JPS6067585A - 硫化亜鉛螢光体の製造方法 - Google Patents
硫化亜鉛螢光体の製造方法Info
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- JPS6067585A JPS6067585A JP58174099A JP17409983A JPS6067585A JP S6067585 A JPS6067585 A JP S6067585A JP 58174099 A JP58174099 A JP 58174099A JP 17409983 A JP17409983 A JP 17409983A JP S6067585 A JPS6067585 A JP S6067585A
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- JP
- Japan
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- zinc sulfide
- phosphor
- zinc
- atmosphere
- activator
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は硫化亜鉛螢光体の製造方法に関するものであり
、粒度が均一な微粒子で、しかも高輝度の硫化亜鉛螢光
体が得られる方法を提供するものである。本発明の方法
によって得られる硫化亜鉛螢光体は陰極線管用螢光体、
エレクトロルミネッセンス用螢光体などとして用いるこ
とができる。
、粒度が均一な微粒子で、しかも高輝度の硫化亜鉛螢光
体が得られる方法を提供するものである。本発明の方法
によって得られる硫化亜鉛螢光体は陰極線管用螢光体、
エレクトロルミネッセンス用螢光体などとして用いるこ
とができる。
（従来例の構成とその問題点）
硫化亜鉛螢光体は陰極線刺激により発光し、主にブラウ
ン管等に利用されたり、あるいは外部電界の印加によっ
て発光し、いわゆるエレクトロルミネッセンス発光装置
（以下ＫＬ発光装置と略称する）に利用されている。上
記ＥＬ発光装置に用いられる螢光体は、硫化亜鉛に賦活
剤として、銅、マンガン等、共賦活剤としてアルミニウ
ム、壇素あるいは臭素等を加え焼成したものがよく知ら
れている。これらの母体材料である硫化亜鉛は、緩衝液
を用いて酸性に保った硫酸亜鉛水溶液に硫化水素を導入
して飽和させ、硫化亜鉛を沈殿式せる方法等で得られて
いる。しかし、これらの方法で得られる硫化亜鉛の粒度
は広い範囲に分布しており、均一な粒度を得るのは困難
である。また、この方法で得られた硫化亜鉛に賦活剤、
共賦活剤を加えて熱処理した場合、異常粒成長をおこ１
−やすく、均一な粒度の硫化亜鉛螢光体が得られにくい
。
ン管等に利用されたり、あるいは外部電界の印加によっ
て発光し、いわゆるエレクトロルミネッセンス発光装置
（以下ＫＬ発光装置と略称する）に利用されている。上
記ＥＬ発光装置に用いられる螢光体は、硫化亜鉛に賦活
剤として、銅、マンガン等、共賦活剤としてアルミニウ
ム、壇素あるいは臭素等を加え焼成したものがよく知ら
れている。これらの母体材料である硫化亜鉛は、緩衝液
を用いて酸性に保った硫酸亜鉛水溶液に硫化水素を導入
して飽和させ、硫化亜鉛を沈殿式せる方法等で得られて
いる。しかし、これらの方法で得られる硫化亜鉛の粒度
は広い範囲に分布しており、均一な粒度を得るのは困難
である。また、この方法で得られた硫化亜鉛に賦活剤、
共賦活剤を加えて熱処理した場合、異常粒成長をおこ１
−やすく、均一な粒度の硫化亜鉛螢光体が得られにくい
。
輝度の点においても、粒成長を促進して平均粒径１０μ
ｍ程度以上でなければ高輝度のものが得られにくい。そ
こで発明者らは、チオ尿素と亜鉛塩の溶融塩と賦活剤お
よびアルカリから、賦活剤を含有する硫化亜鉛を得、反
