伝導
特性を制御する物質を含有させることにより、該
層の伝導特性を所望に従つて任意に制御すること
が出来る。 この様な物質としては、所謂、半導体分野で云
われる不純物を挙げることが出来、本発明に於い
ては、形成される非晶質層（）を構成するａ−
Si（Ｈ，Ｘ）に対して、Ｐ型伝導特性を与えるＰ
型不純物、具体的には、周期律表第族に属する
原子（第族原子）、例えば、Ｂ（硼素），Al（ア
ルミニウム），Ga（ガリウム），In（インジウム），
Tl（タリウム）等があり、殊に好適に用いられる
のは、Ｂ，Gaである。 本発明に於いて、非晶質層（）に含有される
伝導特性を制御する物質の含有量は、該非晶質層
（）に要求される伝導特性，或いは該層（）
に直に接触して設けられる他の層の特性や、該他
の層との接触界面に於ける特性との関係等、有機
的関連性に於いて、適宜選択することが出来る。 本発明に於いて、非晶質層（）中に含有され
る伝導特性を制御する物質の含有量としては、通
常の場合、0.001〜1000atomic ppm，好適には
0.05〜500atomic ppm，最適には0.1〜200atomic
ppmとされるのが望ましいものである。 非晶質層中に伝導特性を制御する物質，例えば
第族原子を構造的に導入するには、層形成の際
に第族原子導入用の出発物質をガス状態で堆積
室中に、非晶質層を形成する為の他の出発物質と
共に導入してやれば良い。この様な第題原子導
入用の出発物質と成り得るものとしては、常温常
圧でガス状の又は、少なくとも層形成条件下で容
易にガス化し得るものが採用されるのが望まし
い。その様な第族原子導入用の出発物質として
具体的には硼素原子導入用としては、B₂H₆，
B₄H₁₀，B₅H₉，B₅H₁₁，B₆H₁₀，B₆H₁₂，B₆H₁₄
等の水素化硼素、BF₃，BCl₃，BBr₃等のハロゲ
ン化硼素等が挙げられる。この他、AlCl₃，
GaCl₃，Ga（CH）₃，InCl₃，TlCl₃等も挙げること
が出来る。 本発明において、形成される光導電部材の電荷
注入防止層及び非晶質層（）中に含有される水
素原子（Ｈ）の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又
は水素原子（Ｈ）とハロゲン原子（Ｘ）の量の和
（Ｈ＋Ｘ）は通常の場合１〜40atomic％、好適に
は５〜30atomic％とされるのが望ましい。 電荷注入防止層又は非晶質層（）中に含有さ
れる水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子
（Ｘ）の量を制御するには、例えば支持体温度又
は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原子
（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆
積装置系内へ導入する量、放電々力等を制御して
やれば良い。 本発明において、非晶質層（）をグロー放電
法で形成する際に使用される稀釈ガス、或いはス
パツタリング法で形成される際に使用されるスパ
ツターリング用のガスとしては、所謂稀ガス、例
えばHe，Ne，Ar等が好適なものとして挙げる
ことが出来る。 本発明に於いて、非晶質層（）の層厚として
は、作成される光導電部材に要求される特性に応
じて適宜決められるものであるが、通常は、１〜
100μ、好ましくは１〜80μ、最適には２〜50μと
されるのが望ましいものである。 本発明の光導電部材に於いては、第一の非晶質
層（）上に設けられる第二の非晶質層（）
は、シリコン原子と炭素原子とで構成される非晶
質材料（ａ−Si_xC_1-x、但し０＜Ｘ＜１）で形成
されるので、非晶質層（）と第二の非晶質層
（）とを形成する非晶質材料の各々がシリコン
原子という共通の構成要素を有しているので、積
層界面に於いて化学的な安定性の確保が充分成さ
れている。 ａ−Si_xC_1-xで構成さる第二の非晶質層（）
の形成はスパツターリング法、イオンプランテー
シヨン法、イオンプレーテイング法、エレクトロ
ンビーム法等によつて成される。これ等の製造法
は、製造条件、設備資本投下の負荷程度、製造規
