JPH0410685A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JPH0410685A JPH0410685A JP11457390A JP11457390A JPH0410685A JP H0410685 A JPH0410685 A JP H0410685A JP 11457390 A JP11457390 A JP 11457390A JP 11457390 A JP11457390 A JP 11457390A JP H0410685 A JPH0410685 A JP H0410685A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、横モード制御構造のＡｌＧａＩｎＰ系半導体
レーザに関する。
レーザに関する。
（従来の技術）
近年、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザは有機金属熱分解
法（以下ＭＯＶＰＥ法と略す）という気相結晶成長法に
より形成され、長寿命可視光半導体レーザとして実現さ
れている［五明ら、エレクトロニクス レターズ ２３
巻（１９８７年）８５ページ；＾、ＧＯＨ’１０ ｅｔ
ａｌ、ＥＬＥｃＴＲＯＮＩｃｓ ＬＥＴＴＥＲ３２３
（１９８７）８５ ］。ＭＯＶＰＥ法はトリメチルアル
ミニウム（ＴＭＡＩ）、）リエチルガリウム（ＴＥＧａ
）、トリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）などの有機金属
蒸気及びホスフィン（ＰＨ，）なとの水素化物ガスを原
料とした気相成長法であり、例えば、ＡｌＧａＩｎＰの
成長はこれらＴＭＡ ＩＴＥＧａ、ＴＭＩｎ蒸気及びＰ
Ｈ，ガスをＧａＡｓ基板の上に導入し、加熱してエピタ
キシャル成長を行うものである。この半導体レーザをレ
ーザプリンタや光ディスクに応用するためには、高いレ
ーザ光出力（２０ｍＷ以上）まで単一横モードで発振す
ることが望ましい。単一横モードで発振させるために従
来のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザでは、第５図に示す
ように、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型ＡＩＧａＴｎＰ
からなるクラッド層２と、ＡｌＧａＩｎＰまたはＧａＩ
ｎＰからなる活性層３と、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰからなる
メサストライプ状に厚いクラッド層４とが形成され、こ
のメサストライプの両脇にｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１１
が設けられていた［藤井ら、エレクトロニクス レター
ズ ２３巻（１９８７年）９３８ページ； Ｈ，ＦＵＪ
ｌｌ ｅｔ ａｌ、ＥＬＥｃＴＲＯＮＩｃｓ ＬＥＴＴ
ＥＲ８２３（１９８７）９３８ ］ 。ｎ型ＧａＡｓ電
流狭窄層１１は光吸収層として働き、この光吸収層の作
用により第５図の半導体レーザは単一横モード発振をす
る。
法（以下ＭＯＶＰＥ法と略す）という気相結晶成長法に
より形成され、長寿命可視光半導体レーザとして実現さ
れている［五明ら、エレクトロニクス レターズ ２３
巻（１９８７年）８５ページ；＾、ＧＯＨ’１０ ｅｔ
ａｌ、ＥＬＥｃＴＲＯＮＩｃｓ ＬＥＴＴＥＲ３２３
（１９８７）８５ ］。ＭＯＶＰＥ法はトリメチルアル
ミニウム（ＴＭＡＩ）、）リエチルガリウム（ＴＥＧａ
）、トリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）などの有機金属
蒸気及びホスフィン（ＰＨ，）なとの水素化物ガスを原
料とした気相成長法であり、例えば、ＡｌＧａＩｎＰの
