JPH04114401A - チップ型可変抵抗器の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、抵抗値を可変にしたチップ型可変抵抗器のよ
うに、チップ状の絶縁基板の上面に可変用ロータを回転
自在に設ける一方、前記絶縁基板の一側縁に、２つの電
極を形成して成るチップ型可変電子部品の改良に関する
ものである。

〔従来の技術〕

一般に、チップ型可変抵抗器は、例えば特開平２−１３
７２０１号公報に記載され、且つ、第１０図及び第１１
図に示すように、略中心箇所に貫通孔２を穿設したセラ
ミック製のチップ状絶縁基板１の上面に、前記貫通孔２
と同心状に抵抗膜３を形成し、該抵抗膜３の一端と他端
とを、各々絶縁基板１の一側縁１ａに突設した電極用突
起４に向けて延出し、該抵抗膜３の両端を、前記電極用
突起４に形成した電極５に各々電気的に導通する一方、
絶縁基板１の上面に、前記貫通孔２に挿入した中空軸６
を介して金属板製のロータ７を回転自在に設け、該ロー
タフに造形した摺動部７ａを前記抵抗膜３に接当し、更
に、前記中空軸６を介して摺動子７ａに導通した中心電
極８を、絶縁基板１の他側面に露出した構成になってい
る。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところが、従来のように絶縁基板１の一側縁１ａに突設
した両電極用突起４に各々電極５を形成した構成である
と、この両電極５が、絶縁基板１の一側縁１ａから大き
く突出した形態になることに加えて、この種のチップ抵
抗器における絶縁基板１の一辺の寸法は極く小さいこと
より、両電極５間の間隔寸法も極く小さいものとなるた
め、絶縁基板１における一側縁１ａの両電極５をプリン
ト基板等の回路に半田付けすることにより、抵抗器をプ
リント基板等に装着するに際して、両電極５に対する半
田９がブリッジ状に繋がってしまって、プリント基板等
への抵抗器の装着不良が多発すると言う問題があった。

この問題に対しては、絶縁基板ｌにおける一側縁１ａの
長さ寸法を長くして、両電極５間の間隔寸法りを大きく
すれば良いと考えられるが、かくすると、抵抗器が大型
化するため、プリント基板等の実装密度が低下すること
になり、得策でない。

本発明は、このように絶縁基板の一側縁に２つの電極を
形成したチップ型可変電子部品において、２つの電極に
対する半田かブリッジ状に繋がってしまうことを、電子
部品を大型化することなく防止できるようにすることを
目的とするものである。

〔課題を解決するための手段〕

この目的を達成するため本発明は、チップ状の絶縁基板
の上面に可変用ロータを回転自在に設ける一方、前記絶
縁基板の一側縁に、２つの電極を形成して成るチップ型
可変電子部品において、前記絶縁基板の一側縁における
両端の隅角部に各々切り欠き部を設けて、この両切り欠
き部に前記両電極を形成する構成にした。

〔発明の作用・効果〕

このように、両電極を切り欠き部に形成したことにより
、両電極は、絶縁基板の一側縁から突出しないか、或い
は、絶縁基板の一側縁からの突出量が小さい状態になり
、しかも、切り欠き部が絶縁基板の一側縁における両端
の箇所に形成されていることにより、絶縁基板の一側縁
の長さ寸法を太き（することなく、両電極の間の間隔寸
法を拡大することができるから、電子部品を、絶縁基板
の一側縁における両電極をプリント基板等の回路に半田
付けすることにより、プリント基板等に装着するに際し
て、両電極に対する半田がブリッジ状に繋がってしまう
ことを、絶縁基板の大型化を招来することなく、確実に
防止できることになる。

従って本発明によれば、プリント基板等にチップ型可変
電子部品を装着するに際して、絶縁基板の一側縁におけ
る２つの電極に対する半田がブリッジ状に繋がることに
起因して電子部品の装着不良が発生することを、プリン
ト基板等の実装密度を低下させることなく、確実に防止
できる効果を有する。

