JPH0440650A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ｉ里ｉ退り透Ｍ 本発明（戯　光磁気記録媒体に関り、さらに詳しく（ｉ
、記録感度に優れるとともに耐酸化性（耐食性）に優へ
　しかも高いＣ／Ｎ比を有する光磁気記録媒体に関する
。

ｉ豆立五亙上１１ 鉄、コバルトなどの遷移金属と、テルビウム（Ｔｂ）、
カドリニウム（Ｇｄ）などの希土類元素との合金からな
る光磁気記録膜（戴　膜面と垂直な方向に磁化容易軸を
有し　一方向に全面磁化された膜面にこの全面磁化方向
とは逆向きの小さな反転磁区を形成することができるこ
とが知られている。この反転磁区の有無を「１」、　ｒ
ＯＪに対応させることによって、上記のような光磁気記
録膜にデジタル信号を記録させることが可能となる。

このような遷移金属と希土類元素とからなる光磁気記録
膜として１転　たとえば特公昭５７−２０６９１号公報
に１５〜３０原子％のＴｂを含むＴｂ−Ｆｅ系光磁気記
録膜が開示されている。またＴｂ−Ｆｅに第３の金属を
添加してなる光磁気記録膜も用いられている。さらにＴ
ｂ−Ｃｏ系、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃ０系なとの光磁気記録膜も
知られている。

このようなＴｂ−Ｆｅ爪　Ｔｂ−Ｃｏ系などの光磁気記
録膜中＆−二の薄膜の耐酸化性を向上させるため番ミ　
　第３の金属を添加する方法が種々試みられている。

ところで特開昭５７−７８６５２号公報に告　キュリー
温度が高いが保磁力の小さい第１磁性膜と、キュリー温
度が低いが保磁力に優れた第２磁性膜とからなり、上記
第１磁性膜と第２磁性膜とが磁気的に交換結合されてい
る光磁気記録膜が開示されている。この光磁気記録膜（
戯　耐酸化性に劣るという重大な問題点があり、また第
１磁性膜のみかけの保磁力の向上効果も充分ではなかっ
たｉ里左ｌ濃 本発明檄　上記のような問題点を解決するためになされ
たものであって、耐酸化性および記録感度に優ね　また
第１磁性膜のみかけ上の保磁力が増大し　しかもＣ／Ｎ
比が大きい光磁気記録媒体を提供することを目的として
いる。

５ＬＦＭｇ！ＬＩＳ 本発明に係る光磁気記録媒体告　基板上に光磁気記録膜
が設けられてなる光磁気記録媒体においで、 光磁気記録膜カー （ｉ）３ｄ遷移金属と、　（ｉｉ）　Ｐ　ｔおよび／ま
たはＰｄと、　（ｉｉｉ）希土類元素とからなり、キュ
リー温度（Ｔｃ）が１８０℃以上であり、かつ保磁力Ｈ
ｃが５　ＫＯｅ未満である第１磁性膜（層）と、（ｉ）
３ｄ遷移金属と、　（ｉｉ）　Ｐ　ｔおよび／またはＰ
ｄと、　（ｉｉｉ）希土類元素とからなり、キュリー温
度（Ｔｃ）が２００℃未満であり、保磁力が５　ＫＯｅ
以上である第２磁性膜（層）とが積層されてな　リ、 第１磁性膜と第２磁性膜とが磁気的に交換結合している
とともを−再生光が照射される側に第１磁性膜が設けら
れていることを特徴としている。

このような本発明に係る光磁気記録媒体は、耐酸化性に
優れるとともに記録感度にも便法　しがも第１磁性膜の
みかけの保磁力が増大味　かつ高いＣ／Ｎ比が得られる
。

ｉ里二人勝濫１ｊ 以下、本発明に係る光磁気記録媒体について具体的に説
明する。

本発明に係る光磁気記録媒体１０で（戴　たとえば第１
図に示すよう番−基板１上く　必要に応じて設けられる
保護膜２を介して、第１磁性膜３ａと第２磁性膜３ｂと
からなる光磁気記録膜３が設けられており、この光磁気
記録膜３上には必要に応じて保護膜４が設けられている
。

以下まず光磁気記録膜３について説明する。

太虱久里貝１ 本発明の光磁気記録膜３（戴　第１磁性膜３ａと第２磁
性膜３ｂとが積層されてなり、第１磁性膜３ａと第２磁
性膜３ｂとは磁気的に交換結合している。

この第１磁性膜３ａＬ　　（ｉ）３ｄ遷移金属と、（ｉ
ｉ）　Ｐ　ｔおよび／またはＰｄと、　（ｉｉｉ）希土
類元素とからなり、キュリー温度（Ｔｃ）は１８０℃以
ム　好ましくは２２０〜３００℃であって、保磁力Ｈｃ
は比較的小さく、５　ＫＯｅ未満好ましくは２ＫＯｅ以
下である。

（ｉ）３ｄ遷移金属としてｌＬ　　Ｆｅ５Ｃｏ、Ｔｉ。

ＶＳ　Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｊ、Ｃｕ、　　Ｚｎなどが用いら
れるカー　このうちＦｅまたはＣＯあるいはこの両者で
あることが好ましい。

この３ｄ遷移金属棗　第１磁性膜中に好ましくは２０〜
９０原子％、　より好ましくは３０〜８５原子％、とく
に好まゝしくは３５〜８０原子％の量で存在している。

（ｉｉ）Ｐｔおよび／またはＰｄを、第１磁性膜に含ま
せることによって、この第１磁性膜の耐酸化性を高める
ことができる。

このＰｔおよび／またはＰｄ１ｉ、第１磁性膜中シミ　
３〜３０厘子％、好ましくは５〜３０厘子％、とくには
１０〜２５厖子％、さらに好ましくは１０〜２０ｆｆｉ
子％の量で存在している。