模、作製される光導電部材に所望される特性等の
要因によつて適宜選択されて採用されるが、所望
する特性を有する光導電部材を製造する為の作製
条件の制御が比較的容易である、シリコン原子と
共に炭素原子を作製する第二の非晶質（）中に
導入するのが容易に行える等の利点からスパツタ
ーリング法或いはエレクトロンビーム法、イオン
プレーテイング法が好適に採用される。 スパツターリング法によつて第二の非晶質層
（）を形成するには、単結晶又は多結晶のSiウ
エーハーとＣウエーハー、又はSiとＣが混合され
て含有されているウエーハーをターゲツトとし
て、これ等を種々のガス雰囲気中でスパツターリ
ングすることによつて行えば良い。 例えば、Siウエーハー及びＣウエーハーをター
ゲツトとして使用する場合には、He，Ne，Ar
等のスパツターリング用のガスを、スパツター用
の堆積室中に導入してガスプラズマを形成し、前
記Siウエーハー及びＣウエーハーをスパツタリー
ングすればよい。 又、別には、SiとＣの混合した一枚のターゲツ
トを使用することによつて、スパツターリング用
のガスを装置系内に導入し、そのガス雰囲気中で
スパツターリングすることによつて成される。エ
レクトロンビーム法を用いる場合には２個の蒸着
ボート内に各々、単結晶又は多結晶の高純度シリ
コン及び高純度グラフアイトを入れ、各々独立に
エレクトロンビームによつて同時蒸着するか、又
は同一蒸着ボート内に所望の混合比にして入れた
シリコン及びグラフアイトを単一のエレクトロン
ビームによつて蒸着すればよい。第二の非晶質層
（）中に含有有されるシリコンと炭素の含有比
は前者の場合、エレクトロンビームの加速電圧を
シリコンとグラフアイトに対して変化させること
によつて制御し、後者の場合は、あらかじめシリ
コンとグラフトの混合量を定めることによつて制
御する。イオンブレーテイング法を用いる場合は
蒸着槽内に種々のガスを導入しあらかじめ槽の周
囲にまいたコイルに高周波電界に印加してグロー
をおこした状態でエレクトロンビーム法を利用し
てSi及びＣを蒸着すればよい。 本発明に於ける第二の非晶質層（）は、その
要求される特性が所望通りに与えられる様に注意
深く形成される。 即ち、Si，Ｃ，を構成原子とする物質は、その
作成条件によつて構造的には結晶からアモルフア
スまでの形態を取り、電気物性的には導電性から
半導体性、絶縁性までの間の性質を、又光導電的
性質から非光導電的性質までの間の性質を、各々
示すので、本発明に於いては、目的に応じた所望
の特性を有するａ−Si_xC_1-xが形成される様に、
所望に従つてその作成条件の選択が厳密に成され
る。 例えば、第二の非晶質層（）を耐圧性の向上
を主な目的として設けるにはａ−Si_xC_1-xは使用
環境に於いて電気絶縁性的挙動の顕著な非晶質材
料として作成される。 又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上
を主たる目的として第二の非晶質層（）が設け
られる場合には、上記の電気絶縁性の度合はある
程度緩和され、照射される光に対してある程度の
感度を有する非晶質材料としてａ−Si_xC_1-xが作
成される。 第一の非晶質層（）の表面にａ−Si_xC_1-xか
ら成る第二の非晶質層（）を形成する際、層形
成中の支持体温度は、形成される層の構造及び特
性を左右する重要な因子であつて、本発明に於い
ては、目的とする特性を有するａ−Si_xC_1-xが所
望通りに作成され得る様に層作成時の支持体温度
が厳密に制御されるのが望ましい。 本発明に於ける目的が効果的に達成される為の
第二の非晶質層（）を形成する際の支持体温度
としては、第二の非晶質層（）の形成法に併せ
て適宜最適範囲が選択されて、第二の非晶質層
（）の形成が行われるが、好適には20〜300℃、
最適には20〜250℃とされるのが望ましいのであ
る。 第二の非晶質層（）の形成には、層を構成す
る原子の組成比の微妙な制御や層厚の制御が他の
方法に較べて比較的容易である事等の為に、スパ
ツターリング法やエレクトロンビーム法の採用が
有利であるが、これ等の層形成法で第二の非晶質
層（）を形成する場合には、前記の支持体温度
