JPH0432054A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ｉ更立韮五至１ 本発明憾　光磁気記録媒体に関し　さらに詳しり：戴　
　記録パワーの線速依存性が小さく、しかも記録感度に
優れるとともに記録パワーのマージンが広い光磁気記録
媒体に関する。

ｉ貝立孜五負１ｊ 鉄、コバルトなどの遷移金属と、テルビウム（Ｔ　ｂ）
、カドリニウム（Ｇｄ）なとの希土類元素との合金から
なる光磁気記録膜ＩＬ　　膜面と垂直な方向に磁化容易
軸を有し　一方向に全面磁化された膜面にこの全面磁化
方向とは逆向きの小さな反転磁区を形成することができ
ることが知られている。この反転磁区の有無を「１」、
　「０」に対応させることによって、上記のような光磁
気記録膜にデジタル信号を記録させることが可能となる
。

このような遷移金属と希土類元素とからなる光磁気記録
膜として１転　たとえば特公昭５７−２０６９１号公報
に１５〜３０原子％のＴｂを含むＴｂ−Ｆｅ系光磁気記
録膜が開示されている。またＴｂ−Ｆｅに第３の金属を
添加してなる光磁気記録膜も用いられている。さらにＴ
ｂ−Ｃｏ系、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃ０系などの光磁気記録膜も
知られている。

このようなＴｂ−Ｆｅ爪　Ｔｂ−Ｃｏ系などの光磁気記
録膜中＆ミ　この薄膜の耐酸化性を向上させるため番へ
　第３の金属を添加する方法が種々試みられている。

このような光磁気記録媒体に情報を書込む際に鷹　記録
パワーマージンが広く、しかも記録パワーの線速依存性
が小さいことが望まれている。ここで情報を書込む際の
記録パワーマージンが広いとは、光磁気記録媒体にレー
ザ光などによって情報を書込む際＆−書込み光としての
レーザ光のパワーが多少変化しても正確に光磁気記録媒
体に情報を書込むことができることを意味し　記録パワ
ーの線速依存性がノ」）さいと叫　光磁気記録媒体にレ
ーザ光などによって情報を書込む際＆ミ　記録媒体の内
周部と外周部とで書込み光としてのレーザ光の最適記録
パワーの変化のしかたが小かいことを意味している。

またこのような光磁気記録膜を基板上に積層してなる光
磁気記録媒体１戴　耐酸化性および記録感度（Ｃ／Ｎ比
）の向上も望まれていた このように記録パワーマージンが広く、その上記録パワ
ーの線速依存性が小さく、耐酸化性および記録感度が向
上されているような光磁気記録媒体の出現が望まれてい
る。

本発明者らは、このような従来技術に鑑みて鋭意検討し
たところ、基板上シミ　保護膜と、光磁気記録膜と、ケ
イ素膜と、アルミニウム合金膜とをこの順序で積層して
なる光磁気記録媒体檄　記録パワーの線速依存性が小さ
く、かつ記録パワーマージンが広く、しかも耐酸化性お
よび記録感度に優れていることを見いだして、本発明を
完成するに至った ｉ里亘１濫 本発明ＩＬ　　記録パワーマージンが広く、シかも記録
パワーの線速依存性が小さく、がっＣ／Ｎ比が高く、耐
酸化性にも優れているような光磁気記録媒体を提供する
ことを目的としている。

ｉ里立鷹１ 本発明に係る光磁気記録媒体＋３　　基板上へ　保護膜
と、光磁気記録膜と、ケイ素膜と、アルミニウム合金膜
とがこの順序で積層されてなることを特徴としている。

このような本発明に係る光磁気記録媒体は、記録パワー
の線速依存性が小さく、かつ記録パワーマージンが広く
、しかも耐酸化性および記録感度に優れている。

日の　　　口 以下、本発明に係る光磁気記録媒体について具体的に説
明する。

本発明の光磁気記録媒体１０１戴　　たとえば第１図に
示すようシミ　基板１上へ　保護膜２と、光磁気記録膜
３と、ケイ素膜４と、アルミニウム合金膜５とがこの順
序で積層されて形成されている。

以下、基板１１　　保護膜ｚ１　　光磁気記録膜３、ケ
イ素膜４と、アルミニウム合金膜５について順次説明す
る。

蓋−一一板 本発明で鷹　基板１の材質は特に限定されない力Ｃ１基
板１側（矢印Ａ）がらレーザ光が入射する場合に鷹　透
明基板であることが好ましく、具体的にｉＬ　　ガラス
やアルミニウム等の無機材料の他＆ミ　ポリメチルメタ
クリレート、ポリカーボネート、ポリカーボネートとポ
リスチレンのポリマーアロイ、米国特許第４．６１４．
７７８号明細書に開示しであるような環状オレフィンラ
ンダム共重合本　以下に説明するような環状オレフィン
ランダム共重合弧　ポリ４−メチル−１−ペンテン、エ
ポキシ樹脂、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン
、ポリエーテルイミド等の有機材料を用いることができ
る。この中でｉＬ　　ポリメチルメタクリレート、ポリ
カーボネート、米国特許第４．６１４．７７８号明細書
に記載のような共重合体および下記の環状オレフィンラ
ンダム共重合体が好ましい。

本発明において、基板として特に好ましい材料としてＩ
Ｌ　　特に保護膜あるいは記録膜との密着性が良く、複
屈折率が小さいという観点から、エチレンと、下記一般
式［エコまたは［ｒ’ｌで表される環状オレフィンとの
共重合体からなる環状オレフィンランダム共重合体が挙
げられる。

一般式［エコ （式中、ｎはＯまたは１であり、ｍはＯまたは正の整数
であって、 Ｒ１〜Ｒｌ　＊　１４　　それぞれ独立ム　水素原子、
ハロゲン原子および炭化水素基よりなる群から選ばれる
原子もしくは基を表し ＲＩ　ｓ　４　ＲＩ　１１４　　互いに結合して単環ま
たは多環を形成していてもよく、かつ該単環または多環
が二重結合を有していてもよく、 また、　Ｒ１５とＲＩ　ＩＩとで、　またはＲ１とＲｌ
ｇとでアルキリデン基を形成していてもよい）。

一般式［Ｉ’コ （式［Ｉ°］中、ｐは０または１以上の整数であり、ｑ
およびｒｌ戴０，１または２であり、Ｒ１〜ＲＩＢはそ
れぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、脂肪族炭化水素
基　芳香族炭化水素基　およびアルコキシ基よりなる群
から原子もしくは基を表狐Ｒも（またはＲｅ）とＲｅ（
またはＲｔ）と１転　炭素数１〜３のアルキレン基を介
して結合していてもよく、また何の基も介さずに直接結
合していてもよい。　） ただ獣　上記式［ｒ］において、ｎは○または１であり
、好ましくは０である。また、ｍは○または正の整数で
あり、好ましくは０〜３である。

また上記式ＣＩ’ｌにおいて、ｐは０または１以上の整
数であり、好ましくはＯ〜３の整数である。

そして、　Ｒ１〜Ｒ１８（式［エコ）、　またはＲ１−
Ｒ１６（式［ｒ’］）Ｌ　　それぞれ独立＆−水素原子
、ハロゲン原子および炭化水素基よりなる群がら選ばれ
る原子もしくは基を表す。ここで、ハロゲン原子として
（戴　たとえｌｆ、　　フッ素原子、塩素原子、臭素原
子およびヨウ素原子を挙げることができる。