応によって生じた副産物や、未反応物を除去するために
純水で洗浄した後、不活性雰囲気と硫化性雰囲気のいず
れかで焼成すれば、粒径が小さく均一で、しかも高輝度
の硫化亜鉛螢光体が得られることを見い出した。しかし
、この方法によって得られた硫化亜鉛は、水による洗浄
のため、含水率が高く十分な乾燥が必要となり、また一
部は酸化されたり、硫酸亜鉛となったりする欠点を持っ
ている。そこで、硫化亜鉛に含まれる水分や硫化亜鉛の
酸化を防げば、さらに高輝度が期待できる。
ｍ程度以上でなければ高輝度のものが得られにくい。そ
こで発明者らは、チオ尿素と亜鉛塩の溶融塩と賦活剤お
よびアルカリから、賦活剤を含有する硫化亜鉛を得、反
応によって生じた副産物や、未反応物を除去するために
純水で洗浄した後、不活性雰囲気と硫化性雰囲気のいず
れかで焼成すれば、粒径が小さく均一で、しかも高輝度
の硫化亜鉛螢光体が得られることを見い出した。しかし
、この方法によって得られた硫化亜鉛は、水による洗浄
のため、含水率が高く十分な乾燥が必要となり、また一
部は酸化されたり、硫酸亜鉛となったりする欠点を持っ
ている。そこで、硫化亜鉛に含まれる水分や硫化亜鉛の
酸化を防げば、さらに高輝度が期待できる。
（発明の目的）
本発明は上記のような欠点を除去し、微粒子で粒度のそ
ろった、しかも高輝度の硫化亜鉛螢光体を製造する方法
を提供するものである。
ろった、しかも高輝度の硫化亜鉛螢光体を製造する方法
を提供するものである。
（発明の構成）
本発明は、第１の工程でチオ尿素と亜鉛塩の溶融塩と賦
活剤およびアンモニアから、賦活剤を含有する硫化亜鉛
を得、第２の工程で、第１の工程より得られた硫化亜鉛
を、不活性雰囲気と硫化性雰囲気のいずれかで低温処理
し、第３の工程で、第２の工程より得られた硫化亜鉛を
、不活性雰囲気と硫化性雰囲気のいずれかで高温処理す
ることを特徴とする硫化亜鉛螢光体の製造方法を提供す
るものである。第２の工程において、具体的には第１の
工程で得られた賦活剤含有の硫化亜鉛を不活性雰囲気（
Ｎ２ガス、Ａｒガス等）と硫化性雰囲気（ｃｓ２ガス、
Ｈ２Ｓガス等）のいずれかで、３５０〜６００℃の温度
範囲で低温処理することを特徴とする硫化亜鉛螢光体の
製造方法を提供するものである。さらに具体的には、第
３の工程において、第２の工程で得られた硫化亜鉛を不
活性雰囲気（Ｎ２ガス、Ａｒガス等）と硫化性雰囲気（
Ｃ８２ガス、Ｈ２Ｓガス等）のいずれかで、９５０〜１
２５０℃の温度範囲で高温処理することを特徴とする硫
化亜鉛螢光体の製造方法を提供するものである。
活剤およびアンモニアから、賦活剤を含有する硫化亜鉛
を得、第２の工程で、第１の工程より得られた硫化亜鉛
を、不活性雰囲気と硫化性雰囲気のいずれかで低温処理
し、第３の工程で、第２の工程より得られた硫化亜鉛を
、不活性雰囲気と硫化性雰囲気のいずれかで高温処理す
ることを特徴とする硫化亜鉛螢光体の製造方法を提供す
るものである。第２の工程において、具体的には第１の
工程で得られた賦活剤含有の硫化亜鉛を不活性雰囲気（
Ｎ２ガス、Ａｒガス等）と硫化性雰囲気（ｃｓ２ガス、
Ｈ２Ｓガス等）のいずれかで、３５０〜６００℃の温度
範囲で低温処理することを特徴とする硫化亜鉛螢光体の
製造方法を提供するものである。さらに具体的には、第
３の工程において、第２の工程で得られた硫化亜鉛を不
活性雰囲気（Ｎ２ガス、Ａｒガス等）と硫化性雰囲気（
Ｃ８２ガス、Ｈ２Ｓガス等）のいずれかで、９５０〜１
２５０℃の温度範囲で高温処理することを特徴とする硫
化亜鉛螢光体の製造方法を提供するものである。
（実施例の説明）
実施例１
塩化亜鉛ｚｎＣ７！２１モルとチオ尿素Ｃ３（ＮＦ２）
２１．５モルを５００ｍＡのフラスコ内に入れ、さらに
塩化亜鉛１モルに対し、０．２モルパーセントの塩化第
一銅ＣｕＣｊｌと塩化アルミニウムＡｊ？ＣＡ１３・６