〔実施例〕

次に、本発明の実施例を、前記と同様のチップ型可変抵
抗器に適用した場合の図面（第１〜５図）に基づいて説
明すると、図において符号１０は、セラミックにて平面
視略矩形に形成したチップ状の絶縁基板を示し、該絶縁
基板ｌＯの略中心箇所に貫通孔１１を穿設して、絶縁基
板ｌＯの上面に、前記貫通孔１１と同心円状に抵抗膜１
２を形成し、該抵抗膜１２の両端１２ａを、絶縁基板１
０の一側縁１０ａに向けて延長する。

前記絶縁基板１０の上面に、金属板にて上向き開口の略
椀形に形成して成るロータ１３を配設する一方、前記絶
縁基板ｌＯの貫通孔１１に、下端に端子板１５を一体的
に連接した中空軸１４を挿入し、該中空軸１４の上端に
前記ロータ１３を被嵌したのち、中空軸１４の上端をか
しめることにより、ロータ１３を絶縁基板ｌＯに対して
回転自在に取り付けする。

前記ロータ１３には、前記抵抗膜１２に接当する摺動部
１３ａと、当該ロータ１３を回転操作するドライバエ具
に対する上向き開口の係合溝１３ｂとが、各々ロータ１
３を構成する金属板の切り起こしにて形成されており、
他方、前記端子板】５は、絶縁基板ＩＯにおける他側縁
１０ｂの側面に露出させている。

そして、前記絶縁基板ＩＯの外周部のうち前記−側縁１
０ａの両端に位置した２つの隅角部に、各々平面視にお
いて略円弧状の切り欠き部１０ｃを形成して、これら両
切り欠き部１０ｃの箇所に、前記抵抗膜１２の一端１．
２　ａと他端１２ａとに導通する電極１６を形成するの
である。

すなわち、前記両電極１６は、前記絶縁基板工０の上面
のうち前記両切り欠き部１０ｃの箇所に）１３成した１
−市電極膜１６ａと、絶縁基板１．　（］の千゛而の・
）も両切り欠き部１０ｃの箇所に形成［、た下面電極膜
１．６　ｂと、前記両切り欠き部１（］Ｃの側面に前記
Ｊ−而面極膜１６；コと下面電極膜１６ｂとを導通ずる
ように形成（、た側面電極膜１（ｉｃとで構成さｔ’ｌ
ている３、 以Ｈの構成において、この抵抗器は、絶縁基板１０の一
側縁における両電極１６の側面電極膜１６ｃと、他側縁
１０１１：ｌにおける端子板１５とを、各々プリント基
板の回路にｆ　ＢＥ付けすることにより、プリント基板
に装着（実装）される。

この場合、抵抗膜１２に対する両電極１６を、絶縁基板
１０にお＋′ｊる・側縁１０ａの両端に設けた切り欠き
部１０ｃに形成しまたことにより、両電極１６は、絶縁
基板１０の一側縁１０ａから突出しないか、或いは２絶
縁基板１．０の一側縁１０ａからの突出寸法が小さい状
態になり、しかも、両切り欠き部１（）ｃが絶縁基板１
０における一側縁１０ａの両端に形成されていることに
より、絶縁基板１０の一側縁１０ａの長さ寸法が従来と
同じてあっても、両電極Ｉ６間の間隔＝１−法Ｓを人き
くすることかできるから、両電極１６をプリント基板等
の回路に半ロコイス」けするに際して、当該両電極１６
に対する半田１７かブリッジ状に繋がることを、絶縁基
板１０を大型化することなく、確実に防■１、できるの
である。