また、炭化水素基としては、それぞれ独立に、通常は炭
素原子数１〜６のアルキル基　炭素原子数３〜６のシク
ロアルキル基を挙げることができ、アルキル基の具体的
な例としてＡ　メチル基　エチル基　イソプロピル基　
イソブチル基　アミル基をあげることができ、シクロア
ルキル基の具体的な例として（戴　シクロへキシル基　
シクロプロピル基　シクロブチル基　シクロペンチル基
を挙げることができる。

また上記式［１′〕において、Ｒ５（またはＲｅ）とＲ
ｅ（またはＲｔ）と哄　炭素数１〜３のアルキレン基を
介して結合していてもよく、また何の基も介さずに直接
結合していてもよい。

さら＆ミ　上記式［Ｔ］において、ＲＩ　％　Ｍ−ＲＩ
　８は互いに結合して（共同して）単環または多環を形
成していてもよく、かつ該単環または多環が二重結合を
有していてもよい。また、Ｒ１１６とＲｔ６とで、また
はＲＩＴとＲｌｇとでアルキリデン基を形成していても
よい。このようなアルキリデン基版　通常は炭素原子数
２〜４のアルキリデン基をあげることができ、その具体
的な例として（戴　エチリデン基　プロピリデン基　イ
ソプロピリデン基およびイソブチリデン基をあげること
ができる。

前記式［エコまたは［ｒ’ｌｌで表される環状オレフィ
ン（戴　シクロペンタジェン類と、相応するオレフィン
類あるいは環状オレフィン類とをディールス・アルダ−
反応により縮合させることにより容易に製造することが
できる。

前記式［ＩＩまたは［Ｉ′］で表される環状オレフィン
として屯　具体的には、たとえば下記のような化合物を
挙げることができる。

（以下余白） ＣＨａ ＣＨａ ビシクロ［２，２，１１ヘプ ン ６−メチルビシクロ［２ ７−メチルビシクロ［２ などのようなビシクロ［２，２，１］ ヘプト−２−エン誘 導体； ５．１０−ジメチルテトラ ６−ｎ−ブチルビシクロ 　Ｈａ ２．１０−ジメチルテトラ ９−イソブチル−２，７− ９、１１，１２−）リメチル ン ９−インブチル−１１，１２ −ドデセン ５、８．９．１０−テトラメチ （以下余白） ・Ｉ　Ｉ　］−］３−ドデセ ン−メチル−９−エチルテ ８−クロロテトラシフ −３−ドデセン ８−プロモチトラシフ −３−ドデセン ＋１１］−３−ドデセン ・１・］−］３−ドデセ ン−メチルテトラシフ ８−エチルテトラシフ １＠］−３−ドデセン ８−へキシルテトラシ １７・１＠コー３−ドデセン ＋１−３−ドデセン −３−ドデセン ・−・］−］３−ドデセ ン１２ ６．１７・ＩＩ］−３−ドデセ ン ８−エチリデン−９−エチ ン ８−エチリデン−９−イソ 一ドデセン 、１２・６，１７・１曝］−３−ドデセン ち、１フ・＋＠］−３−ドデセン ８−ｎ−プロピリデン−９ 一ドデセン ８−イソプロピリデン 一ドデセン 、１＠］−３−ドデセン 一ドデセン などのテトラシクロ［４，４，０，１２Ｓ、１）、ＩＩ
］−３−）’ｆセ ン誘導体： （以下余白） ８−ｎ−プロピリデン−９ ［４，４，０，１”・１．１７ １］−３ 一ドデセン １・］−］３−ドデセ ン−ｎ−プロピリデン−９ ［４，４，０，１”　・　６．１７・　１１］−３−ド
デセン ８−イソプロピリデン １２−メチルへキサシフ デセン デセン ヘプタデセン １５−エチルオクタシフ 目、０２．マＩＯ＠、Ｉ４］−４−ヘプタデセン なとのへキサシクロ［６，６，１，１３ｓ、１４ｓ、＋
ｓ、０２．７．□ｅ などのオクタシクロ［８，８，０，１２＠、　１４．？
、　ＩＩ　１ 目１＋ ・＋　ａ　］−４−へブタデセン誘導体；３・１・、０
３・口、ＯＩ２・ＩＴ］−５−トコセン銹導体；トコセ
ン ２・ｌ］−５−トコセン などのへブタシクロ−５−イコセン誘導体あるいはへブ
タシクロ−５−ヘンエイコセン誘導体；などのペンタシ
クロ［６，６，１，１３・６．Ｏ２・７．０＠・ｌ　４
　］　−］４−ヘキサデセン誘導体 ；プタシクロ［８，７，０ などのトリシクロ［４，３，０，１２ ５］−３−デセン誘導体： コセン １．６−シメチルベンタ １４．１５−ジメチルベン などのトリシクロ［４，４，０，１”・５コー３−ウン
デセン誘導体； などのペンタシクロ［６，５，１，１”・６，０２・〒
、０９目コー４− ペンタデセン誘導体： １．３−ジメチル−ペンタ などのジエン化合物； メチル置換ベンタシ 、２１．　ｌ１３．２＠、Ｑｌ４．＋９１＋ｓ、Ｉ會］ −５−ベンタコセン などのペンタシクロ ［４，７，Ｑ、１１％、Ｑｌ、＋１．１１１２］−３−
ペンタデセン誘導体； −５−ベンタコセン コセン などのノナシクロ ［９，１０，１，１’ ）　ＱＳ　、　＠　、　Ｑｌ　、　Ｉ　＠　、　Ｑｌ　
ｆｆ１２１．１１１．２＠、Ｑｌ４．＋９，１１６．１
・コー５−ベンタコセン誘導 体等を挙げることができる。

（以下余白） ２・１１−４−エイコセン ナトノヘフ９　シフＯ［７，８，０，１’・’、Ｏ２・
７．１１＠Ｉ”、０１１．１・ｌｌｔ、ｌｌ］−４−エ
イコセン誘導体；そしてさらに１戴 ５−フェニル−ビシクロ［ を挙げることができる。

（以下余白） 上記のようなエチレンと、一般式［工］または［工゛］
で表される環状オレフィンとの共重合体として檄１３５
℃のデカリン中で測定した極限粘度［Ｖ］が０．０５〜
１０ａ　／　ｇの範囲にあり、軟化温度（ＴＭＡ）が７
０℃以上である環状オレフィン系ランダム共重合体（以
下環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］という）が
好ましく用いられる。また所望により、環状オレフィン
系ランダム共重合体［Ａ］　＆ミ　エチレンと、下記式
［Ｉ］または［工°］で表される環状オレフィンとの共
重合体であって、１３５℃のデカリン中で測定した極限
粘度［η］が０．０５〜５ａ／ｇの範囲にあり、軟化温
度（ＴＭＡ）が７０℃未満である環状オレフィン系ラン
ダム共重合体（以下環状オレフィン系ランダム共重合体
［Ｂ］という）を配合して用いてもよい。