（ｉｉｉ）希土類元素として１ｉ、下記のような元素が
挙げられる。

Ｇｄ、　　Ｅｒ、　　Ｔｍ、　　ＹｂＳ　Ｌｕ１　Ｌａ
１　Ｃｅ。

ＰｒＳ　ＮｄＳ　ＰＢ　　ＳＢ　　Ｅｕ、　　Ｔｂ、　
　Ｄｙ。

このうちＧｄ５ＥｕＳＰｒ、　　Ｎｄ、　　ＰｒｆＬ、
Ｓｍが好ましく用いられる。

上記のような群から選ばれる少なくとも１種の希土類元
素代　第１磁性膜中く　好ましくは５〜５０原子覧　さ
らに好ましくは８〜４５原子％とくに好ましくは１０〜
４０ｉ子％の量で存在している。

第２磁性膜３ｂｌ戴　（ｉ）３ｄ遷移金属と、（ｉｉ）
Ｐｔおよび／またはＰｄと、　（ｉｉｉ）希土類元素と
からなり、キュリー温度（Ｔｃ）は２００℃未鳳　好ま
しくは１００〜１６０℃であって、保磁力Ｈｃは比較的
大きく、５　ＫＯｅ以上好ましくは８ＫＯｅ以上である
。

（ｉ）３ｄ遷移金属として１礼　第１磁性膜３ａと同様
な金属とカ＼　同様な量で用いられる。

また（ｉｉ）Ｐｔおよび／またはＰｄｌ戴　第１磁性膜
３ａと同様な量で用いられる。

（ｉｉｉ）希土類元素として１礼　Ｔｂ、　　Ｄｙ、　
　Ｈｏ。

Ｇｄが用いられる。

これらの希土類元素：戴　第１磁性膜３ａと同様な量で
用いられる。

本発明で鷹　第１磁性膜および第２磁性膜カζ特＆−下
記に記載するような組成を有することが好ましい。

（ｉ）３ｄ遷移元素 本発明に係る第１磁性膜および第２磁性腹中にＥ（ｉ）
３ｄ遷移元素として、好ましくはＦｅまたはＣＯあるい
はこの両者が含まれており、Ｆｅおよび／またはＣｏｆ
＆４Ｏｆｆ子％以上８０原子％以下、好ましくは４０原
子％以上７５原子％未鳳　さらに好ましくは４０原子％
以上５９原子％以下の量で存在していることが望ましい
。

さらにＦｅおよび／またはＣｏは、Ｃｏ／（Ｆｅ＋Ｃｏ
）比［ｆｆ子比］が０以上０．３以下、好ましくは０以
上０．２以下、さらに好ましくは０．０１以上０．２以
下であるような量で、第１磁性膜および第２磁性膜中に
存在していることが望ましい。

Ｆｅおよび／またはＣＯの量が４０ＪＪｉ！子％以上で
８０Ｗ、子％以下の範囲にあると、耐酸化性に優へかつ
膜面に垂直な方向に磁化容易軸をもった第１磁性膜およ
び第２磁性膜が得られるという利点を有する。

ところで第１磁性膜および第２磁性膜中くＣｏを添加す
ると、　（イ）光磁気記録膜のキュリー点が上昇し　ま
た（口）カー回転角（θｋ）が大きくなるという現象が
認めら瓢　その結Ｌ　ＣＯの添加量により、光磁気記録
膜の記録感度を調整することができ、　しかもＣＯの添
加により、再生信号のキャリアレベルを増加することが
できる。

本発明に係る第１磁性膜および第２磁性膜で（戴ノイズ
レベル、Ｃ／Ｎ比の点からＣｏ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）比［原
子比コは０以上０．３以下、好ましくは０以上０．２以
下、さらに好ましくは０．０１以上０．２以下であるこ
とが望ましい。

このような本発明に用いる第１磁性膜および第２磁性膜
（転　記録および消去を繰り返し行なっても、膜装置が
生ずることはない。たとえば本発明に係るＰ　ｔ　、、
Ｔ　ｂ２．Ｆ　ｅｓ＠ＣＯｓなる組成を有する光磁気記
録膜代　１０万回の記録および消去を繰り返し行なって
もＣ／Ｎ比の低下は認められない。

（ｉｉ）Ｐｔおよび／またはＰｄ 本発明に用いる第１磁性膜および第２磁性腹中にＩｉ、
（ｉｉ）耐腐食性金属として、ＰｔまたはＰｄあるいは
この両者が含まれており、ｐｔおよび／またはＰ　ｄ　
１４　　第１磁性膜および第２磁性膜中に３〜３０原子
％好ましくは５〜３０原子％、より好ましくは１０原子
％を超えて３０Ｗ、子％以下、さらに好ましくは１０ｆ
ｆｌ子％を超えて２０ｗ、子％未鳳　最も好ましくは１
１原子％以上１９原子％以下の量で存在していることが
望ましい。

第１磁性膜および第２磁性膜中のｐｔおよび／またはＰ
ｄの量が５原子％以ム　特にＬｏｌｌ！ｊ子％を超えて
存在すると、これら磁性膜は耐酸化性に優札　長期間使
用しても孔食が発生せず、Ｃ／Ｎ比も劣化しないという
利点を有する。

たとえばＰ　を口Ｔ　ｂ２ｅ　Ｆ　ｅｓｓ　ＣＯｓある
いはＰ　ｄ＋２Ｔｂ２＠Ｆ　ｅｓ３Ｃ０７で示される組
成を有する磁性膜１戴　相対湿度８５％、８０℃の環境
下に１０００時間保持しても、Ｃ／Ｎ比は全く変化しな
い。これに対してＰｔまたはＰｄを含まないＴ　ｂ２．
Ｆ　ｅ、。

Ｃｏｖで示される組成を有する光磁気記録可能　相対湿
度８５％、８０℃の環境下に１０００時間保持すると、
Ｃ／Ｎ比は大きく低下する。

また第１磁性膜および第２磁性膜中にＰｔおよび／また
はＰｄを、添加特に上記のような範囲の量で添加するこ
とにより、交換結合による第１磁性膜の見かけ上の保磁
力Ｈｃが増加し　ビットの安定性が向上する。

（ｉｉｉ）希土類元素（ＲＥ） この希土類元素１転　膜面に垂直な方向に磁化容易軸を
もった光磁気を得るという点からＲＥ／（ＲＥ＋Ｆｅ＋
Ｃｏ）比［原子比コをＸで表わした場合番−０，１５≦
Ｘ≦０．４５、好ましくは０．２０≦Ｘ≦０．４である
ような量で光磁気記録膜中に存在していることが望まし
い。