なお、前記抵抗膜１２及び両電極１６を備えた絶縁基板
１０は、セラミック素材板Ａから、第６〜１１図に示す
ような工程を経て製造することかできる。

すなわち、前記セラミック素材板Ａは、多数個（実施例
では１０個）の絶縁基板１０を切り欠き部１０ｃが外向
きになるように１列に並べて成る１列セラミック素材板
Ａ１の複数枚（実施例では３枚・）を、これら複数枚の
各ゴー列セラミック素材板Ａ、の各絶縁基板１０におけ
る一側縁１０ａの箇所において一体的に連結された形態
に構成されており、該セラミック素材板Ａの両端部には
、位置決め用のノツチＡ２．Ａ、を備えた耳片Ａ４゜Ａ
、が一体的に連接され、且つ、前記各絶縁基板１０の相
斤間、及び各絶縁基板ＩＯと両耳片７〜４Ａ、との間に
は、ブレーク用の横筋目線Ｂ１及び縦筋「］線Ｂ、か設
けられている。

ぞこで、先ず、第７図に示すように、−枚のセラミック
素材板Ａにおける各絶縁基板１０の」−面のうち両切り
欠き部１ｆ）ｃの箇所に、導電性ベースＩ・をスクリー
ン印刷にて塗着することにより、各絶縁基板１０におけ
る両電極１６の上面電極膜１、、６　ａを形成したのち
、−枚のセラミック素材板Ａにおける各絶縁基板１０の
下面のうち両切り欠き部１．　Ｏｅの箇所に、導電性ペ
ーストをスクリーン印刷にて塗着することにより、各絶
縁基板１０における両電極１６の下面電極膜１６ｂを形
成し。

（先に下面電極膜１６ｂを形成しても良い）、次いで、
第８図に示すように、−枚のセラミック素材板Ａにおけ
る各絶縁基板１０の上面に、抵抗膜用ペーストをスクリ
ーン印刷にて塗着することにより、各絶縁基板１０に抵
抗膜Ｉ２を形成する。

次いで、この−枚のセラミック素材板Ａを、第９図に示
すように、三枚の各１列セラミック素材板Ａ１ごとに、
横筋［Ｊ線Ｂ１に沿ってブレークする１、 そして、第１Ｏ図及び第１１図に示すように、各１列セ
ラミック素材板Ａ１における各絶縁基板１１〕の切り欠
き部１０ｅに嵌まるよう外周面を断面円弧状に形成して
成る多数枚（実施例では１１枚）の円盤１９を、当該各
円盤１９の下端が導電性ペースト槽２０に浸漬した状態
で一定方向に回転するように設け、これら各円盤１９の
外周部に向けて、前記各１列セラミック素材板ＡＩを、
クランプ２１付きの往復動機構にて往復動じ、各絶縁基
板１０における切り欠き部１Ｏｅを各円盤１９の外周部
に被嵌したのち後退させて、円盤１９の外周面に付着し
た導電性ペースト２１を各切り欠き部１０ｅの側面に塗
着することにより、各絶縁基板１０における電極１６の
側面電極１６ｃを形成する。

この場合、１列セラミック素材板ＡＩを構成する一方の
列の各絶縁基板１０と他方の列の各絶縁基板１０とにお
ける両切り欠き部１０ｃの側面に側面電極膜１６ｃを形
成するには、例えば、往復動機構を挟んだ両側に円盤１
９群を配設して、１列セラミック素材板Ａ１を一方の円
盤１９群に移動させることにより、一方の列の各絶縁基
板１０における切り欠き部１．　Ｏｃの側面に側面電極
膜１６ｃを形成し、次いで、１列セラミック素材板Ａを
他方の円盤１９群に向けて移動させることにより、他方
の列の各絶縁基板１０における切り欠き部１０ｃの側面
に側面電極膜１６ｃを形成するか、或いは、往復動機構
の一方の側のみに円盤１９群を設けて、１列セラミック
素材板Ａ１における一方の列の各絶縁基板１０の切り欠
き部１０ｃに側面電極膜１６ｃを形成してから、１列セ
ラミック素材板Ａ、をその軸線回りに１８０°回転し、
これを円盤１９群に向けて移動させることにより、他方
の列の絶縁基板１０の切り欠き部１０ｃに側面電極膜１
６ｃを形成するかすれば良い。

