JPH0410685B2

JPH0410685B2 -

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Publication number: JPH0410685B2
Application number: JP14089283A
Authority: JP
Priority date: 1983-08-01
Filing date: 1983-08-01
Publication date: 1992-02-26
Also published as: JPS6032202A

Description

【発明の詳細な説明】本発明は、ガラス等の基板表面上に形成した透
明導電膜に電極用の端子を形成する方法に関す
る。

従来、前記電極は、例えば基板表面上にインジ
ウム・テイン・オキサイド（ITO）等の透明導電
膜を形成し、該透明導電膜上の電極形成部分にア
ルミニウム（AI）、クロム（Cr）、銀（Ag）等の
薄膜を蒸着あるいはスパツタリング等の方法によ
つて形成して集電帯とし、該集電帯にリード線を
金具を介して圧着したり、あるいはリード線と該
集電帯とを導電性接着剤によつて接続する等の方
法によつて形成していた。

しかし、これらの金具を介したり、あるいは導
電性接着剤を用いたりする接続法は機械的な強度
が小さかつた。又、導電性接着剤の電気抵抗や、
前記金具と集電帯との接触部での電気抵抗も大き
く、集電帯の膜厚が薄いため、該集電帯での電気
抵抗も大きかつた。

従来用いられていた他の方法としては、例えば
銀（Ag）を含むペーストを基板の電極形成部に
スクリーン印刷し、これを焼付けて集電帯とし、
該集電帯にリード線をハンダ付け等の方法によつ
て接続するという方法がある。なお、この方法に
よる集電帯の形成は、基板１０１にまず集電帯１
０３を形成し、その後透明導電膜１０２を形成す
る場合（第１図ａ）と、これとは逆に、基板１０
１にまず透明導電膜１０２を形成し、その後集電
帯１０３を形成する場合（第１図ｂ）がある。

しかし、この方法は、第１図ａに示す場合は、
集電体１０３と透明導電膜１０２との間に段差が
生じ、このため該段差部分で透明導電膜１０２に
亀裂が生じ易く、断線の原因となつた。逆に第１
図ｂに示す場合は、ペーストの焼付け時の熱によ
り透明導電膜１０２の抵抗値が増加するという不
都合が生じた（第２図に熱処理の温度とこれに対
するインジウム・テイン・オキサイド（ITO）の
薄膜の電気抵抗の変化との関係を示す）。

本発明は従来の電極形成方法の上記欠点に鑑
み、案出されたものであり、電極部での接続強度
を大きくし、かつ導電性を良好とした透明導電膜
の電極の形成方法を提供することを目的とする。

即ち、本発明は、ガラス等の基板表面上の電極
形成部に、導電性物質の薄膜を形成して集電ベー
ス膜とし、該集電ベース膜上に導電性の集電帯形
成物質を含むペーストを焼付けて集電帯とし、該
集電帯上にリード線をハンダ付け、ロウ付け等に
よつて接続し、その後前記基板表面上に前記集電
ベース膜と接するようにして透明導電膜を形成す
ることを特徴とする透明導電膜の電極形成方法で
ある。

基板はその表面に透明導電膜を形成する台であ
り、例えば自動車等の窓ガラスに用いるガラス
板、あるいは透明な樹脂板等を用いることができ
る。

電極形成部は、透明導電膜に電力を供給する端
子である電極を形成する基板上の部分である。故
に基板表面上に少なくとも２か所、一般には該基
板表面の端部に設ける。

集電ベース膜は集電帯と透明導電膜とを広い面
積で接続する仲介をするものであり、集電帯と透
明導電膜との接続の機械的強度及び導電性を改良
するものである。集電ベース膜の材料としてはイ
ンジウム・テイン・オキサイド（ITO）、二酸化
錫（SnO₂）、インジウムオキサイド（In₂O₃）等
の透明物質、あるいは窒化チタン（TiN）、炭化
チタン（TiC）、タングステンカーバイド（WC）、
炭化ジルコニウム（ZrC）、窒化ジルコニウム
（ZrN）等の不透明物質等抵抗率の小さいものを
用いることができる。かかる集電ベース膜は蒸着
あるいはスパツタリング等の方法により基板の電
極形成部に形成する。

集電帯は透明導電膜とリード線とを接続するも
のである。集電帯としては、銀（Ag）、ニツケル
（Ni）、等を含むペーストを用い、該ペーストを
スクリーン印刷等により前記集電ベース膜上に印
刷し焼付けて形成する。該集電帯にはリード線を
直接、あるいは端子金具を介して間接に、はんだ
付け、ロウ付け等の方法によつて接続する。