Ｈ２０を添加しフラスコ内を攪拌しながら１４０〜１５
０℃にオイルバスで加熱した。チオ尿素と塩化亜鉛が溶
融塩になったところで、溶融塩を攪拌しながら、フラス
コ内にアンモニアガスＮＨ３を２１／ｍｉｎの流量で６
０分間流した。冷却後、この冷却によシ得られた粉末を
石英製の管状炉中において、硫化水素ガスＨ２Ｓ雰囲気
中で６００℃で１時間低温処理し、螢光体以外の成分を
除去した後、硫化水素ガスＨ２Ｓ雰囲気中で、１１５０
℃で１時間高温処理した。その後、過５− 剰の銅化合物を除去するため、５重量係のシアン化ナト
リウム水溶液と純水で十分洗浄し、銅、アルミニウム賦
活の螢光体を得た。このようにして得た硫化亜鉛螢光体
を走査型電子顕微鏡によシ粒度分布を測定したところ、
その分布範囲は、２０〜７．０μｍであった。この螢光
体を用いて通常の方法でＥＬ発光装置を作製しその輝度
を評価した。すなワチシアノエチルセルローズのアセト
ン溶液に螢光体粉末を分散し、この混合物を透明電極層
付きのガラス基板上に塗布した。シアノエチルセルロー
ズと螢光体の配合比は、体積比で１＝１とした。
２１．５モルを５００ｍＡのフラスコ内に入れ、さらに
塩化亜鉛１モルに対し、０．２モルパーセントの塩化第
一銅ＣｕＣｊｌと塩化アルミニウムＡｊ？ＣＡ１３・６
Ｈ２０を添加しフラスコ内を攪拌しながら１４０〜１５
０℃にオイルバスで加熱した。チオ尿素と塩化亜鉛が溶
融塩になったところで、溶融塩を攪拌しながら、フラス
コ内にアンモニアガスＮＨ３を２１／ｍｉｎの流量で６
０分間流した。冷却後、この冷却によシ得られた粉末を
石英製の管状炉中において、硫化水素ガスＨ２Ｓ雰囲気
中で６００℃で１時間低温処理し、螢光体以外の成分を
除去した後、硫化水素ガスＨ２Ｓ雰囲気中で、１１５０
℃で１時間高温処理した。その後、過５− 剰の銅化合物を除去するため、５重量係のシアン化ナト
リウム水溶液と純水で十分洗浄し、銅、アルミニウム賦
活の螢光体を得た。このようにして得た硫化亜鉛螢光体
を走査型電子顕微鏡によシ粒度分布を測定したところ、
その分布範囲は、２０〜７．０μｍであった。この螢光
体を用いて通常の方法でＥＬ発光装置を作製しその輝度
を評価した。すなワチシアノエチルセルローズのアセト
ン溶液に螢光体粉末を分散し、この混合物を透明電極層
付きのガラス基板上に塗布した。シアノエチルセルロー
ズと螢光体の配合比は、体積比で１＝１とした。
さらにシアノエチルセルローズのアセトン溶液に酸化チ
タン粉末を分散した混合物で絶縁層を形成した後、金属
電極を蒸着してＥＬ発光装置とした。
タン粉末を分散した混合物で絶縁層を形成した後、金属
電極を蒸着してＥＬ発光装置とした。
発光層、絶縁層の厚さは、それぞれ１５μｍ、７μｍで
あった。この装置に１ｋＨｚ 、 １００Ｖの交流電界
を印加したところ、緑色で発光し、それの輝度は、１１
８ｆＬであった。
あった。この装置に１ｋＨｚ 、 １００Ｖの交流電界
を印加したところ、緑色で発光し、それの輝度は、１１
８ｆＬであった。
実施例２
塩化亜鉛ＺｎＣＡ２１モル、チオ尿素Ｃ３（ＮＦ２）２
６− １．５モル、さらに塩化亜鉛ＺｎＣＡ！２１モルに対し
て０３モルパーセントの塩化第一銅ＣｕＣ７と塩化アル
ミニウムＡβＣ１３・６Ｈ２０を添加し、フラスコ内を
攪拌しながら１４０〜１５０℃にオイルバスで加熱した
。
６− １．５モル、さらに塩化亜鉛ＺｎＣＡ！２１モルに対し
て０３モルパーセントの塩化第一銅ＣｕＣ７と塩化アル
ミニウムＡβＣ１３・６Ｈ２０を添加し、フラスコ内を
攪拌しながら１４０〜１５０℃にオイルバスで加熱した
。
チオ尿素と塩化亜鉛が溶融塩になったところで、溶融塩
を攪拌しながら、フラスコ内にアンモニアガスＮＨ３を
２ｊ！／ｍｉｎの流量で６０分間流し、賦活剤含有の硫
化亜鉛を析出させだ。冷却後、この粉末を石英製の管状
炉中において、窒素ガスＮ２雰囲気で、３５０℃で１時
