JPH04116902A - 焼結体バリスタ素子基板の製造方法 - Google Patents
焼結体バリスタ素子基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH04116902A JPH04116902A JP2237884A JP23788490A JPH04116902A JP H04116902 A JPH04116902 A JP H04116902A JP 2237884 A JP2237884 A JP 2237884A JP 23788490 A JP23788490 A JP 23788490A JP H04116902 A JPH04116902 A JP H04116902A
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- JP
- Japan
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- varistor
- varistor element
- sintered
- liquid crystal
- glass substrate
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- Pending
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えば二端子素子型の液晶表示装置の非線形
素子として用いて好適な焼結体バリスタ素子基板の製造
方法に関するものである〔従来の技術〕 現在、例えば液晶テレビの画像表示装置には大別して単
純マトリクス方式とアクティブマトリクス方式とがある
。単純マトリクス方式は直角をなして設けられた一対の
帯状電極群(行電極群と列電極群)の間に複数の液晶画
素を行列状に配して接続したものであり、これら帯状電
極間に駆動回路によって所定の電圧を印可して液晶画素
を作動させる。この方式は、構造が簡単なため低価格で
システムを実現できるという利点があるが各液晶画素で
のクロストークが生じるため、画素のコントラストが低
く、液晶テレビの画像表示を行う際、画質の低下は避け
られないものであった。これに対し、アクティブマトリ
クス方式は各液晶画素毎にスインチング素子を設けて電
圧を保持するものであり、液晶表示装置を時分割駆動し
ても液晶画素が選択時の電圧を保持することができるた
め、表示容量の増大が可能で、コントラスト等の画質に
関する特性がよく、液晶テレビの高画質高画像表示を実
現できるものである。しかしながら、アクティブマトリ
クス方式にあっては構造が複雑になって製造コストが高
くなってしまうという欠点があった。例えば、スイッチ
ング素子として薄膜トランジスタを用いるTFT型では
、その製造工程において5層以上の薄膜を重ねるため、
製品歩留まりを上げることが困難である。
素子として用いて好適な焼結体バリスタ素子基板の製造
方法に関するものである〔従来の技術〕 現在、例えば液晶テレビの画像表示装置には大別して単
純マトリクス方式とアクティブマトリクス方式とがある
。単純マトリクス方式は直角をなして設けられた一対の
帯状電極群(行電極群と列電極群)の間に複数の液晶画
素を行列状に配して接続したものであり、これら帯状電
極間に駆動回路によって所定の電圧を印可して液晶画素
を作動させる。この方式は、構造が簡単なため低価格で
システムを実現できるという利点があるが各液晶画素で
のクロストークが生じるため、画素のコントラストが低
く、液晶テレビの画像表示を行う際、画質の低下は避け
られないものであった。これに対し、アクティブマトリ
クス方式は各液晶画素毎にスインチング素子を設けて電
圧を保持するものであり、液晶表示装置を時分割駆動し
ても液晶画素が選択時の電圧を保持することができるた
め、表示容量の増大が可能で、コントラスト等の画質に
関する特性がよく、液晶テレビの高画質高画像表示を実
現できるものである。しかしながら、アクティブマトリ
クス方式にあっては構造が複雑になって製造コストが高
くなってしまうという欠点があった。例えば、スイッチ
ング素子として薄膜トランジスタを用いるTFT型では
、その製造工程において5層以上の薄膜を重ねるため、
製品歩留まりを上げることが困難である。
上記のようなことから、コントラスト等の画質に関する
特性がよく且つ構造簡単にして低コストな方式の液晶表
示装置の実現が望まれており、この様な要求を実現する
方式として焼結体バリスタ素子を用いた二端子素子型液
晶表示装置が注目されている。
特性がよく且つ構造簡単にして低コストな方式の液晶表
示装置の実現が望まれており、この様な要求を実現する
方式として焼結体バリスタ素子を用いた二端子素子型液