本発明において叫　これら磁性膜に種々の元素を少量添
加して、キュリー温度や補償温度あるいは保磁力Ｈｃや
カー回転角θにの改善あるいは低コスト化を計ることも
できる。これらの元素（臥　記録膜を構成する全原子数
に対してたとえば１０厚子％未満の割合で用いることが
できる。

併用できる他の元素の例として↓戴　以下のような元素
が挙げられる。

（１）Ｆｅ、Ｃｏ以外の３ｄ遷移元素 具体的に＋３　　Ｓ　ｃ、　　Ｔ　ｉ、　　Ｖ、　　Ｃ
ｒ、　　Ｍｎ。

Ｎｉ、　　ＣｕＳ　Ｚｎが用イラレル。

これらのうち、Ｔｉ、Ｎｉ、ＣｕＳ　Ｚｎなどが好まし
く用いられる。

（ｎ）Ｐｄ以外の４ｄ遷移元素 具体的に＋４　　Ｙ、　　Ｚｒ、　　Ｎｂ、　　Ｍｏ、
Ｔｃ。

Ｒｕ、　　Ｒｈ、ＡｇＳ　Ｃｄが用いられる。

このうちＺｒ、Ｎｂが好ましく用いられる。

（ｍ）Ｐｔ以外の５ｄ遷移元素 具体的に＋４　　Ｈｆ、　　Ｔａ、　　Ｗ、　　Ｒｅ、
　　○５１１ｒＳ　Ａｕ、Ｈｇが用いられる。

このうちＴａが好ましく用いられる。

（ｒｖ）ｍＢ族元素 具体的にＬ　　Ｂ、Ａｌ１．Ｇａ、　　Ｉｎ、ＴＱが用
いられる。

このうちＢＳ　ＡＱＳ　Ｇａが好ましく用いられる。

（ｖ）ｒｖＢ族元素 具体的に＋Ｌ　　Ｃ，ＳｉＳ　ＧｅＳ　Ｓｎ、Ｐｂが用
いられる。

コノうち、ＳｉＳ　Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂが好ましく用いら
れる。

（Ｖｌ）ＶＢ族元素 具体的に（戴　ＮＳ　Ｐ、ＡｓＳ　Ｓｂ、Ｂｉが用いら
れる。

このうちｓｂが好ましく用いられる。

（■）ｖ＋Ｂ族元素 具−外的には、ＳＳ　Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐｏが用いられる。

このうちＴｅが好ましく用いられる。

上記のような積層構造を有する光磁気記録膜１戴膜面に
垂直な磁化容易軸を有し　多くはカー・ヒステリシスが
良好な角形ループを示す垂直磁気および光磁気記録可能
な非晶質薄膜となることが、広角Ｘ線回折などにより確
かめられる。

なお本明細書において、カー・ヒステリシスが良好な角
形ループを示すと叫　最大外部磁場におけるカー回転角
である飽和カー回転角（θに＋）と外部磁場ゼロにおけ
るカー回転角である残留カー回転角（θに２）との比θ
に２／θに、が０．８以上であることを意味している。

この第１磁性膜の膜厚は２００〜２０００人、好ましく
は３００〜１５００人、より好ましくは５００〜１２０
０人程度であることが望ましい。

また第２磁性膜の膜厚ｊｌ　　２００〜２０００人、好
ましくは３００〜１５００人、より好ましくは５００〜
１２００人程度であることが望ましい。

このような第１磁性膜３ａと第２磁性膜３ｂとｉｌｌ、
　　磁気的に交換結合している。

本発明で代　上記のような第１磁性膜３ａと第２磁性膜
３ｂと（戯　再生光が照射される側に第１磁性膜が設け
られるようシミ　積層されている。すなわち再生光が基
板側から照射される場合に失基板側に第１磁性膜３ａが
設けられる。

次＆ミ　上記のような光磁気記録膜３が積層される基板
１について説明する。

羨−−（ 本発明で１戴　基板１の材質は特に限定されないカ＼　
基板１側（矢印Ａ）からレーザ光が入射する場合に１戴
　透明基板であることが好ましく、具体的に（戴　ガラ
スやアルミニウム等の無機材料の他＆ミ　ポリメチルメ
タクリレート、ポリカーボネート、ポリカーボネートと
ポリスチレンのポリマーアロイ、米国特許第４．６１４
．７７８号明細書に開示しであるような環状オレフィン
ランダム共重合本　以下に説明するような環状オレフィ
ンランダム共重合体、ポリ４−メチル−１−ペンテン、
エポキシ樹脂、ポリエーテルサルフオン、ポリサルフオ
ン、ポリエーテルイミド等の有機材料を用いることがで
きる。この中で１戴　ポリメチルメタクリレート、ポリ
カーボネート、米国特許第４．６１４．７７８号明細書
に記載のような共重合体および下記の環状オレフィンラ
ンダム共重合体が好ましい。

本発明において、基板として特に好ましい材料として↓
戴　特に保護膜あるいは記録膜との密着性が良く、複屈
折率が小さいという観点から、エチレンと、下記−数式
［Ｉ］または［■’］で表される環状オレフィンとの共
重合体からなる環状オレフィンランダム共重合体が挙げ
られる。

−数式［Ｉ］ （式中、ｎはＯまたは１であり、ｍは０または正の整数
であって、 Ｒ１〜Ｒ１情戯　それぞれ独立をミ　水素原子、ハロゲ
ン原子および炭化水素基よりなる群から選ばれる原子も
しくは基を表し Ｒ１５〜ＲＩ　＠　Ｌ　　互いに結合して単環または多
環を形成していてもよく、かつ該単環または多環が二重
結合を有していてもよく、 また、　ＲＩ　６とＲｅ６とで、　またはＲ１７とＲ１
１とでアルキリデン基を形成していてもよい）。

