JPH0410628B2 - - Google Patents
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- JPH0410628B2 JPH0410628B2 JP57031938A JP3193882A JPH0410628B2 JP H0410628 B2 JPH0410628 B2 JP H0410628B2 JP 57031938 A JP57031938 A JP 57031938A JP 3193882 A JP3193882 A JP 3193882A JP H0410628 B2 JPH0410628 B2 JP H0410628B2
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- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
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- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
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Description
本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）
の様な電磁波に感受性のある光導電部材に関す
る。 固体撮像装置、或いは像形成分野における電子
写真用像形成部材や原稿読取装置における光導電
層を形成する光導電材料としては、高感度で、
SN比〔光電流（Ip）／暗電流（Id）〕が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性にマツチングした
吸収スペクトル特性を有すること、光応答性が速
く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時におい
て人体に対して無公害であること、更には固体撮
像装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。
殊に、事務機としてオフイスで使用される電子写
真装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の場
合には、上記の使用時における無公害性は重要な
点である。 この様な点に立脚して最近注目されている光導
電材料にアモルフアスシリコン（以後ａ−Siと表
記す）があり、例えば、独国公開第2746967号公
報、同第2855718号公報には電子写真用像形成部
材として、独国公開第2933411号公報には光電変
換読取装置への応用が記載されている。 而乍ら、従来のａ−Siで構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答
性等の電気的、光学的、光導電的特性、及び使用
環境特性の点、更には経時的安定性及び耐久性の
点において、各々、個々には特性の向上が計られ
ているが総合的な特性向上を計る上で更に改良さ
れる余地が存するのが実情である。 例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合
に、高光感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとす
ると従来においてはその使用時において残留電位
が残る場合が度々観測され、この種の光導電部材
は長時間繰返し使用し続けると、繰返し使用によ
る疲労の蓄積が起つて、残像が生ずる所謂ゴース
ト現像を発する様になる等の不都合な点が少なく
なかつた。 又、ａ−Si材料で光導電層を構成する場合に
は、その電気的、光導電的特性の改良を計るため
に、水素原子或いは弗素原子や塩素原子等のハロ
ゲン原子、及び電気伝導型の制御のために硼素原
子や燐原子等が或いはその他の特性改良のために
他の原子が、各々構成原子として光導電層中に含
有されるが、これ等の構成原子の含有の仕方如何
によつては、形成した層の電気的或いは光導電的
特性や耐圧性に問題が生ずる場合があつた。 即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射に
よつて発生したフオトキヤリアの該層中での寿命
が充分でないことや暗部において、支持体側より
の電荷の注入の阻止が充分でないこと、或いは、
転写紙に転写された画像に俗に「白ヌケ」と呼ば
れる、局所的な放電破壊現象によると思われる画
像欠陥や、例えば、クリーニングに、ブレードを
用いるとその摺擦によると思われる、俗に「白ス
ジ」と云われている所謂画像欠陥が生じたりして
いた。又、多湿雰囲気中で使用したり、或いは多
湿雰囲気中に長時間放置した直後に使用すると俗
に云う画像のボケが生ずる場合が少なくなかつ
た。 更には、層厚が十数μ以上になると層形成用の
真空堆積室より取り出した後、空気中での放置時
間の経過と共に、支持体表面からの層の浮きや剥
離、或いは層に亀裂が生ずる等の現象を引起し勝
ちになる。この現象は、殊に支持体が通常、電子
写真分野に於いて使用されているドラム状支持体
の場合に多く起る等、経時的安定性の点に於いて
解決される可き点がある。 従つてａ−Si材料そのものの特性改良が計られ
る一方で光導電部材を設計する際に、上記した様
な問題の総てが解決される様に工夫される必要が
ある。 本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ
−Siに就て電子写真用像形成部材や固体撮像装
置、読取装置等に使用される光導電部材としての
適用性とその応用性という観点から総括的に鋭意
研究検討を続けた結果、シリコン原子を母体と
し、水素原子(H)又はハロゲン原子（Ｘ）のいずれ
か一方を少なくとも含有するアモルフアス材料、
所謂水素化アモルフアスシリコン、ハロゲン化ア
モルフアスシリコン、或いはハロゲン含有水素化
アモルフアスシリコン〔以後これ等の総称的表記
として「ａ−Si（Ｈ、Ｘ）」を使用する〕から構成
される光導電層を有する光導電部材の層構成を以
後に説明される様な特定化の下に設計されて作成
された光導電部材は実用上著しく優れた特性を示
すばかりでなく、従来の光導電部材と較べてみて
もあらゆる点において凌駕していること、殊に電
子写真用の光導電部材として著しく優れた特性を
有していることを見出した点に基づいている。 本発明は電気的、光学的、光導電的特性が使用
環境に殆んど依存なく実質的に常時安定してお
り、耐光疲労に著しく長け、繰返し使用に際して
も劣化現象を起さず耐久性、耐湿性に優れ、残留
電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を
提供することを主たる目的とする。 本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層
と支持体との間や積層される層の各層間に於ける
密着性に優れ、構造配列的に緻密で安定的であ
り、層品質の高い光導電部材を提供することであ
る。 本発明の他の目的は、電子写真用像形成部材と
して適用させた場合、静電像形成のための帯電処
理の際の電荷保持能力が充分あり、通常の電子写
真法が極めて有効に適用され得る優れた電子写真
特性を有する光導電部材を提供することである。 本発明の更に他の目的は、長期の使用に於いて
画像欠陥や画像のボケが全くなく、濃度が高く、
ハーフトーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高
品質画像を得ることが容易にできる電子写真用の
光導電部材を提供することである。 本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、
高SN比特性及び高耐圧性を有する光導電部材を
提供することでもある。 本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体
と、シリコン原子を母体とし、構成原子としてハ
ロゲン原子30atomic％未満の窒素原子を含有す
る非晶質材料で構成された補助層と、シリコン原
子を母体とし、周期律表第族に属する原子を構
成原子として含有する非晶質材料で構成された、
層厚0.3〜5μの電荷注入防止層と、シリコン原子
を母体とする非晶質材料で構成され、光導電性を
示す第一の非晶質層と、前記第一の非晶質層上
に、シリコン原子と炭素原子とを構成原子として
含む非晶質材料で構成された第二の非晶質層を有
する事を特徴とする。 上記した様な層構成を取る様にして設計された
本発明の光導電部材は、前記した諸問題の総てを
解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電
的特性、耐圧性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用像形成部材として適用させた
場合には、画像形成への残留電位の影響が全くな
く、その電気的特性が安定しており高感度で、高
SN比を有するものであつて、耐光疲労、繰返し
使用特性に長け、濃度が高く、ハーフトーンが鮮
明に出て、且つ解像度の高い、高品質の画像を安
定して繰返し得ることができる。 又、本発明の光導電部材は支持体上に形成され
る非晶質層が、層自体が強靭であつて、且つ支持
体との密着性に著しく優れており、高速で長時間
連続的に繰返し使用することが出来る。 以下、図面に従つて、本発明の光導電部材に就
て詳細に説明する。 第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電
部材の層構成を説明するために模式的に示した模
式的構成図である。 第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材
用としての支持体１０１の上に、シリコン原子を
母体とし、構成原子としてハロゲン原子と、窒素
原子を30atomic％未満含む非晶質材料で構成さ
れた補助層１０２、電荷注入防止層１０３、光導
電性を有する第一の非晶質層（）１０４、第二
の非晶質層（）１０５とを具備し、非晶質層
（）１０５は自由表面１０６を有している。 補助層１０２は、主に、支持体１０１と電荷注
入防止層１０３との間の密着性を計る目的の為に
設けられ、支持体１０１と電荷注入防止層１０３
の両方と親和性がある様に、後述する特性を有す
る材質で構成される。 電荷注入防止層１０３は、自由表面１０６が帯
電される際に支持体１０１側より第一の非晶質層
（）１０４中へ電荷が注入れるのを効果的に防
止する機能を主に有する。 第一の非晶質層（）１０４は、該層（）１
０４に感受性の光の照射を受けて該層（）１０
４中でフオトキヤリアを発生し、所定方向に該フ
オトキヤリアを輸送する機能を有する。 本発明に於ける補助層は、シリコン原子（Si）
を母体とし、構成原子として、窒素原子（Ｎ）と
ハロゲン原子（Ｘ）と、必要に応じて水素原子(H)
とを含有し、窒素原子（Ｎ）の含有量C(N)が
30atomic％未満である非晶質材料（以後、「ａ−
（SiaN1-a）ｂ（Ｈ、Ｘ）1-b」と記す。但し、0.6＜
ａ、0.8≦ｂ）で構成される。 ａ−（SiaN1-a）ｂ（Ｈ、Ｘ）1-bで構成される補
助層の形成はグロー放電法、スパツターリング
法、イオンインプランテーシヨン法、イオンプレ
ーテイング法、エレクトロンビーム法等によつて
成される。これ等の製造法は、製造条件、設備資
本投下の負荷程度、製造規模、作成される光導電
部材に所望される特性等の要因によつて適宜選択
されて採用されるが、所望する特性を有する光導
電部材を製造する為の作製条件の制御が比較的容
易である。シリコン原子と共に窒素原子及びハロ
ゲン原子を、作製する補助層中に導入するのが容
易に行える等の利点からグロー放電法或いはスパ
ツターリング法が好適に採用される。 更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパ
ツターリング法とを同一装置系内で併用して補助
層を形成しても良い。 グロー放電法によつて補助層を形成するにはａ
−（SiaN1-a）ｂ（Ｈ、Ｘ）1-b形成用の原料ガスを、
必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合比で混合し
て、支持体の設置してある真空堆積用の堆積室に
導入し、導入されたガス雰囲気中に、グロー放電
を生起させることでガスプラズマ化して前記支持
体上にａ−（SiaN1-a）ｂ（Ｈ、Ｘ）1-bを堆積させ
ればよい。 本発明に於いてａ−（SiaN1-a）ｂ（Ｈ、Ｘ）1-b
形成用の原料ガスとしては、Si、Ｎ、Ｘの中の少
なくとも１つを構成原子とするガス状の物質又は
ガス化し得る物質をガス化したものの中の大概の
ものが使用され得る。 Si、Ｎ、Ｘの中の１つとしてSiを構成原子とす
る原料ガスを使用する場合は、例えばSiを構成原
子とする原料ガスと、Ｎを構成原子とする原料ガ
スと、Ｘを構成原子とする原料ガスとを所望の混
合比で混合して使用するか、又は、Siを構成原子
とする原料ガスと、Ｎ及びＸを構成原子とする原
料ガスとを、これも又所望の混合比で混合して使
用することが出来る。 又、別には、SiとＸとを構成原子とする原料ガ
スにＮを構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良い。 本発明に於いて、ハロゲン原子Ｘとして好適な
のはＦ、Cl、Br、Ｉであり、殊にＦ、Clが望ま
しいものである。 本発明に於いて補助層は、シリコン原子と窒素
原子とハロゲン原子とを含む非晶質材料で構成さ
れるものであるが、前述した様に補助層には更に
水素原子を含有させることが出来る。 補助層への水素原子の含有は、電荷注入防止層
や非晶質層との連続層形成の際に原料ガス種の一
部共通化を計ることが出来るので生産コスト面の
上で好都合である。 本発明に於いて、補助層を形成するのに有効に
使用される原料ガスと成り得る出発物質として
は、常温常圧に於いてガス状態のもの又は容易に
ガス化し得る物質を挙げることが出来る。 この様な補助層形成用の出発物質としては、例
えば、窒素、窒化物、弗素化窒素及びアジ化物等
の窒素化合物、ハロゲン単体、ハロゲン化水素、
ハロゲン間化合物、ハロゲン化硅素、ハロゲン置
換水素化硅素、水素化硅素等を挙げる事が出来
る。 具体的には、窒素（N2）、窒素化合物としては
アンモニア（NH3）、ヒドラジン（H2NNH2）、
三弗化窒素（F3N），四弗化窒素（F4N2）、アジ
化水素（HN3）、アジ化アンモニウム（NH4N3）
等、ハロゲン単体としては、フツ素、塩素、臭
素、ヨウ素のハロゲンガス、ハロゲン化水素とし
ては、FH、HI、HCl、HBr、ハロゲン化合物と