晶表示装置が注目されている。
二端子素子型の液晶表示装置は単純マトリクス方式に改
良を加えて、第7図に示すように行電極1と列電極2と
の間に液晶画素4と所定のしきい値電圧で導通する焼結
体バリスタ素子3とを電気的に直列に配して接続したも
のであり、第8図に示すような焼結体バリスタ素子3の
非線形な電流−電圧特性を利用したものである。
良を加えて、第7図に示すように行電極1と列電極2と
の間に液晶画素4と所定のしきい値電圧で導通する焼結
体バリスタ素子3とを電気的に直列に配して接続したも
のであり、第8図に示すような焼結体バリスタ素子3の
非線形な電流−電圧特性を利用したものである。
第2図に一般的な二端子素子型の液晶表示装置を示す、
ここに示すように、行電極11それぞれに対して多数の
画素電極12が一定の間隔dをもって設けられ、行電極
11と画素電極12とは各焼結体バリスタ素子13で一
定のしきい値電圧■9をもって接続されている。液晶画
素−つについてみると、第3図および第4図に示すよう
に、下側ガラス基板10上に行電極11と画素電極12
とを所定の間隔dを隔てて設け、これら行電極11と画
素電極12とを酸化亜鉛(ZnO)からなる焼結体バリ
スタ素子で接続しである。そして、これらの上部を液晶
でみたし、さらに、列電極、カラーフィルタ、上側ガラ
ス基板(図示せず)を設けである。焼結体バリスタ素子
13は、第6図に詳示するように、ZnO単結晶粒子1
31の表面をMn、Co@化物等の無機質絶縁膜132
で被覆したバリスタ粒子13aからなり、第5図に詳示
するように、これらバリスタ粒子13aをガラスフリッ
ト13bで焼結したものである。このため、通常、焼結
体バリスタ素子基板はバリスタ粒子にガラスフリットと
有機バインダーを加えてペースト化し、バリスタインキ
とし、これを電極を付けたガラス基板上にスクリーン印
刷などの印刷法にて印刷、焼成して形成されている。
ここに示すように、行電極11それぞれに対して多数の
画素電極12が一定の間隔dをもって設けられ、行電極
11と画素電極12とは各焼結体バリスタ素子13で一
定のしきい値電圧■9をもって接続されている。液晶画
素−つについてみると、第3図および第4図に示すよう
に、下側ガラス基板10上に行電極11と画素電極12
とを所定の間隔dを隔てて設け、これら行電極11と画
素電極12とを酸化亜鉛(ZnO)からなる焼結体バリ
スタ素子で接続しである。そして、これらの上部を液晶
でみたし、さらに、列電極、カラーフィルタ、上側ガラ
ス基板(図示せず)を設けである。焼結体バリスタ素子
13は、第6図に詳示するように、ZnO単結晶粒子1
31の表面をMn、Co@化物等の無機質絶縁膜132
で被覆したバリスタ粒子13aからなり、第5図に詳示
するように、これらバリスタ粒子13aをガラスフリッ
ト13bで焼結したものである。このため、通常、焼結
体バリスタ素子基板はバリスタ粒子にガラスフリットと
有機バインダーを加えてペースト化し、バリスタインキ
とし、これを電極を付けたガラス基板上にスクリーン印
刷などの印刷法にて印刷、焼成して形成されている。
r発明が解決しようとする課題〕
特に、画質の良好な2端子素子型液晶表示装夏を実現す
るためには焼結体バリスタ素子が高性能を有し安定性が
高くかつその性能が素子間で一定している必要がある。
るためには焼結体バリスタ素子が高性能を有し安定性が
高くかつその性能が素子間で一定している必要がある。
そのためには、焼結バリスタ素子を形成する際、各素子
を求める一定の形状に形成する必要がある。しかし、例
えば、従来のスクリーン印刷では、200am角程度の
ドツトを印刷した場合、ガラス基板の表面張力がバリス
タインキのそれより大きいため、インキが印刷される同
時に濡れ拡がりその形状は四角くならず丸みをおびた形
状となる。このため素子間において形状のばらつきを生
じ、これが焼結バリスタ素子間の電気的特性のばらつき
の原因となっている。
を求める一定の形状に形成する必要がある。しかし、例
えば、従来のスクリーン印刷では、200am角程度の
ドツトを印刷した場合、ガラス基板の表面張力がバリス
タインキのそれより大きいため、インキが印刷される同
時に濡れ拡がりその形状は四角くならず丸みをおびた形
状となる。このため素子間において形状のばらつきを生
じ、これが焼結バリスタ素子間の電気的特性のばらつき
の原因となっている。
このため、コントラスト等の画質に関する特性のよい液
晶表示装置を製作することが困難である。
晶表示装置を製作することが困難である。
本発明は、上記従来の事情に鑑みなされたもので、個々
の焼結体バリスタ素子を求める一定の形状に製造でき高
性能且つその性能が素子間で一定した焼結体バリスタ素