成長はこれらＴＭＡ ＩＴＥＧａ、ＴＭＩｎ蒸気及びＰ
Ｈ，ガスをＧａＡｓ基板の上に導入し、加熱してエピタ
キシャル成長を行うものである。この半導体レーザをレ
ーザプリンタや光ディスクに応用するためには、高いレ
ーザ光出力（２０ｍＷ以上）まで単一横モードで発振す
ることが望ましい。単一横モードで発振させるために従
来のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザでは、第５図に示す
ように、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型ＡＩＧａＴｎＰ
からなるクラッド層２と、ＡｌＧａＩｎＰまたはＧａＩ
ｎＰからなる活性層３と、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰからなる
メサストライプ状に厚いクラッド層４とが形成され、こ
のメサストライプの両脇にｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１１
が設けられていた［藤井ら、エレクトロニクス レター
ズ ２３巻（１９８７年）９３８ページ； Ｈ，ＦＵＪ
ｌｌ ｅｔ ａｌ、ＥＬＥｃＴＲＯＮＩｃｓ ＬＥＴＴ
ＥＲ８２３（１９８７）９３８ ］ 。ｎ型ＧａＡｓ電
流狭窄層１１は光吸収層として働き、この光吸収層の作
用により第５図の半導体レーザは単一横モード発振をす
る。
（発明が解決しようとする課！！り
しかしながら従来のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザでは
、Ｐ型ＡｌＧａＩｎＰでなるクラッド層の比抵抗が高い
から、メサストライプ構造の幅が広く斜面の角度が緩や
かなときメサストライプ内周辺部への電流の広がりがあ
まり起こらなくなり、レーザ発振時にメサストライプ内
周辺部の活性層における発光が極端に小さくなる。この
ような発光状態では、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１１が光
吸収層として働かなくなり、横モード安定性が悪くなっ
ていた。
、Ｐ型ＡｌＧａＩｎＰでなるクラッド層の比抵抗が高い
から、メサストライプ構造の幅が広く斜面の角度が緩や
かなときメサストライプ内周辺部への電流の広がりがあ
まり起こらなくなり、レーザ発振時にメサストライプ内
周辺部の活性層における発光が極端に小さくなる。この
ような発光状態では、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１１が光
吸収層として働かなくなり、横モード安定性が悪くなっ
ていた。
本発明の目的は、横モード制御性に優れたＡ１ＧａＩｎ
Ｐ系半導体レーザを提供することにある。
Ｐ系半導体レーザを提供することにある。
（課題を解決するための手段）
本願の第１の発明の半導体レーザは、ｎ型ＧａＡｓ基板
上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型クラッド層と、
ＧａＩｎＰまたはＡｌＧａＩｎＰからなる活性層と、ｐ
型ＡｌＧａＩｎＰからなり、メサストライプ状に層の厚
さを部分的に厚くしてなるメサストライプ構造を有する
ｎ型クラッド層とがこの順に積層され、このｎ型クラッ
ド層の前記メサストライプ構造の斜面にｐ型（Ａ１８Ｇ
ａ＋−ｘ ）Ａｓ （ｘ＝ｏ〜０．８）層を有し、斜面
がそのｐ型（ＡｔえＧ ａ ＋−え）Ａｓで覆われてな
るメサストライプ構造の両脇にｎ型ＧａＡｓ層を有する
ことを特徴とする。
上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型クラッド層と、
ＧａＩｎＰまたはＡｌＧａＩｎＰからなる活性層と、ｐ
型ＡｌＧａＩｎＰからなり、メサストライプ状に層の厚