−数式［Ｉ°］ （式［■゛］中、ｐは０または１以上の整数であり、ｑ
およびｒｌｉｏ、１またはＺであり、Ｒ１−Ｒ１６はそ
れぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、脂肪族炭化水素
基　芳香族炭化水素基　およびアルコキシ基よりなる群
から原子もしくは基を表しＲｓ（またはＲｅ）とＲ・（
またはＲＴ）と代　炭素数１〜３のアルキレン基を介し
て結合していてもよく、また何の基も介さずに直接結合
していてもよい。　） ただし　上記式［Ｉ］において、ｎはＯまたは１であり
、好ましくはＯである。また、ｍは０または正の整数で
あり、好ましくは○〜３である。

また上記式［Ｉ°〕において、ｐはＯまたは１以上の整
数であり、好ましくはＯ〜３の整数である。

そして、Ｒ１〜Ｒ１＠（式［■］）、またはＲ１−Ｒ１
モ（弐［１°］）は、それぞれ独立しミ　水素原子、ハ
ロゲン原子および炭化水素基よりなる群から選ばれる原
子もしくは基を表す。ここで、ハロゲン原子としては、
たとえば、フッ素譚子、塩素原子、臭素原子およびヨウ
素原子を挙げることができる。

また、炭化水素基としては、それぞれ独立＆ミ　通常は
炭素原子数１〜６のアルキル基　炭素原子数３〜６のシ
クロアルキル基を挙げることができ、アルキル基の具体
的な例として１戴　メチル五　エチル基　イソプロピル
五　イソブチル基　アミル基をあげることができ、シク
ロアルキル基の具体的な例として（戯　シクロヘキシル
基　シクロプロピル基　シクロブチル基　シクロペンチ
ル基を挙げることができる。

また上記式［工′］において、Ｒ６（またはＲε）とＲ
ｙ（またはＲ？）とＩＬ　　炭素数１〜３のアルキレン
基を介して結合していてもよく、また何の基も介さずに
直接結合していてもよい。

さら＆ミ　上記式［ｒ］において、Ｒ１５−ＲＩ・は互
いに結合して（共同して）単環または多環を形成してい
てもよく、かつ該単環または多環が二重結合を有してい
てもよい。また、ＲＩＢとＲ１６とで、またはＲＩＴと
Ｒ１１１とでアルキリデン基を形成していてもよい。こ
のようなアルキリデン基（戴　通常は炭素原子数２〜４
のアルキリデン基をあげることができ、その具体的な例
として（ｉ、エチリデン基　プロピリデン基　インプロ
ピリデン基およびイソブチリデン基をあげることができ
る。

前記式［Ｉ］または［Ｉ゛］で表される環状オレフィン
１戴　シクロペンタジェン類と、相応するオレフィン類
あるいは環状オレフィン類とをディールス・アルダ−反
応により縮合させることにより容易に製造することがで
きる。

前記式［Ｉ］または［Ｉ゛］で表される環状オレフィン
として１転　具体的に憾　たとえば下記のような化合物
を挙げることができる。

（以下余白） ン ７−メチルビシクロ［２ などのようなビシクロ［２，２，１］ヘプト−２−エン
誘導体。

ン ５．１０−ジメチルテトラ ＣＨ。

ＣＨ。

ＣＨ。

７、９−　トリメチルテ ン ５、８．９．１０−テトラメチ （以下余白） ９−インブチル−２，７− ９、１１，１２−）ジメチル ９−イソブチル−１１，１２ 一ドデセン ８−メチルテトラシフ ８−エチルテトラシフ １９コ ドデセン ８−へキシルテトラシ Ｃ１Ｈ畠７ ．１１ ドデセン ！ｅ］−３−ドデセン ８−メチル−９−エチルチ ー３−ドデセン ３−ドデセン １＠コー３ ドデセン １８コー３−ドデセン ン ８−エチリデン−９−イソ 一ドデセン 、１２ ｓ、１ｔ、＋ｓココ− ドデセ ン ５．１７・＋１−３−ドデセン ｎ−プロピリデン−９ 一ドデセン ５．１７・１＠コー３−ドデセン ７・Ｉ＠］−３−ドデセン −３−ドデセン 、Ｉｅココ−−ドデセン 、１２ ｓ、１フ、１８］ ３−ドデセ ン ８−ｎ−プロピリデン−９ ［４，４，０，１” ｓ、１〒・１−コー３ 一ドデセン １・ツー３−ドデセン ８−ｎ−プロピリデン−９ ［４，４，０，１２ ｓ、１ｔ、目コー３ 一ドデセン ８−イソプロビリデン ８−イソプロピリデン 一ドデセン デセン ＩＩＩコー３−ドデセン デセン 一ドデセン などのテトラシクロ［４，４，０，１２５，１７・１１
コー３−ドデセ ン誘導体； ヘプタデセン （以下余白） １５−エチルオクタシフ １ζＱ２　、　？　、　０９　、　＋　４コー４−ヘプ
タデセン などのへキサシクロ［６，６ １、１ｉ、　ｓ　、　１＋・ ＋３．Ｑ２．Ｔ、Ｑ９ などのオクタシクロ［８，８，０，１２＊、１４．７ １−Ｉ＋ ＋４コ ４−へブタデセン誘導体； １８、Ｑｌ＃、Ｑｌ ２フコ−５−トコセン銹導体 トコセン 目１１．＋６．Ｑ３ 一〇＋ ！７］−５−ドコセン などのヘプタシクロ−５−イコセン誘導体あるν）はへ
ブタシクロ−５−ヘンエイコセンｎ　導体；　Ｈｓ セン などのペンタシクロ［６，６，１，１３・６．Ｑｌ）□
ｅ　、　ｌ　Ｊツー４−ヘキサデセン誘導体： などのトリシクロ［４，３，０，１２ ６］−３−デセン誘導体： コセン １．６−シメチルベンタ １４、１５−ジメチルベン なとのトリシクロ［４，４，０，１２ Ｓ］−３−ウンデセン誘導 体 などのペンタシクロ［６，５，１，１３、６、０２７，
０９０３コー４− ペンタデセン誘導体 などのジエン化合物： メチル置換ベンタシ １＋＊ ２・１０口、＋＊、１４ ５・１参コ −５−ベンタコセン などのペンタシクロ ［４，７，０，１２，Ｓ、Ｏ”、１・、＋２］３−ペン
タデセン誘導体。