しては、BrF、ClF、ClF3、ClF5、BrF5、BrF3、
IF7、IF5、ICl、IBr、ハロゲン化硅素としては
SiF4、Si2F6、SiCl4、SiCl3Br、SiCl2Br2、
SiClBr3、SiCl3I、SiBr4、ハロゲン置換水素化硅
素としては、SiH2F2、SiH2Cl2、SiHCl3、
SiH3Cl、SiH3Br、SiH2Br2、SiHBr3、水素化硅
素としては、SiH4、Si2H6、Si3H8、Si4H10等の
シラン（Silane）類、等々を挙げることが出来
る。 これ等の補助層形成用の出発物質は、形成され
る補助層中に、所定の組成比でシリコン原子、窒
素原子及びハロゲン原子と、必要に応じて水素原
子とが含有される様に、補助層形成の際に所望に
従つて選択されて使用される。 例えば、シリコン原子と水素原子との含有が容
易に成し得て且つ所望の特性の補助層が形成され
得るSiH4やSi2H6と窒素原子を含有させるものと
してのN2又はNH3とハロゲン原子を含有させる
ものとしてのSiF4、SiH2F2、SiHCl3、SiCl4、
SiH2Cl2、或いはSiH3Cl等を所定の混合比でガス
状態で補助層形成用の装置系内に導入してグロー
放電を生起させることによつて補助層を形成する
ことが出来る。 或いは、形成される補助層にシリコン原子とハ
ロゲン原子とを含有させることが出来るSiF4等と
窒素原子を含有させるものとしてのN2等を所定
の混合比で、必要に応じてHe、Ne、Ar等の稀
ガスと共に中間層形成用の装置系内に導入してグ
ロー放電を生起させて、補助層を形成することも
出来る。 スパツターリング法によつて補助層を形成する
には、高純度単結晶又は多結晶のSiウエーハー又
はSi3N4ウエーハー又はSiとSi3N4が混合されて
形成されたウエーハーをターゲツトとして、これ
等をハロゲン原子と必要に応じて水素原子を構成
要素として含む種々のガス雰囲気中でスパツター
リングすることによつて行なえば良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、ＮとＸを導入する為の原料ガスを、必要
に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツター用の堆
積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマを
形成して前記Siウエーハーをスパツターリングす
れば良い。 又、別には、SiとSi3N4とは別々のターゲツト
として、又はSiとSi3N4の混合して形成した一枚
のターゲツトを使用することによつて、少なくと
もハロゲン原子を含有するガス雰囲気中でスパツ
ターリングすることによつて成される。Ｎ及び
Ｘ、必要に応じてＨの導入用の原料ガスとなる物
質としては先述したグロー放電の例で示した補助
層形成用の出発物質がスパツターリング法の場合
にも有効な物質として使用させ得る。 本発明に於いて、補助層をグロー放電法又はス
パツターリング法で形成する際に使用される稀釈
ガスとしては、所謂・稀ガス、例えばHe、Ne、
Ar等が好適なものとして挙げることが出来る。 本発明の補助層を構成するａ−（SiaN1-a）b
（Ｈ、Ｘ）1-bは、補助層の機能が、支持体と電荷
注入防止層との間の密着を強固にし、加えてそれ
等の間に於ける電気的接触性を均一にするもので
あるから、補助層に要求される特性が所望通りに
与えられる様に、その作成条件の選択が厳密に成
されて注意深く形成される。 本発明の目的に適した特性を有するａ−（Sia
N1-a）b（Ｈ、Ｘ）1-bが作成される為の作成条件の
中の重要な要素として、作成時の支持体温度を挙
げる事が出来る。 即ち、支持体の表面にａ−（SiaN1-a）b（Ｈ、
Ｘ）1-bから成る補助層を形成する際、層形成中の
支持体温度は、形成される層の構造及び特性を左
右する重要な因子であつて、本発明に於いては、
目的とする特性を有するａ−（SiaN1-a）b（Ｈ、
Ｘ）1-bが所望通りに作成され得る様に層作成時の
支持体温度が厳密に制御される。 本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成さ
れる為の補助層を形成する際の支持体温度として
は、補助層の形成法に併せて適宜最適範囲が選択
されて、補助層の形成が実行されるが、通常の場
合、50〜350℃、好適には100〜250℃とされるの
が望ましいものである。補助層の形成には、同一
系内で補助層から電荷注入防止層、非晶質層、更
には必要に応じて非晶質層上に形成される他の層
まで連続的に形成することが出来る事、各層を構
成する原子の組成比の微妙な制御や層厚の制御が
他の方法に較べて比較的容易である事等の為に、
グロー放電法やスパツターリング法の採用が有利
であるが、これ等の層形成法で補助層を形成する
場合には、前記の支持体温度と同様に層形成の際
の放電パワー及びガス圧が作成されるａ−（Sia
N(1-a）b（Ｈ、Ｘ）1-bの特性を左右する重要な因子
として挙げることが出来る。 本発明に於ける目的が達成される為の特性を有
するａ−（SiaN1-ab（Ｈ、Ｘ）1-bが生産性良く効
果的に作成される為の放電パワー条件としては、
通常１〜300W、好適には２〜100Wである。 堆積室内のガス圧はグロー放電法にて層形成を
行う場合に於いて通常0.01〜5Torr、好適には、
0.1〜0.5Torr程度に、スパツターリング法にて層
形成を行う場合に於いては、通常１×10-3〜５×
10-2Torr、好適には８×10-3〜３×10-2Torr程
度とされるのが望ましい。 本発明の光導電部材に於ける補助層に含有され
る窒素原子及びハロゲン原子の量は、補助層の作
製条件と同様本発明の目的を達成する所望の特性
が得られる補助層が形成される為の重要な因子で
ある。 本発明に於ける補助層に含有される窒素原子の
量C(N)は、通常は、前記した値の範囲とされる
が、atomic％で表示すれば、好適には１×10-3
≦C(N)＜30、より好ましくは、１≦C(N)＜30、最
適には10≦C(N)＜30とされるのが望ましい。 又、ハロゲン原子（Ｘ）の量としては、好適に
は１〜20atomic％、最適には２〜15atomic％と
されるのが望ましく、水素原子(H)が含まれる場合
には、その量は、好適には19atomic％以下、最
適には13atomic％以下とされるのが望ましい。 ａ−（SiaN1-a）ｂ（Ｈ、Ｘ）1-bに於けるａ−ｂ
の表示で示せば、ａの値としては、好適には0.6
＜ａ≦0.99999、より好ましくは、0.6＜ａ≦0.99、
最適には0.6＜ａ≦0.9、ｂの値としては、好適に
は0.8≦ｂ≦0.99、より好適には0.85≦ｂ≦0.98と
されるのが望ましい。 本発明に於ける補助層の層厚の数値範囲は本発
明の目的を効果的に達成する様に所望に従つて適
宜決定される。 本発明の目的を効果的に達成する為の補助層の
層厚としては、通常の場合、30Å〜2μ、好適に
は40Å〜1.5μ、最適には50Å〜1.5μとされるのが
望ましいものである。 本発明の光導電部材を構成する電荷注入防止層
は、シリコン原子（Si）を母体とし、周期律表第
族に属する原子（第族原子）と、好ましく
は、水素原子(H)又はハロゲン原子（Ｘ）、或いは
この両者とを構成原子とする非晶質材料（以後
「ａ−Si（Ｖ，Ｈ，Ｘ）」と記す）で構成され、そ
の層厚ｔ及び層中の第族原子の含有量C(V)は、
本発明の目的が効果的に達成される様に所望に従
つて適宜決められる。 本発明に於ける電荷注入防止層の層厚ｔとして
は、好ましくは0.3〜5μより好ましくは0.5〜2μと
されるのが望ましく、又、第族原子の含有量
C(V)としては、好ましくは１×102〜１×
105atomic ppm、より好ましくは、５×102〜１
×105atomic ppmとされるのが望ましい。 電荷注入防止層と補助層との相乗効果を得るた
めには上記範囲に各層の層厚と周期律表第族原
子または窒素原子を含有させる事が好ましい。 これは、充分な密着性を補助層に発揮させ、且
つ、充分な電荷注入の防止性を電荷注入防止層に
発揮させるために重要である。 一般的には、電荷注入防止層の厚みを薄くする
と周期律表第族原子を多くさせ、厚くした場合
は少なく含有させる事が好ましいが、本発明にお
いて補助層との密着性と電気的特性を十分に考慮
した結果、補助層の窒素原子の含有量を
30atomic％未満とし且つ電荷注入防止層の層厚
を上記した範囲とする事によつて、密着性の向上
と電荷注入防止より一層相乗効果的に達成するこ
とができるだけでなく、光導電部材に要求される
多くの特性を十分に満足させることができる事を
見出した。 本発明に於いて、電荷注入防止層中に含有され
る周期律表第族に属する原子として使用される
のは、Ｐ（燐），As（砒素），Sb（アンチモン），Bi
（ビスマス）等であり、殊に好適に用いられるの
はＰ，Asである。 本発明において、必要に応じて電荷注入防止層
中に含有されるハロゲン原子（Ｘ）としては、具
体的にはフツ素，塩素，臭素，ヨウ素が挙げら
れ、殊にフツ素，塩素を好適なものとして挙げる
ことが出来る。 ａ−Si（Ｖ，Ｈ，Ｘ）で構成される電荷注入防
止層の層形成法としてはグロー放電法，スパツタ
ーリング法，イオンインプランテーシヨン法，イ
オンプレーテイング法，エレクトロンビーム法等
が挙げられる。これ等の製造法は、製造条件，設
備資本投下の負荷程度，製造規模，作製される光
導電部材に所望される特性等の要因によつて適宜
選択されて採用されるが、所望する特性を有する
光導電部材を製造する為の作製条件の制御が比較
的容易である、シリコン原子と共に第族原子，
必要に応じて水素原子(H)やハロゲン原子（Ｘ）を
作製する電荷注入防止層中に導入するのが容易に
行える等の利点からグロー放電法或いはスパツタ
ーリング法が好適に採用される。 更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパ
ツターリング法とを同一装置系内で併用して電荷
注入防止層を形成しても良い。 例えば、グロー放電法によつて、ａ−Si（Ｖ，
Ｈ，Ｘ）で構成される電荷注入防止層を形成する
には、基本的にはシリコン原子（Si）を供給し得
るSi供給用の原料ガスと共に、第族原子を供給
し得る第族原子導入用の原料ガス、必要に応じ
て水素原子(H)導入用の又は／及びハロゲン原子
（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る
堆積室内に導入して、該堆積室内にグロー放電を
生起させ、予め所定位置に設置され、既に補助層
の設けてある所定の支持体の補助層上にａ−Si
（Ｖ，Ｈ，Ｘ）からなる層を形成させれば良い。
又、スパツタリング法で形成する場合には、例え
ばAr，He等の不活性ガス又はこれ等のガスをベ
ースとした混合ガスの雰囲気中でSiで構成された
ターゲツトをスパツタリングする際、第族原子
導入用の原料ガスを、必要に応じて水素原子(H)又
は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスと共に
スパツタリング用の堆積室に導入してやれば良
い。 本発明において電荷注入防止層を形成するのに
使用される原料ガスとなる出発物質としては、次
のものが有効なものとして挙げることが出来る。 先ず、Si供給用の原料ガスとなる出発物質とし
ては、SiH4，Si2H6，Si3H8，Si4H10等のガス状
態の又はガス化し得る水素化硅素（シラン類）が
有効に使用されるものとして挙げられ、殊に、層
作成作業の扱い易さ、Si供給効率の良さ等の点で
SiH4，Si2H6が好ましいものとして挙げられる。 これ等の出発物質を使用すれば、層形成条件を
適切に選択することによつて形成される補助層中
にSiと共にＨも導入し得る。 Si供給用の原料ガスとなる有効な出発物質とし
ては、上記の水素化硅素の他に、ハロゲン原子
（Ｘ）を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体、具体的には例えば
SiF4，Si2H6，SiCl4，SiBr4等のハロゲン化硅素
が好ましいものとして挙げることが出来る。 更には、SiH2F2，SiH2I2，SiH2Cl2，SiHCl3，
SiH2Br2，SiHBr3等のハロゲン置換水素化硅素、
等々のガス状態の或いはガス化し得る、水素原子
を構成要素の１つとするハロゲン化物も有効な電
荷注入防止層形成の為のSi供給用の出発物質とし
て挙げる事が出来る。 これ等のハロゲン原子（Ｘ）を含む硅素化合物
を使用する場合にも前述した様に、層形成条件の
適切な選択によつて形成される電荷注入防止層中
にSiと共に（Ｘ）を導入することが出来る。 上記した出発物質の中水素原子を含むハロゲン
化硅素化合物は、補助層形成の際に層中にハロゲ
ン原子（Ｘ）の導入と同時に電気的或いは光電的
特性の制御に極めて有効な水素原子(H)も導入され
るので、本発明においては好適なハロゲン原子
（Ｘ）導入用の出発物質として使用される。 本発明において補助層を形成する際に使用され
るハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスとなる有
効な出発物質としては、上記したものの他に、例
えば、フツ素，塩素，臭素，ヨウ素のハロゲンガ
ス、BrF，ClF，ClF3，BrF5，BrF3，IF3，IF7，
ICl，IBr等のハロゲン間化合物、HF，HCl，
HBr，HI等のハロゲン化水素を挙げることが出
来る。 電荷注入防止層中に第族原子を構造的に導入
するには、層形成の際に第族原子導入用の出発
物質をガス状態で堆積室中に、電荷注入防止層を
形成する為の他の出発物質と共に導入してやれば
良い。この様な第族原子導入用の出発物質と成
り得るものとしては、常温常圧でガス状の又は、
少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るも
のが採用されるのが望ましい。その様な第族原
子導入用の出発物質として、具体的には、燐原子
導入用としては、PH3，P2H4等の水素化燐、
PH4I，PF3，PF5，PCl3，PCl5，PBr3，PBr5，
PI3等のハロゲン化燐が挙げられる。 この他、AsH3，AsF3，AsCl3，AsBr3，AsF5，
SbH3，SbF3，SbF5，SbCl3，SbCl5，BiCl3，
BiH3，BiBr3等も第族原子導入用の出発物質の
有効なものとして挙げることが出来る。 本発明に於いては電荷注入防止特性を与える為
に電荷注入防止層中に含有される第族原子は、
電荷注入防止層の層厚方向に実質的に平行な面
（支持体の表面に平行な面）内及び層厚方向に於
いては、実質的に均一に分布されるのが良いもの
である。 又、スパツタリング法で電荷注入防止層を形成
する場合には、例えばAr，He等の不活性ガス又