上記のような環状オレフィン類とエチレンとの共重合体
である環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］および
［Ｂ］ｉＬ　　エチレンおよび前記環状オレフィンを必
須成分とするものであるカー　該必須の二成分の他に本
発明の目的を損なわない範囲で、必要に応じて他の共重
合可能な不飽和単量体成分を含有していてもよい。任意
に共重合されていてもよい該不飽和単量体として、具体
的に代たとえば生成するランダム共重合体中のエチレン
成分単位と等モル未満の範囲のプロピレン、１−ブテン
、４−メチル−１−ペンテン、１−ヘキセン、１−オク
テン、　１−デセン、１−ドデセン、　１−テトラデセ
ン、１−ヘキサデセン、１−オクタデセン、１−エイコ
センなどの炭素原子数が３〜２０のａ−オレフィンなど
を例示することができる。

上記のような環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］
でミ　エチレンに由来する繰り返し単位（ａ月＆　　４
０〜８５モル％、好ましくは５０〜７５モル％の範囲で
存在しており、また該環状オレフィンに由来する繰り返
し単位（ｂ）は１５〜６０モル％、好ましくは２５〜５
０モル％の範囲で存在しており、エチレンに由来する繰
り返し単位（ａ）および該環状オレフィンに由来する繰
り返し単位（ｂ）　Ｌ　　ランダムに実質上線状に配列
している。なお、エチレン組成および環状オレフィン組
成は＋３Ｃ−ＮＭＲによって測定した　この環状オレフ
ィン系ランダム共重合体が実質上線状であり、ゲル状架
橋構造を有していないことｊＬ　　該共重合体が１３５
℃のデカリン中に完全に溶解することによって確認でき
る。

このような環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］の
１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度［７７］　Ｉ
Ｌ　　０．０５〜１０ｄｌｌ　／ｇ、　　好ましくは０
．０８〜５ａａ／ｇの範囲にある。

また環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］のサーマ
ル・メカニカル・アナライザーで測定した軟化温度（Ｔ
ＭＡ）　＋３　７０℃以ム　好ましくは９０〜２５０℃
、さらに好ましくは１００〜２００℃の範囲にある。な
お軟化温度（ＴＭＡ）＋１　　デュポン社製Ｔｈｅｒｍ
ｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ａｎａｌｙｓｅｒを用いて厚
さ１蘭のシートの熱変形挙動により測定した　すなわち
シート上に石英製針をのせ、荷重４９ｇをかけ、５℃／
分で昇温していき、針が０．６３５１侵入した温度をＴ
ＭＡとした　また、該環状オレフィン系ランダム共重合
体のガラス転移温度（Ｔｇ）ｌ戴　　通常５０〜２３０
℃、好ましくは７０〜２１０℃の範囲にあることが望ま
しい。

また、この環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］の
Ｘ線回折法によって測定した結晶化度ｉＬＯ〜１０％、
好ましくは０〜７％Ｓ　とくに好ましくは０〜５％の範
囲である。

本発明で１戴　また上記のような軟化温度（ＴＭＡ）が
７０℃以上である環状オレフィン系ランダム共重合体［
Ａコく エチレンと、上記式［Ｉ］または［ｒ’］で表わされる
環状オレフィンとの共重合体であって、１３５℃のデカ
リン中で測定した極限粘度［Ｖ］が０．０５〜５（１ｇ
／Ｈの範囲にあり、軟化温度（ＴＭＡ）が７０℃未満で
ある環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］を配合し
てなる環状オレフィン系ランダム共重合体組成物から基
板を形成することが好ましい。

上記のような軟化点（ＴＭＡ）が７０℃未満である環状
オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］で１エチレンに由
来する繰り返し単位（ａ）　ｉｌ　　６０〜９８モル％
、好ましくは６０〜９８モル％の範囲で存在しており、
また該環状オレフィンに由来する繰り返し単位（ｂ）は
２〜４０モル覧　好ましくは５〜４０モル％の範囲で存
在しており、エチレンに由来する繰り返し単位（ａ）お
よび該環状オレフィンに由来する繰り返し単位（ｂ）　
ｊＬ　　ランダムに実質上線状に配列している。なお、
エチレン組成および環状オレフィン組成は”Ｃ−ＮＭＲ
によって測定し島　この環状オレフィン系ランダム共重
合体［Ｂ］が実質上線状であり、ゲル状架橋構造を有し
ていないこと（戴　該共重合体が１３５℃のデカリン中
に完全に溶解することによって確認できる。

このような環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］の
１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度［ηコミ　０
．０５〜５ａ／ｇ、　　好ましくは０．０８〜３ａ／ｇ
の範囲にある。

また環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］のサーマ
ル・メカニカル・アナライザーで測定した軟化温度（Ｔ
ＭＡ）　ｌｊ　　７０℃未糞　好ましくは一１０〜６０
℃、さらに好ましくは１０〜５５℃の範囲にある。さら
＆ミ　該環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］のガ
ラス転移温度（Ｔｇ）↓戴　通常−３０〜６０℃、好ま
しくは一２０〜５０℃の範囲にあることが望ましい。

また、この環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］の
Ｘ線回折法によって測定した結晶化度叫０〜１０％、　
　好ましくは０〜７％Ｓ　とくに好ましくは０〜５％の
範囲である。

本発明において、基板として環状オレフィンランダム共
重合体［Ａ］および［Ｂ］を用し蔦る場合に１＆　　該
環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］／該環状オレ
フィン系ランダム共重合体［Ｂ］の重量比は１００１０
．１〜１００／１０、好ましくは１００１０．３〜１０
０／７、とくに好ましくは１００１０．５〜１００１５
の範囲であることが望ましい。　［Ｂ］酸成分この範囲
で［Ａ］酸成分配合することによって基板自体の優れた
透明性と表面平滑性を維持したままで本発明で用いる反
射膜との苛酷な条件下での密着性が［Ａ］酸成分みの場
合に比べさらに向上するとし１う効果があり、　［Ａ］
と［Ｂコとのブレンドよりなるこの上記の環状オレフィ
ンランダム共重合体組成物を基板に用いれば本発明で用
いる反射膜との優れた密着性は高激　高湿条件下放置後
においてさえも変化がないという特性を有している。

本発明における基板を構成する上記の環状オレフィン共
重合体［Ａ］および［Ｂ１１Ｌ　　特開昭６０−１６８
７０８号公私　特開昭６１−１２０８１６号公転　特開
昭６１−１１５９１２号公転　特開昭６１−１１５９１
６号公転　特開昭６２−２５２４０６号公転　特開昭６
２−２５２４０７号公転　特開昭６１−２７１３０８号
公転　特開昭６１−２７２２１６号公報などにおいて本
出願人が提案した方法に従い適宜条件を選択することに
より、製造することができる。

このような環状オレフィン系ランダム共重合体中におい
て、前記式［Ｉ］または［Ｉ°］で表される環状オレフ
ィンから導かれる構成単位（ｂ）は下記式［ｎｌまたは
［ｎ　’］で表される構造の繰り返し単位を形成してい
ると考えられるカー　一部の構成単位（ｂ）が開環重合
によって結合している場合もあり、また必要に応じて水
素添加することも可能である。