−５−ベンタコセン コセン などのノナシクロ ［９，１０，１，１’、７．０３ 會　Ｑ２　、　Ｉ　＠　、　Ｑｌ　２ ．２１．１１２．２１１．Ｑ１４ １９．１１１１＠コ 一５−ペンタコセン誘導 体等を挙げることができる。

（以下余白） ２・１５］ −４−エイコセン などのへブタシクロ ［７，８，０，１３・６．０２・７４１１ｍ１７．０ ＋Ｓ、ｌＩ２．１ｓコ −４−エイコセン誘導体； そしてさらに１転 ５−フェニル−ビシクロ［ を挙げることができる。

（以下余白） 上記のようなエチレンと、−数式［１］または［■′］
で表される環状オレフィンとの共重合体として１１３５
℃のデカリン中で測定した極限粘度［ｌコが０．０５〜
１０ｄｇ／　ｇの範囲にあり、軟化温度（ＴＭＡ）が７
０℃以上である環状オレフィン系ランダム共重合体（以
下環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］という）が
好ましく用いられる。また所望により、環状オレフィン
系ランダム共重合体［Ａ］＆；　　エチレンと、下記式
［ｒ］または［ｒ’ｌで表される環状オレフィンとの共
重合体であって、１３５℃のデカリン中で測定した極限
粘度［ｖ］が０．０５〜５ｃｌｌｌ　／　Ｈの範囲にあ
り、軟化温度（ＴＭＡ）が７０℃未満である環状オレフ
ィン系ランダム共重合体（以下環状オレフィン系ランダ
ム共重合体［Ｂ］という）を配合して用いてもよい。

上記のような環状オレフィン類とエチレンとの共重合体
である環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］および
［Ｂ１１Ｌ　　エチレンおよび前記環状オレフィンを必
須成分とするものであるが、該必須の二成分の他に本発
明の目的を損なわない範囲で、必要に応じて他の共重合
可能な不飽和単量体成分を含有していてもよい。任意に
共重合されていてもよい該不飽和単量体として、具体的
にｉｌｌたとえば生成するランダム共重合体中のエチレ
ン成分単位と等モル未満の範囲のプロピレン、１−ブテ
ン、４−メチル−１−ペンテン、１−ヘキセン、１−オ
クテン、　１−デセン、　１−ドデセン、　１−テトラ
デセン、１−ヘキサデセン、１〜オクタデセン、１−エ
イコセンなどの炭素原子数が３〜２ｏのａ−オレフィン
などを例示することができる。

上記のような環状オレフィン系ランダム共重合７体［Ａ
］で（戴　エチレンに由来する繰り返し単位（ａ）　Ｌ
　　４０〜８５モル％、好ましくは５０〜７５モル％の
範囲で存在しており、また該環状オレフィンに由来する
繰り返し単位（ｂ）は１５〜６０モル覧　好ましくは２
５〜５０モル％の範囲で存在しており、エチレンに由来
する繰り返し単位（ａ）および該環状オレフィンに由来
する繰り返し単位（ｂ）　Ｌ　　ランダムに実質上線状
に配列している。なお、エチレン組成および環状オレフ
ィン組成は＋３ｃｍＮＭＲによって測定した　この環状
オレフィン系ランダム共重合体が実質上線状であり、ゲ
ル状架橋構造を有していないこと１１　　該共重合体が
１３５℃のデカリン中に完全に溶解することによって確
認できる。

このような環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］の
１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度［ηコ檄　０
，０５〜１０ａ／ｇ、　　好ましくは０．０８〜５ａ／
ｇの範囲にある。

また環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］のサーマ
ル・メカニカル・アナライザーで測定した軟化温度（Ｔ
ＭＡ）　＋Ｌ　　７０℃以五　好ましくは９０〜２５０
℃、さらに好ましくは１００〜２００’Ｃの範囲にある
。なお軟化温度（ＴＭＡ）＋Ｌ　　デュポン社製Ｔｈｅ
ｒｍｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ａｎａｌｙｓｅｒを用い
て厚さ１工のシートの熱変形挙動により測定しへ　すな
わちシート上に石英製針をのせ、荷重４９ｇをかけ、５
℃／分で昇温していき、針が０．６３５．侵入した温度
をＴＭＡとしｔラ　　また、該環状オレフィン系ランダ
ム共重合体のガラス転移温度（Ｔｇ）ｌｋ　　通常５０
〜２３０℃、好ましくは７０〜２１０’Ｃの範囲にある
ことが望ましい。

また、この環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］の
Ｘ線回折法によって測定した結晶化度１戴０〜１０覧　
　好ましくは０〜７覧　とくに好ましくは０〜５％の範
囲である。

本発明で１戴　また上記のような軟化温度（ＴＭＡ）が
７０℃以上である環状オレフィン系ランダム共重合体［
Ａコ＆ミ エチレンと、上記式［工］または［１°］で表わされる
環状オレフィンとの共重合体であって、１３５℃のデカ
リン中で測定した極限粘度［ｖｌが０、０５〜５　ｄｌ
ｌ　／Ｈの範囲にあり、軟化温度（ＴＭＡ）が７０℃未
満である環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］を配
合してなる環状オレフィン系ランダム共重合体組成物か
ら基板を形成することが好ましい。

上記のような軟化点（ＴＭＡ）が７０を未満である環状
オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］で１戴エチレンに
由来する繰り返し単位（ａ）Ｌ　　６０〜９８モル％、
好ましくは６０〜９８モル％の範囲で存在しており、ま
た該環状オレフィンに由来する繰り返し単位（ｂ）は２
〜４０モル覧　好ましくは５〜４０モル％の範囲で存在
しており、エチレンに由来する繰り返し単位（ａ）およ
び該環状オレフィンに由来する繰り返し単位（ｂ）　Ｉ
Ｌ　　ランダムに実質上線状に配列している。なお、エ
チレン組成および環状オレフィン組成は＋３ｃｍＮＭＲ
によって測定した　この環状オレフィン系ランダム共重
合体［Ｂ］が実質上線状であり、ゲル状架橋構造を有し
ていないこと告　該共重合体が１３５℃のデカリン中に
完全に溶解することによって確認できる。

このような環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］の
１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度［η］哄　０
．０５〜５ｄ９／ｇ、　　好ましくは０．０８〜３ａ／
ｇの範囲にある。