と同様に層形成の際の放電パワーが作成されるａ
−Si_xC_1-xの特性を左右する重要な因子の１つと
して挙げることが出来る。 本発明に於ける目的が達成される為の特性を有
するａ−Si_xC_1-xが生産性良く効果的に作成され
る為の放電パワー条件としては、好適には50W−
250W，最適には80W〜150Wとされるのが望まし
い。 本発明に於いては、第二の非晶質層（）を作
成する為の支持体温度、放電パワーの望ましい数
値範囲として前記した範囲の値が挙げられるが、
これ等の層作成フアクターは、独立的に別々に決
められるものではなく、所望特性のａ−Si_xC_1-x
から成る第二の非晶質層（）が形成される様に
相互的有機的関連性に基づいて各層作成フアクタ
ーの最適値が決められるのが望ましい。 本発明の光導電部材に於ける第二の非晶質層
（）に含有される炭素原子の量は、第二の非晶
質層（）の作製条件と同様本発明の目的を達成
する所望の特性が得られる層が形成される重要な
因子である。 本発明に於ける第二の非晶質層（）に含有さ
れる炭素原子の量は、シリコン原子と炭素原子の
和に対して通常としては、１×10^-3〜90atomic
％、好適には１〜80atomi％、最適には10〜
75atomic％とされるのが望ましいものである。
即ち、先のａ−Si_xC_1-xのｘの表示で行えば、ｘ
が通常は0.1〜0.99999、好適には0.2〜0.99、最適
には0.25〜0.9である。 本発明に於ける第二の非晶質層（）の層厚の
数値範囲は、本発明の目的を効果的に達成する様
に所期の目的に応じて適宜所望に従つて決められ
る。 又、第二の非晶質層（）の層厚は、該層
（）中に含有される炭素原子の量や第一の非晶
質層（）の層厚との関係に於いても、各々の層
領域に要求される特性に応じた有機的な関連性の
下に所望に従つて適宜決定される必要がある。 更に加え得るに、生産性や最産性を加味した経
済性の点に於いても考慮されるのが望ましい。 本発明に於ける第二の非晶質層（）の層厚と
しては、通常0.003〜30μ、好適には0.004〜20μ、
最適には0.005〜10μとされるのが望ましいもので
ある。 本発明において使用される支持体としては、導
電性でも電気絶縁性であつても良い。導電性支持
体としては、例えば、NiCr，ステンレス，Al，
Cr，Mo，Au，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，Pd等の
金属又はこれ等の合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル，ポ
リエチレン，ポリカーボネート，セルローズアセ
テート，ポリプロピレン，ポリ塩化ビニル，ポリ
塩化ビニリデン，ポリスチレン，ポリアミド等の
合成樹脂のフイルム又はシート，ガラス，セラミ
ツクス，紙等が通常使用される。これ等の電気絶
縁性支持体は、好適には少なくともその一方の表
面を導電処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面に、NiCr，
Al，Cr，Mo，Au，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，
Pd，In₂O₃，SnO₂，ITO（In₂O₃＋SnO₂）等から
成る薄膜を設けることによつて導電性が付与さ
れ、或いはポリエステルフイルム等の合成樹脂フ
イルムであれば、NiCr，Al，Ag，Pb，Zn，Ni，
Au，Cr，Mo，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt等の金
属の薄膜を真空蒸着，電子ビーム蒸着，スパツタ
リング等でその表面に設け、又は前記金属でその
表面をラミネート処理して、その表面に導電性が
付与される。支持体の形状としては、円筒状，ベ
ルト状，板状等任意の形状とし得、所望によつ
て、その形状は決定されるが、例えば、第１図の
光導電部材１００を電子写真用像形成部材として
使用するのであれば連続高速複写の場合には、無
端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持