はこれ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気
中でSiで構成されたターゲツトをスパツタリング
する際、第族原子導入用の原料ガスを、必要に
応じて水素原子(H)導入用の又は／及びハロゲン原
子（Ｘ）導入用の原料ガスと共にスパツタリング
を行う真空堆積室内に導入してやれば良い。 本発明に於いて、電荷注入防止層中に導入され
る第族原子の含有量は、堆積室中に流入される
第族原子導入用の出発物質のガス流量、ガス流
量比、放電パワー、支持体温度、堆積室内の圧力
等を制御することによつて任意に制御され得る。 本発明に於いて、電荷注入防止層をグロー放電
法又はスパツターリング法で形成する際に使用さ
れる稀釈ガスとしては、所謂、希ガス、例えば
He，Ne，Ar等が好適なものとして挙げること
が出来る。 本発明において、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成され
る非晶質層（）を形成するには例えばグロー放
電法、スパツタリング法、或いはイオンプレーテ
イング法等の放電現象を利用する真空堆積法によ
つて成される。例えば、グロー放電法によつて、
ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成される非晶質層（）を
形成するには、基本的にはシリコン原子（Si）を
供給し得るSi供給用の原料ガスと共に、水素原子
(H)導入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用
の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導
入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予
め所定位置に設置されてある所定の支持体表面上
にａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成させれば良
い。又、スパツタリング法で形成する場合には、
例えばAr，He等の不活性ガス又はこれ等のガス
をベースとした混合ガスの雰囲気中でSiで構成さ
れたターゲツトをスパツタリングする際、水素原
子(H)又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガス
をスパツタリング用の堆積室に導入してやれば良
い。 本発明において、必要に応じて非晶質層（）
中に含有されるハロゲン原子（Ｘ）としては、電
荷注入防止層の場合に挙げたのと同様のものを挙
げることが出来る。 本発明において非晶質層（）を形成する際に
使用されるSi供給用の原料ガスとしては、電荷注
入防止層に就て説明する際に挙げたSiH4，
Si2H6，Si3H8，Si4H10等のガス状態の又はガス
化し得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用さ
れるものとして挙げられ、殊に、層作成作業の扱
い易さ、Si供給率の良さ等の点でSiH4，Si2H6が
好ましいものとして挙げられる。 本発明において非晶質層（）を形成する場合
に使用されるハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て有効なのは、電荷注入防止層の場合と同様に多
くのハロゲン化合物が挙げられ、例えばハロゲン
ガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合物、ハロゲ
ンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の又は
ガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられ
る。 又、更には、シリコン原子（Si）とハロゲン原
子（Ｘ）とを構成要素とするガス状態の又はガス
化し得る、ハロゲン原子を含む硅素化合物も有効
なものとして本発明においては挙げることが出来
る。 本発明に於いては、非晶質層（）には、該層
の伝導特性を制御する物質を含有させることによ
り、該層の伝導特性を所望に従つて任意に制御す
ることが出来る。 この様な物質としては、所謂、半導体分野で云
われる不純物を挙げることが出来、本発明に於い
ては、形成される非晶質層（）を構成するａ−
Si（Ｈ，Ｘ）に対して、Ｐ型伝導特性を与えるＰ
型不純物、具体的には、周期律表第族に属する
原子（第族原子）例えば、Ｂ（硼素），Al（アル
ミニウム），Ga（ガリウム），In（インジウム），Tl
（タリウム）等があり、殊に好適に用いられるの
は、Ｂ，Gaである。 本発明に於いて、非晶質層（）に含有される
伝導特性を制御する物質の含有量は、該非晶質層
（）に要求される伝導特性、或いは該層（）
に直に接触して設けられる他の層の特性や、該他
の層との接触界面に於ける特性との関係等、有機
的関連性に於いて、適宜選択することが出来る。 本発明に於いて、非晶質層（）中に含有され
る伝導特性を制御する物質の含有量としては、通
常の場合、0.001〜1000atomic ppm、好適には
0.05〜500atomic ppm、最適には0.1〜200atomic
ppmとされるのが望ましいものである。 非晶質層中に伝導特性を制御する物質、例え
ば、第族原子を構造的に導入するには、層形成
の際に第族原子導入用の出発物質をガス状態で
堆積室中に、非晶質層を形成する為の他の出発物
質と共に導入してやれば良い。この様な第族原
子導入用の出発物質と成り得るものとしては、常
温常圧でガス状の又は、少なくとも層形成条件下
で容易にガス化し得るものが採用されるのが望ま
しい。その様な第族原子導入用の出発物質とし
て具体的には硼素原子導入用としては、B2H6，
B4H10，B5H9，B5H11，B6H10，B6H12，B6H14
等の水素化硼素、BF3，BCl3，BBr3等のハロゲ
ン化硼素等が挙げられる。この他、AlCl3，
GaCl3，Ga（CH3）3，InCl3，TlCl3等も挙げるこ
とが出来る。 本発明において、形成される光導電部材の電荷
注入防止層，非晶質層（）中に含有される水素
原子(H)の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素
原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は通常の
場合１〜40atomic％、好適には５〜30atomic％
とされるのが望ましい。 電荷注入防止層又は非晶質層（）中に含有さ
れる水素原子(H)又は／及びハロゲン原子（Ｘ）の
量を制御するには、例えば支持体温度又は／及び
水素原子(H)、或いはハロゲン原子（Ｘ）を含有さ
せる為に使用される出発物質の堆積装置系内へ導
入する量、放電々力等を制御してやれば良い。 本発明において、非晶質層（）をグロー放電
法で形成する際に使用される稀釈ガス、或いはス
パツタリング法で形成される際に使用されるスパ
ツターリング用のガスとしては、所謂稀ガス、例
えばHe，Ne，Ar等が好適なものとして挙げる
ことが出来る。 本発明に於いて、非晶質層（）の層厚として
は、作成される光導電部材に要求される特性に応
じて適宜決められるものであるが、通常は、１〜
100μ、好ましくは１〜80μ、最適には２〜50μと
されるのが望ましいものである。 第１図に示される光導電部材１００に於いて
は、第一の非晶質層（）１０４上に形成される
第二の非晶質層（）１０５は、自由表面１０６
を有し、主に耐湿性、連続繰返し使用特性、耐圧
性、使用環境特性、耐久性に於いて本発明の目的
を達成する為に設けられる。 又、本発明に於いては、第一の非晶質層（）
と第二の非晶質層（）とを形成する非晶質材料
の各々がシリコン原子という共通の構成要素を有
しているので、積層界面に於いて化学的な安定性
の確保が充分成されている。 第二の非晶質層（）は、シリコン原子と炭素
原子とで構成される非晶質材料（ａ−（SixC1-x、
但し０＜×＜１）で形成される。 ａ−SixC1-xで構成される第二の非晶質層（）
の形成はスパツタリング法、イオンインプランテ
ーシヨン法、イオンプレーテイング法、エレクト
ロンビーム法等によつて成される。これ等の製造
法は、製造条件、設備資本投下の負荷程度、製造
規模、作製される光導電部材に所望される特性等
の要因によつて適宜選択されて採用されるが、所
望する特性を有する光導電部材を製造する為の作
製条件の制御が比較的容易である、シリコン原子
と共に炭素原子を作製する非晶質層（）中に導
入するのが容易に行える等の利点からスパツタリ
ング法或いはエレクトロンビーム法、イオンプレ
ーテイング法が好適に採用される。 スパツターリング法によつて第二の非晶質層
（）を形成するには、単結晶又は多結晶のSiウ
エーハーとＣウエーハー、又はSiとＣが混合され
て含有されているウエーハーをターゲツトとし
て、これ等を種々のガス雰囲気中でスパツターリ
ングすることによつて行えば良い。 例えば、Siウエーハー及びＣウエーハーをター
ゲツトとして使用する場合には、He、Ne、Ar
等のスパツターリング用のガスを、スパツター用
の堆積室中に導入してガスプラズマを形成し、前
記Siをウエーハー及びＣウエーハーをスパツター
リングすれば良い。 又、別には、SiとＣの混合した一枚のターゲツ
トを使用することによつて、スパツターリング用
のガスを装置系内に導入し、そのガス雰囲気中で
スパツターリングすることによつて成される。エ
レクトロンビーム法を用いる場合には２個の蒸着
ボート内に各々、単結晶又は多結晶の高純度シリ
コン及び高純度グラフアイトを入れ、各々独立に
エレクトロンビームによつて同時蒸着するか、又
は同一蒸着ボート内に所望の混合比にして入れた
シリコン及びグラフアイトを単一のエレクトロン
ビームによつて蒸着すればよい。第二の非晶質層
（）中に含有されるシリコン原子と炭素原子の
含有比は前者の場合、エレクトロンビームの加速
電圧をシリコンとグラフアイトに対して変化させ
ることによつて制御し、後者の場合は、あらかじ
めシリコンとグラフアイトの混合量を定めめるこ
とによつて制御する。イオンプレーテイング法を
用いる場合は蒸着槽内に種々のガスを導入しあら
かじめ槽の周囲にまいたコイルに高周波電界を印
加してグローをおこした状態でエレクトロンビー
ム法を利用してSi及びＣを蒸着すればよい。 本発明に於ける第二の非晶質層（）は、その
要求される特性が所望通りに与えられる様に注意
深く形成される。 即ち、Si、Ｃ、を構成原子とする物質は、その
作成条件によつて構造的には結晶からアモルフア
スまでの形態を取り、電気物性的には導電性から
半導体性、絶縁性までの間の性質を、又光導電的
性質から非光導電的性質までの間の性質を、各々
示すので、本発明に於いては、目的に応じた所望
の特性を有するａ−SixC1-xが形成される様に、
所望に従つてその作成条件の選択が厳密に成され
る。 例えば、第二の非晶質層（）を耐圧性の向上
を主な目的として設けるにはａ−SixC1-xは使用
環境に於いて電気絶縁性的挙動の顕著な非晶質材
料として作成される。 又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上
を主たる目的として第二の非晶質層（）が設け
られる場合には、上記の電気絶縁性の度合はある
程度緩和され、照射される光に対してある程度の
感度を有する非晶質材料としてａ−SixC1-xが作
成される。 第一の非晶質層（）の表面にａ−SixC1-xか
ら成る第二の非晶質層（）を形成する際、層形
成中の支持体温度は、形成される層の構造及び特
性を左右する重要な因子であつて、本発明に於い
ては、目的とする特性を有するａ−SixC1-xが所
望通りに作成され得る様に層作成時の支持体温度
が厳密に制御されるのが望ましい。 本発明に於ける目的が効果的に達成される為の
第二の非晶質層（）を形成する際支持体温度と
しては、第二の非晶質層（）の形成法に併せて
適宜最適範囲が選択されて、第二の非晶質層
（）の形成が行われるが、好適には20〜300℃、
最適には20〜250℃とされるのが望ましいもので
ある。 第二の非晶質層（）の形成には、層を構成す
る原子の組成比の微妙な制御や層厚の制御が他の
方法に較べて比較的容易である事等の為に、スパ
ツターリング法やエレクトロンビーム法の採用が
有利であるが、これ等の層形成法で第二の非晶質
層（）を形成する場合には、前記の支持体温度
と同様に層形成の際の放電パワーが作成されるａ
−SixC1-xの特性を左右する重要な因子の１つと
して挙げることが出来る。 本発明に於ける目的が達成される為の特性を有
するａ−SixC1-xが生産性良く効果的に作成され
る為の放電パワー条件としては、好適には50W〜
250W、最適には80W〜150Wとされるのが望まし
い。 本発明に於いては、第二の非晶質層（）を作
成する為の支持体温度、放電パワーの望ましい数
値範囲として前記した範囲の値が挙げられるが、
これ等の層作成フアクターは、独立的に別々に決
められるものではなく、所望特性のａ−SixC1-x
から成る第二の非晶質層（）が形成される様に
相互的有機的関連性に基いて各作成フアクターの
最適値が決められるのが望ましい。 本発明の光導電部材に於ける第二の非晶質層
（）に含有される炭素原子の量は、第二の非晶
質層（）の作製条件と同様本発明の目的を達成
する所望の特性が得られる層が形成される重要な
因子である。 本発明に於ける第二の非晶質層（）に含有さ
れる炭素原子の量は、通常としては、１×10-3〜
90atomic％、好適には１〜80atomic％、最適に
は10〜75atomic％とされるのが望ましいもので
ある。即ち、先のａ−SixC1-xのｘの表示で行え
ば、ｘが通常は0.1〜0.99999、好適には0.2〜
0.99、最適には0.25〜0.9である。 本発明に於ける第二の非晶質層（）の層厚の
数値範囲は、本発明の目的を効果的に達成する様
に所期の目的に応じて適宜所望に従つて決められ
る。 又、第二の非晶質層（）の層厚は、該層
（）中に含有される炭素原子の量や第一の非晶
質層（）の層厚との関係に於いても、各々の層
領域に要求される特性に応じた有機的な関連性の
下に所望に従つて適宜決定される必要がある。 更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経
済性の点に於いても考慮されるのが望ましい。 本発明に於ける第二の非晶質層（）の層厚と
しては、通常0.003〜30μ、好適には0.004〜20μ、
最適には0.005〜10μとされるのが望ましいもので
ある。 本発明において使用される支持体としては、導
電性でも電気絶縁性であつても良い。導電性支持
体としては、例えば、NiCr、ステンレス、Al、