また環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］のサーマ
ル・メカニカル・アナライザーで測定した軟化温度（Ｔ
ＭＡ）　ＩＬ　　７０℃未鳳　好ましくは一１０〜６０
℃、さらに好ましくは１０〜５５℃の範囲にある。さら
レミ　該環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］のガ
ラス転移温度（Ｔｇ）　ｌｉ、通常−３０〜６０℃、好
ましくは一２０〜５０℃の範囲にあることが望ましい。

また、この環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］の
Ｘ線回折法によって測定した結晶化度（戴０〜１０％、
好ましくは０〜７％、とくに好ましくは０〜５％の範囲
である。

本発明において、基板として環状オレフィンランダム共
重合体［Ａ］および［Ｂ］を用いる場合には、該環状オ
レフィン系ランダム共重合体［Ａ］／該環状オレフィン
系ランダム共重合体［Ｂ］の重量比は１００１０．１〜
１００／１０．　　好ましくは１００１０．３〜Ｚｏｏ
／７、とくに好ましくは１００１０．５〜１００１５の
範囲であることが望ましい。　［Ｂ］酸成分この範囲で
［Ａ］酸成分配合することによって基板自体ノ優れた透
明性と表面平滑性を維持したままで本発明で用いる反射
膜との苛酷な条件下での密着性が［Ａ］酸成分みの場合
に比べさらに向上するという効果があり、　［Ａ］　と
［Ｂコとのブレンドよりなるこの上記の環状オレフィン
ランダム共重合体組成物を基板に用いれば本発明で用い
る反射膜との優れた密着性は高温、高温条件下放置後に
おいてさえも変化がないという特性を有している。

本発明における基板を構成する上記の環状オレフィン共
重合体［Ａ］および［Ｂ］＋４　　特開昭６０−１６８
７０８号公転　特開昭６１−１２０８１６号公社　特開
昭６１−１１５９１２号公転　特開昭６１−１１５９１
６号公転　特開昭６２−２５２４０６号公転　特開昭６
２−２５２４０７号公社　特開昭６１−２７１３０８号
公転　特開昭６１−２７２２１６号公報などにおいて本
出願人が提案した方法に従い適宜条件を選択することに
より、製造することができる。

このような環状オレフィン系ランダム共重合体中におい
て、前記式［Ｉ］または［工°］で表される環状オレフ
ィンから導かれる構成単位（ｂ）は下記式［ｎ］または
［ｎ　’］で表される構造の繰り返し単位を形成してい
ると考えられるが、一部の構成単位（ｂ）が開環重合に
よって結合している場合もあり、また必要に応じて水素
添加することも可能である。

・・・　［ｎ］ （式［■コ中、ｍ、、ｎおよびＲ１−Ｒ１・は前記式［
Ｉ］における定義と同様である。） （式［ｎ’ココ中　ｐ、　　ｑ、　　ｒおよびＲＩ〜Ｒ
＋ｓは前記式［１′］における定義と同様である。）本
発明に係る光磁気記録媒体の基板として檄前述したとお
り、上記のエチレンと環状オレフィンとのランダム共重
合体のは力弓−同種または異種の環状オレフィン単量体
を開環して得られる環状オレフィン開環重合弧　開環共
重合体またはそれらの水素添加物を用いることもできる
。このような環状オレフィン開環重合倣　開環共重合体
およびこれらの水素添加物について、前記式［ｒ］で表
される環状オレフィンを例にして説明すると、以下に記
載するように反応して開環共重合体およびこれらの水素
添加物を構成していると考えられる。

［■　°］ ↓水素添加 ↓開環 二のような重合体の例として、テトラシクロドデセンと
ノルボルネン及びそれらの誘導体との開環共重合体　及
びその水素添加物をあげることができる。

なお、本発明においては上記のような開環重合化　開環
共重合体　これらの水素添加物および環状オレフィン系
ランダム共重合体の一部が無水マレイン酸等の不飽和カ
ルボン酸等で変性されていてもよい。このような変性物
ＩＬ　　上記のような環状オレフィン系樹脂と、不飽和
カルボン酸、これらの無水物、および不飽和カルボン酸
のアルキルエステル等の誘導体とを反応させることによ
り製造することができる。なお、この場合の環状オレフ
ィン系樹脂の変性物中における変性剤から導かれる構成
単位の含有率６戯　　通常は５０〜１０モル％以下であ
る。このような環状オレフィン系樹脂変性物置　所望の
変性率になるように環状オレフィン系樹脂に変性剤を配
合してグラフト重合させて製造することもできるし　予
め高変性率の変性物を調製し　次いでこの変性物と未変
性の環状オレフィン系樹脂とを混合することによっても
製造することができる。

本発明において、上記の開環重合倣　開環共重合体　こ
れらの水素添加物および環状オレフィン系ランダム共重
合体ならびにその変性物１戴　単独で、あるいは組み合
わせて使用することができる。

さら番−本発明において檄　上記のような環状オレフィ
ン系ランダム共重合体を製造するに際して、得られる重
合体等の物性を損なわない範囲で、前記式［Ｉ］または
［Ｉ′］で表される環状オレフィン以外の環状オレフィ
ンを重合させることもできる。このような環状オレフィ
ンとして１１　　たとえＩ戴 シクロブテン、 シクロペンテン、 シクロヘキセン、 ３．４−ジメチルシクロヘキセン、 ３−メチルシクロヘキセン、 ２−（２−メチルブチル）−１−シクロヘキセン、２、
３．３ａ、　７ａ−テトラヒトＯ−４，７−メタノ−Ｉ
Ｈ−インデン、 ３ａ、　ｓ、　６．７ａ−テトラヒトｏ　−４，７−メ
タノ−ＩＨ−インデンなどをあげることができる。この
ような他の環状オレフィンは単独で、あるいは組み合わ
せて使用することができ、通常、０〜５０モル％の量で
用いられる。

