JPH04117608A - 磁気ヘッド装置 - Google Patents
磁気ヘッド装置Info
- Publication number
- JPH04117608A JPH04117608A JP23592990A JP23592990A JPH04117608A JP H04117608 A JPH04117608 A JP H04117608A JP 23592990 A JP23592990 A JP 23592990A JP 23592990 A JP23592990 A JP 23592990A JP H04117608 A JPH04117608 A JP H04117608A
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- JP
- Japan
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- magnetic
- partition wall
- film
- gap
- metal
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
この発明は、ビデオテオーブレコーダ等の磁気記録再生
装置に使用される磁気ヘッド装置に関する。
装置に使用される磁気ヘッド装置に関する。
(従来の技術)
最近、磁気ヘッドにおいて、記録媒体の高保磁力、高残
留磁束密度化に対応するものとして、フェライト等の磁
性体コア間に設けるギャップGをセンダストやアモルフ
ァス等の金属磁性体を用いた金属磁性膜層で挟持したM
IGヘッドと称する磁気ヘッドが開発されている。これ
らの金属磁性膜くは、飽和磁束密度が大きいため、この
MIGヘッドは高保磁力記録媒体に書き込むに十分な強
い磁界を出すことができる。
留磁束密度化に対応するものとして、フェライト等の磁
性体コア間に設けるギャップGをセンダストやアモルフ
ァス等の金属磁性体を用いた金属磁性膜層で挟持したM
IGヘッドと称する磁気ヘッドが開発されている。これ
らの金属磁性膜くは、飽和磁束密度が大きいため、この
MIGヘッドは高保磁力記録媒体に書き込むに十分な強
い磁界を出すことができる。
第3図は、従来のMIG磁気ヘッドを示している。コア
半休は、フェライト等の一対の磁性体コア18%1bで
形成されている。この磁性体コアla、lbの間には、
5i02等の非磁性体膜層3a、3bで形成されるギャ
ップGが、金属磁性膜層2a、2bで挾持されて形成さ
れる。即ち第4図に示すように磁性体コアla、lbに
トラック幅Twが所定のピッチ間隔Pで形成される(第
4図(a)、(b)中では一方のみを図示)。このトラ
ック幅Twに対応する面上には例えば4〜8μm程度の
金属磁性膜層2a、2bがスパッタ等で形成され、この
金属磁性膜層2a、2b上には0.2〜0.5μm程度
の非磁性膜層3a。
半休は、フェライト等の一対の磁性体コア18%1bで
形成されている。この磁性体コアla、lbの間には、
5i02等の非磁性体膜層3a、3bで形成されるギャ
ップGが、金属磁性膜層2a、2bで挾持されて形成さ
れる。即ち第4図に示すように磁性体コアla、lbに
トラック幅Twが所定のピッチ間隔Pで形成される(第
4図(a)、(b)中では一方のみを図示)。このトラ
ック幅Twに対応する面上には例えば4〜8μm程度の
金属磁性膜層2a、2bがスパッタ等で形成され、この
金属磁性膜層2a、2b上には0.2〜0.5μm程度
の非磁性膜層3a。
3bが同様にスパッタ等により形成される。そして、金
属磁性体膜層2a、2b及び非磁性膜層3a、3bが形
成された磁性体コアla、lbは、そのトラック幅Tw
に対応する面が互いに対向されて接着ガラス4を用いて
接合された後、第4図(C)に破線で示すように切断さ
れて第3図に示す磁気ヘッドが形成される。
属磁性体膜層2a、2b及び非磁性膜層3a、3bが形
成された磁性体コアla、lbは、そのトラック幅Tw
に対応する面が互いに対向されて接着ガラス4を用いて
接合された後、第4図(C)に破線で示すように切断さ
れて第3図に示す磁気ヘッドが形成される。
(発明が解決しようとする課題)
上記の磁気ヘッドによると、金属磁性体は、一般に比抵
抗が小さいために、渦電流損失が大きく、実効透磁率の
高周波特性が悪い。
抗が小さいために、渦電流損失が大きく、実効透磁率の
高周波特性が悪い。
この欠点を避けるためには、磁性薄板(あるいは薄膜)
を積層することが有効である。従って、薄膜形成する磁
性体コアの場合、膜層に平行な方向に磁束が流れるもの
ならば、積層化によって実効透磁率を上げることができ
る。
を積層することが有効である。従って、薄膜形成する磁
性体コアの場合、膜層に平行な方向に磁束が流れるもの
ならば、積層化によって実効透磁率を上げることができ
る。
しかしMrGヘッドの場合、前述の工程から明らかなよ
うに、薄膜面に対して垂直な方向に磁束・が流れる構造
となっている。このため積層という手段では、高周波特
性を上げることが出来ない。
うに、薄膜面に対して垂直な方向に磁束・が流れる構造
となっている。このため積層という手段では、高周波特
性を上げることが出来ない。
むしろ透磁率が影響する再生特性に関しては、MI G
ヘッドは従来のヘッドよりも改善されるどころか悪くな
っているというのが現状である。
ヘッドは従来のヘッドよりも改善されるどころか悪くな