・・・［ｎｌ （式［ｎｌ中、ｒｎ、ｎおよびＲ１−Ｒ１−は前記式［
Ｉ］における定義と同様である。） （式［■°］中、ｐ、　　９％　　ｒおよびＲｌ　〜Ｒ
ｌ　６は前記式［工°］における定義と同様である。）
本発明に係る光磁気記録媒体の基板として１戴前述した
とおり、上記のエチレンと環状オレフィンとのランダム
共重合体のほか＆−同種または異種の環状オレフィン単
量体を開環して得られる環状オレフィン開環重合弧　開
環共重合体またはそれらの水素添加物を用いることもで
きる。このような環状オレフィン開環重合爪　開環共重
合体およびこれらの水素添加物について、前記式［１１
で表される環状オレフィンを例にして説明すると、以下
に記載するように反応して開環共重合体およびこれらの
水素添加物を構成していると考えられる。

［ｎ’コ ↓水素添加 ↓開環 このような重合体の例として、テトラシクロドデセンと
ノルボルネン及びそれらの誘導体との開環共重合弧　及
びその水素添加物をあげることができる。

なお、本発明においては上記のような開環重合体　開環
共重合倣　これらの水素添加物および環状オレフィン系
ランダム共重合体の一部が無水マレイン酸等の不飽和カ
ルボン酸等で変性されていてもよい。このような変性物
次　上記のような環状オレフィン系樹脂と、不飽和カル
ボン酸、これらの無水執　および不飽和カルボン酸のア
ルキルエステル等の誘導体とを反応させることにより製
造することができる。なお、この場合の環状オレフィン
系樹脂の変性物中における変性剤から導かれる構成単位
の含有率檄　通常は５０〜１０モル％以下である。この
ような環状オレフィン系樹脂変性物６戴　　所望の変性
率になるように環状オレフィン系樹脂に変性剤を配合し
てグラフト重合させて製造することもできるし　予め高
変性率の変性物を調製し　次いでこの変性物と未変性の
環状オレフィン系樹脂とを混合することによっても製造
することができる。

本発明において、上記の開環重合弧　開環共重合弧　こ
れらの水素添加物および環状オレフィン系ランダム共重
合体ならびにその変性物＋Ｌ　　単独で、あるいは組み
合わせて使用することができる。

さらく　本発明において唄　上記のような環状オレフィ
ン系ランダム共重合体を製造するに際して、得られる重
合体等の物性を損なわない範囲で、前記式［Ｉ］または
［１″］で表される環状オレフィン以外の環状オレフィ
ンを重合させることもできる。このような環状オレフィ
ンとしてｉｌ　　たとえ６戯 シクロブテン、 シクロペンテン、 シクロヘキセン、 ３．４−ジメチルシクロヘキセン、 ３−メチルシクロヘキセン、 ２−（２−メチルブチル）−１−シクロヘキセン、２、
３．３ａ、　７ａ−テトラヒドロ−４，７−メタノ−Ｉ
Ｈ−インデン、 ３ａ、　５．６．７ａ−テトラヒドロ−４，７−メタノ
−ＩＨ−インデンなどをあげることができる。このよう
な他の環状オレフィンは単独で、あるいは組み合わせて
使用することができ、通常、０〜５０モル％の量で用い
られる。

また本発明に係る光磁気記録媒体の基板に（戴上記［Ａ
］および［Ｂ］酸成分他へ　衝撃強度を向上させるため
のゴム成分を配合したり、耐熱安定舷　耐候安定剋　帯
電防止前　スリップ舷　アンチブロッキング剋　防曇舷
　滑剋　染粍　顔粍天然派　合成法　ワックスなどを配
合することができ、その配合割合は適宜量である。たと
えｃ戴任意成分として配合される安定剤として具体的に
は　テトラキス［メチレン−３（３，５−ジ−ｔ−ブチ
ル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネートコメタン
、β−（３，５−ジー七−プチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）プロピオン酸アルキルエステル、２，２°−オキ
ザミドビス［エチル−３（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４
−ヒドロキシフェニル）コプロビオネートなどのフェノ
ール系酸化防止舷　ステアリン酸亜銖　ステアリン酸カ
ルシウム、１２−ヒドロキシステアリン酸カルシウムな
どの脂肪酸金属塩、グリセリンモノステアレート、グリ
セリンモノラウレート、グリセリンジステアレート、ペ
ンタエリスリトールモノステアレート、ペンタエリスリ
トールジステアレート、ペンタエリスリトールトリステ
アレート等の多価アルコールの脂肪酸エステルなどを挙
げることができる。これらは単独で配合してもよいカー
　組み合わせて配合してもよく、たとえ１戯　テトラキ
ス［メチレン−３（３゜５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒド
ロキシフェニル）プロピオネートコメタンとステアリン
酸亜鉛およびグリセリンモノステアレートとの組合せ等
を例示することができる。

本発明では特へ　フェノール系酸化防止剤および多価ア
ルコールの脂肪酸エステルとを組み合わせて用いること
が好ましく、該多価アルコールの脂肪酸エステルは３価
以上の多価アルコールのアルコール性水酸基の一部がエ
ステル化された多価アルコール脂肪酸エステルであるこ
とが好ましい。

このような多価アルコールの脂肪酸エステルとして檄　
具体的に鷹　グリセリンモノステアレート、グリセリン
モノラウレート、グリセリンモノミリステート、グリセ
リンモノパルミテート、グリセリンジステアレート、グ
リセリンジラウレート等のグリセリン脂肪酸エステル、
ペンタエリスリトールモノステアレート、ペンタエリス
リトールモノラウレート、ペンタエリスリトールジラウ
レート、ペンタエリスリトールジステアレート、ペンタ
エリスリトールトリステアレート等のペンタエリスリト
ールの脂肪酸エステルが用いられる。

このようなフェノール系酸化防止剤＋４　　前記［Ａ］
酸成分よび［Ｂ］酸成分合計重量１００重量部に対して
０〜１０重量部好ましくは０〜５重量部さらに好ましく
は０〜２重量部の量で用いら瓢　また多価アルコールの
脂肪酸エステルは［Ａ］酸成分よび［Ｂ］酸成分合計重
量１００重量部に対して０〜１０重量凱　好ましくは０
〜５重量部の量で用いられる。

本発明に係る光磁気記録媒体の基板に１戴　本発明の目
的を損なわない範囲で、シリカ、ケイ藻土、アルミナ、
酸化チタン、酸化マグネシウム、軽石粉、軽石バルーン
、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、塩基性炭
酸マグネシウム、　ドロマイト、硫酸カルシウム、チタ
ン酸カリウム、硫酸バリウム、亜硫酸カルシウム、タル
ク、クレーマイカ、アスベスト、ガラス縁縁　ガラスフ
レーク、ガラスピーズ、ケイ酸カルシウム、モンモリロ
ナイト、ベントナイト、グラファイト、アルミニウム粉
、硫化モリブデン、ボロン繊組炭化’ｒイ素繊糺　ポリ
エチレン縁縁　ポリプロピレン繊紙　ポリエステル繊紙
　ポリアミド繊維等の充填剤を配合してもよい。

本発明において、基板として上記のような環状オレフィ
ン系ランダム共重合体または環状オレフィン系ランダム
共重合体組成物を用いると、理由は定かではないカー　
ポリカーボネート、ポリ（メタ）アクリレートなどを基
板として用いた光磁気記録媒体と比較して、記録感度が
優れている。またこの環状オレフィン系ランダム共重合
体または該共重合体を含む組成物からなる基板と記録層
積層体とは密着性に優れており、したがって記録膜は長
期安定性に優れるとともに記録膜の酸化が効果的に防止
される。したがってこの環状オレフィン系ランダム共重
合体からなる基板上に記録膜を積層してなる光記録媒体
１戴　記録感度に優へ　また耐久性および長期安定性に
も優れている。また本発明に係る光記録媒体は反りがな
く割れが生ずることがない。