間低温処理し、その後窒素ガスＮ２雰囲気で９５０℃で
２時間高温処理した後、シアン水溶液、純水で洗浄し、
銅、アルミニウム賦活の螢光体を得だ。この螢光体の粒
度分布は、１．０〜６０μｍであった。この螢光体を用
いて、実施例１と同様の方法でＥＬ発光装置を作製した
。発光層１絶縁層の厚きは、１４μｍ、 １３μｍであ
った。この装置に、１ ｋＨｚ 、１００Ｖの交流電界
を印加したところ、緑色で発光し、それの輝度は９０
ｆＬであった。
を攪拌しながら、フラスコ内にアンモニアガスＮＨ３を
２ｊ！／ｍｉｎの流量で６０分間流し、賦活剤含有の硫
化亜鉛を析出させだ。冷却後、この粉末を石英製の管状
炉中において、窒素ガスＮ２雰囲気で、３５０℃で１時
間低温処理し、その後窒素ガスＮ２雰囲気で９５０℃で
２時間高温処理した後、シアン水溶液、純水で洗浄し、
銅、アルミニウム賦活の螢光体を得だ。この螢光体の粒
度分布は、１．０〜６０μｍであった。この螢光体を用
いて、実施例１と同様の方法でＥＬ発光装置を作製した
。発光層１絶縁層の厚きは、１４μｍ、 １３μｍであ
った。この装置に、１ ｋＨｚ 、１００Ｖの交流電界
を印加したところ、緑色で発光し、それの輝度は９０
ｆＬであった。
比較例１
比較のため、本発明者らが見出した前述の純水による洗
浄を行なって硫化亜鉛螢光体を製造する方法を比較例と
して挙げる。すなわち、塩化亜鉛ＺｎＣＡ２１モルとチ
オ尿素Ｃ３（ＮＨ２）２１．５モルをフラスコ内に入れ
、きらに塩化亜鉛１モルに対し０．２モル係の塩化第一
銅と塩化アルミニウムを添加し攪拌しながら１４０〜１
５０℃で加熱した。チオ尿素と塩化亜鉛が溶融塩になっ
たところで、これを攪拌しながら、アンモニアガスを２
１３／ｒｎ ｉ ｎの流量で６０分間流した。冷却後、
純水で洗浄した後、１５０℃で乾燥した。この粉末を石
英製の管状炉中において、硫化水素ガス雰囲気で７５０
℃で０．５時間、濱らに１１５０℃で１時間処理した後
、シアン水溶液、純水で洗浄し、螢光体を得だ。この螢
光体の粒度分布は、２０〜７．０μｍであυ、実施例１
と同様な方法でＥＬ発光装置を作製した。発光層、絶縁
層の厚さは、それぞれ１５μｍ、７μｍでちった。１ｋ
Ｈｚ。
浄を行なって硫化亜鉛螢光体を製造する方法を比較例と
して挙げる。すなわち、塩化亜鉛ＺｎＣＡ２１モルとチ
オ尿素Ｃ３（ＮＨ２）２１．５モルをフラスコ内に入れ
、きらに塩化亜鉛１モルに対し０．２モル係の塩化第一
銅と塩化アルミニウムを添加し攪拌しながら１４０〜１
５０℃で加熱した。チオ尿素と塩化亜鉛が溶融塩になっ
たところで、これを攪拌しながら、アンモニアガスを２
１３／ｒｎ ｉ ｎの流量で６０分間流した。冷却後、
純水で洗浄した後、１５０℃で乾燥した。この粉末を石
英製の管状炉中において、硫化水素ガス雰囲気で７５０
℃で０．５時間、濱らに１１５０℃で１時間処理した後
、シアン水溶液、純水で洗浄し、螢光体を得だ。この螢
光体の粒度分布は、２０〜７．０μｍであυ、実施例１
と同様な方法でＥＬ発光装置を作製した。発光層、絶縁
層の厚さは、それぞれ１５μｍ、７μｍでちった。１ｋ
Ｈｚ。
１００ｖの交流電界の印加によυ、緑色に発光し、その
輝度は１００ ｆＬであった。
輝度は１００ ｆＬであった。
比較例２
烙らに比較のために、比較例１と若干態様の異なる方法
で硫化亜鉛螢光体を得た。すなわち、塩化亜鉛１モル、
チオ原素１．５モル、さらに塩化亜鉛１モルに対して０
．３モル係の塩化第一銅と塩化アルミニウムを添加し、
攪拌しながら１４０〜１５０℃に加熱した。チオ尿素と
塩化亜鉛が溶融塩になったところで、攪拌しながら、ア
ンモニアガスを２ｊ＋／ｍｉｎの流量で６０分間流し、
賦活剤含有の硫化亜鉛を析出させた。冷却後、純水で洗
浄した後、この粉末を石英製の管状炉で窒素ガス雰囲気
中で、９５０℃で２時間熱処理した後、シアン水溶液、
純水で洗浄し、螢光体を得た。この螢光体の粒度分布は