体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成される
様に適宜決定されるが、光導電部材として可撓性
が要求される場合には、支持体としての機能が充
分発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされ
る。而乍ら、この様な場合支持体の製造上及び取
扱い上、機械的強度等の点から、通常は、10μ以
上とされる。 第２図には、本発明の光導電部材の他の好適な
実施態様例の層構成が示される。 第２図に示される光導電部材２００が、第１図
に示される光導電部材１００と異なるところは、
電荷注入防止層２０３と光導電性を示す非晶質層
２０５との間に上部補助層２０４を有することで
ある。 即ち、光導電部材２００は、支持体２０１，該
支持体２０１上に順に積層された、下部補助層２
０２，電荷注入防止層２０３，上部補助層２０
４，第一の非晶質層（）２０５及び第二の非晶
質層（）２０６とを具備し、非晶質層（）２
０６は自由表面２０７を有する。上部補助層２０
４は、電荷注入防止層２０３と非晶層（）２０
５との間の密着も強固にし、両層の接触界面に於
ける電気的接触を均一にしていると同時に、電荷
注入防止層２０３の上に互に設けることによつて
電荷注入防止層２０３の層質な強靭なものとして
いる。 第２図に示される光導電部材２００を構成する
下部補助層２０２及び上部補助層２０４は、第１
図に示した光導電部材１００を構成する補助層１
０２の場合と同様の非晶質材料を使用して、同様
の特性が与えられる様に同様な層作手順と条件に
よつて形成される。電荷注入防止層２０３及び非
晶質層（）２０５，非晶質層（）も、夫々、
第１図に示す電荷注入防止層１０３及び非晶質層
（）１０４，非晶質層（）１０５と同様の特
性及び機能を有し、第１図の場合と同様な層作成
手順と条件によつて形成される。 次に第３図に示す真空堆積装置によつて作成さ
れる光導電部材製造方法について説明する。 図中の３０２〜３０６の各ガスボンベには、本
発明の夫々の層を形成するために使用されるガス
が密封されており、その１例としてたとえばボン
ベ３０２には、Heで稀釈されたSiH₄ガス（純度
99.999％，以下SiH₄／Heと略す。）が、ボンベ３
０３にはHeで稀釈されたPH₃ガス（純度99.999
％，以下PH₃／Heと略す。）がボンベ３０４には
Heで稀釈されたSiF₄ガス（純度99.999％，以下
SiF₄／Heと略す。）が、ボンベ３０５にはNH₃
ガス（純度99.999％）が、ボンベ３０６にはAr
ガス（純度99.999％）が、夫々充填されている。
これ等のボンベ中に充填されるガスの種類は、形
成される層の種類に併せて、適宜代えることは云
うまでもない。 これらのガスを反応室３０１に流入させるには
ガスボンベ３０２〜３０６の各バルブ３２２〜３
２６，リークバルブ３３５が閉じられていること
を確認し、又、流入バルブ３１２〜３１６、流出
バルブ３１７〜３２１、補助バルブ３３２が開か
れていることを確認して先づメインンバルブ３３
４を開いて反応室３０１、及びガス配管内を排気
する。次に真空計３３６の読みが約５×10^-6torr
になつた時点で補助バルブ３３２、流出バルブ３
１７〜３２１を閉じる。その後、反応室３０１内
に導入すべきガスのボンベに接続されているガス
配管のバルブを所定通り操作して、所望するガス
を反応室３０１内に導入する。 次に、第１図に示す構成の光導電部材を作成す
る場合の一例の概要を述べる。 ガスボンベ３０２よりSiH₄／Heガスを、ガス
ボンベ３０５よりNH₃ガスを夫々、バルブ３２
２，３２５を開いて出口圧ゲージ３２７，３３０
の圧が夫々１Kg／cm²になる様に調整し、次いで流
入バルブ３１２，３１５を夫々徐々に開けて、マ
スフローコントローラ３０７，３１０内に夫々流
入させる。引き続いて流出バルブ３１７，３２
０、補助バルブ３３２を徐々に開いて夫々のガス
を反応室３０１内に流入させる。この時、
SiH₄／Heガス流量とNH₃ガス流量との比が所望
の値になる様に流出バルブ３１７，３２０の開口
を調整し、又、反応室３０１内の圧力が所望の値