Cr、Mo、Au、Nb、Ta、Ｖ、Ｔ、Pt、Pd等の
金属又はこれ等の合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセ
テート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の
合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラミ
ツク、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面
を導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。 例えば、ガラスあれば、その表面に、NiCr、
Al、Cr、Mo、Au、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、
Pd、In2O3、SnO2、ITO（In2O3＋SnO2）等から
成る薄膜を設けることによつて導電性が付与さ
れ、或いはポリエステルフイルム等の合成樹脂フ
イルムであれば、NiCr、Al、Ag、Pb、Zn、Ni、
Au、Cr、Mo、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt等の金
属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパツタ
リング等でその表面に設け、又は前記金属でその
表面をラミネート処理して、その表面に導電性が
付与される。支持体の形状としては、円筒状、ベ
ルト状、板状等任意の形状とし得、所望によつ
て、その形状は決定されるが、例えば、第１図の
光導電部材１００を電子写真用像形成部材として
使用するのであれば連続高速複写の場合には、無
端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持
体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成される
様に適宜決定されるが、光導電部材として可撓性
が要求される場合には、支持体としての機能が充
分発揮される範囲であれば可能な限り薄くされ
る。而乍ら、この様な場合支持体の製造上及び取
扱い上、機械的強度等の点から、通常は、10μ以
上とされる。 第２図には、本発明の光導電部材の他の好適な
実施態様例の層構成が示される。 第２図に示される光導電部材２００が、第１図
に示される光導電部材１００と異なるところは、
電荷注入防止層２０３と光導電性を示す非晶質層
２０５との間に上部補助層２０４を有することで
ある。 即ち、光導電部材２００は、支持体２０１、該
支持体２０１上に順に積層された、下部補助層２
０２、電荷注入防止層２０３、上部補助層２０４
及び第一の非晶質層（）２０５及び第二の非晶
質層（）とを具備し、非晶質層（）２０６は
自由表面２０７を有する。上部補助層２０４は、
電荷注入防止層２０３と非晶質層（）２０５と
の間の密着を強固にし、両層の接触界面に於ける
電気的接触を均一にしていると同時に、電荷注入
防止層２０３の上に直に設けることによつて、電
荷注入防止層２０３の層質を強靭なものとしてい
る。 第２図に示される光導電部材２００を構成する
下部補助層２０２及び上部補助層２０４は、第１
図に示した光導電部材１００を構成する補助層１
０２の場合と同様の非晶質材料を使用して、同様
の特性が与えられる様に同様な層作成手順と条件
によつて形成される。 電荷注入防止層２０３及び非晶質層（）２０
５、非晶質層（）２０６も夫々、第１図に示す
電荷注入防止層１０３及び非晶質層（）１０
４、非晶質層（）１０５と同様の特性及び機能
を有し、第１図の場合と同様な層作成手順と条件
によつて形成される。 次に本発明の光導電部材の製造方法の一例を図
に従つて説明する。 第３図に光導電部材の製造装置の一例を示す。 図中の３０２〜３０６のガスボンベには、本発
明の夫々の層を形成するために使用されるガスが
密封されており、その１例として、たとえば、３
０２はHeで稀釈されたSiH4ガ（純度99.999％、
以下SiH4／Heと略す。）ボンベ、３０３はHeで
稀釈されたPH3ガス（純度99.999％、以下PH3／
Heと略す。）、３０４はNH3ガス（純度99.99％）
ボンベ、３０５はArガスボンベ、３０６は、He
で稀釈されたSiF4ガス（純度99.999％、以下
SiF4／Heと略す）ボンベである。 ３４２−１、３４２−２はスパツター用のター
ゲツトであつて、目的とする層の形成に従つて、
ターゲツトの種類は適宜選択される。 前記の種々のガスを反応室３０１に流入させる
にはガスボンベ３０２〜３０６のバルブ３２２〜
３２６、リークバルブ３３５が閉じられているこ
とを確認し、又、流入バルブ３１２〜３１６、流
出バルブ３１７〜３２１、補助バルブ３３２が開
かれていることを確認して先ずメインバルブ３３
４を開いて反応室３０１、及びガス配管内を排気
する。 次に真空計３３６の読みが約５×10-6torrにな
つた時点で、補助バルブ３３２、流入バルブ３１
２〜３１６、流出バルブ３１７〜３２１を閉じ
る。 その後、反応室３０１内に導入すべきガスのボ
ンベに接続されているガス配管のバルブを所定通
り操作して、所望するガスを反応室３０１内に導
入する。 次に第１図に示す構成と同様の構成の光導電部
材を作成する場合の一例の概略を述べる。 所定の支持体３３７上に、先ず補助層をスパツ
タリング法によつて形成するには、先ず、シヤツ
ター３４２を開く。すべてのガス供給バルブは、
一旦閉じられ、反応室３０１はメインバルブ３３
４を全開することにより、排気される。高圧電力
が印加される電極３４１上に高純度シリコンウエ
ハ３４２−１、及び高純度窒化シリコンウエハ３
４２−２が所望のスパツター面積比率でターゲツ
トとして設置されている。 ガスボンベ３０５よりArガスを、ガスボンベ
３０６よりSiF4／Heガスを、必要に応じてガス
ボンベ３０４よりNH3ガスを、夫々、所定のバ
ルブを操作して反応室３０１内に導入し、反応室
３０１の内圧が0.05〜1Torrとなるよう、メイン
バルブ３３４の開口を調整する。高圧電源３４０
をONとし、シリコンウエーハー３４２−１と窒
化シリコンウエハ３４２−２とを同時にスパツタ
リングすることにより、シリコン原子、窒素原
子、弗素原子、よりなる非晶質材料で構成された
補助層を支持体３３７上に形成することが出来
る。 補助層中に含有される窒素原子の量は、シリコ
ンウエハと窒化シリコンウエハのスパツター面積
比率や、NH3ガスを導入する際には、NH3ガス
の流量を調整することで所望に従つて制御するこ
とが出来る。又、ターゲツトの作成の際にシリコ
ン粉末とSi3N4粉末の混合比を変えることでも行
うことが出来る。 この際に層形成中は、支持体３３７は、加熱ヒ
ータ３３８によつて所望の温度に加熱される。 次に、前記の補助層上に電荷注入防止層を形成
する補助層の形成終了後、電源３４０をOFFに
して放電を中止し、一旦、装置のガス導入用の配
管の全系のバルブを閉じ、反応室３０１内に残存
するガスを反応室３０１外に排出して所定の真空
度にする。 その後、シヤツター３４２を閉じ、ガスボンベ
３０２よりSiH4／Heガスを、ガスボンベ３０３
よりPH3／Heガスを、夫々バルブ３２２、３２
３を夫々開いて、出口圧ゲージ３２７、３２８の
圧を１Kg／cm2に調整し、流入バルブ３１２、３１
３を徐々に開けて、マスフロコントローラ３０
７、３０８内に夫々流入させる。引き続いて流出
バルブ３１７、３１８、補助バルブ３３２を徐々
に開いて夫々のガスを反応室３０１内に流入させ
る。このときのSiH4／Heガス流量、PH3／Heガ
ス流量の夫々の比が所望の値になるよう流出バル
ブ３１７、３１８を調整し、また、反応室３０１
内の圧力が所望の値になるように真空計３３６の
読みを見ながらメインバルブ３３４の開口を調整
する。 そして支持体３３７の温度が加熱ヒーター３３
８により50〜400℃の範囲の温度に設定されてい
ることが確認された後、電源３４０をONにして
所望の電力に設定し、反応室３０１内にグロー放
電を生起させて支持体３３７上に電荷注入防止層
を形成する。 電荷注入防止層に設けられる、光導電性を示す
非晶質層（）の形成は、例えばボンベ３０２内
に充填されているSiH4／Heガスを使用し、前記
した電荷注入防止層の場合と同様の手順によつて
行うことが出来る。 非晶質層（）の形成の際に使用される原料ガ
ス種としては、SiH4ガスの他に、殊にSi2H6ガス
が層形成速度の向上を計る為に有効である。 第一の非晶質層（）中にハロゲン原子を含有
させる場合には上記のガスに、例えばSiF4／He
を、更に付加して反応室３０１内に送り込む。 第一の非晶質層（）上に第二の非晶質層
（）を形成するには、例えば、次の様に行う。
まずシヤツター３４２を開く。すべてのガス供給
バルブは一旦閉じられ、反応室３０１は、メイン
バルブ３３４を全開することにより、排気され
る。 高圧電力が印加される電極３４１上には、予め
高純度シリコンウエハ３４２−１、及び高純度グ
ラフアイトウエハ３４２−２が所望の面積比率で
設置されたターゲツトを設けておく。ガスボンベ
３０５より、Arガスを、反応室３０１内に導入
し、反応室３０１の内圧が0.05〜1torrとなるよ
うメインバルブ３３４を調節する。高圧電源３４
０をONとし前記のターゲツトをスパツタリング
することにより、第一の非晶質層（）上に第二
の非晶質層（）を形成するとが出来る。 第二の非晶質層（）中に含有される炭素原子
の量は、シリコンウエハとグラフアイトウエハの
スパツター面積比率や、ターゲツトを作成する際
のシリコン粉末とグラフアイト粉末の混合比を所
望に従つて調整することによつて所望に応じて制
御することが出来る。 実施例 １ 第３図に示した製造装置により、アルミニウム
基板上に、以下の条件で層形成を行つた。 こうして得られた像形成部材を帯電露光現像装
置に設置し、5kVで0.2sec間コロナ帯電を行い
直ちに光像を照射した。光源はタングステンラン
プを用い、1.0lux・secの光量を、透過型のテス
トチヤートを用いて照射した。 その後直ちに荷電性の現像剤（トナーとキヤ
リヤを含む）を部材表面をカスケードすることに
よつて、部材表面上に良好なトナー画像を得た。 このようにして得られたトナー像を、一旦ゴム
ブレードでクリーニングし、再び上記作像クリー
ニング工程を繰り返した。繰り返し回数15万回以
上行つても、画像の劣化は見られなかつた。
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）
の様な電磁波に感受性のある光導電部材に関す
る。 固体撮像装置、或いは像形成分野における電子
写真用像形成部材や原稿読取装置における光導電
層を形成する光導電材料としては、高感度で、
SN比〔光電流（Ip）／暗電流（Id）〕が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性にマツチングした
吸収スペクトル特性を有すること、光応答性が速
く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時におい
て人体に対して無公害であること、更には固体撮
像装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。
殊に、事務機としてオフイスで使用される電子写
真装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の場
合には、上記の使用時における無公害性は重要な
点である。 この様な点に立脚して最近注目されている光導
電材料にアモルフアスシリコン（以後ａ−Siと表
記す）があり、例えば、独国公開第2746967号公
報、同第2855718号公報には電子写真用像形成部
材として、独国公開第2933411号公報には光電変
換読取装置への応用が記載されている。 而乍ら、従来のａ−Siで構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答
性等の電気的、光学的、光導電的特性、及び使用
環境特性の点、更には経時的安定性及び耐久性の
点において、各々、個々には特性の向上が計られ
ているが総合的な特性向上を計る上で更に改良さ
れる余地が存するのが実情である。 例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合
に、高光感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとす
ると従来においてはその使用時において残留電位
が残る場合が度々観測され、この種の光導電部材
は長時間繰返し使用し続けると、繰返し使用によ
る疲労の蓄積が起つて、残像が生ずる所謂ゴース
ト現像を発する様になる等の不都合な点が少なく
なかつた。 又、ａ−Si材料で光導電層を構成する場合に
は、その電気的、光導電的特性の改良を計るため
に、水素原子或いは弗素原子や塩素原子等のハロ
ゲン原子、及び電気伝導型の制御のために硼素原
子や燐原子等が或いはその他の特性改良のために
他の原子が、各々構成原子として光導電層中に含
有されるが、これ等の構成原子の含有の仕方如何
によつては、形成した層の電気的或いは光導電的
特性や耐圧性に問題が生ずる場合があつた。 即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射に
よつて発生したフオトキヤリアの該層中での寿命
が充分でないことや暗部において、支持体側より
の電荷の注入の阻止が充分でないこと、或いは、
転写紙に転写された画像に俗に「白ヌケ」と呼ば
れる、局所的な放電破壊現象によると思われる画
像欠陥や、例えば、クリーニングに、ブレードを
用いるとその摺擦によると思われる、俗に「白ス
ジ」と云われている所謂画像欠陥が生じたりして
いた。又、多湿雰囲気中で使用したり、或いは多
湿雰囲気中に長時間放置した直後に使用すると俗
に云う画像のボケが生ずる場合が少なくなかつ
た。 更には、層厚が十数μ以上になると層形成用の
真空堆積室より取り出した後、空気中での放置時
間の経過と共に、支持体表面からの層の浮きや剥
離、或いは層に亀裂が生ずる等の現象を引起し勝
ちになる。この現象は、殊に支持体が通常、電子
写真分野に於いて使用されているドラム状支持体
の場合に多く起る等、経時的安定性の点に於いて
解決される可き点がある。 従つてａ−Si材料そのものの特性改良が計られ
る一方で光導電部材を設計する際に、上記した様
な問題の総てが解決される様に工夫される必要が
ある。 本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ
−Siに就て電子写真用像形成部材や固体撮像装