このような基板１の厚みは特に限定されないカー好マＬ
＜ｌｉｏ、５〜５．特に好ましくは１〜２−である。

保」１勝 本発明に係る光磁気記録媒体１０で用いられる保護膜２
１ｆ、ＳｉＮ、、ＺｎＳ、Ｚｎ５ｅ、ＣｄＳ。

Ｓｉ１　ＡｆｆＮなどで示される組成の膜から形成され
ており、このうちＳｉＮ、膜が特に好ましい。

ＳｉＮ、で示される保護膜で＋ＬＯ＜ｘ≦４７３である
ことが好ましく、具体的に１Ｌｓｉ３Ｎ、（四窒化三ケ
イ素）などの窒化ケイ素膜あるいはＯ〈ｘ　＜　４／３
となるようにＳｉ、Ｎ、とＳｉとを混合した混合膜が特
に好ましく用いられる。このようなＳｉＮ、で示される
保護膜哄　たとえばターゲットとして、　Ｓｔ、Ｎ、ま
たＩ礼　Ｓｉ３Ｎ４とＳｉとを用いて、スパッタリング
法により成膜することができる。このようなＳｉＮｘか
らなる保護ＩＸ２　Ｉｆ、　　通常２．０以上の屈折率
を有していることが好ましく、後述する光磁気記録膜３
を酸化などから保護する働き、あるいは光磁気記録膜の
記録特性を高めるエンハンス膜としての働き、あるいは
その両方の働きをしている。またＳ　ｉＮＸ　Ｃｏ＜ｘ
≦４／３）からなる保護膜哄　特に耐クラツク性に優れ
ている。

本発明において、保護膜２の膜厚は５００〜２０００Ａ
、好ましくは８００〜１５００人程度であることが望ま
しい。

本発明においてＧ４　　保護膜の膜厚を上記のような範
囲にすることによって、良好なＣ／Ｎ比と広い記録パワ
ーマージンを有する光磁気記録媒体を得ることができる
。

光碧］１艶隨易 光磁気記録膜３Ｌ（ｉ）３ｄ遷移金属から選ばれる少な
くとも１種と、　（ｉｉｉ）希土類から選ばれる少なく
とも１種の元素とからなるが、あるいは（ｉ）３ｄ遷移
金属から選ばれる少なくとも１種と、　（ｉｉ）耐腐食
性金属と、　（１ｉｉ）希土類から選ばれる少なくとも
１種の元素とがらなっている。

このうち（ｉ）３ｄ遷移金属から選ばれる少なくとも１
種と、　（ｉｉ）耐腐食性金属と、　（ｉｉｉ）希土類
から選ばれる少なくとも１種の元素とからなる光磁気記
録膜が好ましい。

（ｉ）３ｄ遷移金属として１４　　Ｆｅ、　　Ｃｏ５Ｔ
ｉ、Ｖ、　　Ｃｒ、ＭｎＳ　Ｎｉ、　　ＣｕＳ　Ｚｎな
どが用いられる力τ、このうちＦｅまたはＣＯあるいは
この両者であることが好ましい。

この３ｄ遷移金属代　光磁気記録膜中に好ましくは２０
〜９０Ｗ、千％、より好ましくは３０〜８５原子％、と
くに好ましくは３５〜８０原子％の量で存在している。

（ｉｉ）耐腐食性金属法　光磁気記録膜に含ませること
によって、この光磁気記録膜の耐酸化性を高めることが
できる。このような耐腐食性金属としてＧ３　　Ｐｔ％
　ＰｄＳ　ＴｉＳ　Ｚｒ、ＴａＳ　Ｎｂなどが用いられ
るカー　このうちＰｔ、ＰｄＳ　Ｔｉが好ましく、とく
にＰｔまたはＰｄあるいはこの両者であることが好まし
い。

この耐腐食性金属法　光磁気記録膜中Ｅ、　　３０原子
％以下、好ましくは５〜２５ｆｆ千覧　とくには１０〜
２５原子覧　さらに好ましくは１０〜２０原子％の量で
存在している。

希土類元素として憾　下記のような元素が挙げられる。

ＧｄＳ　Ｔｂ、　　Ｄｙ、　　Ｈｏ、　Ｅｒ、　　Ｔｍ
、　　Ｙｂ。

ＬｕＳ　Ｌａ、　　Ｃｅ、　　Ｐｒ、　　Ｎｄ、　　Ｐ
ｍ、　Ｓｍ。

ｕ このうちＧｄ、　　Ｔｂ、　　Ｄｙ、　　Ｈｏ、　　Ｎ
ｄ、　　Ｓｍ、。

Ｐｒが好ましく用いられる。

上記のような群から選ばれる少なくとも１種の希土類元
素屯　光磁気記録膜中く　好ましくは５〜５０原子覧　
さらに好ましくは８〜４５原子％とくに好ましくは１０
〜４０ｙＫ子％の量で存在している。

本発明では、光磁気記録膜力τ、特へ　下記に記載する
ような組成を有することが好ましい。

（ｉ）３ｄ遷移元素 本発明に係る光磁気記録膜中にＩＬ（ｉ）３ｄ遷移元素
として、好ましくはＦｅまたはＣｏあるいはこの両者が
含まれており、Ｆｅおよび／またはＣｏ哄４Ｏｆｆ子％
以上８０原子％以下、好ましくは４０原子％以上７５ｙ
！、子％未鳳　さらに好ましくは４０原子％以上５９［
子％以下の量で存在していることが望ましい。

さらにＦｅおよび／またはＣｏは、Ｃｏ／（Ｆｅ＋Ｃｏ
）　比［ＪＪＦ［子比］が０以上０．３以下、好ましく
は０以上０．２以下、さらに好ましくは０．０１以上０
．２以下であるような量で、光磁気記録膜中に存在して
いることが望ましい。

Ｆｅおよび／またはＣｏの量が４０原子％以上で８０Ｗ
、子％以下の範囲にあると、耐酸化性に優へかつ膜面に
垂直な方向に磁化容易軸をもった光磁気記録膜が得られ
るという利点を有する。

ところで光磁気記録膜中く　ＣＯを添加すると、（イ）
光磁気記録膜のキュリー点が上昇し　また（口）カー回
転角（θｋ）が大きくなるという現象が認めらへ　その
緒ｉＬ　Ｃｏの添加量により、光磁気記録膜の記録感度
を調整することができ、しかもＣＯの添加により、再生
信号のキャリアレベルを増加することができる。本発明
に係る光磁気記録膜では、ノイズレベル、Ｃ／Ｎ比ノ点
カラＣｏ／　（Ｆｅ＋Ｃｏ）比［原子比コは０以上０．
３以下、好ましくは０以上０．２以下、さらに好ましく
は０．０１以上０．２以下であることが望ましい。

このような本発明に用いる光磁気記録膜檄　記録および
消去を繰り返し行なっても、膜装置が生ずることはない
。たとえば本発明に係るｐ　ｔ、、Ｔ　ｂ２．Ｆ　ｅ、
、Ｃｏ、なる組成を有する光ａ気記録膜檄　１０万回の
記録および消去を繰り返し行なってもＣ／Ｎ比の低下は
認められない。