になる様に真空計３３６の読みを見ながらメイン
バルブ３３４の開口を調整する。 そして、支持体３３７の温度が加熱ヒータ３３
８により50〜400℃の範囲の温度に設定されてい
ることを確認された後、電源３４０を所望の電力
に設定して反応室３０１内にグロー放電を生起さ
せ、所望時間このグロー放電を維持して、所望層
厚の補助層を支持体上に作成する。 補助層上に電荷注入防止層を作成するには、例
えば、次の様に成される。 補助層の形成終了後、電源３４０をOFFにし
て放電を中止し一旦、装置のガス導入用の配管の
全系のバルブを閉じ、反応室３０１内に残存する
ガスを反応室３０１外に排出して所定の真空度に
する。 その後、ガスボンベ３０２よりSiH₄／Heガス
を、ガスボンベ３０３よりPH₃／Heガスを、
夫々バルブ３２２，３２３を開いて出口圧ゲージ
３２７，３２８の圧を夫々１Kg／cm²に調整し、流
入バルブ３１２，３１３を夫々徐々に開けて、マ
スフロコントローラ３０７，３０８内に夫々流入
させる。引き続いて流出バルブ３１７，３１８、
補助バルブ３３２を徐々に開いて夫々のガスを反
応室３０１に流入させる。このときのSiH₄／He
ガス流量とPH₃／Heガス流量との比が所望の値
になるように流出バルブ３１７，３１８を調整
し、又、反応室３０１内の圧力が所望の値になる
ように真空計３３６の読みを見ながらメインバル
ブ３３４の開口を調整する。そして支持体３３７
の温度が加熱ヒーター３３８により50〜400℃の
範囲の温度に設定されていることを確認された
後、電源３４０を所望の電力に設定して反応室３
０１内にグロー放電を生起させ、所定時間、グロ
ー放電を維持して、所望層厚の電荷注入防止層を
補助層上に形成する。 第一の非晶質層（）の形成は、例えば、ボン
ベ３０２内に充填されているSiH₄／Heガスを使
用し、前記した補助層や電荷注入防止層の場合と
同様の手順によつて行うことが出来る。 第一の非晶質層（）の形成の際に使用する原
料ガス種としては、SiH₄／Heガの他に、殊に
Si₂H₆／Heガスが層形成速度の向上を計る為に有
効である。 第一の非晶質層（）上に第二の非晶質層
（）を形成するには、例えば、次の様に行う。
まずシヤツター３４２を開く。すべてのガス供給
バルブは一旦閉じられ、反応室３０１は、メイン
バルブ３３４を全開することにより、排気され
る。 高圧電力が印加される電極３４１上には、予め
高純度のシリコンウエハー３４２−１，及び高純
度グラフアイトウエハー３４２−２が所望の面積
比率で設置されているターゲツトが設けられてい
る。ガスボンベ３０６より、Arガスを、反応室
３０１内に導入し、反応室３０１の内圧が0.05〜
1Torrとなるようにメインバルブ３３４を調節す
る。高圧電源３４０をONとし前期ターゲツトを
スパツタリングすることにより、第一の非晶質層
（）上に第二の非晶質層（）を形成すること
が出来る。 補助層、電荷注入防止層、第一の非晶質層
（）中にハロゲン原子（Ｘ）を含有させる場合
には、前記した各層を形成する為に使用されるガ
スに、例えばSiF₄／Heを更に付加して反応室３
０１内に送り込むことによつて成される。 実施例 １ 第３図に示した製造装置により、アルミニウム
基板上に、以下の条件で層形成を行つた。こうし
て得られた像形成部材を帯電露光現像装置に設置
し、5kVで0.2sec間コロナ帯電を行い、直ちに
光像を照射した。光源はタングステンランプを用
い、1.0lux・secの光量を、透過型のテストチヤ
ートを用いて照射した。 その後直ちに荷電性の現像剤（トナーとキヤ
リアを含む）を部材表面をカスケードすることに
よつて、部材表面上に良好なトナー画像を得た。 このようにして得られたトナー像を、一旦ゴム
ブレードでクリーニングし、再び上記作像クリー
ニング工程を繰り返した。繰り返し回数15万回以
上行つても、画像の劣化は見られなかつた。

【表】 実施例 ２ 第３図に示した製造装置により、Al基板上に
以下の条件で層形成を行つた。 その他の条件は実施例１と同様にして行つた。 こうして得られた像形成部材を帯電露光現像装