子基板を容易に製造することを目的とする。
の焼結体バリスタ素子を求める一定の形状に製造でき高
性能且つその性能が素子間で一定した焼結体バリスタ素
子基板を容易に製造することを目的とする。
本発明の焼結体バリスタ!子基板の製造方法は、行電極
と画素電極とが設けられたガラス基板上に感光性樹脂を
塗布、焼結体バリスタ素子を作製する部分以外のみ硬化
させ、焼結体バリスタ素子を作製する部分の未硬化部分
を除去、除去した部分にバリスタペーストを充填、その
後焼成することにより焼結体バリスタ素子を形成するこ
とを特徴とする。
と画素電極とが設けられたガラス基板上に感光性樹脂を
塗布、焼結体バリスタ素子を作製する部分以外のみ硬化
させ、焼結体バリスタ素子を作製する部分の未硬化部分
を除去、除去した部分にバリスタペーストを充填、その
後焼成することにより焼結体バリスタ素子を形成するこ
とを特徴とする。
本発明では、バリスタ素子がガラス基板上に作製された
感光性樹脂よりなるマスクの中に充填され、その後焼成
されることにより焼結体バリスタ素子を得るためスクリ
ーン印刷などの印刷による素子基板作製法に比べ、印刷
によるインキの濡れ広がりがないため、個々の焼結体バ
リスタ素子を所定の形状に作製することが可能となる。
感光性樹脂よりなるマスクの中に充填され、その後焼成
されることにより焼結体バリスタ素子を得るためスクリ
ーン印刷などの印刷による素子基板作製法に比べ、印刷
によるインキの濡れ広がりがないため、個々の焼結体バ
リスタ素子を所定の形状に作製することが可能となる。
このことにより高性能且つその性能が素子間で一定した
バリスタ素子基板を得ることを容易にする。なお、焼成
時に感光性樹脂は燃焼除去される。
バリスタ素子基板を得ることを容易にする。なお、焼成
時に感光性樹脂は燃焼除去される。
本発明に係る焼結体バリスタ素子基板の製造方法を実施
例に基づいて具体的に説明する。
例に基づいて具体的に説明する。
第1図(al〜(ロ)は、本発明の一実施例に係わる製
造方法の断面図である。
造方法の断面図である。
まずバリスタ素子充填のためにバリスタ粉をペースト化
する。ここで用いたバリスタ粉はZnOを主成分とする
ものである。重量比にしてバリスタ粉80部に対し、ガ
ラスフリット20部、プロピレングリコール20部を添
加し、混合してペースト化して用いた。
する。ここで用いたバリスタ粉はZnOを主成分とする
ものである。重量比にしてバリスタ粉80部に対し、ガ
ラスフリット20部、プロピレングリコール20部を添
加し、混合してペースト化して用いた。
次いで、バリスタ素子が形成される行電極、画素電極が
形成されたガラス基板にポリビニルアルコール、ポリ酢
酸ビニル、そしてジアゾニウム塩からなる感光性樹脂を
ロールコータ−を用いて20μm厚に塗布する(第1図
(a)参照)。乾燥後ポジフィルム原版を密着させ露光
、水洗することによりガラス基板上に焼結体バリスタ素
子を作製する部分以外にのみ感光性樹脂膜18を形成し
た(第1図〜〕参照)。そして、これに先に作製したバ
リスタペースト19をスキージを用い塗布、余分なバリ
スタペーストをドクターブレードを用い取り除くことに
より焼結体バリスタ素子を作製する部分に充填した(第
1図(C)参照)。次いで、これを空気中、420°C
で1時間加熱して焼成する。その結果、所定の形状を保
った焼結体バリスタ素子を有する焼結体バリスタ素子基
板を得る(第1図(d)参照)。
形成されたガラス基板にポリビニルアルコール、ポリ酢
酸ビニル、そしてジアゾニウム塩からなる感光性樹脂を
ロールコータ−を用いて20μm厚に塗布する(第1図
(a)参照)。乾燥後ポジフィルム原版を密着させ露光
、水洗することによりガラス基板上に焼結体バリスタ素
子を作製する部分以外にのみ感光性樹脂膜18を形成し
た(第1図〜〕参照)。そして、これに先に作製したバ
リスタペースト19をスキージを用い塗布、余分なバリ
スタペーストをドクターブレードを用い取り除くことに
より焼結体バリスタ素子を作製する部分に充填した(第
1図(C)参照)。次いで、これを空気中、420°C
で1時間加熱して焼成する。その結果、所定の形状を保
った焼結体バリスタ素子を有する焼結体バリスタ素子基
板を得る(第1図(d)参照)。
本発明の焼結体バリスタ素子基板の製造方法によれば、
バリスタ素子形成に際し、バリスタ素子が形成されるガ
ラス基板にあらかしめ感光性樹脂からなるマスクが形成
され、そこにバリスタペーストを充填、焼成することに
より焼結体バリスタ素子基板を作製するため、精密なパ
ターンを形成することが可能となる。
バリスタ素子形成に際し、バリスタ素子が形成されるガ
ラス基板にあらかしめ感光性樹脂からなるマスクが形成
され、そこにバリスタペーストを充填、焼成することに