置、読取装置等に使用される光導電部材としての
適用性とその応用性という観点から総括的に鋭意
研究検討を続けた結果、シリコン原子を母体と
し、水素原子(H)又はハロゲン原子（Ｘ）のいずれ
か一方を少なくとも含有するアモルフアス材料、
所謂水素化アモルフアスシリコン、ハロゲン化ア
モルフアスシリコン、或いはハロゲン含有水素化
アモルフアスシリコン〔以後これ等の総称的表記
として「ａ−Si（Ｈ、Ｘ）」を使用する〕から構成
される光導電層を有する光導電部材の層構成を以
後に説明される様な特定化の下に設計されて作成
された光導電部材は実用上著しく優れた特性を示
すばかりでなく、従来の光導電部材と較べてみて
もあらゆる点において凌駕していること、殊に電
子写真用の光導電部材として著しく優れた特性を
有していることを見出した点に基づいている。 本発明は電気的、光学的、光導電的特性が使用
環境に殆んど依存なく実質的に常時安定してお
り、耐光疲労に著しく長け、繰返し使用に際して
も劣化現象を起さず耐久性、耐湿性に優れ、残留
電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を
提供することを主たる目的とする。 本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層
と支持体との間や積層される層の各層間に於ける
密着性に優れ、構造配列的に緻密で安定的であ
り、層品質の高い光導電部材を提供することであ
る。 本発明の他の目的は、電子写真用像形成部材と
して適用させた場合、静電像形成のための帯電処
理の際の電荷保持能力が充分あり、通常の電子写
真法が極めて有効に適用され得る優れた電子写真
特性を有する光導電部材を提供することである。 本発明の更に他の目的は、長期の使用に於いて
画像欠陥や画像のボケが全くなく、濃度が高く、
ハーフトーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高
品質画像を得ることが容易にできる電子写真用の
光導電部材を提供することである。 本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、
高SN比特性及び高耐圧性を有する光導電部材を
提供することでもある。 本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体
と、シリコン原子を母体とし、構成原子としてハ
ロゲン原子30atomic％未満の窒素原子を含有す
る非晶質材料で構成された補助層と、シリコン原
子を母体とし、周期律表第族に属する原子を構
成原子として含有する非晶質材料で構成された、
層厚0.3〜5μの電荷注入防止層と、シリコン原子
を母体とする非晶質材料で構成され、光導電性を
示す第一の非晶質層と、前記第一の非晶質層上
に、シリコン原子と炭素原子とを構成原子として
含む非晶質材料で構成された第二の非晶質層を有
する事を特徴とする。 上記した様な層構成を取る様にして設計された
本発明の光導電部材は、前記した諸問題の総てを
解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電
的特性、耐圧性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用像形成部材として適用させた
場合には、画像形成への残留電位の影響が全くな
く、その電気的特性が安定しており高感度で、高
SN比を有するものであつて、耐光疲労、繰返し
使用特性に長け、濃度が高く、ハーフトーンが鮮
明に出て、且つ解像度の高い、高品質の画像を安
定して繰返し得ることができる。 又、本発明の光導電部材は支持体上に形成され
る非晶質層が、層自体が強靭であつて、且つ支持
体との密着性に著しく優れており、高速で長時間
連続的に繰返し使用することが出来る。 以下、図面に従つて、本発明の光導電部材に就
て詳細に説明する。 第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電
部材の層構成を説明するために模式的に示した模
式的構成図である。 第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材
用としての支持体１０１の上に、シリコン原子を
母体とし、構成原子としてハロゲン原子と、窒素
原子を30atomic％未満含む非晶質材料で構成さ
れた補助層１０２、電荷注入防止層１０３、光導
電性を有する第一の非晶質層（）１０４、第二
の非晶質層（）１０５とを具備し、非晶質層
（）１０５は自由表面１０６を有している。 補助層１０２は、主に、支持体１０１と電荷注
入防止層１０３との間の密着性を計る目的の為に
設けられ、支持体１０１と電荷注入防止層１０３
の両方と親和性がある様に、後述する特性を有す
る材質で構成される。 電荷注入防止層１０３は、自由表面１０６が帯
電される際に支持体１０１側より第一の非晶質層
（）１０４中へ電荷が注入れるのを効果的に防
止する機能を主に有する。 第一の非晶質層（）１０４は、該層（）１
０４に感受性の光の照射を受けて該層（）１０
４中でフオトキヤリアを発生し、所定方向に該フ
オトキヤリアを輸送する機能を有する。 本発明に於ける補助層は、シリコン原子（Si）
を母体とし、構成原子として、窒素原子（Ｎ）と
ハロゲン原子（Ｘ）と、必要に応じて水素原子(H)
とを含有し、窒素原子（Ｎ）の含有量C(N)が
30atomic％未満である非晶質材料（以後、「ａ−
（SiaN1-a）ｂ（Ｈ、Ｘ）1-b」と記す。但し、0.6＜
ａ、0.8≦ｂ）で構成される。 ａ−（SiaN1-a）ｂ（Ｈ、Ｘ）1-bで構成される補
助層の形成はグロー放電法、スパツターリング
法、イオンインプランテーシヨン法、イオンプレ
ーテイング法、エレクトロンビーム法等によつて
成される。これ等の製造法は、製造条件、設備資
本投下の負荷程度、製造規模、作成される光導電
部材に所望される特性等の要因によつて適宜選択
されて採用されるが、所望する特性を有する光導
電部材を製造する為の作製条件の制御が比較的容
易である。シリコン原子と共に窒素原子及びハロ
ゲン原子を、作製する補助層中に導入するのが容
易に行える等の利点からグロー放電法或いはスパ
ツターリング法が好適に採用される。 更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパ
ツターリング法とを同一装置系内で併用して補助
層を形成しても良い。 グロー放電法によつて補助層を形成するにはａ
−（SiaN1-a）ｂ（Ｈ、Ｘ）1-b形成用の原料ガスを、
必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合比で混合し
て、支持体の設置してある真空堆積用の堆積室に
導入し、導入されたガス雰囲気中に、グロー放電
を生起させることでガスプラズマ化して前記支持
体上にａ−（SiaN1-a）ｂ（Ｈ、Ｘ）1-bを堆積させ
ればよい。 本発明に於いてａ−（SiaN1-a）ｂ（Ｈ、Ｘ）1-b
形成用の原料ガスとしては、Si、Ｎ、Ｘの中の少
なくとも１つを構成原子とするガス状の物質又は
ガス化し得る物質をガス化したものの中の大概の
ものが使用され得る。 Si、Ｎ、Ｘの中の１つとしてSiを構成原子とす
る原料ガスを使用する場合は、例えばSiを構成原
子とする原料ガスと、Ｎを構成原子とする原料ガ
スと、Ｘを構成原子とする原料ガスとを所望の混
合比で混合して使用するか、又は、Siを構成原子
とする原料ガスと、Ｎ及びＸを構成原子とする原
料ガスとを、これも又所望の混合比で混合して使
用することが出来る。 又、別には、SiとＸとを構成原子とする原料ガ
スにＮを構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良い。 本発明に於いて、ハロゲン原子Ｘとして好適な
のはＦ、Cl、Br、Ｉであり、殊にＦ、Clが望ま
しいものである。 本発明に於いて補助層は、シリコン原子と窒素
原子とハロゲン原子とを含む非晶質材料で構成さ
れるものであるが、前述した様に補助層には更に
水素原子を含有させることが出来る。 補助層への水素原子の含有は、電荷注入防止層
や非晶質層との連続層形成の際に原料ガス種の一
部共通化を計ることが出来るので生産コスト面の
上で好都合である。 本発明に於いて、補助層を形成するのに有効に
使用される原料ガスと成り得る出発物質として
は、常温常圧に於いてガス状態のもの又は容易に
ガス化し得る物質を挙げることが出来る。 この様な補助層形成用の出発物質としては、例
えば、窒素、窒化物、弗素化窒素及びアジ化物等
の窒素化合物、ハロゲン単体、ハロゲン化水素、
ハロゲン間化合物、ハロゲン化硅素、ハロゲン置
換水素化硅素、水素化硅素等を挙げる事が出来
る。 具体的には、窒素（N2）、窒素化合物としては
アンモニア（NH3）、ヒドラジン（H2NNH2）、
三弗化窒素（F3N），四弗化窒素（F4N2）、アジ
化水素（HN3）、アジ化アンモニウム（NH4N3）
等、ハロゲン単体としては、フツ素、塩素、臭
素、ヨウ素のハロゲンガス、ハロゲン化水素とし
ては、FH、HI、HCl、HBr、ハロゲン化合物と
しては、BrF、ClF、ClF3、ClF5、BrF5、BrF3、
IF7、IF5、ICl、IBr、ハロゲン化硅素としては
SiF4、Si2F6、SiCl4、SiCl3Br、SiCl2Br2、
SiClBr3、SiCl3I、SiBr4、ハロゲン置換水素化硅
素としては、SiH2F2、SiH2Cl2、SiHCl3、
SiH3Cl、SiH3Br、SiH2Br2、SiHBr3、水素化硅
素としては、SiH4、Si2H6、Si3H8、Si4H10等の
シラン（Silane）類、等々を挙げることが出来
る。 これ等の補助層形成用の出発物質は、形成され
る補助層中に、所定の組成比でシリコン原子、窒
素原子及びハロゲン原子と、必要に応じて水素原
子とが含有される様に、補助層形成の際に所望に
従つて選択されて使用される。 例えば、シリコン原子と水素原子との含有が容
易に成し得て且つ所望の特性の補助層が形成され
得るSiH4やSi2H6と窒素原子を含有させるものと
してのN2又はNH3とハロゲン原子を含有させる
ものとしてのSiF4、SiH2F2、SiHCl3、SiCl4、
SiH2Cl2、或いはSiH3Cl等を所定の混合比でガス
状態で補助層形成用の装置系内に導入してグロー
放電を生起させることによつて補助層を形成する
ことが出来る。 或いは、形成される補助層にシリコン原子とハ
ロゲン原子とを含有させることが出来るSiF4等と
窒素原子を含有させるものとしてのN2等を所定
の混合比で、必要に応じてHe、Ne、Ar等の稀
ガスと共に中間層形成用の装置系内に導入してグ
ロー放電を生起させて、補助層を形成することも
出来る。 スパツターリング法によつて補助層を形成する
には、高純度単結晶又は多結晶のSiウエーハー又
はSi3N4ウエーハー又はSiとSi3N4が混合されて
形成されたウエーハーをターゲツトとして、これ
等をハロゲン原子と必要に応じて水素原子を構成
要素として含む種々のガス雰囲気中でスパツター
リングすることによつて行なえば良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、ＮとＸを導入する為の原料ガスを、必要
に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツター用の堆
積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマを
形成して前記Siウエーハーをスパツターリングす
れば良い。 又、別には、SiとSi3N4とは別々のターゲツト
として、又はSiとSi3N4の混合して形成した一枚
のターゲツトを使用することによつて、少なくと
もハロゲン原子を含有するガス雰囲気中でスパツ
ターリングすることによつて成される。Ｎ及び
Ｘ、必要に応じてＨの導入用の原料ガスとなる物
質としては先述したグロー放電の例で示した補助
層形成用の出発物質がスパツターリング法の場合
にも有効な物質として使用させ得る。 本発明に於いて、補助層をグロー放電法又はス
パツターリング法で形成する際に使用される稀釈
ガスとしては、所謂・稀ガス、例えばHe、Ne、
Ar等が好適なものとして挙げることが出来る。 本発明の補助層を構成するａ−（SiaN1-a）b
（Ｈ、Ｘ）1-bは、補助層の機能が、支持体と電荷
注入防止層との間の密着を強固にし、加えてそれ
等の間に於ける電気的接触性を均一にするもので
あるから、補助層に要求される特性が所望通りに
与えられる様に、その作成条件の選択が厳密に成
されて注意深く形成される。 本発明の目的に適した特性を有するａ−（Sia
N1-a）b（Ｈ、Ｘ）1-bが作成される為の作成条件の
中の重要な要素として、作成時の支持体温度を挙
げる事が出来る。 即ち、支持体の表面にａ−（SiaN1-a）b（Ｈ、
Ｘ）1-bから成る補助層を形成する際、層形成中の
支持体温度は、形成される層の構造及び特性を左
右する重要な因子であつて、本発明に於いては、
目的とする特性を有するａ−（SiaN1-a）b（Ｈ、
Ｘ）1-bが所望通りに作成され得る様に層作成時の
支持体温度が厳密に制御される。 本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成さ
れる為の補助層を形成する際の支持体温度として
は、補助層の形成法に併せて適宜最適範囲が選択
されて、補助層の形成が実行されるが、通常の場
合、50〜350℃、好適には100〜250℃とされるの
が望ましいものである。補助層の形成には、同一
系内で補助層から電荷注入防止層、非晶質層、更
には必要に応じて非晶質層上に形成される他の層
まで連続的に形成することが出来る事、各層を構
成する原子の組成比の微妙な制御や層厚の制御が
他の方法に較べて比較的容易である事等の為に、
グロー放電法やスパツターリング法の採用が有利
であるが、これ等の層形成法で補助層を形成する
場合には、前記の支持体温度と同様に層形成の際
の放電パワー及びガス圧が作成されるａ−（Sia
N(1-a）b（Ｈ、Ｘ）1-bの特性を左右する重要な因子
として挙げることが出来る。 本発明に於ける目的が達成される為の特性を有
するａ−（SiaN1-ab（Ｈ、Ｘ）1-bが生産性良く効
果的に作成される為の放電パワー条件としては、
通常１〜300W、好適には２〜100Wである。 堆積室内のガス圧はグロー放電法にて層形成を
行う場合に於いて通常0.01〜5Torr、好適には、
0.1〜0.5Torr程度に、スパツターリング法にて層
形成を行う場合に於いては、通常１×10-3〜５×
10-2Torr、好適には８×10-3〜３×10-2Torr程
度とされるのが望ましい。 本発明の光導電部材に於ける補助層に含有され