リード線を接続した後、透明導電膜を基板表面
上に形成する。形成する方法は蒸着あるいはスパ
ツタリング等を用いることができる。透明導電膜
の材料としてはインジウム・テイン・オキサイド
（ITO）、二酸化錫（SnO₂）インジウムオキサイ
ド（In₂O₃）等を用いることができる。透明導電
膜の膜厚は、必要とされる発熱量、車載のバツテ
リー電源等により定まり、8000〓〜12000〓程度
である。透明導電膜は前記終電ベース膜と広い面
積で接触する。又、前記集電帯とも部分的に接触
することもできる。

透明導電膜形成後、二酸化珪素（SiO₂）、アル
ミナ（Al₂O₃）等の保護膜をスパツタリングある
いは蒸着によつて形成したり、あるいは、その
後、電極部をゴムあるいは樹脂等でコーテイング
すると良い。

本発明の方法により電極を形成すると、先ず銀
（Ag）等を含むペーストを印刷、焼き付けて集電
帯を形成した後に透明導電膜を基板上に形成する
ために該透明導電膜が前記ペーストの焼付け時の
熱により、抵抗値を増大させることがない。した
がつて導電率が良好である。又、集電帯と透明導
電膜との間に集電ベース膜が介在しており、集電
帯と集電ベース膜、該集電ベース膜と透明導電膜
との接触面積が広い。したがつて接触部での導電
が良好であり機械的強度も強い。又、集電ベース
膜と透明導電膜とに段差があまりないため断線の
原因ともなりにくい。さらに、リード線と集電帯
とははんだ付けにより接合できるため強度は大き
い。なお、二酸化珪素（SiO₂）の保護膜表面に
形成すると銀（Ag）ペーストを用いて形成した
集電帯の腐蝕も防止され、又、マイグレーシヨン
も発生しない。

以下、本発明を実施例に基づき説明する。

第３図は本発明の方法により製造した透明導電
膜の電極部の要部拡大断面模式図である。

先ず基板１として自動車用の窓ガラスに用いる
ガラス板を用意し、これを有機溶剤、純水などで
充分洗浄し、乾燥した後、電極形成部以外をマス
クし、スパツタリングによりITOを6000Åの厚さ
に形成し、集電ベース膜２とした。該マスクを除
去した後、低温焼成タイプのガラスフリツトの入
つた銀ペーストをスクリーン印刷により印刷し、
450℃にて焼付けて、集電帯３とした。該焼付け
により形成した銀の集電帯３の上に端子用金具４
をはんだ付けにより取付け、その後ガラス全体を
有機溶剤、純水で充分に洗浄し、不純物を取除き
清淨にした。

次に必要箇所をマスクした後、スパツタリング
によりITOを10000Å形成し、透明導電膜７とし
た。該透明導電膜７のシート抵抗は5Ω／口であ
つた。マスク除去後スパツタリングによりガラス
全体に二酸化珪素（SiO₂）の薄膜８を1000Å形
成し、その後電極部にシリコンゴム系のシーリン
グ剤９を充填した。

本発明の方法により製造した電極は、銀ペース
トによる集電帯３の形成後に透明導電膜７を形成
するために該透明導電膜７が前記集電帯３形成時
の焼付けの熱により抵抗値を増大させることはな
く導電率は良好であつた。又、集電帯３と透明導
電膜７とが集電ベース膜２により接続されている
ために接触面積が広く、導電率、機械的強度共に
良好であつた。又、リード線６は、はとだ付けに
より集電帯３に接続されているため、その機械的
強度は大きい。さらに、全体が二酸化珪素の保護
膜８で覆われているため銀集電帯３の腐蝕もなく
マイグレーシヨンも発生しなかつた。

以上、要するに本発明の電極形成方法は、導電
性物質により集電ベース膜を形成し、該集電ベー
ス膜上に集電帯をペーストにより印刷し、焼き付
け、その後透明導電膜を形成するものである。実
施例に述べたところからも明らかな様に本発明の
方法によると、電極は機械的強度も大きく、又、
導電性も良好である。

【図面の簡単な説明】

第１図ａ、及びｂは従来の電極形成方法によつ
て形成した透明導電膜の電極部の要部拡大断面模
式図である。第２図は熱処理温度に対するインジ
ウム・テイン・オキサイドの抵抗変化率を表わす
グラフである。又、第３図は本発明の実施例の方
法により製造した透明導電膜の電極部の要部拡大
断面模式図である。１……基板、２……集電ベース膜、３……集電
帯、４……端子金具、７……透明導電膜。

Claims

【特許請求の範囲】

１ガラス等の基板表面上の電極形成部に、導電
性物質の薄膜を形成して集電ベース膜とし、該集
電ベース膜上に導電性の集電帯形成物質を含むペ
ーストを焼付けて集電帯とし、該集電帯上にリー
ド線をハンダ付け、ロウ付け等によつて接続し、
その後前記基板表面上に前記集電ベース膜と接す
るようにして透明導電膜を形成することを特徴と
する透明導電膜の電極形成方法。