さを部分的に厚くしてなるメサストライプ構造を有する
ｎ型クラッド層とがこの順に積層され、このｎ型クラッ
ド層の前記メサストライプ構造の斜面にｐ型（Ａ１８Ｇ
ａ＋−ｘ ）Ａｓ （ｘ＝ｏ〜０．８）層を有し、斜面
がそのｐ型（ＡｔえＧ ａ ＋−え）Ａｓで覆われてな
るメサストライプ構造の両脇にｎ型ＧａＡｓ層を有する
ことを特徴とする。
本願の第２の発明の半導体レーザは、ｎ型ＧａＡｓ基板
上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型クラッド層と、
ＧａＩｎＰまたはＡ Ｉ Ｇａ Ｔ ｎＰからなる活性
層と、Ｐ型ＡｌＧａＩｎＰからなり、メサストライプ状
に層の厚さを部分的に厚くしてなるメサストライプ構造
を有するＰ型りラッド層とがこの順に積層され、このｎ
型クラッド層の前記メサストライプ構造の斜面上にｐ型
ＧａＩｎＰ屑及びｐ型（Ａ ｌ ｗ Ｇ ａ １−８）
ＡＳ（ｘ＝０〜０．８）層がこの順に積層されており、
斜面が前記ｐ型ＧａＩｎＰ層及びｐ型（Ａ ］ Ｋ Ｇ
ａ ＋−＊ ）Ａｓ層で覆われてなるメサストライプ
構造の両脇にｎ型ＧａＡｓ層を有することを特徴とする
。
上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型クラッド層と、
ＧａＩｎＰまたはＡ Ｉ Ｇａ Ｔ ｎＰからなる活性
層と、Ｐ型ＡｌＧａＩｎＰからなり、メサストライプ状
に層の厚さを部分的に厚くしてなるメサストライプ構造
を有するＰ型りラッド層とがこの順に積層され、このｎ
型クラッド層の前記メサストライプ構造の斜面上にｐ型
ＧａＩｎＰ屑及びｐ型（Ａ ｌ ｗ Ｇ ａ １−８）
ＡＳ（ｘ＝０〜０．８）層がこの順に積層されており、
斜面が前記ｐ型ＧａＩｎＰ層及びｐ型（Ａ ］ Ｋ Ｇ
ａ ＋−＊ ）Ａｓ層で覆われてなるメサストライプ
構造の両脇にｎ型ＧａＡｓ層を有することを特徴とする
。
（作用）
Ｐ型（Ａ１．Ｇａｐ−ｘ ）Ａｓ （ｘ＝Ｏ〜０．８）
層は、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層に比べ比抵抗が小さい。そ
こで、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層のメサストライプ
構造の斜面にＰ型（Ａ ＩＫ Ｇａ１−Ｋ ）Ａｓ （
ｘ＝Ｏ〜０．８）層を形成すると、電流はｐ型（ＡＩＫ
Ｇａｐ−＋ｃ ）Ａｓ （ｘ＝ｏ〜０．８）層を形成
すると、電流はｐ型（ＡｌえＧ ａ １−ｘ ）Ａｓ
（ｘ＝Ｏ〜０．８）［にかなり流れることになり、メサ
ストライプ構造の幅が広く斜面の角度が緩やかなときに
も、メサストライプ内周辺部へ電流が広がり、レーザ発
振時にメサストライプ内周辺部の活性層の発光が得られ
、安定した横モード制御が可能になる。
層は、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層に比べ比抵抗が小さい。そ
こで、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層のメサストライプ
構造の斜面にＰ型（Ａ ＩＫ Ｇａ１−Ｋ ）Ａｓ （
ｘ＝Ｏ〜０．８）層を形成すると、電流はｐ型（ＡＩＫ
Ｇａｐ−＋ｃ ）Ａｓ （ｘ＝ｏ〜０．８）層を形成
すると、電流はｐ型（ＡｌえＧ ａ １−ｘ ）Ａｓ
（ｘ＝Ｏ〜０．８）［にかなり流れることになり、メサ
ストライプ構造の幅が広く斜面の角度が緩やかなときに
も、メサストライプ内周辺部へ電流が広がり、レーザ発
振時にメサストライプ内周辺部の活性層の発光が得られ
、安定した横モード制御が可能になる。
また第２の発明においては、Ｐ型（ＡｔＫＧ ａ １−
Ｋ ） Ａ ｓ （ｘ−０〜０５８）層とｐ型ＡｌＧａ
Ｉ ｎＰクラッド層の間にＰ型Ｇａ Ｉ ｎＰ層が挟