このようにして各絶縁基板１０に電極Ｉ６と抵抗膜１２
とを形成したら、各１列セラミック素材板Ａ１を、横筋
目線Ｂ１に沿って１列にブレークしたのち、各−列のセ
ラミック素材板を縦筋目線Ｂ２に沿ってブレークして、
絶縁基板１ｏの単体に分離する。

なお、−枚のセラミック素材板Ａの状態で、上面電極膜
１６ａと下面電極膜１６ｂ及び抵抗膜１２を形成してか
ら、−枚のセラミック素材板Ａを一列のセラミック素材
板にブレークし、この−列のセラミック素材板ごとに側
面電極膜１６ｃを形成するようにしても良い。

この製造工程において、従来の絶縁基板のように一側縁
から電極用突起４を突設した形態であると、相隣接した
１列セラミック素材板Ａ、は、絶縁基板１における電極
用突起４の箇所において互いに連結されているに過ぎな
いため、相隣接した１列セラミック素材板Ａ１の連結強
度が弱く、セラミック素材板Ａを大型化することが困難
になるが、本願発明のように、側面電極膜１６ｃを各絶
縁基板１０における隅角部の切り欠き部１０ｃに形成す
ると、相隣接した１列セラミック素材板Ａが、各絶縁基
板］０における一側縁１０ａの箇所で長い範囲で連結さ
れることにより、１列セラミック素材板Ａ１の相互の連
結強度を向上できるから、セラミック素材板Ａを大型化
、換言すると、−回の工程で製造できる絶縁基板１０の
個数を増大して、絶縁基板１０の製造能率を向上するこ
とができる。

上記の実施例は、絶縁基板における切り欠き部を平面視
で略円弧状に形成した場合であったが、本発明における
切り欠き部は、平面視で直線状に形成するとか、或いは
平面視でＬ字状に形成するなど、他の形態であっても良
いことは言うまでもない。

また、本発明は、チップ型可変抵抗器のみならず、チッ
プ型可変コンデンサのように、絶縁基板の一側縁に２つ
の電極を形成した他のチップ型可変式電子部品にも適用
できることは言うまでもない。

【図面の簡単な説明】

第１〜５図は本発明の実施例を示し、第１図はチップ型
可変抵抗器の平面図、第２図は第１図の左側面図、第３
図は第１図の底面図、第４図は第１図のＩＶ−ＩＶ視断
面図、第５図は第１図の■−Ｖ視一部断面図、第６図、
第７図、第８図、第９図。 第１Ｏ図及び第１１図は絶縁基板の製造工程を示す図、
第１２図は従来技術を示す平面図、第１３図は第１２図
のｘｍ−ｘｍ視断面図である。 １０・・・・絶縁基板、ｌｏａ・・・・−側縁、１０ｃ
・・・・切り欠き部、１１・・・・貫通孔、１２・・・
・抵抗膜、１３・・・・ロータ、１３ａ・・・・摺動部
、１４・・・・中空軸、１５・・・・端子板、Ｉ６・・
・・電極、Ｉ６ａ・・・・上面電極膜、１６ｂ・・・・
下面電極膜、Ｌ６Ｃ・・・・側面電極膜、１７半田、工
８・・・・導電性ペースト槽、１９・・・・転移用円盤
、Ａ・・・・セラミック素材板。 特許出願人　　　　　ローム株式会社 代理 代理 人　　　　弁理士　　６井　焼失 人　　　　弁理士　　東野　正

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）．チップ状の絶縁基板の上面に可変用ロータを回
   転自在に設ける一方、前記絶縁基板の一側縁に、２つの
   電極を形成して成るチップ型可変電子部品において、前
   記絶縁基板の一側縁における両端の隅角部に各々切り欠
   き部を設けて、この両切り欠き部に前記両電極を形成し
   たことを特徴とするチップ型可変電子部品。