っているというのが現状である。
そこでこの発明は、上記したようなMIGヘッドの再生
特性を改善し、記録再生の両面で従来のフェライトヘッ
ドの性能を上回る高性能の磁気ヘッド装置を提供するこ
とを目的とする。
特性を改善し、記録再生の両面で従来のフェライトヘッ
ドの性能を上回る高性能の磁気ヘッド装置を提供するこ
とを目的とする。
[発明の構成コ
(課題を解決するための手段)
この発明は、一対のフェライトコア半体の少なくとも一
方のギャップ対向面上に金属磁性膜を形成し、前記金属
磁性膜面同士、あるいは前記金属磁性膜とフェライトコ
アのギャップ対向面を、磁気ギャップを介して接着する
ことにより成る金属挟持形のヘッドにおいて、 少なくとも一方のギャップ対向面上に絶縁体または高抵
抗体の仕切り壁を設け、その間に金属磁性膜を埋め込ん
だ構造とするものである。
方のギャップ対向面上に金属磁性膜を形成し、前記金属
磁性膜面同士、あるいは前記金属磁性膜とフェライトコ
アのギャップ対向面を、磁気ギャップを介して接着する
ことにより成る金属挟持形のヘッドにおいて、 少なくとも一方のギャップ対向面上に絶縁体または高抵
抗体の仕切り壁を設け、その間に金属磁性膜を埋め込ん
だ構造とするものである。
また、この発明では、上記仕切り壁をギャップ対向面か
らろで格子状に、かつトラック幅方向に対して斜めに傾
いた配列の仕切り壁とするものである。
らろで格子状に、かつトラック幅方向に対して斜めに傾
いた配列の仕切り壁とするものである。
(作用)
上記の手段により、膜に垂直な方向に磁束が流れる場合
でも、仕切り壁で囲まれた1区画に対応した渦電流損し
か発生せず、膜の実効透磁率を上げることができ、MI
Gヘッドの再生特性を向上できる。
でも、仕切り壁で囲まれた1区画に対応した渦電流損し
か発生せず、膜の実効透磁率を上げることができ、MI
Gヘッドの再生特性を向上できる。
また、デプスが変動しても急激な特性変化が起こらず、
長時間走行に対して安定した特性を得ることができる。
長時間走行に対して安定した特性を得ることができる。
(実施例)
以下、この発明の実施例を図面を参照して説明する。
第1図はこの発明の一実施例に於ける要部を示している
。21は、フェライトコア半体の一方を示している。こ
のコア半体21のギャップ形成面の上には、格子状の仕
切り壁24が形成されている。Lは壁の高さである。そ
してこの仕切り壁24の間には、金属磁性膜25が壁の
高さ分埋め込まれている。
。21は、フェライトコア半体の一方を示している。こ
のコア半体21のギャップ形成面の上には、格子状の仕
切り壁24が形成されている。Lは壁の高さである。そ
してこの仕切り壁24の間には、金属磁性膜25が壁の
高さ分埋め込まれている。
上記した仕切り壁24及び金属磁性膜25の複合構造は
以下のように製造される。
以下のように製造される。
まずトラック溝、巻線溝及びガラス溝等が加工されたフ
ェライトのギャップ形成面は、鏡面仕上げされる。そし
て、第2図(a)のように、フェライトコア21のギャ
ップ形成面上に、仕切り壁となる酸化シリコン(Si0
2)膜22がスパッタにより5μm形成される。この5
i02膜22の上面に、約3μmの厚さのレジスト23
が塗布され、ライン/スペース−4/1μmでパターン
ニングされる。このパターンニングは、仕切り壁のパタ
ーンを残し、かつ格子状となるように、また壁の方向が
トラック幅方向に対して45度となるように設定される
(第1図の斜視図参照)。
ェライトのギャップ形成面は、鏡面仕上げされる。そし
て、第2図(a)のように、フェライトコア21のギャ
ップ形成面上に、仕切り壁となる酸化シリコン(Si0
2)膜22がスパッタにより5μm形成される。この5
i02膜22の上面に、約3μmの厚さのレジスト23
が塗布され、ライン/スペース−4/1μmでパターン
ニングされる。このパターンニングは、仕切り壁のパタ
ーンを残し、かつ格子状となるように、また壁の方向が
トラック幅方向に対して45度となるように設定される
(第1図の斜視図参照)。
次に、RIE処理を行い5i02をエツチングしく第2
図(C) 残ったレジストが洗浄により除去される(
第2図(d))。これにより、5in2の仕切り壁24
が形成される。次に、第2図(e)に示すように仕切り
壁24の間が完全に埋まるまでセンダスト膜(金属磁性
膜25)がスパッタされる。次に、第2図(f)に示す
ように、ラップポリシングすることにより、表面を平坦
かつ鏡面に仕上げることにより、磁性膜形成処理が終了
し、第1図に示したようなギャップ部の構成が得られる
。
図(C) 残ったレジストが洗浄により除去される(
第2図(d))。これにより、5in2の仕切り壁24
が形成される。次に、第2図(e)に示すように仕切り
壁24の間が完全に埋まるまでセンダスト膜(金属磁性
膜25)がスパッタされる。次に、第2図(f)に示す
ように、ラップポリシングすることにより、表面を平坦
かつ鏡面に仕上げることにより、磁性膜形成処理が終了
し、第1図に示したようなギャップ部の構成が得られる
。
上記の説明では、磁気ヘッドの1つのギャップ部を取上
げて説明しているが、実際には、第4図で示したように
多数のコア半休を切出し可能なコアの状態で、ギャップ
形成面に上記の仕切り壁24及び金属磁性膜25が形成
される。
げて説明しているが、実際には、第4図で示したように
多数のコア半休を切出し可能なコアの状態で、ギャップ