また本発明に係る光磁気記録媒体の基板に檄上記［Ａ］
および［Ｂ］酸成分地番ミ　衝撃強度を向上させるため
のゴム成分を配合したり、耐熱安定斉Ｌ　耐候安定斉Ｌ
　帯電防止舷　スリップ舷　アンチブロッキング斉ｋ　
防曇斉Ｌ　滑斉Ｌ　染料、顔料、天然源　合成法　ワッ
クスなどを配合することができ、その配合割合は適宜量
である。たとえは任意成分として配合される安定剤とし
て具体的に１戴　テトラキス［メチレン−３（３，５−
ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネ
ートコメタン、β−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒ
ドロキシフェニル）プロピオン酸アルキルエステル、２
．２’−オキザミドビス［エチル−３（３，５−ジ−ｔ
−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）コプロビオネート
などのフェノール系酸化防止１１ＪＳ　　ステアリン酸
亜銖　ステアリン陵カルシウム、１２−ヒドロキシステ
アリン酸カルシウムなどの脂肪酸金属塩、グリセリンモ
ノステアレート、グリセリンモノラウレート、グリセリ
ンジステアレート、ペンタエリスリトールモノステアレ
ート、ペンタエリスリトールジステアレート、ペンタエ
リスリトールトリステアレート等の多価アルコールの脂
肪酸エステルなどを挙げることができる。これらは単独
で配合してもよい八　組み合わせて配合してもよく、た
とえ１ｆ１　　テトラキス［メチレン−３（３゜５−ジ
−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネー
トコメタンとステアリン酸亜鉛およびグリセリンモノス
テアレートとの組合せ等を例示することができる。

本発明では特く　フェノール系酸化防止剤および多価ア
ルコールの脂肪酸エステルとを組み合わせて用いること
が好ましく、該多価アルコールの脂肪酸エステルは３価
以上の多価アルコールのアルコール性水酸基の一部がエ
ステル化された多価アルコール脂肪酸エステルであるこ
とが好ましい。

このような多価アルコールの脂肪酸エステルとして頃　
具体的に頃　グリセリンモノステアレート、　グリセリ
ンモノラウレート、グリセリンモノミリステート、グリ
セリンモノパルミテート、グリセリンジステアレート、
グリセリンジラウレート等のグリセリン脂肪酸エステル
、ペンタエリスリトールモノステアレート、ペンタエリ
スリトールモノラウレート、ペンタエリスリトールジラ
ウレート、ペンタエリスリトールジステアレート、ペン
タエリスリトールトリステアレート等のペンタエリスリ
トールの脂肪酸エステルが用いられる。

このようなフェノール系酸化防止斉口転　前記［Ａ］酸
成分よび［Ｂ］酸成分合計重量１００重量部に対して０
〜１０重量部好ましくは０〜５重量部さらに好ましくは
０〜２重量部の量で用いら瓢　また多価アルコールの脂
肪酸エステルは〔Ａ］酸成分よび［Ｂ］酸成分合計重量
１００重量部に対して０〜１０重量数　好ましくは０〜
５重量部の量で用いられる。

本発明に係る光磁気記録媒体の基板に１戴　本発明の目
的および透明性を損なわない範囲で、シリカ、ケイ藻土
、アルミナ、酸化チタン、酸化マグネシウム、軽石粉、
軽石バルーン、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウ
ム、塩基性炭酸マグネシウム、　ドロマイト、硫酸カル
シウム、チタン酸カリウム、硫酸バリウム、亜硫酸カル
シウム、タルク、クレー　マイカ、アスベスト、ガラス
繊織ガラスフレーク、ガラスピーズ、ケイ酸カルシウム
、モンモリロナイト、ベントナイト、グラファイト、ア
ルミニウム粉、硫化モリブデン、ボロン繊紘　炭化ケイ
素繊厭　ポリエチレン織縁　ポリプロピレン繊組　ポリ
エステル繊紘　ポリアミド繊維等の充填剤を配合しても
よい。

本発明において、基板として上記のような環状オレフィ
ン系ランダム共重合体または環状オレフィン系ランダム
共重合体組成物を用いると、この環状オレフィン系ラン
ダム共重合体または該共重合体を含む組成物からなる基
板と、保護膜あるいは記録層とは密着性に優れているた
め、記録膜は長期安定性に優れるとともに記録膜の酸化
が効果的に防止される。したがってこの環状オレフィン
系ランダム共重合体からなる基板上に記録膜を直接ある
いは保護膜を介して積層してなる光記録媒体１転　記録
感度に優瓢　また耐久性および長期安定性にも優れてい
る。また本発明に係る光記録媒体は反りがなく割れが生
ずることがない。

このような基板１の厚みは特に限定されないが、好まし
くは０．５〜５■特に好ましくは１〜２ｍである。

本発明に係る光磁気記録媒体１０では、基板１上に光磁
気記録膜３が設けられているが、必要に応じて、基板１
と光磁気記録膜３との間に保護膜２を設けてもよく、ま
た光磁気記録膜３上に保護膜４を設けてもよい。さらに
保護膜４上に金属膜（図示せず）を設けてもよい。

本発明に係る光磁気記録媒体１０で用いられる保護膜１
ｆ、ＳｉＮ、、ＺｎＳ、Ｚｎ５ｅＳ　ＣｄＳ。

Ｓｉ、ＡｉＮなどで示される組成の膜から形成されてお
り、このうちＳｉＮ、ｌＩが特に好ましい。

ＳｉＮ、で示される保護膜でＬＩＯ＜ｘ≦４／３である
ことが好ましく、具体的に１１　　Ｓ　ｉ、Ｎ４（四窒
化三ケイ素）などの窒化ケイ素膜あるいは０〈Ｘ＜４／
３となるようにＳｉ、Ｎ、とＳｉとを混合した混合膜が
特に好ましく用いられる。このようなＳｉＮ、で示され
る保護膜ＩＬ　　たとえばターゲットとして、　Ｓｉ、
Ｎ、またｉｆ、Ｓｉ、Ｎ、とＳｉとを用いて、スパッタ
リング法により成膜することができる。このようなＳ　
ｉ　Ｎ、からなる保護膜２１ｉ、通常２．０以上の屈折
率を有していることが好ましく、後述する光磁気記録膜
３を酸化などから保護する働き、あるいは光磁気記録膜
の記録特性を高めるエンハンス膜としての働き、あるい
はその両方の働きをしている。またＳｉＮ、（０＜ｘ≦
４７３）からなる保護膜服　特に耐クラツク性に優れて
いる。

