JPH04112489A - エレクトロルミネッセンス蛍光体の製造法 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス蛍光体の製造法Info
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- JPH04112489A JPH04112489A JP2232058A JP23205890A JPH04112489A JP H04112489 A JPH04112489 A JP H04112489A JP 2232058 A JP2232058 A JP 2232058A JP 23205890 A JP23205890 A JP 23205890A JP H04112489 A JPH04112489 A JP H04112489A
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はエレクトロルミネッセンス(以下ELという)
螢光体の製造法に関する。
螢光体の製造法に関する。
(従来の技術)
従来、EL螢光体は硫化亜鉛を主原料とし、これに活性
剤として、硫化亜鉛のアクセプター準位を形成する銅、
銀等の元素を含む物質である付活剤と、硫化亜鉛のドナ
ー準位を形成する塩素、臭素、アルミニウム等の元素を
含む物質である供付活剤とを添加し、融剤(フラックス
)であるアルカリ金属、アルカリ土類金属のハロゲン化
物、アンモニウムハライド等とともに焼成した後、表面
の過剰の銅等を除去するためシアンを含む溶液で処理し
、更に適宜表面改質処理を行って製造していた。
剤として、硫化亜鉛のアクセプター準位を形成する銅、
銀等の元素を含む物質である付活剤と、硫化亜鉛のドナ
ー準位を形成する塩素、臭素、アルミニウム等の元素を
含む物質である供付活剤とを添加し、融剤(フラックス
)であるアルカリ金属、アルカリ土類金属のハロゲン化
物、アンモニウムハライド等とともに焼成した後、表面
の過剰の銅等を除去するためシアンを含む溶液で処理し
、更に適宜表面改質処理を行って製造していた。
表面改質法としては、時開57−96494号公報に見
られるように蛍光体をエツチングする方法、時開1−1
38287号公報に示されるように再焼成する方法があ
る。ガスを使った表面改質法としては米国特許第308
2344号公報に示されるように空気、NH3、N2、
Co、SO2等のガス中で再焼成すると寿命が長くなる
という報告がある。一方プラズマ処理については時開6
3−278990号公報、時開1−129090号公報
に窒素ガス、ふっ素化合物ガスを含むプラズマ中で処理
する方法が示されている。
られるように蛍光体をエツチングする方法、時開1−1
38287号公報に示されるように再焼成する方法があ
る。ガスを使った表面改質法としては米国特許第308
2344号公報に示されるように空気、NH3、N2、
Co、SO2等のガス中で再焼成すると寿命が長くなる
という報告がある。一方プラズマ処理については時開6
3−278990号公報、時開1−129090号公報
に窒素ガス、ふっ素化合物ガスを含むプラズマ中で処理
する方法が示されている。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら上記方法では、そのEL素子の寿命はまだ
十分とは言えず、特に液晶バックライト用背面光源とし
て用いる場合には、更に高い信頼性と、長い寿命のEL
素子が求められている。
十分とは言えず、特に液晶バックライト用背面光源とし
て用いる場合には、更に高い信頼性と、長い寿命のEL
素子が求められている。
本発明は、高輝度で長寿命なEL螢光体の製造法を提供
するものである。
するものである。
(課題を解決するための手段)
本発明は、母体原料に付活剤と機付活剤とよりなる活性
剤を添加し焼成した硫化亜鉛型のEL蛍光体を酸素ガス
を必須成分とするプラズマ中で処理することを特徴とす
るものである。
剤を添加し焼成した硫化亜鉛型のEL蛍光体を酸素ガス
を必須成分とするプラズマ中で処理することを特徴とす
るものである。
本発明は、硫化亜鉛型のEL螢光体の表面処理方法につ
いて種々のガス中でのプラズマ処理を検討した結果、酸
素を成分に含むプラズマ中で処理し、更に必要に応じ表