形成面に上記の仕切り壁24及び金属磁性膜25が形成
される。
上記のように処理されて組立てられたMIGヘッドは、
膜面垂直方向に磁束が流れる場合でも、その断面は、5
i02による仕切り壁で区切られているため4μm2の
面積であり、比抵抗が約100μΩ・cmのセンダスト
であれば、殆ど渦電流損は問題とはならない。このため
、膜面垂直方向の実効透磁率が上がり(回復し)、ヘッ
ド特性として高周波域で2〜3dBの上昇が見られた。
膜面垂直方向に磁束が流れる場合でも、その断面は、5
i02による仕切り壁で区切られているため4μm2の
面積であり、比抵抗が約100μΩ・cmのセンダスト
であれば、殆ど渦電流損は問題とはならない。このため
、膜面垂直方向の実効透磁率が上がり(回復し)、ヘッ
ド特性として高周波域で2〜3dBの上昇が見られた。
また格子状の壁をトラック幅方向に対して45度傾けて
いるため、デプスが減少してもトラック内の5i02の
壁の占有率は常に一定であり、長時間走行させても安定
した特性を得ることができた。
いるため、デプスが減少してもトラック内の5i02の
壁の占有率は常に一定であり、長時間走行させても安定
した特性を得ることができた。
仮に、トラック幅方向と仕切り壁方向とが同一であると
すると、ヘッドの摩耗により、ギャップ部において、5
j02の存在する量が変わることになる。
すると、ヘッドの摩耗により、ギャップ部において、5
j02の存在する量が変わることになる。
上記したように、このMIGヘッドは、高い記録能力は
もとより、渦電流損失を回避しており、高い再生能力も
有し、しかもデプス変動に対しても安定した特性を17
7ることかできる。
もとより、渦電流損失を回避しており、高い再生能力も
有し、しかもデプス変動に対しても安定した特性を17
7ることかできる。
[発明の効果コ
以上説明したようにこの発明によれば、記録再生の両面
で従来のフェライトヘッドの性能を上回る高性能の磁気
ヘッド装置を提供することができる。
で従来のフェライトヘッドの性能を上回る高性能の磁気
ヘッド装置を提供することができる。
第1図はこの発明の一実施例の要部を示す説明図、第2
図はこの発明のヘッドの要部の製造工程を説明するため
に示した説明図、第3図は従来のMI Gヘッドの構成
説明図、第4図は、従来のMIGヘッドの製造工程を説
明するために示した説明図である。 21・・・コア半体、24・・・仕切り壁、25・・・
金属磁性膜。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第4図
図はこの発明のヘッドの要部の製造工程を説明するため
に示した説明図、第3図は従来のMI Gヘッドの構成
説明図、第4図は、従来のMIGヘッドの製造工程を説
明するために示した説明図である。 21・・・コア半体、24・・・仕切り壁、25・・・
金属磁性膜。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第4図
Claims (2)
- (1)一対のフェライトコア半体の少なくとも一方のギ
ャップ対向面上に金属磁性膜を形成し、前記金属磁性膜
面同士、あるいは前記金属磁性膜とフェライトコアのギ
ャップ対向面を、磁気ギャップ部を介して接着すること
により成る金属挟持形のヘッドにおいて 少なくとも一方のギャップ対向面を複数に仕切るように
、前記対向面上に絶縁体または高抵抗体の仕切り壁を設
け、その仕切り壁の間に金属磁性膜を埋め込んだ構造と
することを特徴とする磁気ヘッド装置。 - (2)上記仕切り壁は、前記対向面上で格子状であり、
壁の方向は、ヘッドギャップ方向に対して斜め方向であ
ることを特徴とする請求項第1項記載の磁気ヘッド装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23592990A JPH04117608A (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | 磁気ヘッド装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23592990A JPH04117608A (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | 磁気ヘッド装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04117608A true JPH04117608A (ja) | 1992-04-17 |
Family
ID=16993328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23592990A Pending JPH04117608A (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | 磁気ヘッド装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04117608A (ja) |
-
1990
- 1990-09-07 JP JP23592990A patent/JPH04117608A/ja active Pending
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