JPH04116837A - 電子回路の表面実装方法 - Google Patents

電子回路の表面実装方法

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JPH04116837A
JPH04116837A JP2238394A JP23839490A JPH04116837A JP H04116837 A JPH04116837 A JP H04116837A JP 2238394 A JP2238394 A JP 2238394A JP 23839490 A JP23839490 A JP 23839490A JP H04116837 A JPH04116837 A JP H04116837A
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JP
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wire bonding
wire
cream solder
reflow
layer
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JP2238394A
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Takao Kawaguchi
隆夫 川口
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はベアチィップＩＣなどのベア部品を具備する電
子回路の表面実装方法に関する。特にワイヤーボンディ
ング工法によりベア部品とガラスエポキシ基板とを結線
することにより構成される電子回路の表面実装方法に関
する。
従来の技術 従来のベアチップ部品を具備する電子回路の表面実装方
法を、第２図に従って示す。
すなわち、ワイヤーボンディング工程を含む場合、通常
Ｃｕ箔上にＮｉ層、Ａｕ層を連続してメツキしたＡｕメ
ンキガラスエポキシ基板が用いられる。この基板上にク
リーム半田印刷工程２１によりクリーム半田を印刷し、
続いて実装工程２２により表面実装部品を上記基板上に
搭載し、リフロー工程２３において上記基板と表面実装
部品との半田付けを行う。更に洗浄工程２４において、
クリーム半田に含有されたフラックスを除去し、ワイヤ
ーボンディングパッド表面を清浄にする。次にベア部品
接着工程２５においてベアチップＩＣなどを接着した後
、ワイヤーボンディング工程２６において上記基板上に
設けられたワイヤーボンディングパッドと上記ベアチッ
プＩＣ上に具備されたワイヤーボンディングパッドとを
例えばＡｌ線を用いて超音波ボンダーにより結線を実装
する。最後に封止工程２７により上述したワイヤーボン
ディング部を樹脂封止して全製造工程が完了するもので
ある。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、従来の技術では上記ガラスエポキシ基板
に施したＡｕメツキ層は、９９．９９％以上の高純度で
あり、高価格である。また、薬液分解しやすく管理が難
しい。さらに、高純度Ａｕは硬度が低くキズが付きやす
いので取り扱いにくいという課題を有してした。
この課題を解決するために、純度９９％Ａｕの硬質Ａｕ
メツキを使用することが提案された。これによれば、低
価格、薬液の安定性、高硬度の特長かえられる。しかし
、リフロー工程において２００°Ｃ以上の高温に晒され
ることにより、Ａｕ層内に含有される不純物の酸化物が
メツキ表面に表われるためワイヤボンディング性が十分
得られないという課題を有していた。
本発明は上記従来の欠点を除去するもので、低価格、高
硬度にしてワイヤボンディング性にも優れたガラスエポ
キシ基板上への表面実装方法を従供することを目的とす
る。
課題を解決するための手段 本発明は上記課題解決に鑑みてなされたものである。す
なわち、Ｃｕ箔、Ｎｉ層、Ａｕ層の３層からなるワイヤ
ーボンディングバンドを有するガラスエポキシ基板上に
リフロー工程、ワイヤーボンディング工法により結線さ
れる構造を有する電子回路において、クリーム半田印刷
工程、実装工程、リフロー工程、洗浄工程、水素プラズ
マ処理工程、ワイヤーボンディング工程、封止工程の順
により実装を行うものである。
作用 本発明にかかる製造方法によれば、洗浄工程後、水素プ
ラズマ処理を行う。すなわち、Ａｕメンキ層表面上に形
成された不純物に係る酸化物を還元しつつプラズマエツ
チングにより除去するため、清浄なＡｕ表面が得られる
。したがって、ワイヤーボンディング特性の劣化なく、
ワイヤーボンディングがなされるものである。
実施例 本発明の実施例を第１図に従って説明する。すなわち、
Ｃｕ　７ｔ３、Ｎｉ層、Ａｕ層の３層からなるワイヤー
ボンディングバンドを有するガラスエポキシ基板上にク
リーム半田印刷工程１１によりクリーム半田を印刷した
後、チップ部品、例えばセラミンクコンデンサ、タンタ
ルコンデンサ、抵抗、面実装コイル、パッケージＩＣな
どをマウンターにより実装した。上記工程は、実装工程
Ｉ２である。
次にリフロー工程１３を、例えば熱風式リフロー炉を使
用し、プリヒート温度１５０〜１７０°Ｃ１リフロー温
度２００〜２２０’Ｃの加熱により行った。引き続いて
洗浄工程１４において、クリーム半田に含有されたフラ
ツクスを洗浄した。ここで水素プラズマ処理工程１５、
例えばバレル型プラズマエツチング装置に水素ガスを１
〜１０Ｔｏｒｒ導入し１分間放電を行った。この処理に
より表面酸化物を除去し、清浄な表面を得ることができ
た。この後、ヘア部品接着工程１６において、例えばペ
アチップＩＣを接着剤により固定した後、ワイヤーボン
ディング工程】７において、ガラスエポキシ基板および
ペアチップＩＣ上に設けられたワイヤーボンディングパ
ッド間を３５μｍのＡＩ線を超音波ボンダーを用いて結
線した。最後に封止工程１８により、ワイヤーホンディ
ング部をシリコン樹脂により封止を行い、８０〜１００
’Ｃの温度をかけ硬化し、実装が完了し電子回路を形成
することができた。
本実施例において、ワイヤーボンディング特性は軟質Ａ
ｕよりやや劣るが、実用レベルであり問題はない。また
、硬度は軟質Ａｕより硬いため工程上にキズに対して特
に注意しなくても問題はなかった。
発明の効果 本発明は、硬質Ａｕメツキからなるガラスエポキシ基板
を使用しているので、低価格化が計られるものである。
さらに、水素プラズマ処理により、Ａｕメンキ層の表面
酸化物を除去し、清浄な表面を得ることができるので、
ワイヤーボンディング特性も問題なく表面実装が可能で
あるという効果を有している。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の電子回路の表面実装方法に係る工程図
、第２図は従来例に係る工程図を示すものである。 １１・・・・・・クリーム半田印刷工程、１２・・・・
・・実装工程、１３・・・・・・リフロー工程、１４・
・・・・・洗浄工程、１５・・・・・・水素プラズマ処
理工程、１６・・・・・・ベア部品接着工程、１７・・
・・・・ワイヤーポンディング工程、工８・・・・・・
封止工程。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　Ｃｕ箔、Ｎｉ層、Ａｕ層の３層からなるワイヤーボン
    ディングパッドを有するガラスエポキシ基板上にリフロ
    ー工程、ワイヤーボンディング工法により結線される構
    造を有する電子回路において、クリーム半田印刷工程、
    実装工程、リフロー工程、洗浄工程、水素プラズマ処理
    工程、ワイヤーボンディング工程、封止工程の順からな
    ることを特徴とする電子回路の表面実装方法。
JP2238394A 1990-09-06 1990-09-06 電子回路の表面実装方法 Pending JPH04116837A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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