る窒素原子及びハロゲン原子の量は、補助層の作
製条件と同様本発明の目的を達成する所望の特性
が得られる補助層が形成される為の重要な因子で
ある。 本発明に於ける補助層に含有される窒素原子の
量C(N)は、通常は、前記した値の範囲とされる
が、atomic％で表示すれば、好適には１×10-3
≦C(N)＜30、より好ましくは、１≦C(N)＜30、最
適には10≦C(N)＜30とされるのが望ましい。 又、ハロゲン原子（Ｘ）の量としては、好適に
は１〜20atomic％、最適には２〜15atomic％と
されるのが望ましく、水素原子(H)が含まれる場合
には、その量は、好適には19atomic％以下、最
適には13atomic％以下とされるのが望ましい。 ａ−（SiaN1-a）ｂ（Ｈ、Ｘ）1-bに於けるａ−ｂ
の表示で示せば、ａの値としては、好適には0.6
＜ａ≦0.99999、より好ましくは、0.6＜ａ≦0.99、
最適には0.6＜ａ≦0.9、ｂの値としては、好適に
は0.8≦ｂ≦0.99、より好適には0.85≦ｂ≦0.98と
されるのが望ましい。 本発明に於ける補助層の層厚の数値範囲は本発
明の目的を効果的に達成する様に所望に従つて適
宜決定される。 本発明の目的を効果的に達成する為の補助層の
層厚としては、通常の場合、30Å〜2μ、好適に
は40Å〜1.5μ、最適には50Å〜1.5μとされるのが
望ましいものである。 本発明の光導電部材を構成する電荷注入防止層
は、シリコン原子（Si）を母体とし、周期律表第
族に属する原子（第族原子）と、好ましく
は、水素原子(H)又はハロゲン原子（Ｘ）、或いは
この両者とを構成原子とする非晶質材料（以後
「ａ−Si（Ｖ，Ｈ，Ｘ）」と記す）で構成され、そ
の層厚ｔ及び層中の第族原子の含有量C(V)は、
本発明の目的が効果的に達成される様に所望に従
つて適宜決められる。 本発明に於ける電荷注入防止層の層厚ｔとして
は、好ましくは0.3〜5μより好ましくは0.5〜2μと
されるのが望ましく、又、第族原子の含有量
C(V)としては、好ましくは１×102〜１×
105atomic ppm、より好ましくは、５×102〜１
×105atomic ppmとされるのが望ましい。 電荷注入防止層と補助層との相乗効果を得るた
めには上記範囲に各層の層厚と周期律表第族原
子または窒素原子を含有させる事が好ましい。 これは、充分な密着性を補助層に発揮させ、且
つ、充分な電荷注入の防止性を電荷注入防止層に
発揮させるために重要である。 一般的には、電荷注入防止層の厚みを薄くする
と周期律表第族原子を多くさせ、厚くした場合
は少なく含有させる事が好ましいが、本発明にお
いて補助層との密着性と電気的特性を十分に考慮
した結果、補助層の窒素原子の含有量を
30atomic％未満とし且つ電荷注入防止層の層厚
を上記した範囲とする事によつて、密着性の向上
と電荷注入防止より一層相乗効果的に達成するこ
とができるだけでなく、光導電部材に要求される
多くの特性を十分に満足させることができる事を
見出した。 本発明に於いて、電荷注入防止層中に含有され
る周期律表第族に属する原子として使用される
のは、Ｐ（燐），As（砒素），Sb（アンチモン），Bi
（ビスマス）等であり、殊に好適に用いられるの
はＰ，Asである。 本発明において、必要に応じて電荷注入防止層
中に含有されるハロゲン原子（Ｘ）としては、具
体的にはフツ素，塩素，臭素，ヨウ素が挙げら
れ、殊にフツ素，塩素を好適なものとして挙げる
ことが出来る。 ａ−Si（Ｖ，Ｈ，Ｘ）で構成される電荷注入防
止層の層形成法としてはグロー放電法，スパツタ
ーリング法，イオンインプランテーシヨン法，イ
オンプレーテイング法，エレクトロンビーム法等
が挙げられる。これ等の製造法は、製造条件，設
備資本投下の負荷程度，製造規模，作製される光
導電部材に所望される特性等の要因によつて適宜
選択されて採用されるが、所望する特性を有する
光導電部材を製造する為の作製条件の制御が比較
的容易である、シリコン原子と共に第族原子，
必要に応じて水素原子(H)やハロゲン原子（Ｘ）を
作製する電荷注入防止層中に導入するのが容易に
行える等の利点からグロー放電法或いはスパツタ
ーリング法が好適に採用される。 更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパ
ツターリング法とを同一装置系内で併用して電荷
注入防止層を形成しても良い。 例えば、グロー放電法によつて、ａ−Si（Ｖ，
Ｈ，Ｘ）で構成される電荷注入防止層を形成する
には、基本的にはシリコン原子（Si）を供給し得
るSi供給用の原料ガスと共に、第族原子を供給
し得る第族原子導入用の原料ガス、必要に応じ
て水素原子(H)導入用の又は／及びハロゲン原子
（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る
堆積室内に導入して、該堆積室内にグロー放電を
生起させ、予め所定位置に設置され、既に補助層
の設けてある所定の支持体の補助層上にａ−Si
（Ｖ，Ｈ，Ｘ）からなる層を形成させれば良い。
又、スパツタリング法で形成する場合には、例え
ばAr，He等の不活性ガス又はこれ等のガスをベ
ースとした混合ガスの雰囲気中でSiで構成された
ターゲツトをスパツタリングする際、第族原子
導入用の原料ガスを、必要に応じて水素原子(H)又
は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスと共に
スパツタリング用の堆積室に導入してやれば良
い。 本発明において電荷注入防止層を形成するのに
使用される原料ガスとなる出発物質としては、次
のものが有効なものとして挙げることが出来る。 先ず、Si供給用の原料ガスとなる出発物質とし
ては、SiH4，Si2H6，Si3H8，Si4H10等のガス状
態の又はガス化し得る水素化硅素（シラン類）が
有効に使用されるものとして挙げられ、殊に、層
作成作業の扱い易さ、Si供給効率の良さ等の点で
SiH4，Si2H6が好ましいものとして挙げられる。 これ等の出発物質を使用すれば、層形成条件を
適切に選択することによつて形成される補助層中
にSiと共にＨも導入し得る。 Si供給用の原料ガスとなる有効な出発物質とし
ては、上記の水素化硅素の他に、ハロゲン原子
（Ｘ）を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体、具体的には例えば
SiF4，Si2H6，SiCl4，SiBr4等のハロゲン化硅素
が好ましいものとして挙げることが出来る。 更には、SiH2F2，SiH2I2，SiH2Cl2，SiHCl3，
SiH2Br2，SiHBr3等のハロゲン置換水素化硅素、
等々のガス状態の或いはガス化し得る、水素原子
を構成要素の１つとするハロゲン化物も有効な電
荷注入防止層形成の為のSi供給用の出発物質とし
て挙げる事が出来る。 これ等のハロゲン原子（Ｘ）を含む硅素化合物
を使用する場合にも前述した様に、層形成条件の
適切な選択によつて形成される電荷注入防止層中
にSiと共に（Ｘ）を導入することが出来る。 上記した出発物質の中水素原子を含むハロゲン
化硅素化合物は、補助層形成の際に層中にハロゲ
ン原子（Ｘ）の導入と同時に電気的或いは光電的
特性の制御に極めて有効な水素原子(H)も導入され
るので、本発明においては好適なハロゲン原子
（Ｘ）導入用の出発物質として使用される。 本発明において補助層を形成する際に使用され
るハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスとなる有
効な出発物質としては、上記したものの他に、例
えば、フツ素，塩素，臭素，ヨウ素のハロゲンガ
ス、BrF，ClF，ClF3，BrF5，BrF3，IF3，IF7，
ICl，IBr等のハロゲン間化合物、HF，HCl，
HBr，HI等のハロゲン化水素を挙げることが出
来る。 電荷注入防止層中に第族原子を構造的に導入
するには、層形成の際に第族原子導入用の出発
物質をガス状態で堆積室中に、電荷注入防止層を
形成する為の他の出発物質と共に導入してやれば
良い。この様な第族原子導入用の出発物質と成
り得るものとしては、常温常圧でガス状の又は、
少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るも
のが採用されるのが望ましい。その様な第族原
子導入用の出発物質として、具体的には、燐原子
導入用としては、PH3，P2H4等の水素化燐、
PH4I，PF3，PF5，PCl3，PCl5，PBr3，PBr5，
PI3等のハロゲン化燐が挙げられる。 この他、AsH3，AsF3，AsCl3，AsBr3，AsF5，
SbH3，SbF3，SbF5，SbCl3，SbCl5，BiCl3，
BiH3，BiBr3等も第族原子導入用の出発物質の
有効なものとして挙げることが出来る。 本発明に於いては電荷注入防止特性を与える為
に電荷注入防止層中に含有される第族原子は、
電荷注入防止層の層厚方向に実質的に平行な面
（支持体の表面に平行な面）内及び層厚方向に於
いては、実質的に均一に分布されるのが良いもの
である。 又、スパツタリング法で電荷注入防止層を形成
する場合には、例えばAr，He等の不活性ガス又
はこれ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気
中でSiで構成されたターゲツトをスパツタリング
する際、第族原子導入用の原料ガスを、必要に
応じて水素原子(H)導入用の又は／及びハロゲン原
子（Ｘ）導入用の原料ガスと共にスパツタリング
を行う真空堆積室内に導入してやれば良い。 本発明に於いて、電荷注入防止層中に導入され
る第族原子の含有量は、堆積室中に流入される
第族原子導入用の出発物質のガス流量、ガス流
量比、放電パワー、支持体温度、堆積室内の圧力
等を制御することによつて任意に制御され得る。 本発明に於いて、電荷注入防止層をグロー放電
法又はスパツターリング法で形成する際に使用さ
れる稀釈ガスとしては、所謂、希ガス、例えば
He，Ne，Ar等が好適なものとして挙げること
が出来る。 本発明において、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成され
る非晶質層（）を形成するには例えばグロー放
電法、スパツタリング法、或いはイオンプレーテ
イング法等の放電現象を利用する真空堆積法によ
つて成される。例えば、グロー放電法によつて、
ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成される非晶質層（）を
形成するには、基本的にはシリコン原子（Si）を
供給し得るSi供給用の原料ガスと共に、水素原子
(H)導入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用
の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導
入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予
め所定位置に設置されてある所定の支持体表面上
にａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成させれば良
い。又、スパツタリング法で形成する場合には、
例えばAr，He等の不活性ガス又はこれ等のガス
をベースとした混合ガスの雰囲気中でSiで構成さ
れたターゲツトをスパツタリングする際、水素原
子(H)又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガス
をスパツタリング用の堆積室に導入してやれば良
い。 本発明において、必要に応じて非晶質層（）
中に含有されるハロゲン原子（Ｘ）としては、電
荷注入防止層の場合に挙げたのと同様のものを挙
げることが出来る。 本発明において非晶質層（）を形成する際に
使用されるSi供給用の原料ガスとしては、電荷注
入防止層に就て説明する際に挙げたSiH4，
Si2H6，Si3H8，Si4H10等のガス状態の又はガス
化し得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用さ
れるものとして挙げられ、殊に、層作成作業の扱
い易さ、Si供給率の良さ等の点でSiH4，Si2H6が
好ましいものとして挙げられる。 本発明において非晶質層（）を形成する場合
に使用されるハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て有効なのは、電荷注入防止層の場合と同様に多
くのハロゲン化合物が挙げられ、例えばハロゲン
ガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合物、ハロゲ
ンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の又は
ガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられ
る。 又、更には、シリコン原子（Si）とハロゲン原
子（Ｘ）とを構成要素とするガス状態の又はガス
化し得る、ハロゲン原子を含む硅素化合物も有効
なものとして本発明においては挙げることが出来
る。 本発明に於いては、非晶質層（）には、該層
の伝導特性を制御する物質を含有させることによ
り、該層の伝導特性を所望に従つて任意に制御す
ることが出来る。 この様な物質としては、所謂、半導体分野で云
われる不純物を挙げることが出来、本発明に於い
ては、形成される非晶質層（）を構成するａ−
Si（Ｈ，Ｘ）に対して、Ｐ型伝導特性を与えるＰ
型不純物、具体的には、周期律表第族に属する
原子（第族原子）例えば、Ｂ（硼素），Al（アル
ミニウム），Ga（ガリウム），In（インジウム），Tl
（タリウム）等があり、殊に好適に用いられるの
は、Ｂ，Gaである。 本発明に於いて、非晶質層（）に含有される
伝導特性を制御する物質の含有量は、該非晶質層
（）に要求される伝導特性、或いは該層（）
に直に接触して設けられる他の層の特性や、該他
の層との接触界面に於ける特性との関係等、有機
的関連性に於いて、適宜選択することが出来る。 本発明に於いて、非晶質層（）中に含有され
る伝導特性を制御する物質の含有量としては、通
常の場合、0.001〜1000atomic ppm、好適には
0.05〜500atomic ppm、最適には0.1〜200atomic
ppmとされるのが望ましいものである。 非晶質層中に伝導特性を制御する物質、例え
ば、第族原子を構造的に導入するには、層形成
の際に第族原子導入用の出発物質をガス状態で
堆積室中に、非晶質層を形成する為の他の出発物
質と共に導入してやれば良い。この様な第族原
子導入用の出発物質と成り得るものとしては、常
温常圧でガス状の又は、少なくとも層形成条件下