（１１）耐腐食性金属 本発明に用いる光磁気記録膜中にｊＬ　　（ｉｉ）耐腐
食性金属として、好ましくはＰｔまたはＰｄあるいはこ
の両者が含まれており、Ｐｔおよび／またはＰｄ哄　光
磁気記録膜中に５〜３０ｍ子％、好ましくは１０原子％
を超えて３０原子％以下、さらに好ましくは１０Ｊｌ［
子％を超えて２０ｆｆｉ子％未鳳　最も好ましくは１１
原子％以上１９原子％以下の量で存在していることが望
ましい。

光磁気記録膜中のＰｔおよび／またはＰｄの量が５原子
％以ム　特に１０原子％を超えて存在すると、光磁気記
録膜の耐酸化性に便法　長期間使用しても孔食が発生せ
ず、Ｃ／Ｎ比も劣化しないという利点を有する。

たとえばＰｔｌ＠Ｔｂ２＠Ｆｅ５ｓＣＯ＠あるいはＰ　
ｄ＋ａＴ　ｂａ＠Ｆ　ｅｉ＊ｃ　ｏｖで示される組成を
有する本発明に係る光磁気記録膜檄　相対湿度８５％、
８０℃の環境下に１０００時間保持しても、Ｃ／Ｎ比は
全く変化しない。これに対してｐｔまたはＰｄを含まな
いＴ　ｔ）ａｓＦ　ｅａ＠Ｃ０７で示される組成を有す
る光磁気記録膜中　相対湿度８５％、８０℃の環境下に
１０００時間保持すると、Ｃ／Ｎ比は大きく低下する。

また光磁気記録膜中にｐｔおよび／またはＰｄを上記の
ような範囲の量で添加することにより、光磁気記録膜に
情報を記録したりあるいは情報を読出す際へ　小さなバ
イアス磁界で充分に高いＣ／Ｎ比が得られる。小さなバ
イアス磁界で充分に高いＣ／Ｎ比が得られると、バイア
ス磁界発生用のマグネットを小さくすることができ、し
かもマグネットからの発熱も押えることができるため、
光磁気記録膜を有する光ディスクのドライブ装置を簡素
化することができる。しかも小さなバイアス磁界で充分
に大きなＣ／Ｎ比が得られるため、オーバーライド可能
な磁界変調記録用のマグネットの設計も容易となる。

（１ｉｉ）希土類元素（ＲＥ） 本発明に係る光磁気記録膜中にミ　希土類元素（ＲＥ）
が含まれており、この希土類元素とじてｊＬ　　ＮｄＳ
　Ｓｍ、　　Ｐｒ、　　Ｃｅ、　　Ｅｕ、　　Ｇｄ、　
　Ｔｂ。

ＤｙまたはＨＯが用いられる。

これらの中でＩｔ、　　Ｎｄ５Ｐｒ１Ｇｄ、　　Ｔｂ。

Ｄｙが好ましく用いら瓢　特にＴｂが好ましい。

また希土類元素は２種以上併用してもよく、この場合に
Ｔｂを希土類元素のうち５０原子％以上含有しているこ
とが好ましい。

この希土類元素６戴　膜面に垂直な方向に磁化容易軸を
もった光磁気を得るという点からＲＥ／（ＲＥ十Ｆｅ＋
Ｃｏ）比［原子比］をＸで表わした場合！、　　０．１
５≦Ｉ≦０．４５、好ましくは０．２０≦Ｘ≦０．４で
あるような量で光磁気記録膜中に存在していることが望
ましい。

本発明において６戴　光磁気記録膜に種々の元素を少量
添加して、キュリー温度や補償温度あるいは保磁力Ｈｅ
やカー回転角θにの改善あるいは低コスト化を計ること
もできる。これらの元素＋Ｌ　　記録膜を構成する全原
子数に対してたとえば１ｏ原子％未溝の割合で用いるこ
とができる。

併用できる他の元素の例としてｊＬ　　以下のような元
素が挙げられる。

（１）Ｆｅ、Ｃｏ以外の３ｄ遷移元素 具体的に＋１　　Ｓｃ、　　Ｔｉ５Ｖ、　　Ｃｒ、　　
Ｍｎ。

Ｎｉ、　　Ｃｕ、　　Ｚｎが用いられる。

これらのうち、Ｔ　ｉｓ　　Ｎ　ｓＳＣｕＳＺ　ｎなど
が好ましく用いられる。

（ｎ）Ｐｄ以外の４ｄ遷移元素 具体的に＋Ｌ　　ＹＳＺｒ、　　Ｎｂ、　　Ｍｏ、Ｔｃ
。

Ｒｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｃｄが用いられる。

このうちＺｒ、Ｎｂが好ましく用いられる。

（ｍ）Ｐｔ以外の５ｄ遷移元素 具体的ニＩＩ　　Ｈｆ、　　Ｔａ、　　Ｗ、　　Ｒｅ、
Ｏ５、Ｉｒ、Ａｕ、Ｈｇが用いられる。

このうちＴａが好ましく用いられる。

（ｒｖ）ｍＢ族元素 具体的に１１　　Ｂ、　　ＡＱ、　　Ｇａ、　　Ｉｎ、
　　ＴＱが用いられる。

このうちＢ、ＡＱ、Ｇａが好ましく用いられる。

（ｖ）ｒｖＢ族元素 具体的に＋Ｉ　　Ｃ，ＳｔＳ　Ｇｅ、ＳｎＳ　Ｐｂが用
いられる。

このうち、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂが好ましく用いられ
る。

（Ｖｌ）ＶＢ族元素 具体的に１戴　Ｎ、　　Ｐ、　　Ａｓ、　　Ｓｂ、　　
Ｂｉが用ν）られる。

このうちｓｂが好ましく用いられる。

（ｗ）ＶＢ族元素 具体的に１　ＳＳ　Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐｏが用し）られる。

このうちＴｅが好ましく用いられる。

上記のような組成を有する光磁気記録可能　膜面に垂直
な磁化容易軸を有し　多くはカー・ヒステリシスが良好
な角形ループを示す垂直磁気および光磁気記録可能な非
晶質薄膜となることカー　広角Ｘ線回折などにより確か
められる。

なお本明細書において、カー・ヒステリシスが良好な角
形ループを示すと１３　　最大外部磁場におけるカー回
転角である飽和カー回転角（θに＋）と外部磁場ゼロに
おけるカー回転角である残留カー回転角（θに２）との
比θに２／θｋｌ　が０．８以上であることを意味して
いる。

この光磁気記録膜の膜厚は１００〜１０００人、好まし
くは１００〜６００＾、より好ましくは１００〜４００
人、最も好ましくは１５０〜３００人程度である。

久不皇１ 本発明に係る光磁気記録媒体１０で＋４　　上記のよう
な光磁気記録膜３上＆ミ　ケイ素Ｉ［４が設けられてい
る。

このケイ素膜４代　たとえばＳｉをターゲットとして用
いてスパッタリング法により形成することができる。

このようなケイ素膜４鷹　通常２．０以上の屈折率を有
しており、光磁気記録膜３を酸化などから保護する働き
、あるいは光磁気記録膜の記録特性を高めるエンハンス
膜としての働き、あるいはその両方の働きをしている。