１．５〜６．０μｍでアシ、実施例１と同様の方法でＥ
Ｌ発光装置を作製した。発光層、絶縁層の厚さはそれぞ
れ、１４μｍ、７μｍであった。この装置にｌ ｋＨｚ
、１００Ｖの交流電界を印加したところ、緑色発光し、
その輝度は７５ｆＬでおった。
で硫化亜鉛螢光体を得た。すなわち、塩化亜鉛１モル、
チオ原素１．５モル、さらに塩化亜鉛１モルに対して０
．３モル係の塩化第一銅と塩化アルミニウムを添加し、
攪拌しながら１４０〜１５０℃に加熱した。チオ尿素と
塩化亜鉛が溶融塩になったところで、攪拌しながら、ア
ンモニアガスを２ｊ＋／ｍｉｎの流量で６０分間流し、
賦活剤含有の硫化亜鉛を析出させた。冷却後、純水で洗
浄した後、この粉末を石英製の管状炉で窒素ガス雰囲気
中で、９５０℃で２時間熱処理した後、シアン水溶液、
純水で洗浄し、螢光体を得た。この螢光体の粒度分布は
１．５〜６．０μｍでアシ、実施例１と同様の方法でＥ
Ｌ発光装置を作製した。発光層、絶縁層の厚さはそれぞ
れ、１４μｍ、７μｍであった。この装置にｌ ｋＨｚ
、１００Ｖの交流電界を印加したところ、緑色発光し、
その輝度は７５ｆＬでおった。
上記実施例および比較例から明らかなように、本発明に
よって得られる硫化亜鉛螢光体は、比較例のものと比べ
て高輝度である。
よって得られる硫化亜鉛螢光体は、比較例のものと比べ
て高輝度である。
９−
なお、低温処理温度は、３５０〜６００℃が望ましい。
この温度は塩化アンモニウム等副産物の昇華温度以上か
ら、カーボン等分解物付着の影響の少ない温度まででち
る。さらに高温処理温度は、９５０〜１２５０℃が望ま
しい。この温度は、比較的粒径が大きく高輝度が望める
温度以上から、硫化亜鉛母体の昇華の少ない温度までで
ある。
ら、カーボン等分解物付着の影響の少ない温度まででち
る。さらに高温処理温度は、９５０〜１２５０℃が望ま
しい。この温度は、比較的粒径が大きく高輝度が望める
温度以上から、硫化亜鉛母体の昇華の少ない温度までで
ある。
（発明の効果）
本発明の方法によって得られる硫化亜鉛螢光体は、従来
の硫酸亜鉛水溶液から得られるものに比べて、粒径が小
さく、均一であるとともに、比較例のように、チオ尿素
と亜鉛塩の溶融塩と賦活剤およびアンモニアから得られ
る硫化亜鉛を純水で洗浄し乾燥した後に高温処理して得
られる硫化亜鉛螢光体に比べて、高輝度でおるという利
点を有する。本発明の方法によって得られる硫化亜鉛螢
光体は、上記の利点をもつために、たとえばＥＬ発光装
置用螢光体として用いられた場合、均質で薄い発光層を
容易に形成することができ、低電圧高輝度化、製造の容
易さ、信頼性等を達成するこ１０− とができる。
の硫酸亜鉛水溶液から得られるものに比べて、粒径が小
さく、均一であるとともに、比較例のように、チオ尿素
と亜鉛塩の溶融塩と賦活剤およびアンモニアから得られ
る硫化亜鉛を純水で洗浄し乾燥した後に高温処理して得
られる硫化亜鉛螢光体に比べて、高輝度でおるという利
点を有する。本発明の方法によって得られる硫化亜鉛螢
光体は、上記の利点をもつために、たとえばＥＬ発光装
置用螢光体として用いられた場合、均質で薄い発光層を
容易に形成することができ、低電圧高輝度化、製造の容
易さ、信頼性等を達成するこ１０− とができる。
特許出願人 松下電器産業株式会社
１１−
Claims (2)
- （１） チオ尿素と亜飴塩、および賦活剤の混合物を溶
融、混合しきらにアンモニアを加えて融液中に賦活剤を
含有する硫化亜鉛を析出させる第１の工程と、前記第１
の工程よシ得られた硫化亜鉛を、不活性雰囲気と、硫化
性雰囲気のいずれかで低温処理し、螢光体以外の成分を
除去する第２の工程と、前記第２の工程よシ得られた硫
化亜鉛を、不活性雰囲気と硫化性雰囲気のいずれかで高
温処理する第３の工程とを有することを特徴とする硫化