で容易にガス化し得るものが採用されるのが望ま
しい。その様な第族原子導入用の出発物質とし
て具体的には硼素原子導入用としては、B2H6，
B4H10，B5H9，B5H11，B6H10，B6H12，B6H14
等の水素化硼素、BF3，BCl3，BBr3等のハロゲ
ン化硼素等が挙げられる。この他、AlCl3，
GaCl3，Ga（CH3）3，InCl3，TlCl3等も挙げるこ
とが出来る。 本発明において、形成される光導電部材の電荷
注入防止層，非晶質層（）中に含有される水素
原子(H)の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素
原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は通常の
場合１〜40atomic％、好適には５〜30atomic％
とされるのが望ましい。 電荷注入防止層又は非晶質層（）中に含有さ
れる水素原子(H)又は／及びハロゲン原子（Ｘ）の
量を制御するには、例えば支持体温度又は／及び
水素原子(H)、或いはハロゲン原子（Ｘ）を含有さ
せる為に使用される出発物質の堆積装置系内へ導
入する量、放電々力等を制御してやれば良い。 本発明において、非晶質層（）をグロー放電
法で形成する際に使用される稀釈ガス、或いはス
パツタリング法で形成される際に使用されるスパ
ツターリング用のガスとしては、所謂稀ガス、例
えばHe，Ne，Ar等が好適なものとして挙げる
ことが出来る。 本発明に於いて、非晶質層（）の層厚として
は、作成される光導電部材に要求される特性に応
じて適宜決められるものであるが、通常は、１〜
100μ、好ましくは１〜80μ、最適には２〜50μと
されるのが望ましいものである。 第１図に示される光導電部材１００に於いて
は、第一の非晶質層（）１０４上に形成される
第二の非晶質層（）１０５は、自由表面１０６
を有し、主に耐湿性、連続繰返し使用特性、耐圧
性、使用環境特性、耐久性に於いて本発明の目的
を達成する為に設けられる。 又、本発明に於いては、第一の非晶質層（）
と第二の非晶質層（）とを形成する非晶質材料
の各々がシリコン原子という共通の構成要素を有
しているので、積層界面に於いて化学的な安定性
の確保が充分成されている。 第二の非晶質層（）は、シリコン原子と炭素
原子とで構成される非晶質材料（ａ−（SixC1-x、
但し０＜×＜１）で形成される。 ａ−SixC1-xで構成される第二の非晶質層（）
の形成はスパツタリング法、イオンインプランテ
ーシヨン法、イオンプレーテイング法、エレクト
ロンビーム法等によつて成される。これ等の製造
法は、製造条件、設備資本投下の負荷程度、製造
規模、作製される光導電部材に所望される特性等
の要因によつて適宜選択されて採用されるが、所
望する特性を有する光導電部材を製造する為の作
製条件の制御が比較的容易である、シリコン原子
と共に炭素原子を作製する非晶質層（）中に導
入するのが容易に行える等の利点からスパツタリ
ング法或いはエレクトロンビーム法、イオンプレ
ーテイング法が好適に採用される。 スパツターリング法によつて第二の非晶質層
（）を形成するには、単結晶又は多結晶のSiウ
エーハーとＣウエーハー、又はSiとＣが混合され
て含有されているウエーハーをターゲツトとし
て、これ等を種々のガス雰囲気中でスパツターリ
ングすることによつて行えば良い。 例えば、Siウエーハー及びＣウエーハーをター
ゲツトとして使用する場合には、He、Ne、Ar
等のスパツターリング用のガスを、スパツター用
の堆積室中に導入してガスプラズマを形成し、前
記Siをウエーハー及びＣウエーハーをスパツター
リングすれば良い。 又、別には、SiとＣの混合した一枚のターゲツ
トを使用することによつて、スパツターリング用
のガスを装置系内に導入し、そのガス雰囲気中で
スパツターリングすることによつて成される。エ
レクトロンビーム法を用いる場合には２個の蒸着
ボート内に各々、単結晶又は多結晶の高純度シリ
コン及び高純度グラフアイトを入れ、各々独立に
エレクトロンビームによつて同時蒸着するか、又
は同一蒸着ボート内に所望の混合比にして入れた
シリコン及びグラフアイトを単一のエレクトロン
ビームによつて蒸着すればよい。第二の非晶質層
（）中に含有されるシリコン原子と炭素原子の
含有比は前者の場合、エレクトロンビームの加速
電圧をシリコンとグラフアイトに対して変化させ
ることによつて制御し、後者の場合は、あらかじ
めシリコンとグラフアイトの混合量を定めめるこ
とによつて制御する。イオンプレーテイング法を
用いる場合は蒸着槽内に種々のガスを導入しあら
かじめ槽の周囲にまいたコイルに高周波電界を印
加してグローをおこした状態でエレクトロンビー
ム法を利用してSi及びＣを蒸着すればよい。 本発明に於ける第二の非晶質層（）は、その
要求される特性が所望通りに与えられる様に注意
深く形成される。 即ち、Si、Ｃ、を構成原子とする物質は、その
作成条件によつて構造的には結晶からアモルフア
スまでの形態を取り、電気物性的には導電性から
半導体性、絶縁性までの間の性質を、又光導電的
性質から非光導電的性質までの間の性質を、各々
示すので、本発明に於いては、目的に応じた所望
の特性を有するａ−SixC1-xが形成される様に、
所望に従つてその作成条件の選択が厳密に成され
る。 例えば、第二の非晶質層（）を耐圧性の向上
を主な目的として設けるにはａ−SixC1-xは使用
環境に於いて電気絶縁性的挙動の顕著な非晶質材
料として作成される。 又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上
を主たる目的として第二の非晶質層（）が設け
られる場合には、上記の電気絶縁性の度合はある
程度緩和され、照射される光に対してある程度の
感度を有する非晶質材料としてａ−SixC1-xが作
成される。 第一の非晶質層（）の表面にａ−SixC1-xか
ら成る第二の非晶質層（）を形成する際、層形
成中の支持体温度は、形成される層の構造及び特
性を左右する重要な因子であつて、本発明に於い
ては、目的とする特性を有するａ−SixC1-xが所
望通りに作成され得る様に層作成時の支持体温度
が厳密に制御されるのが望ましい。 本発明に於ける目的が効果的に達成される為の
第二の非晶質層（）を形成する際支持体温度と
しては、第二の非晶質層（）の形成法に併せて
適宜最適範囲が選択されて、第二の非晶質層
（）の形成が行われるが、好適には20〜300℃、
最適には20〜250℃とされるのが望ましいもので
ある。 第二の非晶質層（）の形成には、層を構成す
る原子の組成比の微妙な制御や層厚の制御が他の
方法に較べて比較的容易である事等の為に、スパ
ツターリング法やエレクトロンビーム法の採用が
有利であるが、これ等の層形成法で第二の非晶質
層（）を形成する場合には、前記の支持体温度
と同様に層形成の際の放電パワーが作成されるａ
−SixC1-xの特性を左右する重要な因子の１つと
して挙げることが出来る。 本発明に於ける目的が達成される為の特性を有
するａ−SixC1-xが生産性良く効果的に作成され
る為の放電パワー条件としては、好適には50W〜
250W、最適には80W〜150Wとされるのが望まし
い。 本発明に於いては、第二の非晶質層（）を作
成する為の支持体温度、放電パワーの望ましい数
値範囲として前記した範囲の値が挙げられるが、
これ等の層作成フアクターは、独立的に別々に決
められるものではなく、所望特性のａ−SixC1-x
から成る第二の非晶質層（）が形成される様に
相互的有機的関連性に基いて各作成フアクターの
最適値が決められるのが望ましい。 本発明の光導電部材に於ける第二の非晶質層
（）に含有される炭素原子の量は、第二の非晶
質層（）の作製条件と同様本発明の目的を達成
する所望の特性が得られる層が形成される重要な
因子である。 本発明に於ける第二の非晶質層（）に含有さ
れる炭素原子の量は、通常としては、１×10-3〜
90atomic％、好適には１〜80atomic％、最適に
は10〜75atomic％とされるのが望ましいもので
ある。即ち、先のａ−SixC1-xのｘの表示で行え
ば、ｘが通常は0.1〜0.99999、好適には0.2〜
0.99、最適には0.25〜0.9である。 本発明に於ける第二の非晶質層（）の層厚の
数値範囲は、本発明の目的を効果的に達成する様
に所期の目的に応じて適宜所望に従つて決められ
る。 又、第二の非晶質層（）の層厚は、該層
（）中に含有される炭素原子の量や第一の非晶
質層（）の層厚との関係に於いても、各々の層
領域に要求される特性に応じた有機的な関連性の
下に所望に従つて適宜決定される必要がある。 更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経
済性の点に於いても考慮されるのが望ましい。 本発明に於ける第二の非晶質層（）の層厚と
しては、通常0.003〜30μ、好適には0.004〜20μ、
最適には0.005〜10μとされるのが望ましいもので
ある。 本発明において使用される支持体としては、導
電性でも電気絶縁性であつても良い。導電性支持
体としては、例えば、NiCr、ステンレス、Al、
Cr、Mo、Au、Nb、Ta、Ｖ、Ｔ、Pt、Pd等の
金属又はこれ等の合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセ
テート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の
合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラミ
ツク、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面
を導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。 例えば、ガラスあれば、その表面に、NiCr、
Al、Cr、Mo、Au、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、
Pd、In2O3、SnO2、ITO（In2O3＋SnO2）等から
成る薄膜を設けることによつて導電性が付与さ
れ、或いはポリエステルフイルム等の合成樹脂フ
イルムであれば、NiCr、Al、Ag、Pb、Zn、Ni、
Au、Cr、Mo、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt等の金
属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパツタ
リング等でその表面に設け、又は前記金属でその
表面をラミネート処理して、その表面に導電性が
付与される。支持体の形状としては、円筒状、ベ
ルト状、板状等任意の形状とし得、所望によつ
て、その形状は決定されるが、例えば、第１図の
光導電部材１００を電子写真用像形成部材として
使用するのであれば連続高速複写の場合には、無
端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持
体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成される
様に適宜決定されるが、光導電部材として可撓性
が要求される場合には、支持体としての機能が充
分発揮される範囲であれば可能な限り薄くされ
る。而乍ら、この様な場合支持体の製造上及び取
扱い上、機械的強度等の点から、通常は、10μ以
上とされる。 第２図には、本発明の光導電部材の他の好適な
実施態様例の層構成が示される。 第２図に示される光導電部材２００が、第１図
に示される光導電部材１００と異なるところは、
電荷注入防止層２０３と光導電性を示す非晶質層
２０５との間に上部補助層２０４を有することで
ある。 即ち、光導電部材２００は、支持体２０１、該
支持体２０１上に順に積層された、下部補助層２
０２、電荷注入防止層２０３、上部補助層２０４
及び第一の非晶質層（）２０５及び第二の非晶
質層（）とを具備し、非晶質層（）２０６は
自由表面２０７を有する。上部補助層２０４は、
電荷注入防止層２０３と非晶質層（）２０５と
の間の密着を強固にし、両層の接触界面に於ける
電気的接触を均一にしていると同時に、電荷注入
防止層２０３の上に直に設けることによつて、電
荷注入防止層２０３の層質を強靭なものとしてい
る。 第２図に示される光導電部材２００を構成する
下部補助層２０２及び上部補助層２０４は、第１
図に示した光導電部材１００を構成する補助層１
０２の場合と同様の非晶質材料を使用して、同様
の特性が与えられる様に同様な層作成手順と条件
によつて形成される。 電荷注入防止層２０３及び非晶質層（）２０
５、非晶質層（）２０６も夫々、第１図に示す
電荷注入防止層１０３及び非晶質層（）１０
４、非晶質層（）１０５と同様の特性及び機能
を有し、第１図の場合と同様な層作成手順と条件
によつて形成される。 次に本発明の光導電部材の製造方法の一例を図
に従つて説明する。 第３図に光導電部材の製造装置の一例を示す。 図中の３０２〜３０６のガスボンベには、本発
明の夫々の層を形成するために使用されるガスが
密封されており、その１例として、たとえば、３
０２はHeで稀釈されたSiH4ガ（純度99.999％、
以下SiH4／Heと略す。）ボンベ、３０３はHeで
稀釈されたPH3ガス（純度99.999％、以下PH3／
Heと略す。）、３０４はNH3ガス（純度99.99％）
ボンベ、３０５はArガスボンベ、３０６は、He
で稀釈されたSiF4ガス（純度99.999％、以下
SiF4／Heと略す）ボンベである。 ３４２−１、３４２−２はスパツター用のター
ゲツトであつて、目的とする層の形成に従つて、
ターゲツトの種類は適宜選択される。 前記の種々のガスを反応室３０１に流入させる
にはガスボンベ３０２〜３０６のバルブ３２２〜
３２６、リークバルブ３３５が閉じられているこ
とを確認し、又、流入バルブ３１２〜３１６、流
出バルブ３１７〜３２１、補助バルブ３３２が開
かれていることを確認して先ずメインバルブ３３
４を開いて反応室３０１、及びガス配管内を排気
する。 次に真空計３３６の読みが約５×10-6torrにな
つた時点で、補助バルブ３３２、流入バルブ３１
２〜３１６、流出バルブ３１７〜３２１を閉じ
る。 その後、反応室３０１内に導入すべきガスのボ
ンベに接続されているガス配管のバルブを所定通
り操作して、所望するガスを反応室３０１内に導
入する。 次に第１図に示す構成と同様の構成の光導電部
材を作成する場合の一例の概略を述べる。 所定の支持体３３７上に、先ず補助層をスパツ
タリング法によつて形成するには、先ず、シヤツ
ター３４２を開く。すべてのガス供給バルブは、
一旦閉じられ、反応室３０１はメインバルブ３３
４を全開することにより、排気される。高圧電力