本発明において、ケイ素膜４の膜厚は１００〜８００人
、好ましくは１００〜５００人程度であることが望まし
い。

本発明において憾　ケイ素膜４の膜厚を上記のような範
囲にすることによって、良好なＣ／Ｎ比と広い記録パワ
ーマージンを有する光磁気記録媒体を得ることができる
。

アルミニウム合金 本発明に係る光磁気記録媒体１０で１戴　上記のような
ケイ素膜４上番ミ　　アルミニウム合金膜５が設けられ
ている。

このアルミニウム合金膜５１＆　　アルミニウムと、ア
ルミニウム以外の少なくとも１種の元素を含んで構成さ
れている。

このようなアルミニウム合金として告　具体的には以下
のようなものが例示できる。

Ａｎ−Ｃｒ合金（Ｃｒ含有量０．１〜１０原子％）、Ａ
９−Ｃｕ合金（Ｃｕ含有量０．１〜１０原子％）、ＡＩ
＋−Ｍｎ合金（Ｍｎ含有量０．１〜１０原千％）、Ａｎ
−Ｈｆ合金（Ｈｆ含有量０．１〜１０原子％）、Ａ１１
−Ｎｂ合金（Ｎｂ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｇ−
Ｂ合金（Ｂ含有量０．１〜１０原千％）、Ａ１１−Ｔ　
ｉ合金（Ｔｉ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｓ　−Ｔ
　１−Ｎｂ合金（Ｔｉ含有量０．１〜５ｙ！、子％、Ｎ
ｂ含有量０．１〜５原子％）、 ＡＱ−Ｔｉ−Ｈｆ合金（Ｔｉ含有量０．１〜５原子％、
Ｈｆ含有量０．１〜１０厘子％）、ＡＱ−Ｃｒ−Ｈｆ合
金（Ｃｒ含有量０．１〜５原子覧　Ｈｆ含有量０．１〜
１０厘子％）、ＡＱ−Ｃｒ−Ｔｉ合金（Ｃｒ含有量０．
１〜５原子％、Ｔｉ含有量０．１〜１０遼千％）、Ａｎ
−Ｃｒ−Ｚｒ合金（Ｃｒ含有量ｏ、　ｉ　〜ｓ　Ｍ子％
Ｓ　Ｚｒ含有量０．１〜１０ｆｆｉ子％）、Ａｌ１−Ｔ
ｉ−Ｎｂ合金（Ｔｉ含有量０．１〜５原子％％　Ｎｂ含
有量０．１〜５原千％）、ＡＱ−Ｎｉ合金（Ｎｉ含有量
０．１〜１０厘子％）、ＡＭ−Ｍｇ合金（Ｍｇ含有量０
．１〜１０７９子％）、Ａｌ１−Ｍｇ−Ｔｉ合金（Ｍｇ
含有量０．１〜１０ｉ子覧　Ｔｉ含有量０．１〜１０厘
子％）、Ａｇ−Ｍｇ−Ｃｒ合金（Ｍｇ含有量０．１〜１
０Ｊｌ［子覧　Ｃｒ含有量０．１〜１０厘子％）、Ａｎ
−Ｍｇ−Ｈｆ合金（Ｍｇ含有量０．１〜ＩＯ原子％Ｓ　
Ｈｆ含有量０．１〜１０厘子％）、ＡＱ　−３ｅ合金（
Ｓｅ含有量０．１〜１０厘子％）、ＡＱ−Ｚｒ合金（Ｚ
ｒ含有量０．１〜１ＯＮ子％）、Ａｆｆ−Ｔａ合金（Ｔ
ａ含有量０．１〜１０厘子％）、ＡＱ−Ｔａ−Ｈｆ合金
（Ｔａ含有量０．１〜１０厘子％Ｓ　Ｈｆ含有量０．１
〜１０厘子％）、ＡＱ−Ｓｉ合金（Ｓｉ含有量０．１〜
１０厘子％）、ＡＱ−Ａｇ合金（Ａｇ含有量０．１〜１
０厘子％）、Ａｎ　−Ｐ　ｄ合金（Ｐｄ含有量０．１〜
１０Ｊｌｌ［子％）、Ａｌ１−Ｐ　を合金（Ｐ　ｔｆ有
量０．１〜１０ｆｆ子％）。

アルミニウム合金として＋Ｌ　　特に以下のようなもの
カー　情報記録媒体の線速依存性、耐腐食性の面が優れ
ているので好ましい。

ハフニウム０．１〜１０厘子％を含むアルミニウム合金
、 ニオブ０．１〜１０厘子％を含むアルミニウム合金、チ
タン０．５〜５原子％とハフニウム０．５〜５ｙＫ子％
を合本　チタンとハフニウムの合計含有量が１〜５．５
原子％であるアルミニウム合金、クロム０．１〜５原子
％とチタン０．１〜９．　Ｓｉ子％を含駅　クロムとチ
タンの合計含有量が１０原子％以下であるアルミニウム
合金、 クロム０．１〜５原子％とチタン０．１〜９．５Ｊｌｌ
ｆ（子％とハフニウム０．１〜９．５Ｎ子％とを合本　
クロムとチタンとハフニウムの合計含有量が１０原子％
以下であるアルミニウム合金、 マグネシウム０．１〜１０厘子％とクロム０．１〜１０
厘子％を含へ　マグネシウムとクロムの合計含有量が１
５ＪＪＸ子％以下であるアルミニウム合金、クロム０．
１〜５原子％とハフニウム０．１〜９．５ＪＪＫ　子％
ヲ含ヘ　　クロムとハフニウムの合計含有量が１０原子
％以下であるアルミニウム合金、 マグネシウム０．１〜１０Ｗ、子％とハフニウム０．１
〜１０厘子％を合本　マグネシウムとハフニウムの合計
含有量が１５原子％以下であるアルミニウム合金、クロ
ム０．１〜５原子％とジルコニウム０．１〜９．５原子
％を合本　クロムとジルコニウムの合計含有量が１ＯＮ
、子％以下であるアルミニウム合金、タンタル０．１〜
１０厘子％とハフニウム０．１〜１０厘子％とを含駅　
タンタルとハフニウムの合計含有量が１５原子％以下で
あるアルミニウム合金、チタン０．５〜５原子％とニオ
ブ０．５〜５原千％を合本　チタンとニオブの合計含有
量が１〜５．５１子％であるアルミニウム合金、 マグネシウム０．１〜１ｏ原子％とチタン０．１〜１０
Ｊｌ［千％を含へ　マグネシウムとチタンの合計含有量
が１５原子％以下であるアルミニウム合金、マグネシウ
ム０．１〜１０Ｗ子％とチタン０．１〜１ｏ原子％とを
含へ　がつマグネシウムとチタンの合計含有量が１５Ｎ
子％以下であるアルミニウム合金、マグネシウム０．１
〜１ｏ原子％とハフニウム０．１〜１０厘子％とチタン
０．１〜１０Ｗ子％とを含へ　かつマグネシウムとハフ
ニウムとチタンの合計含有量が１５原子％以下であるア
ルミニウム合金、マグネシウム０．１〜１ｏ原子％とハ
フニウム０．１〜１０厘子％とクロム１ｏ原子％以下と
を合本　がっマグネシウムとハフニウムとクロムとの合
計含有量が１５原子％以下であるアルミニウム合金、マ
グネシウム０．１〜１０厘子％とチタン０．１〜１ｏ原
子％とクロム１０原子％以下とを含べ　がっマグネシウ
ムとチタンとクロムとの合計含有量が１５原子％以下で
あるアルミニウム合金、 マグネシウム０．１〜１０原子％とハフニウム０．１〜
１０原子％とチタン０．１〜１０原子％とクロム１０原
子％以下とを含へ　かつマグネシウムとハフニウムとチ
タンとクロムとの合計含有量が１５原子％以下であるア
ルミニウム合飢 また上記のようなアルミニウム合金膜哄　それぞれのア
ルミニウム合金膜を構成する金属以外に下記のような金
属（元素）を１種または２種以上含ませることもできる
。このような金属として１４たとえ！戴　チタン（Ｔｉ
）、クロム（Ｃｒ）、シ＋Ｊ＝ｒン（Ｓｉ）、タンタル
（Ｔａ）、鋼（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、ジルコニ
ウム（Ｚｒ）、マンガン（Ｍｎ）、マグネシウム（Ｍｇ
）、バナジウム（Ｖ）などが挙げら瓢　このような他の
金属は通常５ＥＫ子％以下好ましくは２原子％以下の量
で含まれる。　（ただし　アルミニウム合金膜に檄上記
に例示するような金属（元素）のうち、既にアルミニウ
ム合金膜に含まれている金属（元素）をさらに上記の量
で重ねて含ませることはないものとする。たとえＥ　　
アルミニウム合金膜を構成するアルミニウム合金が、上
記したＡｉ＋−Ｔｉ合金、ＡＱ−Ｔｉ−Ｈｆ合金等であ
る場合に檄　上記の金属（元素）のうちでチタン（Ｔｉ
）がさらに上記のような量で上記アルミニウム合金中に
含まれることはない。） このようなアルミニウム合金膜５の膜厚哄１００〜５ｏ
ｏｏ人好ましくは５００〜３０００人さらに好ましくは
７００〜２０００八程度であることが望ましい。