面をエツチングすることにより、寿命が著しく延長され
ることを見出したことによりなされたものである。
いて種々のガス中でのプラズマ処理を検討した結果、酸
素を成分に含むプラズマ中で処理し、更に必要に応じ表
面をエツチングすることにより、寿命が著しく延長され
ることを見出したことによりなされたものである。
本発明において用いられるプラズマとしては、酸素ガス
を必須成分として、アルゴン、ネオン、ヘリウム等の不
活性ガスで希釈してもよく、この際酸素ガスは8モル%
以上であることが望ましい。
を必須成分として、アルゴン、ネオン、ヘリウム等の不
活性ガスで希釈してもよく、この際酸素ガスは8モル%
以上であることが望ましい。
プラズマ発生装置内に導入されるガス圧は0.01〜2
0TOrrが好ましく、0.05〜5T o r rに
するのが更に好ましい。又プラズマ発生電源は電圧io
o〜10000 V 、好ましくは500〜3000
Vの高周波電源が用いられる。
0TOrrが好ましく、0.05〜5T o r rに
するのが更に好ましい。又プラズマ発生電源は電圧io
o〜10000 V 、好ましくは500〜3000
Vの高周波電源が用いられる。
本発明においては、プラズマ処理をした後、プラズマ条
件が過度な場合には、表面に硫化亜鉛が生成してしまう
ためエツチング処理を施し、酸化層を除去するのが好ま
しい。エツチング法としては、酢酸水溶液に浸漬する等
により行う。
件が過度な場合には、表面に硫化亜鉛が生成してしまう
ためエツチング処理を施し、酸化層を除去するのが好ま
しい。エツチング法としては、酢酸水溶液に浸漬する等
により行う。
本発明の処理が施される硫化亜鉛型のEL螢光体として
は、硫化亜鉛に活性剤と機付活剤とを添加し融剤ととも
に焼成して得られる硫化亜鉛型EL螢光体、酸化亜鉛に
活性剤を添加した混合物を硫化水素ガス雰囲気中で焼成
して得られる硫化亜鉛型EL螢光体等がある。
は、硫化亜鉛に活性剤と機付活剤とを添加し融剤ととも
に焼成して得られる硫化亜鉛型EL螢光体、酸化亜鉛に
活性剤を添加した混合物を硫化水素ガス雰囲気中で焼成
して得られる硫化亜鉛型EL螢光体等がある。
酸化亜鉛に活性剤を添加した混合物を硫化水素ガス雰囲
気中で焼成して得られる硫化亜鉛型EL螢光体は、酸化
亜鉛に活性剤を加えて混合した混合物に硫化水素ガスを
通し加熱することによって酸化亜鉛の硫化反応と、その
反応と同時に活性剤の拡散を行い、効率的に短時間で活
性剤を硫化亜鉛中に拡散させようとしたものである。
気中で焼成して得られる硫化亜鉛型EL螢光体は、酸化
亜鉛に活性剤を加えて混合した混合物に硫化水素ガスを
通し加熱することによって酸化亜鉛の硫化反応と、その
反応と同時に活性剤の拡散を行い、効率的に短時間で活
性剤を硫化亜鉛中に拡散させようとしたものである。
活性剤とは付活剤と機付活剤をいう。付活剤とは銅、銀
等の硫化亜鉛のアクセプター準位を形成する元素を含む
物質であり、酢酸銅、硝酸銀等がある。機付活剤とは塩
素、臭素、アルミニウム等硫化亜鉛のドナー準位を形成
する元素を含む物質であり塩化アンモニウム、塩化臭素
、酢酸アンモニウム等がある。
等の硫化亜鉛のアクセプター準位を形成する元素を含む
物質であり、酢酸銅、硝酸銀等がある。機付活剤とは塩
素、臭素、アルミニウム等硫化亜鉛のドナー準位を形成
する元素を含む物質であり塩化アンモニウム、塩化臭素
、酢酸アンモニウム等がある。
以上説明した本発明の蛍光体は、分散型EL素子等の製
造に使用される。分散型EL素子は、ガラス板等の透明
基板にI T O(Indium Tin 0xide
)等の透明電極を形成させ、透明電極の上に樹脂に蛍光
体が分散している発光層層を形成させ、樹脂に絶縁体粒
子が分散している絶縁層を形成してアルミニウム等の電
極を形成させたものである。
造に使用される。分散型EL素子は、ガラス板等の透明
基板にI T O(Indium Tin 0xide
)等の透明電極を形成させ、透明電極の上に樹脂に蛍光
体が分散している発光層層を形成させ、樹脂に絶縁体粒
子が分散している絶縁層を形成してアルミニウム等の電
極を形成させたものである。
(作用)
文献では、S%空気、アンモニア、S02、CO中での
再焼成することによって、寿命が伸びることが報告され
ているが、その原因については不明な点が多い。プラズ
マ中で処理することにより、より活性な酸素原子が作用
