JPH04119663A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPH04119663A
JPH04119663A JP24058790A JP24058790A JPH04119663A JP H04119663 A JPH04119663 A JP H04119663A JP 24058790 A JP24058790 A JP 24058790A JP 24058790 A JP24058790 A JP 24058790A JP H04119663 A JPH04119663 A JP H04119663A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
cells
semiconductor substrate
present
input
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP24058790A
Other languages
English (en)
Inventor
Akihiko Tateishi
建石 明彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP24058790A priority Critical patent/JPH04119663A/ja
Publication of JPH04119663A publication Critical patent/JPH04119663A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はセミカスタム半導体装置におけるパッド及び、
入出力セルの配置方法に関する。
〔発明の概要〕
本発明は、セミカスタム半導体装置において、半導体装
置のパッド及び入出力セルを、半導体基板の裏部に配置
することにより、半導体基板の表部の全体を内部セルで
使用可能にするものである〔従来の技術〕 従来のセミカスタム半導体装置は、第4図に示すように
、201のパッド、2020人出力セルを、半導体基板
の表部に配置していた。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかし、従来のセミカスタム半導体装置は、パッド及び
入出力セルを、半導体基板の表部に配置していたため、
表部全体を内部セルで使用することは、不可能であり、
内部セルの利用率が低いという問題を有していた。そこ
で、本発明は、従来のこのような問題を解決するための
もので、その目的は、パッド及び入出力セルを、半導体
基板の裏部に配置することにより、半導体基板の表部(
全体を内部セルで使用可能にするところにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の半導体装置は、 1)セミカスタム半導体装置において、2)金属材料ま
たは、半導体材料からなるバラを有し、 3)前記、パッドに隣接している入出力セルを口し、 4)前記、パッドと入出力セルを、半導体基板6裏邪に
配置することを特徴とする。
〔実施例〕
第1図は本発明の表の全体図であり、101&内部セル
のセル列、102は半導体装置の基板、103は半導体
基板の表の内部セルと、裏の人しカセルとを接続するた
めの貫通溝である。
第2図は本発明の裏の全体図であり、201 &:パッ
ド、202は前記パッドに接続されているノ出力セルで
ある。
第6図は本発明の断面図であり、501は半導体基板の
表の内部セルと、裏の人出力セルを、105の貫通溝を
通して接続するための、アルミ配線である。
1060貫通溝の情報は予めマスク作成時に入れておく
ものとする。
実施例では、半導体基板の表の内部セルと、裏の人出力
セルを接続するために、アルミを用いたが、これは導伝
材料であれば、どのようなものでもよく、特に限定する
ものではない。
〔発明の効果〕
以上述べたように発明によれば、人出力セルを、半導体
基板の裏側に配置することにより、半導体基板の表金体
を内部セルで使用することが可能になり、内部セルの利
用率が飛躍的に向上する。
このように、本発明の、半導体装置の内部セル数の増大
の効果は、極めて大きい。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の半導体装置の表部の全体図第2図は本
発明の半導体装置の裏部の全体区第6図は本発明の半導
体装置の断面図。 第4図は従来の半導体装置の全体図である。 101・・・・・・・・・セル列 102・・・・・・・・・半導体基板 105・・・・・・・・・貫通溝 201・・・・・・・・・パッド 202・・・・・・・・・入出力セル 501・・・・・・・・・アルミ配線 以上

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)セミカスタム半導体装置において、 a)金属材料または、半導体材料からなるパッドを有し
    、 b)前記、パッドに隣接している入出力セルを有し、 c)前記、パッドと入出力セルを、半導体基板の裏部に
    配置することを特徴とする半導体装置。
JP24058790A 1990-09-11 1990-09-11 半導体装置 Pending JPH04119663A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24058790A JPH04119663A (ja) 1990-09-11 1990-09-11 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24058790A JPH04119663A (ja) 1990-09-11 1990-09-11 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04119663A true JPH04119663A (ja) 1992-04-21

Family

ID=17061735

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP24058790A Pending JPH04119663A (ja) 1990-09-11 1990-09-11 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04119663A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH03138972A (ja) 集積回路装置
KR910007120A (ko) 전기 회로용 디자인 시스템 및 반도체 박막 다중 칩 모듈
JPH0274046A (ja) 半導体集積回路装置
JPH04119663A (ja) 半導体装置
JPS6012742A (ja) 半導体装置
JPS58116757A (ja) マスタスライスlsi
JPS63211745A (ja) 半導体装置
JPS59165436A (ja) 半導体集積回路装置
JPH04119650A (ja) 半導体装置
JPH0115183Y2 (ja)
JPS60179042U (ja) ゲ−トアレイ半導体装置
JPS61225845A (ja) 半導体装置
JPS62273751A (ja) 集積回路
JPS5984547A (ja) 半導体装置
JPS5897634U (ja) インタフエイス装置
JPH03106043A (ja) 半導体装置
JPH0485879A (ja) ゲートアレイ
JPH0399454A (ja) C―mosゲートアレイ
JPS6329949A (ja) 半導体集積回路装置
JPH03152956A (ja) 半導体集積回路
JPS61216073A (ja) 切替形dma回路
JPS58191641U (ja) 半導体装置
JPH02130996A (ja) 電子部品実装用装置
JPH04147675A (ja) マスタースライス式半導体集積回路装置
JPH04119651A (ja) 半導体装置