より焼結体バリスタ素子基板を作製するため、精密なパ
ターンを形成することが可能となる。
これにより、各バリスタ素子間の形状のばらつきが小さ
くなり、高性能且つその性能がバリスタ素子間で一定し
た焼結体バリスタ素子基板の量産を容易に実現すること
ができる。従って、むらのない鮮明な画像表示を達成す
る大画面の液晶表示装置を得ることが可能となる。
くなり、高性能且つその性能がバリスタ素子間で一定し
た焼結体バリスタ素子基板の量産を容易に実現すること
ができる。従って、むらのない鮮明な画像表示を達成す
る大画面の液晶表示装置を得ることが可能となる。
第1図(a)〜(d)は本発明の焼結体バリスタ素子基
板の製造方法の一実施例を示す断面図、第2図は一般的
な液晶表示装置の電極形状の一例を示す平面図、第3図
は一般的な液晶表示装置の一画素の拡大平面図、第4図
はバリスタ素子を用いた液晶表示装置の一例を示す断面
図、第5図は第4図中のバリスタ素子要部の拡大図、第
6図はバリスタ粒子の断面図、第7図は二端子素子型液
晶表示装置の等価回路図、第8図は焼結体バリスタ素子
の、電圧−電流特性を示すグラフ図である。 11・・・行電極 12・・・画素電極 13・・・焼結体バリスタ素子 13a・・・バリスタ粒子 131・・・ZnO単結晶粒子 132・・・無機質絶縁膜 13b・・・ガラスフリット 18・・・感光性樹脂膜 18a・・・感光性樹脂 19・・・バリスタペースト 20・・・ガラス基板 特 許 出 願 人 凸版印刷株式会社 代表者 鈴木和夫 (a) (b) (C) 第1図 第3図 第4図 第5図 第2図 第6図 第7図 電 第8図
板の製造方法の一実施例を示す断面図、第2図は一般的
な液晶表示装置の電極形状の一例を示す平面図、第3図
は一般的な液晶表示装置の一画素の拡大平面図、第4図
はバリスタ素子を用いた液晶表示装置の一例を示す断面
図、第5図は第4図中のバリスタ素子要部の拡大図、第
6図はバリスタ粒子の断面図、第7図は二端子素子型液
晶表示装置の等価回路図、第8図は焼結体バリスタ素子
の、電圧−電流特性を示すグラフ図である。 11・・・行電極 12・・・画素電極 13・・・焼結体バリスタ素子 13a・・・バリスタ粒子 131・・・ZnO単結晶粒子 132・・・無機質絶縁膜 13b・・・ガラスフリット 18・・・感光性樹脂膜 18a・・・感光性樹脂 19・・・バリスタペースト 20・・・ガラス基板 特 許 出 願 人 凸版印刷株式会社 代表者 鈴木和夫 (a) (b) (C) 第1図 第3図 第4図 第5図 第2図 第6図 第7図 電 第8図
Claims (1)
- 焼結体バリスタ素子基板の製造方法であって、行電極と
画素電極とが設けられたガラス基板上に感光性樹脂を塗
布、焼結体バリスタ素子を作製する部分以外のみ硬化さ
せ、焼結体バリスタ素子を作製する部分の未硬化部分を
除去、除去した部分にバリスタペーストを充填、その後
焼成することにより焼結体バリスタ素子を形成すること
を特徴とする焼結体バリスタ素子基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2237884A JPH04116902A (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | 焼結体バリスタ素子基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2237884A JPH04116902A (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | 焼結体バリスタ素子基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04116902A true JPH04116902A (ja) | 1992-04-17 |
Family
ID=17021851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2237884A Pending JPH04116902A (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | 焼結体バリスタ素子基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04116902A (ja) |
-
1990
- 1990-09-07 JP JP2237884A patent/JPH04116902A/ja active Pending
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