まれている。このｐ型ＧａＩｎＰ層により、ｐ型（Ａ１
． Ｇａｐ−、）Ａｓ （ｘ＝０−０．８）１とＰ型Ａ
ｌＧａＩｎＰクラッド層の間のへテロ障壁が緩和され、
半導体レーザ装置に印加された電圧が低いときにもメサ
ストライプ内周辺部に電流が流れるようになり、低いレ
ーザ光出力で安定した横モード制御が可能になる。
Ｋ ） Ａ ｓ （ｘ−０〜０５８）層とｐ型ＡｌＧａ
Ｉ ｎＰクラッド層の間にＰ型Ｇａ Ｉ ｎＰ層が挟
まれている。このｐ型ＧａＩｎＰ層により、ｐ型（Ａ１
． Ｇａｐ−、）Ａｓ （ｘ＝０−０．８）１とＰ型Ａ
ｌＧａＩｎＰクラッド層の間のへテロ障壁が緩和され、
半導体レーザ装置に印加された電圧が低いときにもメサ
ストライプ内周辺部に電流が流れるようになり、低いレ
ーザ光出力で安定した横モード制御が可能になる。
（実施例）
次に、本発明について図面を参照して一層詳しく説明す
る。
る。
第１図は本願の第１の発明の一実施例である半導体レー
ザのチップを示す断面図であり、第３図はこの半導体レ
ーザの製作行程図である。
ザのチップを示す断面図であり、第３図はこの半導体レ
ーザの製作行程図である。
この実施例の製作においては、まず−回目の減圧ＭＯＶ
ＰＥ法による成長で、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型（
Ａ Ｉ ０．６ ０ ａ ０．４ ） ｏ、５Ｉｎｏ
Ｐクラッド層２（厚さ１μｍ）Ｇａｏ、ｓ Ｉ ｎｏ
、ｓ Ｐ／ （Ａ ｌ ｏ６Ｇａｏ、＋ ） ｏ、５Ｉ
ｎｏ５．Ｐ超格子活性１３（厚さ０．０７μｍ）、ｐ型
（ＡＩｏ、ｂＧａｏ、４ ） ｏ、５ Ｉ ｎｏ、ｓ
Ｐクラッド層４（厚さ１μｍ＞、ｐ型Ｇａｏ、ｓ Ｉ
ｎｏ、ｓ Ｐ層５、ｐ型ＧａＡｓ−ｑギツプＮ６を順次
に形成した（第３図（ａ））。成長条件は、温度６６０
℃圧カフ ０ｔｏｒｒ、 Ｖ／Ｉ［［＝２００である。
ＰＥ法による成長で、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型（
Ａ Ｉ ０．６ ０ ａ ０．４ ） ｏ、５Ｉｎｏ
Ｐクラッド層２（厚さ１μｍ）Ｇａｏ、ｓ Ｉ ｎｏ
、ｓ Ｐ／ （Ａ ｌ ｏ６Ｇａｏ、＋ ） ｏ、５Ｉ
ｎｏ５．Ｐ超格子活性１３（厚さ０．０７μｍ）、ｐ型
（ＡＩｏ、ｂＧａｏ、４ ） ｏ、５ Ｉ ｎｏ、ｓ
Ｐクラッド層４（厚さ１μｍ＞、ｐ型Ｇａｏ、ｓ Ｉ
ｎｏ、ｓ Ｐ層５、ｐ型ＧａＡｓ−ｑギツプＮ６を順次
に形成した（第３図（ａ））。成長条件は、温度６６０
℃圧カフ ０ｔｏｒｒ、 Ｖ／Ｉ［［＝２００である。
原料としてはＴＭＡ］ 、ＴＥＧａ、ＴＭＩ ｎ、ホス
フィン、アルシンを用い、ｎ型ドーパントとしてジシラ
ン、ｐ型ドーパントとしてジメチルジンクを用いた。
フィン、アルシンを用い、ｎ型ドーパントとしてジシラ
ン、ｐ型ドーパントとしてジメチルジンクを用いた。
こうして成長したウェハにフォトリソグラフィにより＠
５μｍのストライプ状のＳｉＯ□マスク９を形成しなく
第３図（ｂ））。次にこのＳ ｉ Ｏ２マスク９を用い
てＰ型（Ａ Ｉ ｏ、ｂ Ｇ ａｏ４）。
５μｍのストライプ状のＳｉＯ□マスク９を形成しなく
第３図（ｂ））。次にこのＳ ｉ Ｏ２マスク９を用い
てＰ型（Ａ Ｉ ｏ、ｂ Ｇ ａｏ４）。
Ｉｎｏ、ｓＰクラッド層４の途中までメサ状にエツチン
グしな（第３図（Ｃ））。その後、２回目のＭＯＶＰＥ
成長によりｎ型ＧａＡｓ層８及びｎ型Ｇ’ａＡｓ層１１
をメサストライプの両脇に選択的に形成した（第３図（
ｄ） 、（ｅ））、ＳｉＯ２マスク９を除去した後、３
回目のＭＯＶＰＥ成長によりｐ型ＧａＡｓコンタクト層
７を形成した（第３図（ｆ））。
グしな（第３図（Ｃ））。その後、２回目のＭＯＶＰＥ
成長によりｎ型ＧａＡｓ層８及びｎ型Ｇ’ａＡｓ層１１
をメサストライプの両脇に選択的に形成した（第３図（
ｄ） 、（ｅ））、ＳｉＯ２マスク９を除去した後、３