が印加される電極３４１上に高純度シリコンウエ
ハ３４２−１、及び高純度窒化シリコンウエハ３
４２−２が所望のスパツター面積比率でターゲツ
トとして設置されている。 ガスボンベ３０５よりArガスを、ガスボンベ
３０６よりSiF4／Heガスを、必要に応じてガス
ボンベ３０４よりNH3ガスを、夫々、所定のバ
ルブを操作して反応室３０１内に導入し、反応室
３０１の内圧が0.05〜1Torrとなるよう、メイン
バルブ３３４の開口を調整する。高圧電源３４０
をONとし、シリコンウエーハー３４２−１と窒
化シリコンウエハ３４２−２とを同時にスパツタ
リングすることにより、シリコン原子、窒素原
子、弗素原子、よりなる非晶質材料で構成された
補助層を支持体３３７上に形成することが出来
る。 補助層中に含有される窒素原子の量は、シリコ
ンウエハと窒化シリコンウエハのスパツター面積
比率や、NH3ガスを導入する際には、NH3ガス
の流量を調整することで所望に従つて制御するこ
とが出来る。又、ターゲツトの作成の際にシリコ
ン粉末とSi3N4粉末の混合比を変えることでも行
うことが出来る。 この際に層形成中は、支持体３３７は、加熱ヒ
ータ３３８によつて所望の温度に加熱される。 次に、前記の補助層上に電荷注入防止層を形成
する補助層の形成終了後、電源３４０をOFFに
して放電を中止し、一旦、装置のガス導入用の配
管の全系のバルブを閉じ、反応室３０１内に残存
するガスを反応室３０１外に排出して所定の真空
度にする。 その後、シヤツター３４２を閉じ、ガスボンベ
３０２よりSiH4／Heガスを、ガスボンベ３０３
よりPH3／Heガスを、夫々バルブ３２２、３２
３を夫々開いて、出口圧ゲージ３２７、３２８の
圧を１Kg／cm2に調整し、流入バルブ３１２、３１
３を徐々に開けて、マスフロコントローラ３０
７、３０８内に夫々流入させる。引き続いて流出
バルブ３１７、３１８、補助バルブ３３２を徐々
に開いて夫々のガスを反応室３０１内に流入させ
る。このときのSiH4／Heガス流量、PH3／Heガ
ス流量の夫々の比が所望の値になるよう流出バル
ブ３１７、３１８を調整し、また、反応室３０１
内の圧力が所望の値になるように真空計３３６の
読みを見ながらメインバルブ３３４の開口を調整
する。 そして支持体３３７の温度が加熱ヒーター３３
８により50〜400℃の範囲の温度に設定されてい
ることが確認された後、電源３４０をONにして
所望の電力に設定し、反応室３０１内にグロー放
電を生起させて支持体３３７上に電荷注入防止層
を形成する。 電荷注入防止層に設けられる、光導電性を示す
非晶質層（）の形成は、例えばボンベ３０２内
に充填されているSiH4／Heガスを使用し、前記
した電荷注入防止層の場合と同様の手順によつて
行うことが出来る。 非晶質層（）の形成の際に使用される原料ガ
ス種としては、SiH4ガスの他に、殊にSi2H6ガス
が層形成速度の向上を計る為に有効である。 第一の非晶質層（）中にハロゲン原子を含有
させる場合には上記のガスに、例えばSiF4／He
を、更に付加して反応室３０１内に送り込む。 第一の非晶質層（）上に第二の非晶質層
（）を形成するには、例えば、次の様に行う。
まずシヤツター３４２を開く。すべてのガス供給
バルブは一旦閉じられ、反応室３０１は、メイン
バルブ３３４を全開することにより、排気され
る。 高圧電力が印加される電極３４１上には、予め
高純度シリコンウエハ３４２−１、及び高純度グ
ラフアイトウエハ３４２−２が所望の面積比率で
設置されたターゲツトを設けておく。ガスボンベ
３０５より、Arガスを、反応室３０１内に導入
し、反応室３０１の内圧が0.05〜1torrとなるよ
うメインバルブ３３４を調節する。高圧電源３４
０をONとし前記のターゲツトをスパツタリング
することにより、第一の非晶質層（）上に第二
の非晶質層（）を形成するとが出来る。 第二の非晶質層（）中に含有される炭素原子
の量は、シリコンウエハとグラフアイトウエハの
スパツター面積比率や、ターゲツトを作成する際
のシリコン粉末とグラフアイト粉末の混合比を所
望に従つて調整することによつて所望に応じて制
御することが出来る。 実施例 １ 第３図に示した製造装置により、アルミニウム
基板上に、以下の条件で層形成を行つた。 こうして得られた像形成部材を帯電露光現像装
置に設置し、5kVで0.2sec間コロナ帯電を行い
直ちに光像を照射した。光源はタングステンラン
プを用い、1.0lux・secの光量を、透過型のテス
トチヤートを用いて照射した。 その後直ちに荷電性の現像剤（トナーとキヤ
リヤを含む）を部材表面をカスケードすることに
よつて、部材表面上に良好なトナー画像を得た。 このようにして得られたトナー像を、一旦ゴム
ブレードでクリーニングし、再び上記作像クリー
ニング工程を繰り返した。繰り返し回数15万回以
上行つても、画像の劣化は見られなかつた。
【表】
実施例 ２
第３図に示した製造装置により、Al基板上に
以下の条件で層形成を行つた。 その他の条件は実施例１と同様にして行つた。 こうして得られた像形成部材を帯電露光現像装
置に設置し、5kVで0.2sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した。光源はタングステン
ランプを用い、1.0lux・secの光量を透過型のテ
ストチヤートを用いて照射した。 その後直ちに荷電性の現像剤（トナーとキヤ
リヤを含む）を部材表面をカスケードすることに
よつて、部材表面上に良好なトナー画像を得た。 このようにして得られたトナー像を一旦ゴムブ
レードでクリーニングし、再び上記作像、クリー
ニング工程を繰り返した。繰り返し回数10万回以
上行つても画像の劣化は見られなかつた。
以下の条件で層形成を行つた。 その他の条件は実施例１と同様にして行つた。 こうして得られた像形成部材を帯電露光現像装
置に設置し、5kVで0.2sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した。光源はタングステン
ランプを用い、1.0lux・secの光量を透過型のテ
ストチヤートを用いて照射した。 その後直ちに荷電性の現像剤（トナーとキヤ
リヤを含む）を部材表面をカスケードすることに
よつて、部材表面上に良好なトナー画像を得た。 このようにして得られたトナー像を一旦ゴムブ
レードでクリーニングし、再び上記作像、クリー
ニング工程を繰り返した。繰り返し回数10万回以
上行つても画像の劣化は見られなかつた。
【表】
実施例 ３
第３図に示した装置により、Al基板上に以下
の条件で層形成を行つた。 その他の条件は、実施例１と同様にして行つ
た。 こうして得られた像形成部材を帯電露光現像装
置に設置し、5kVで0.2sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した。光源はタングステン
ランプを用い、1.0lux・secの光量を透過型のテ
ストチヤートを用いて照射した。 その後直ちに荷電性の現像剤（トナーとキヤ
リヤを含む）を部材表面をエスケードすることに
よつて、部材表面上に濃度の極めて高い良好なト
ナー画像を得た。 このようにして得られたトナー像を一旦ゴムブ
レードでクリーニングし、再び上記作像、クリー
ニング工程を繰り返した。繰り返し回数15万回以
上行つても、画像の劣化は見られなかつた。
の条件で層形成を行つた。 その他の条件は、実施例１と同様にして行つ
た。 こうして得られた像形成部材を帯電露光現像装
置に設置し、5kVで0.2sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した。光源はタングステン
ランプを用い、1.0lux・secの光量を透過型のテ
ストチヤートを用いて照射した。 その後直ちに荷電性の現像剤（トナーとキヤ
リヤを含む）を部材表面をエスケードすることに
よつて、部材表面上に濃度の極めて高い良好なト
ナー画像を得た。 このようにして得られたトナー像を一旦ゴムブ
レードでクリーニングし、再び上記作像、クリー
ニング工程を繰り返した。繰り返し回数15万回以
上行つても、画像の劣化は見られなかつた。
【表】
実施例 ４
非晶質層（）の形成時、シリコンウエハとグ
ラフアイトの面積比を変えて、非晶質層（）に
於けるシリコン原子と炭素原子の含有量比を変化
させる以外は、実施例１と全く同様な方法によつ
て像形成部材を作成した。こうして得られた像形
成部材につき、実施例１に述べた如き、作像、現
像、クリーニングの工程を約５万回繰り返した後
画像評価を行つたところ第４表の如き結果を得
た。
ラフアイトの面積比を変えて、非晶質層（）に
於けるシリコン原子と炭素原子の含有量比を変化
させる以外は、実施例１と全く同様な方法によつ
て像形成部材を作成した。こうして得られた像形
成部材につき、実施例１に述べた如き、作像、現
像、クリーニングの工程を約５万回繰り返した後
画像評価を行つたところ第４表の如き結果を得
た。
【表】
◎：非常に良好 ○：良好 △：実用に充分耐える
×：画像欠陥を生ずる
実施例 ５ 非晶質層（）の層厚を変える以外は、実施例
１と全く同様な方法によつて像形成部材を作成し
た。実施例１に述べた如き、作像、現像、クリー
ニングの工程を繰り返し下記の結果を得た。
×：画像欠陥を生ずる
実施例 ５ 非晶質層（）の層厚を変える以外は、実施例
１と全く同様な方法によつて像形成部材を作成し
た。実施例１に述べた如き、作像、現像、クリー
ニングの工程を繰り返し下記の結果を得た。
【表】
【表】
実施例 ６
非晶質層（）以外の形成方法を下表の如く変
える以外は、実施例１と同様な方法で像形成部材
を作成し、実施例１と同様な方法で評価を行つた
ところ良好な結果が得られた。
える以外は、実施例１と同様な方法で像形成部材
を作成し、実施例１と同様な方法で評価を行つた
ところ良好な結果が得られた。
【表】
実施例 ７
非晶質層（）以外の形成方法を下表の如く変
える以外は、実施例１と同様な方法で像形成部材
を作成し、実施例１と同様な方法で評価を行つた
ところ、良好な結果が得られた。
える以外は、実施例１と同様な方法で像形成部材
を作成し、実施例１と同様な方法で評価を行つた
ところ、良好な結果が得られた。
【表】
実施例 ８
実施例１、２、３、６、７に於いて、非晶質層
（）の形成を以下の表の条件にした以外は、各
実施例に於ける条件及び手順に従つて像形成部材
を作成し、各実施例に於けるのと同様の評価を行
つたところ、良好な結果が得られた。
（）の形成を以下の表の条件にした以外は、各
実施例に於ける条件及び手順に従つて像形成部材
を作成し、各実施例に於けるのと同様の評価を行
つたところ、良好な結果が得られた。
第１図及び第２図は、夫々、本発明の光導電部
材の好適な実施態様例の構成を示す模式的構成
図、第３図は、本発明の光導電部材を製造する為
の装置の一例を示す模式的説明図である。 １００，２００……光導電部材、１０１，２０
１……支持体、１０２，２０２，２０４……補助
層、１０３，２０３……電荷注入防止層、１０
４，２０５……非晶質層（）、１０５，２０６
……非晶質層（）、１０６，２０７……自由表
面。
材の好適な実施態様例の構成を示す模式的構成
図、第３図は、本発明の光導電部材を製造する為
の装置の一例を示す模式的説明図である。 １００，２００……光導電部材、１０１，２０
１……支持体、１０２，２０２，２０４……補助
層、１０３，２０３……電荷注入防止層、１０
４，２０５……非晶質層（）、１０５，２０６
……非晶質層（）、１０６，２０７……自由表
面。
Claims (1)
- １ 光導電部材用の支持体と、シリコン原子を母
体とし、構成原子としてハロゲン原子と
30atomic％未満の窒素原子を含有する非晶質材
料で構成された補助層と、シリコン原子を母体と
し、周期律表第族に属する原子を構成原子とし
て含有する非晶質材料で構成された、層厚0.3〜
5μの電荷注入防止層と、シリコン原子を母体と
する非晶質材料で構成され、光導電性を示す第一
の非晶質層と、前記第一の非晶質層上に、シリコ
ン原子と炭素原子とを構成原子として含む非晶質
材料で構成された第二の非晶質層を有する事を特
徴とする光導電部材。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57031938A JPS58149051A (ja) | 1982-03-01 | 1982-03-01 | 光導電部材 |
| US06/463,043 US4452874A (en) | 1982-02-08 | 1983-02-01 | Photoconductive member with multiple amorphous Si layers |
| CA000420977A CA1183380A (en) | 1982-02-08 | 1983-02-04 | Photoconductive member including amorphous si matrix in each of interface, rectifying and photoconductive layers |
| FR8301874A FR2521316B1 (fr) | 1982-02-08 | 1983-02-07 | Element photoconducteur |
| DE19833304198 DE3304198A1 (de) | 1982-02-08 | 1983-02-08 | Photoleitfaehiges bauelement |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57031938A JPS58149051A (ja) | 1982-03-01 | 1982-03-01 | 光導電部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58149051A JPS58149051A (ja) | 1983-09-05 |
| JPH0410628B2 true JPH0410628B2 (ja) | 1992-02-25 |
Family
ID=12344907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57031938A Granted JPS58149051A (ja) | 1982-02-08 | 1982-03-01 | 光導電部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58149051A (ja) |
-
1982
- 1982-03-01 JP JP57031938A patent/JPS58149051A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58149051A (ja) | 1983-09-05 |