亜鉛螢光体の製造方法。 - （２） 低温°処理温度を、３５０〜６００℃の範囲に
保持する第２の工程と、高温処理温度を、９５０〜１２
５０℃の範囲に保持する第３の工程を有することを特徴
とする特許請求の範囲第（１）項記載の硫化亜鉛螢光体
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58174099A JPS6067585A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | 硫化亜鉛螢光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58174099A JPS6067585A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | 硫化亜鉛螢光体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6067585A true JPS6067585A (ja) | 1985-04-17 |
Family
ID=15972627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58174099A Pending JPS6067585A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | 硫化亜鉛螢光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6067585A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01129090A (ja) * | 1987-11-13 | 1989-05-22 | Kohjin Co Ltd | 分散型ｅｌ素子 |
| US7070756B2 (en) * | 2003-08-04 | 2006-07-04 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Process for producing zinc sulfide particles |
| JP2009512740A (ja) * | 2005-09-29 | 2009-03-26 | ザ ディレクター ジェネラル ディフェンス リサーチ アンド ディベロップメント オーガニゼーション | 表示器／バイオラベルのための半導体ナノ結晶及びド−プした半導体ナノ結晶を製造するための単一原料固体前駆物質マトリックス及びその製造方法 |
-
1983
- 1983-09-22 JP JP58174099A patent/JPS6067585A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01129090A (ja) * | 1987-11-13 | 1989-05-22 | Kohjin Co Ltd | 分散型ｅｌ素子 |
| US7070756B2 (en) * | 2003-08-04 | 2006-07-04 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Process for producing zinc sulfide particles |
| JP2009512740A (ja) * | 2005-09-29 | 2009-03-26 | ザ ディレクター ジェネラル ディフェンス リサーチ アンド ディベロップメント オーガニゼーション | 表示器／バイオラベルのための半導体ナノ結晶及びド−プした半導体ナノ結晶を製造するための単一原料固体前駆物質マトリックス及びその製造方法 |
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