回目のＭＯＶＰＥ成長によりｐ型ＧａＡｓコンタクト層
７を形成した（第３図（ｆ））。
第２図は本願の第２の発明の一実施例を示す断面図であ
る。この実施例は第１図とほぼ同じ構造であるが、メサ
ストライプ両脇のｎ型ＧａＡｓ層８の成長前にＰ型Ｇａ
ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ層１２を形成している点で第
１図の実施例とは異なる。
る。この実施例は第１図とほぼ同じ構造であるが、メサ
ストライプ両脇のｎ型ＧａＡｓ層８の成長前にＰ型Ｇａ
ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ層１２を形成している点で第
１図の実施例とは異なる。
このようにして製作した本発明の半導体レーザ（第１図
の実施例）と従来の半導体レーザのレーザ光出力対電流
特性を第４図（こ示す。従来の半導体レーザでは、レー
ザ光出力と電流との比例関係が低出力で大きくずれ、横
モード制御が崩れていることを示している。他方、本発
明の半導体レーザ装置は２０ｍＷ以上まで単一横モード
でレーザ発振した。
の実施例）と従来の半導体レーザのレーザ光出力対電流
特性を第４図（こ示す。従来の半導体レーザでは、レー
ザ光出力と電流との比例関係が低出力で大きくずれ、横
モード制御が崩れていることを示している。他方、本発
明の半導体レーザ装置は２０ｍＷ以上まで単一横モード
でレーザ発振した。
（発明の効果）
以上に説明してきたように、本発明では、ｐ型ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層のメサストライプ構造とそのメサスト
ライプ両脇のｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ層の間にＰ型＜Ａ Ｉ
、Ｇａ、−、） Ａ ｓ （ｘ＝０〜Ｑ 、 ！３
）層を有することにより、メサストライプ構造の幅が広
く斜面の角度が緩やかなときにも、メサストライプ内周
辺部へ電流が広がり、ひいてはその周辺部ヘレーザ光が
広がり、メサストライプ両脇のｎ型ＧａＡｓ層による光
吸収を利用した安定した横モード制御ＡｌＧａＩｎＰ系
半導体レーザ装置が得られた。
ＩｎＰクラッド層のメサストライプ構造とそのメサスト
ライプ両脇のｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ層の間にＰ型＜Ａ Ｉ
、Ｇａ、−、） Ａ ｓ （ｘ＝０〜Ｑ 、 ！３
）層を有することにより、メサストライプ構造の幅が広
く斜面の角度が緩やかなときにも、メサストライプ内周
辺部へ電流が広がり、ひいてはその周辺部ヘレーザ光が
広がり、メサストライプ両脇のｎ型ＧａＡｓ層による光
吸収を利用した安定した横モード制御ＡｌＧａＩｎＰ系
半導体レーザ装置が得られた。
第１図及び第２図は本発明の実施例である半導体レーザ
のチップを示す断面図であり、第３図は第１図の半導体
レーザの製作行程図である。第４図は本発明の半導体レ
ーザと従来のレーザのレーザ光出力対電流特性図である
。また、第５図は従来の半導体レーザのチップを示す断
面図である。 １−−・ｎ型ＧａＡｓ基板、２ ・−ｎ型ＡｌＧａＩｎ
Ｐクラッド層、３・・・ＧａＩｎＰ活性層、４・・・ｐ
型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、５−ｐ型ＧａＩｎＰ層、
６・・・Ｐ型ＧａＡｓキャップ層、７・・・Ｐ型ＧａＡ
ｓコンタクト層、 ８− ｐ型ＧａＡｓ層、 ９・・・ ＳｉＯ２、 １・・・ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層、 ・・・Ｐ型ＧａＩ ｎＰ層。
のチップを示す断面図であり、第３図は第１図の半導体
レーザの製作行程図である。第４図は本発明の半導体レ