このアルミニウム合金膜５１戴　　熱良伝導体層として
の機能を果たしており、このアルミニウム合金膜が存在
することによって光磁気記録層が記録レーザ光によって
過度に高温になることが防止さ瓢　その給気　記録パワ
ーの線速依存性が小さくなると考えられる。

また本発明におけるアルミニウム合金膜ＩＬ　　耐腐食
性に優れているため、長期間使用した後においても、記
録媒体の線速依存性が小さいという特徴を有しており、
記録層に対する保護作用にも優れている。

本発明に係る光磁気記録媒体１０代　　基板上く保護膜
　光磁気記録層　ケイ素乳　アルミニウム合金膜な、た
とえば真空蒸着法、スパッタリング法あるいは電子ビー
ム蒸着法などの成膜法を採用して成膜することによって
製造することができる。

ｉ里二匁１ 本発明に係る光磁気記録媒体代　記録パワーの線速依存
性が小さく、かつ記録パワーマージンが広く、しかも耐
酸化性および記録感度に優れてＩ／）る。

［実施例］ 以下本発明を実施例によって説明するカζ　本発明はこ
れら実施例に限定されるものではない。

ｚｌｊｌ。

エチレンと１．４．５．８−ジメタノ−１，２，３，４
，４ａ、　５．８゜下ＤＭＯＮと略記する）の非品性の
共重合体（ＩＩＣ−ＮＭＲ分析で測定したエチレン含量
５９モル覧ＤＭＯＮ含量４１モル％５１３５℃デカリン
中で測定した極限粘度［η］が０．４２ｄｌ／　ｇ、　
　軟化温度（ＴＭＡ）１５４℃）からなる基板上へ　厚
さ１０００人のＳ　ｉ３Ｎ、からなる保護膜と、厚さ３
００人のＰｔ、。Ｔｂ２゜Ｆｅｅ。Ｃｏ２からなる光磁
気記録膜とを順次スパッタリング法により積層し　この
記録膜上にＳｉターゲットを用いてスパッタリング法に
よって、厚さ２５０人のケイ素層を積層し九　さらく　
このケイ素層上にアルミニウムーチタン−ハフニウムの
複合ターゲットを用いてスパッタリング法によって、厚
さ１３００人のＡ　２　＠６Ｔ　ｉ２Ｈｆｔ（Ａｓ含量
９６原子％、Ｔｉ含量２原子％、Ｈｆ含量２原子％）か
らなるアルミニウム合金層を積層したこの光磁気記録媒
体は線速５．７ｍ　／　ｓｅｃにおける最適記録パワー
が５．２ｍＷであり、線速１１．３ｍ　／ｓｅｅにおけ
る最適記録パワーが７．３ｍ　Ｗであったまた、　ｆ　
＝　３．７Ｍｋ　　ｄｕｔｙ３３．３９＆、　　線速＝
　５．７ｍ　／ｓｅｅにおいて、パワーマージン（Ｐｍ
）は４．２ｍ　Ｗであり、Ｃ／Ｎ比は４７．５ｄＢであ
ったなお、本明細書において、最適記録パワーとはｆ　
＝　ＩＭｋ　　ｄｕｔｙ５０％の書込み信号に対して、
再生信号の２次高調波が最小となる記録パワーのことを
表わｔ−線速による最適記録パワーの差が小さい程線速
依存性が小さい。

また、パワーマージンとＬ　　Ｃ／　Ｎ　Ｍａｘ　３ｄ
Ｂ以上が得られる記録パワーの範囲のことである。

寒差漬」 実施例１と同様の基板上１　厚さ１０００人の５１１Ｎ
ｊからなる保護膜と、厚さ２６０人のＰ　ｔ　Ｉ＠Ｔ　
ｂ２＠Ｆ　ｅｅ＠ＣＯ２からなる光磁気記録膜とを順次
スパッタリング法により積層狐　この記録膜上にＳｉタ
ーゲットを用いてスパッタリング法によって、厚さ１５
０人のケイ素膜を積層しｆ、　　さら番ミ　　このケイ
素層上にアルミニウムーチタン−ハフニウムの複合ター
ゲットを用いてスパッタリング法によって、厚さ１００
０人のＡ　ｇ　、、Ｔ　ｉ２Ｈｆ。

（ＡＱ含量９６原子％、Ｔｉ含量２ｙ！、子％、Ｈｆ含
量２原子％）からなるアルミニウム合金層を積層したこ
の光磁気記録媒体は線速５．７ｍ　／　ｓｅｃにおける
最適記録パワーが４．７ｍＷであり、線速１１．３ｍ／
ｓｅｃにおける最適記録パワーが６．６ｍ　Ｗであった
また、　ｆ　＝　３．７ＭＨｚ、　　ｄｕｔｙ３３．３
％、線速＝　５．７ｍ　／ｓｅｃにおいて、パワーマー
ジン（Ｐｍ）は３．５ｍ　Ｗであり、Ｃ／Ｎ比は４７．
３ｄＢであうｔ４

【図面の簡単な説明】

第１図＋３　　本発明の光磁気記録媒体の断面図である
。 １・・・基板　　　　　２・・・保護膜３・・・光磁気
記録膜　４・・・ケイ素膜５・・・アルミニウム合金膜 １０・・・光磁気記録媒体

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に、保護膜と、光磁気記録膜と、ケイ素膜
   と、アルミニウム合金膜とがこの順序で積層されてなる
   ことを特徴とする光磁気記録媒体。