置に設置し、5kVで0.2sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した。光源はタングステン
ランプを用い、1.0lux・secの光量を透過型のテ
ストチヤートを用いて照射した。 その後直ちに荷電性の現像剤（トナーとキヤ
リアを含む）を部材表面をカスケードすることに
よつて、部材表面上に良好なトナー画像を得た。 このようにして得られたトナー像を一旦ゴムブ
レードでクリーニングし、再び上記作像、クリー
ニング工程を繰り返した。繰り返し回数10万回以
上行つても画像の劣化は見られなかつた。

【表】

【表】 実施例 ３ 第３図に示した装置により、Al基板上に以下
の条件で層形成を行つた。 その他の条件は、実施例１と同様にして行つ
た。 こうして得られた像形成部材を帯電露光現像装
置に設置し、5kVで0.2sec間コロナ放電を行
い、直ちに光像を照射した。光源はタングステン
ランプを用い、1.0lux・secの光量を透過型のテ
ストチヤートを用いて照射した。 その後直ちに荷電性の現像剤（トナーとキヤ
リヤを含む）を部材表面をカスケードすることに
よつて、部材表面上に濃度の極めて高い良好なト
ナー画像を得た。 このようにして得られたトナー像を一旦ゴムブ
レードでクリーニングし、再び上記作像、クリー
ニング工程を繰り返した。繰り返し回数15万回以
上行つても、画像の劣化は見られなかつた。

【表】 実施例 ４ 非晶質層（）の形成時、シリコンウエハとグ
ラフアイトの面積比を変えて、第二の非晶質層
（）に於けるシリコン原子と炭素原子の含有量
比を変化させること以外は、実施例１と全く同様
な方法によつて像形成部材を作成した。こうして
得られた像形成部材につき、実施例１に述べた如
き、作像、現像、クリーニングの工程を約５万回
繰り返した後画像評価を行つたところ、第４表の
如き結果を得た。

【表】 ◎：非常に良好 ○：良好 △：実用に充分耐える
×：画像欠陥を生ずる
実施例 ５ 非晶質層（）の層厚を変える以外は、実施例
１と全く同様な方法によつて像形成部材を作成し
た。実施例１に述べた如き、作像、現像、クリー
ニングの工程を繰り返し下記の結果を得た。

【表】 実施例 ６ 非晶質層（）以外の層の形成方法を下表の如
く変える以外は、実施例１と同様な方法で像形成
部材を作成し、実施例１と同様な方法で評価を行
つたところ良好な結果が得られた。

【表】 実施例 ７ 非晶質層（）以外の層の形成方法を下表の如
く変える以外は、実施例１と同様な方法で像形成
部材を作成し、実施例１と同様な方法で評価を行
つたところ、良好な結果が得られた。

【表】 実施例 ８ 実施例１，２，３，６，７に於いて、非晶質層
（）の形成を以下の表の条件にした以外は、各
実施例に於ける条件及び手順に従つてて像形成部
材を作成し、各実施例に於けるのと同様の評価を
行つたところ、良好な結果が得られた。

【表】 【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は、夫々本発明の光導電部材
の好適な実施態様例の層構造を模式的に示した模
式的層構成図、第３図は、本発明の光導電部材を
製造する為の装置の一例を示す模式的説明図であ
る。 １００，２００……光導電部材、１０１，２０
１……支持体、１０２，２０２，２０４……補助
層、１０４，２０５……第一の非晶質層（）、
１０５，２０６……第二の非晶質層（）、１０
６，２０７……自由表面。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 光導電部材用の支持体と、シリコン原子を母
   体とし、構成原子として25atomic％未満の窒素
   原子と、水素原子とを含有する非晶質材料で構成
   された補助層と、シリコン原子を母体とし、周期
   律表第族に属する原子を構成原子として含有す
   る非晶質材料で構成された、層厚0.3〜5μの電荷
   注入防止層と、シリコン原子を母体とする非晶質
   材料で構成され、光導電性を示す第一の非晶質層
   と、該第一の非晶質層上に、シリコン原子と炭素
   原子とを構成原子として含む非晶質材料で構成さ
   れた第二の非晶質層を有する事を特徴とする光導
   電部材。