本発明において、保護膜の膜厚は５００〜２０００＾、
好ましくは８００〜１５００人程度であることが望まし
い。

本発明においてｊＬ　　保護膜の膜厚を上記のような範
囲にすることによって、良好なＣ／Ｎ比と広い記録パワ
ーマージンを有する光磁気記録媒体を得ることができる
。

本発明に係る光磁気記録媒体１０１戯　　基板上＆ミ光
磁気記録焦　そして必要に応じて保護膜などを、たとえ
ば真空蒸着法、スパッタリング法あるいは電子ビーム蒸
着法などの成膜法を採用して成膜することによって製造
することができる。

λ更辺力Ｊ 本発明に係る光磁気記録媒体１転　耐酸化性（耐食性）
に優れるとともに記録感度にも優れており、しかも第１
磁性膜のみかけの保磁力が増大するので、ビットの安定
性が大きく、かつ高いＣ／Ｎ比が得られる。

［実施例コ 以下本発明を実施例によって説明するが、本発明はこれ
ら実施例に限定されるものではない。

叉ム眉」 １３０綿φのエチレン・テトラシクロドデセン共重合体
製基板（１）上に保護膜（２）としてＳｔ、Ｎ、を１１
００人の膜厚で、第１磁性膜（３ａ）としてＰ　ｔ’ｓ
　（Ｇｄｔ４ＦｅｓｓＣＯｓ）＊−を５６０への膜厚で
、第２磁性膜（３ｂ）としてＰｔ、１（Ｔｂ２．Ｆｅｓ
、ＣＯ，）、Ｉを６７０人の膜厚で、保護ＩＩＬ（５）
としてＳｉ３Ｎ４を８ｏＯ人の膜厚をマグネトロンスパ
ッタ法で成膜して光磁気記録媒体を作製した この第１磁性膜のキュリー温度（Ｔｃ）は２５０℃であ
り、保磁力は０．５ＫＯｅであつ九　また第２磁性膜の
キュリー温度（Ｔｃ）は１４０℃であり、保磁力は１０
ＫＯｅであった このディスクのカーループを基板側から測定したところ
、その保磁力（第１磁性膜の保磁力）は約３　、５　Ｋ
Ｏｅでありへ　また、記録再生特性を記録周波数３．７
Ｍ弘　ＤＵＴＹ比３３．３％、線速度５．７ｍ　／　ｓ
、記録レーザパワー７、０ｒＩｊＮ、再生レーザパワー
１．０ｎｉＪ　　外部バイアス磁界２０００ｅの条件で
測定したところ、約４８ｄＢのＣＮＲ（Ｃ／Ｎ比）が得
られた 耐食性を調べるため番ミ　　あらかじめ一定パターンの
信号を記録上　ディスクを８０℃、８５％の環境に約１
０００時間放置し　信号を読みだしてバイトエラーレー
ト（ＢＥＲ）を測定したところ、放置前のＢＥＲ値と変
化なかった　また、カーループを測定したところ保磁力
に変化ながう九皮豊ｊ」 １３０゜φのエチレン・テトラシクロドデセン共重合体
製基板（１）上に保護膜（２）としてＳｉ、Ｎ、を１１
００人の膜厚で、第１磁性膜（３ａ）としてＧ　ｄ２ｊ
Ｆ　ｅ、、ＣＯ，を５６０人の膜厚で、第２磁性膜（３
ｂ）としてＴ　ｂ２．Ｆ　ｅｓｌＣｏ、を６７０人の膜
厚で、保護膜（４）としてＳｉ、Ｎ、を８００人の膜厚
をマグネトロンスパッタ法で成膜して光磁気記録媒体を
作製し九この第１磁性膜のキュリー温度（Ｔｃ）は２７
０ｔ：：であり、保磁力は０．５ＫＯｅであった　また
第２磁性膜のキュリー温度（Ｔｃ）は１６０℃であり、
保磁力は１０ＫＯｅであった このディスクのカーループを基板側から測定したところ
、その保磁力（第１磁性膜の保磁力）は約２　、０　Ｋ
Ｏｅであっへ　また、記録再生特性を記録周波数３．７
Ｍ取　ＤＵＴＹ比３３．３９６．　　線速度５．７ｍ／
ｓ、　　記録レーザパワー７．０颯　再生レーザ、＜ツ
ー１．０区　外部バイアス磁界２０００ｅの条件で測定
したところ、約４８ｄＢのＣＮＲが得られ九耐食性を調
べるため＆ミ　あらかじめ一定パターンの信号を記録し
　ディスクを８０℃、８５％の環境に約１０００時間放
置し　信号を読みだしてバイトエラーレート（ＢＥＲ）
を測定したところ、放置前のＢＥＲ値の約２．５倍に変
化していた　また、カーループを測定したところ、保磁
力が１　、５　ＫＯｅに減少していた

【図面の簡単な説明】 第１図１ｉ、本発明の光磁気記録媒体の断面図である。 １・・・基板 ３・・光磁気記録膜 ３ｂ・・・第２磁性膜 １０・光磁気記録媒体 ２・・保護膜 ３ａ・・第１磁性膜 ４・・・保護膜

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に光磁気記録膜が設けられてなる光磁気記
   録媒体において、 光磁気記録膜が、 （ｉ）３ｄ遷移金属と、（ｉｉ）Ｐｔおよび／またはＰ
   ｄと、（ｉｉｉ）希土類元素とからなり、キュリー温度
   （Ｔｃ）が１８０℃以上であり、かつ保磁力Ｈｃが５Ｋ
   Ｏｅ未満である第１磁性膜と、（ｉ）３ｄ遷移金属と、
   （ｉｉ）Ｐｔおよび／またはＰｄと、（ｉｉｉ）希土類
   元素とからなり、キュリー温度（Ｔｃ）が２００℃未満
   であり、保磁力が５ＫＯｅ以上である第２磁性膜とが積
   層されてなり、第１磁性膜と第２磁性膜とが磁気的に交
   換結合しているとともに、再生光が照射される側に第１
   磁性膜が設けられていることを特徴とする光磁気記録媒
   体。