ーザと従来のレーザのレーザ光出力対電流特性図である
。また、第５図は従来の半導体レーザのチップを示す断
面図である。 １−−・ｎ型ＧａＡｓ基板、２ ・−ｎ型ＡｌＧａＩｎ
Ｐクラッド層、３・・・ＧａＩｎＰ活性層、４・・・ｐ
型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、５−ｐ型ＧａＩｎＰ層、
６・・・Ｐ型ＧａＡｓキャップ層、７・・・Ｐ型ＧａＡ
ｓコンタクト層、 ８− ｐ型ＧａＡｓ層、 ９・・・ ＳｉＯ２、 １・・・ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層、 ・・・Ｐ型ＧａＩ ｎＰ層。
Claims (2)
- （１）ｎ型ＧａＡｓ基板上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰから
なるｎ型クラッド層と、ＧａＩｎＰまたはＡｌＧａＩｎ
Ｐからなる活性層と、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰからなり、メ
サストライプ状に層の厚さを部分的に厚くしてなるメサ
ストライプ構造を有するｐ型クラッド層とがこの順に積
層され、このｐ型クラッド層の前記メサストライプ構造
の斜面にｐ型（Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘ）Ａｓ（ｘ＝
０〜０．８）層を有し、斜面がそのｐ型（Ａｌ＿ｘＧａ
＿１＿−＿ｘ）Ａｓで覆われてなるメサストライプ構造
の両脇にｎ型ＧａＡｓ層を有することを特徴とする半導
体レーザ。 - （２）ｎ型ＧａＡｓ基板上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰから
なるｎ型クラッド層と、ＧａＩｎＰまたはＡｌＧａＩｎ
Ｐからなる活性層と、Ｐ型ＡｌＧａＩｎＰからなり、メ
サストライプ状に層の厚さを部分的に厚くしてなるメサ
ストライプ構造を有するｐ型クラッド層とがこの順に積
層され、このｐ型クラッド層の前記メサストライプ構造
の斜面上にｐ型ＧａＩｎＰ層及びｐ型（Ａｌ＿ｘＧａ＿
１＿−＿ｘ）Ａｓ（ｘ＝０〜０．８）層がこの順に積層
されており、斜面が前記Ｐ型ＧａＩｎＰ層及びｐ型（Ａ
ｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘ）Ａｓ層で覆われてなるメサス
トライプ構造の両脇にｎ型ＧａＡｓ層を有することを特
徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02114573A JP3087285B2 (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 半導体レーザ |
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| JP02114573A JP3087285B2 (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 半導体レーザ |
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-
1990
- 1990-04-27 JP JP02114573A patent/JP3087285B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
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| JP3087285B2 (ja) | 2000-09-11 |
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