したと考えられるが、その理由は不明である。しかし処
理時間を長くするとX線回折で、ZnO層の形成が認め
られるようになる。このZnOは導電性があるため酸で
エツチングすることが必要であると考えられる。
再焼成することによって、寿命が伸びることが報告され
ているが、その原因については不明な点が多い。プラズ
マ中で処理することにより、より活性な酸素原子が作用
したと考えられるが、その理由は不明である。しかし処
理時間を長くするとX線回折で、ZnO層の形成が認め
られるようになる。このZnOは導電性があるため酸で
エツチングすることが必要であると考えられる。
蛍光体で酸素雰囲気で再焼成する文献はあるが、この方
法ではガスに触れている表層と、充填された蛍光体群の
内部とで発光特性が大きく異なるがプラズマを用いた本
発明の方法では、このような差はない。
法ではガスに触れている表層と、充填された蛍光体群の
内部とで発光特性が大きく異なるがプラズマを用いた本
発明の方法では、このような差はない。
(実施例1)
02とArの混合比を1:1とした混合ガスを0.2T
orrにし、投入電力0.2W/cm2.13.56M
Hzの高周波電圧を印加し、酸素プラズマを発生させた
。プラズマ中の電極板上に、分散型EL用の硫化亜鉛型
の蛍光体を20g均一に分散させて、基板温度200℃
にして5分処理した。この螢光体をシアノエチルプルラ
ンのジメチルホルムアミド溶液に分散させて透明電極を
形成しであるガラス基板上に塗布し発光層とした。螢光
体と樹脂との体積比は1:1とした。更にシアノエチル
プルランのジメチルホルムアミド溶液に酸化チタン粉末
を分散させた混合物の絶縁層を形成した後、金属電極を
蒸着してEL素子とした。発光層と絶縁層の膜厚はそれ
ぞれ50μm120μmとした。
orrにし、投入電力0.2W/cm2.13.56M
Hzの高周波電圧を印加し、酸素プラズマを発生させた
。プラズマ中の電極板上に、分散型EL用の硫化亜鉛型
の蛍光体を20g均一に分散させて、基板温度200℃
にして5分処理した。この螢光体をシアノエチルプルラ
ンのジメチルホルムアミド溶液に分散させて透明電極を
形成しであるガラス基板上に塗布し発光層とした。螢光
体と樹脂との体積比は1:1とした。更にシアノエチル
プルランのジメチルホルムアミド溶液に酸化チタン粉末
を分散させた混合物の絶縁層を形成した後、金属電極を
蒸着してEL素子とした。発光層と絶縁層の膜厚はそれ
ぞれ50μm120μmとした。
このEL素子に400Hz、115Vの交流電界を印加
し輝度、寿命を測定した。結果を表1に示す。
し輝度、寿命を測定した。結果を表1に示す。
(実施例2)
0.15T o r rの02ガス雰囲気下、投入電力
0.1W / Cm 2.13.56MHzの高周波電
圧を印加し、酸素プラズマを発生させた。プラズマ中の
電極板上に、分散型EL用の硫化亜鉛型の蛍光体を20
g均一に分散させて、基板温度200℃にして5分処理
した。更にその蛍光体を80℃湯浴中で酢酸を用いて3
0分間エツチングし、その後水洗、乾燥した。この螢光
体をシアノエチルプルランのジメチルホルムアミド溶液
に分散させて透明電極を形成しであるガラス基板上に塗
布し発光層とした。
0.1W / Cm 2.13.56MHzの高周波電
圧を印加し、酸素プラズマを発生させた。プラズマ中の
電極板上に、分散型EL用の硫化亜鉛型の蛍光体を20
g均一に分散させて、基板温度200℃にして5分処理
した。更にその蛍光体を80℃湯浴中で酢酸を用いて3
0分間エツチングし、その後水洗、乾燥した。この螢光
体をシアノエチルプルランのジメチルホルムアミド溶液
に分散させて透明電極を形成しであるガラス基板上に塗
布し発光層とした。
螢光体と樹脂との体積比は1:1とした。更にシアノエ
チルプルランのジメチルホルムアミド溶液に酸化チタン
粉末を分散させた混合物の絶縁層を形成した後、金属電
極を蒸着してEL素子とした。
チルプルランのジメチルホルムアミド溶液に酸化チタン
粉末を分散させた混合物の絶縁層を形成した後、金属電
極を蒸着してEL素子とした。
発光層と絶縁層の膜厚はそれぞれ50μm120μmと
した。このEL素子に400Hz、115Vの交流電界
を印加し輝度、寿命を測定した。結果を表1に示す。
した。このEL素子に400Hz、115Vの交流電界
を印加し輝度、寿命を測定した。結果を表1に示す。
(比較例)
実施例に用いた蛍光体を前記の処理を行わないで、実施
例と同様にEL素子とし、特性評価を行った。
例と同様にEL素子とし、特性評価を行った。
表1
但し、デシケータ中50℃で寿命試験を行った。
(効果)
本発明のように酸素ガスを含むプラズマ中で処理するこ
とにより、輝度を低下させずに寿命を著しく向上させる
ことができる。また処理した蛍光体粒子間で特性のバラ
ツキがない。
とにより、輝度を低下させずに寿命を著しく向上させる
ことができる。また処理した蛍光体粒子間で特性のバラ
ツキがない。
手続補正帯(自発)
平4 凭 予2日
Claims (1)
- 1.母体原料に付活剤と供付活剤とよりなる活性剤を添
加し焼成した硫化亜鉛型のエレクトロルミネッセンス螢
光体を、酸素ガスを必須成分とするプラズマ中で処理す
ることを特徴とするエレクトロルミネッセンス螢光体の
製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2232058A JPH04112489A (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | エレクトロルミネッセンス蛍光体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2232058A JPH04112489A (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | エレクトロルミネッセンス蛍光体の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04112489A true JPH04112489A (ja) | 1992-04-14 |
Family
ID=16933318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2232058A Pending JPH04112489A (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | エレクトロルミネッセンス蛍光体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04112489A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100326442B1 (ko) * | 1994-12-09 | 2002-07-02 | 김순택 | 형광슬러리조성물 |
| RU2672708C2 (ru) * | 2013-12-19 | 2018-11-19 | Бундесдруккерай Гмбх | Цинк-сульфидный люминофор с фотолюминесцентными и электролюминесцентными свойствами, способ его изготовления, а также защищенный документ, элемент защиты и способ его обнаружения |
-
1990
- 1990-08-31 JP JP2232058A patent/JPH04112489A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100326442B1 (ko) * | 1994-12-09 | 2002-07-02 | 김순택 | 형광슬러리조성물 |
| RU2672708C2 (ru) * | 2013-12-19 | 2018-11-19 | Бундесдруккерай Гмбх | Цинк-сульфидный люминофор с фотолюминесцентными и электролюминесцентными свойствами, способ его изготовления, а также защищенный документ, элемент защиты и способ его обнаружения |
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